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JULIO CÉSAR TINOCO MAGAÑA
RESUMEN:
Doctor en Ciencias en Ingeniería Eléctrica, con especialidad de Electrónica del Estado Sólido, graduado del Centro
de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional de la Ciudad de México (CINVESTAV-IPN).
Experiencia de 16 años dentro de la Investigación en las áreas de Electrónica del Estado Sólido, Física y Tecnología de
Semiconductores y dispositivos semiconductores. Miembro del Sistema Nacional de Investigadores Nivel I.
OCUPACIÓN ACTUAL:
Puesto
Universidad
Dependencia
: Investigador - Titular C
: Universidad Veracruzana
: Centro de Investigación en Micro y Nanotecnología (Microna)
FORMACIÓN:
PUESTO
Universidad
Facultad
Lugar
Periodo
: INVESTIGADOR POSDOCTORAL.
: Universidad Católica de Lovaina.
: Escuela Politécnica de Lovaina.
Laboratorio de Microondas (EMIC).
: Loviana-la-Nueva, Bélgica
: Mayo/2007 a Diciembre/2008.
PUESTO
Universidad
Facultad
Depto.
Lugar
Periodo
: INVESTIGADOR POSDOCTORAL.
: Universidad Rovira i Virgili.
: Escuela Técnica Superior de Ingeniería.
: Departamento de Ingeniería Electrónica, eléctrica y Automática
: Tarragona, España.
: Febrero/2006 a Marzo/2007.
Grado
: Doctor en Ciencias en Ingeniería Eléctrica.
Especialidad de Electrónica del Estado Sólido.
Doctorado Directo.
: Obtención y caracterización de dieléctricos ultrafinos para
dispositivos semiconductores y circuitos integrados.
: Centro de Investigaciones y de Estudios Avanzados
CINVESTAV-IPN, México D. F.
: Julio/2004
Título de la tesis
Institución
Obtención del Grado
Título
Institución
Escuela
Periodo
Titulación
: Ingeniero en Comunicaciones y Electrónica
: Instituto Politécnico Nacional, México.
: Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica (ESIME)
Unidad Zacatenco, México D. F.
: Septiembre/1994 a Enero/1999
: Tesis y Examen oral. Septiembre/1999.
JULIO CÉSAR TINOCO MAGAÑA
EXPERIENCIA PROFESIONAL
PUESTO
Universidad
Facultad
Lugar
Periodo
: PROFESOR ASOCIADO C A TIEMPO COMPLETO
: Universidad Nacional Autónoma de México
: Facultad de Ingeniería
: Departamento de Ingeniería en Telecomunicaciones
: Febrero/2009 a Enero 2013
PUESTO
Tema
Universidad
Facultad
Lugar
Periodo
: INVESTIGADOR POSDOCTORAL.
: Caracterización de transistores FinFET en DC y RF.
: Universidad Católica de Lovaina.
: Escuela Politécnica de Lovaina.
Laboratorio de Microondas (EMIC).
: Loviana-la-Nueva, Bélgica
: Mayo/2007 a Diciembre/2008.
PUESTO
Tema
Universidad
Facultad
Depto.
Lugar
Periodo
: INVESTIGADOR POSDOCTORAL.
: Modelado de transistores de silicio tensado.
: Universidad Rovira i Virgili.
: Escuela Técnica Superior de Ingeniería.
: Departamento de Ingeniería Electrónica, eléctrica y Automática
: Tarragona, España.
: Febrero/2006 a Marzo/2007.
PUESTO
Universidad
Facultad
Lugar
Periodo
: PROFESOR.
: Universidad de San Martín de Porres.
: Facultad de Ingeniería y Arquitectura.
: Lima, Perú.
: Marzo/2005 a Diciembre/2005.
PUESTO
Universidad
Facultad
Lugar
Periodo
: PROFESOR.
: Universidad Tecnológica del Perú.
: Facultad de Ingeniería Electrónica y Mecatrónica.
: Lima, Perú.
: Marzo/2005 a Diciembre/2005.
ESTANCIAS DE INVESTIGACIÓN:
Tipo de Estancia
Universidad
Facultad
Lugar
Periodo
: Estancia de Investigación.
: Universidad Católica de Lovaina.
: Escuela Politécnica de Lovaina.
: Laboratorio de Microondas (EMIC).
: 22-30 de Junio 2012.
Tipo de Estancia
Universidad
Facultad
Lugar
Periodo
: Estancia de Investigación.
: Universidad Católica de Lovaina.
: Escuela Politécnica de Lovaina.
: Laboratorio de Microondas (EMIC).
: 11-18 de Marzo 2011.
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JULIO CÉSAR TINOCO MAGAÑA
PUBLICACIONES:
Capítulos de libro:
 Julio C. Tinoco and Jean-Pierre Raskin (2010). “Advanced RF MOSFET´s for Microwave and Millimeter Wave
Applications: RF Characterization Issues”, Microwave and Millimeter Wave Technologies from Photonic Bandgap
Devices to Antenna and Applications, Igor Minin (Editor), ISBN: 978-953-7619-66-4, InTech, 2010.
Artículos en Revistas Internacionales:
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A. G. Martinez-Lopez, A. Cerdeira, J. C. Tinoco, J. Alvarado, W. Y. Padron, C. Mendoza and J.-P. Raskin,
"RF modeling of 40-nm SOI triple-gate FinFET". In Press, International Journal of Numerical Modelling,
2014.
M. Estrada, G. Gutierrez-Heredia, A. Cerdeira, J. Alvarado, I. Garduño, J. Tinoco, I. Mejia, M. QuevedoLopez, "Temperature dependence of the electrical characteristics of low-temperature processed zinc oxide thin
film transistors", Thin Solid Films, Vol. 573, pp 18–21, 2014.
A.G. Martinez-Lopez, W. Padrón-Hernández, O. F. Rodríguez-Bernal, O. Chiquito-Coyotl, M. A. EscarolaRosas, J.M. Hernández-Lara, E. A. Elvira-Hernández, G. A. Méndez, J.C. Tinoco-Magaña, J. MartínezCastillo. "Alternativas actuales del manejo de lixiviados", Avances en Química, Vol. 9(1), pp. 37-47, 2014.
A. Cerdeira, M. Estrada, J. Alvarado, I. Garduño, E. Contreras, J. Tinoco, B. Iñiguez, V. Kilchytska, D.
Flandre, "Review on Double-Gate MOSFETS and FinFETs Modeling", Facta Universitatis - Series:
Electronics and Enegetics. Vol. 26, No. 3, pp.197-213, Diciembre 2013.
S. Salas, J. C. Tinoco, A. G. Martinez-Lopez, J. Alvarado and J.-P. Raskin. “Parasitic Gate Capacitance
Model for Triple-Gate FinFETs”, IEEE Transaction on Electron Devices, Vol. 60, no. 11, pp. 3710-3717, Nov.
2013.
A. Cerdeira, I. Garduño, J. Tinoco, R. Ritzenthaler, J. Franco, M. Togo, T. Chiarella, C. Claeys. "Charge
based DC compact modeling of bulk FinFET transistor", Solid-State Electronics, Vol. 87, pp. 11-16, 2013.
J. C. Tinoco, S. Salas, A. G. Martinez-Lopez, J. Alvarado and J.-P. Raskin. “Impact of Extrinsic Capacitances
on FinFETs RF Performance”, IEEE Transaction on Microwave Theory and Techniques, Vol. 61, no. 2, pp.
833-840, Feb. 2013.
J. C. Tinoco, A. G. Martinez-Lopez and J.-P. Raskin. “Mobility degradation and transistor asymmetry impact
on field effect transistor access resistances extraction”. Solid-State Electronics, Vol. 53, pp. 214-218, 2011
J. C. Tinoco, J.-P. Raskin. “New RF extrinsic resistances extraction procedure for deep-submicron MOS
transistors”. International Journal of Numerical Modeling IJNM, Vol 23, no. 2, pp. 107-126, 2010.
E. Miranda, J. Tinoco, I. Garduño, M. Estrada and A. Cerdeira. “Analysis and simulation of the postbreakdown leakage current in electrically stressed TiO2/SiO2 gate stacks” Thin-Solid Films, Vol 517 (5), pg.
1710-1714, 2009.
Mostafa Emam, Julio C. Tinoco, Danielle Vanhoenacker-Janvier and Jean-Pierre Raskin. “High-Temperature
DC and RF Behaviors of Partially-Depleted SOI MOSFET Transistors”. Solid-State Electronics, Vol 52, pg
1924–1932, 2008.
J. C. Tinoco, R. García, B. Iñiguez, A Cerdeira and M. Estrada. "Threshold Voltage Model for Bulk StrainedSilicon NMOSFETs". Semicond. Sci. Technol. Vol. 23(3) pg. 035017, 2008.
J. C. Tinoco, M. Estrada, B. Iñiguez and A. Cerdeira. “Conduction mechanisms of silicon oxide/titanium oxide
MOS stack structures”. Microelectronics Reliability, Vol. 48 (3), pg. 370-381, 2008.
J. C. Tinoco, M. Estrada, H. Baez and A. Cerdeira. “Room Temperature Plasma Oxidation: A New Process
for Preparation of Ultrathin Layers of Silicon Oxide, and High Dielectric Constant Materials”. Thin Solid
Films. Vol. 496 (2). Pg. 546, 2006.
J. C. Tinoco, M. Estrada and G. Romero. “Room Temperature Plasma Oxidation Mechanism to Obtain
Ultrathin Silicon Oxide and Titanium Oxide Layers”. Microelectronics Reliability Vol. 43 (6). Pg. 895, 2003.
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JULIO CÉSAR TINOCO MAGAÑA
Artículos en Congresos Internacionales:
Artículos invitados en Conferencia Internacional
1.
2.
J. C. Tinoco, J.-P. Raskin, A. Cerdeira and M. Estrada. “MuGFETS for Microwave and Millimeter Wave
Applications” Proc. Int. Conf. on Solid-State and Integrated Circuit Technol. ICSICT-2010. Shanghai, China.
November 1-4, 2010.
M. Estrada and J. C. Tinoco. “Room Temperature Plasma Oxidation (RTPO): A New Approach to Obtain
Ultrathin Layers of SiO2 and High K Dielectrics”. Proc. The 7th International Conference on Solid-State and
Integrated-Circuit Technology IEEE-ICSICT´2004. Beijing, China, 18-21 de octubre 2004.
Artículos regulares con arbitraje internacional:
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14.
A. G. Martinez-Lopez, W. Y. Padron-Hernandez, S. Salas, J. Alvarado, J. C. Tinoco, J.-P. Raskin and A.
Cerdeira. “Triple Gate FinFETs for Very High Frequency Applications”, 1st. Workshop on Advanced
Materials and Devices. Havana, Cuba, March 13-15, 2013.
S. Salas, J. C. Tinoco, A. G. Martinez-Lopez, J. Alvarado and J.-P. Raskin, “Fringing Gate Capacitance
Model for Triple-Gate FinFET” Proc. SiRF-2013. Austin, Texas. USA. January 21-23, 2013.
J. J. Alvarado, J. C. Tinoco, S. Salas, A. Martinez-Lopez, B. S. Soto-Cruz, A. Cerdeira, J. P. Raskin, “SOI
FinFET Compact Model for RF Circuits Simulation” Proc. SiRF-2013. Austin, Texas. USA. January 21-23,
2013.
J. C. Tinoco, J. Alvarado, A. G. Martinez-Lopez, B. Iñiguez and A. Cerdeira. “Drain Current Model for Bulk
Strained Silicon NMOSFETs” Proc. International Caribbean Conference on Device, Circuits and Systems
ICCDCS-2012. Playa del Carmen, Quintana Roo, México. March 14-16, 2012.
J. Alvarado, J. C. Tinoco, V. Kilchytska, D. Flandre, J.-P. Raskin, E. Contraras and A. Cerdeira. “Compact
Small-Signal Model for RF FinFETs” Proc. International Caribbean Conference on Device, Circuits and
Systems ICCDCS-2012. Playa del Carmen, Quintana Roo, México. March 14-16, 2012.
J. C. Tinoco, J. Alvarado, A. G. Martinez-Lopez and J.-P. Raskin. “Impact of Extrinsic Capacitances on
FinFETs RF Performance”. Proc. SiRF-2012. Santa Clara Cal. USA. January 19-18, 2012.
J. C. Tinoco, A. G. Martinez-Lopez, M. Emam, and J.-P. Raskin. “New RF Intrinsic Parameters Extraction
Procedure for advanced MOS Transistors”. Proc. International Conference on Microelectronics Test
Structures ICMTS-2010. Hiroshima, Japan. March 23-25, 2010.
A. Cerdeira, M. Estrada, J. C. Tinoco and J.-P. Raskin. “RF Compact Small-Signal Model for SOI DGMOSFETS” Proc. 27th International Conference on Microelectronics MIEL-2010. Nis, Serbia. May 16-19,
2010.
J. C. Tinoco, C. Urban, M. Emam, S. Mantl, Q. T. Zhao and J.-P. Raskin. “Non-linear analysis of n-type
Schottky-Barrier MOSFETs”. Proc. IEEE Int. SOI Conference SOI-2010. San Diego Cal. USA. October 1114, 2010.
J. C. Tinoco and J.-P. Raskin. “Revised RF Extraction Methods for Deep Submicron MOSFETs”, Proc.
European Microwave Week EuMW-2008, Amsterdam, Netherlands October 27-31, 2008.
J. C. Tinoco and J.-P. Raskin. “RF-extraction methods for MOSFET series resistances: A fair comparison”.
Proc. IEEE 7th International Caribbean Conference on Devices, Circuits and Systems, Cancun, Mexico, April
28-30, 2008.
J. C. Tinoco, B. Parvais, A. Mercha, S. Decoutere and J.-P. Raskin. “DC and RF characteristics of FinFET
over a wide temperature range”. Proc. EuroSOI-2008. Cork, Irlanda, 23-25 January. 2008.
M. Emam, J. C. Tinoco, D. Vanhoenacker-Janvier and J.-P. Raskin. “High-Temperature RF Behavior of
Partially-Depleted SOI MOSFET Transistors”. Proc. EuroSOI-2008. Cork, Irlanda, 23-25 January. 2008.
E. Miranda, J. Tinoco, I. Garduño, M. Estrada and A. Cerdeira. "Equivalent Electrical Circuit Model for the
Post-Breakdown Current in SiO2/TiO2 Gate Stacks". Proc. 6th Spanish Conference on Electronic Devices. San
Lorenzo del Escorial, Madrid, Spain. 30th January-2nd February, 2007.
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JULIO CÉSAR TINOCO MAGAÑA
15. I. Garduño, P. Saint-Cast, J. C. Tinoco, M. Estrada. “Dependence with Pressure and Temperature of the
Plasma Oxidation Mechanism Applied to Ultrathin Oxides”. Proc. Sixth International Caribbean Conference
on Devices, Circuits and Systems. IEEE-ICCDCS-2006. Playa del Carmen, México. 26-28 Abril 2006.
16. J. C. Tinoco and M. Estrada. “Room Temperature Plasma Oxynitridation Process, (RTPON), to Obtain
Ultrathin Dielectric Films”. Proc. Fifth International Caracas Conference on Devices, Circuits and Systems
IEEE-ICCDCS-2004. Punta Cana, Republica Dominicana, 3-5 Noviembre 2004.
17. H. Báez, M. Estrada and J. C. Tinoco. “Electrical Characterization of MOS Capacitors with SiO2-TiO2
Dielectric Stack Made by Room Temperature Plasma Oxidation”. Proc. Fifth International Caracas
Conference on Devices, Circuits and Systems IEEE-ICCDCS-2004. Punta Cana, Republica Dominicana, 3-5
Noviembre 2004.
18. J. C. Tinoco and M. Estrada. “Characterization of Ultrathin SiO2 Films Obtained by Room Temperature
Plasma Oxidation of Silicon”. Proc. 24th International Conference on Microelectronics MIEL-2004, Vol. 2.
Nis, Serbia and Montenegro, 19 May 2004. Pg. 463.
19. J. C. Tinoco and M. Estrada. “Very Low Plasma Oxidation Rate for High-quality Ultrathin SiO2 layers”. The
Electrochemical Society. Vol. 2002-8. Pg. 302, 2002.
20. J. C. Tinoco, R. Quintero y M. Estrada. “Control de Mediciones Utilizando la Técnica de Instrumentación
Virtual”. Memorias 2nd Workshop on Characterization Techniques in Semiconductors. CINVESTAV-IPN
México D.F. México, Septiembre 1998.
SEMINARIOS Y CONGRESOS IMPARTIDOS:
Seminarios internacionales sin publicación:
1.
2.
3.
4.
5.
J. C. Tinoco. “Transistores MOSFET avanzados para aplicaciones analógicas de muy altas frecuencias”.
Bogotá, Colombia. Octubre 17-19, 2012.
J. C. Tinoco and J.-P. Raskin. “RF Extraction Techniques for Series Resistances of MOSFETs” MOS-AK
meeting, Eindhoven, Holanda. Abril 3-4, 2008.
J. C. Tinoco and J.-P. Raskin. “RF Extraction Techniques for Series Resistances of MOSFETs: Major
Concerns” MOS-AK meeting, Eindhoven, Holanda. Abril 3-4, 2008.
J. C. Tinoco. “El rol del óxido de silicio en los procesos de fabricación de dispositivos semiconductores y
circuitos integrados” X Convención Universitaria de Ingeniería, VISION – 2005. Lima Perú, Octubre 2005.
J. C. Tinoco “Perspectivas de la Tecnología CMOS” Ciclo de conferencias magistrales Universidad Mayor de
San Marcos: 454 Años. Universidad Mayor de San Marcos. Lima Perú, Mayo 2005.
Seminarios nacionales sin publicación:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
J. C. Tinoco, “Pasado Presente y Futuro de la Microelectrónica con Aplicación de Biosensores”. Simposium
de Ingenierías Eléctrica y Electrónica. Victoria de Durango, Durango, 6 al 10 de Octubre 2014.
J. C. Tinoco, "La Microelectrónica y la Sociedad Moderna", Jornadas UV: Divulgación de la Ciencia y la
Tecnología, Universidad Veracruzana. Boca del Río 29 de Mayo, 2014.
J. C. Tinoco, "Transistores FinFETs: Avances y Perspectivas", Conferencia Magistral en el evento: "Día
Nacional del Ingeniero" XXVI aniversario. Universidad Veracruzana. Boca del Río 23 de Mayo, 2014.
J. C. Tinoco, "Transistores FinFET de Triple Compuerta: Avances y Perspectivas", Coloquio de
Semiconductores. Aplicaciones y Tendencias. Sección de Electrónica del Estado Sólido, Depto. de Ingeniería
Eléctrica. CINVESTAV-IPN. México D. F. 9 de Mayo 2014.
J. C. Tinoco, "Transistores FinFET de Triple Compuerta: Avances y Perspectivas", Seminario del Depto. de
Física. Facultad de Física e Inteligencia Artificial, Universidad Veracruzana. Xalapa, Veracruz, 13 de
Septiembre, 2013.
J. C. Tinoco, "Dispositivos y Circuitos Semiconductores", Conferencia Magistral en el evento: "Día Nacional
del Ingeniero" XXV aniversario. Universidad Veracruzana. Boca del Río 9 de Mayo, 2013.
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16.
17.
18.
19.
J. C. Tinoco, "MOSFET de Silicio Tensado: Avances y Perspectivas" Conferencia Magistral, 3er. Simposio de
Avances de Tesis de Grado. Maestría en Ciencias en Micro y Nanosistemas. Universidad Veracruzana. Boca
del Río, 5 y 6 de Enero, 2012.
J. C. Tinoco. “Transistores MOSFET avanzados”. Ciclo de Coloquios del programa de Alto Rendimiento
Académico. COPADI-FI UNAM, 29 de abril, 2011
J. C. Tinoco. “Transistores MOSFET para aplicaciones de microondas y ondas milimétricas”. Centro de
Investigación en Micro y Nanotecnología, Universidad Veracruzana, Boca del Rio, Ver. 19 de Noviembre,
2010.
V. García Garduño, J. Cuéllar González, J. L. García García y J. C. Tinoco Magaña. “Sistema de Asistencia
para adultos mayores en situaciones de emergencia”. GDF, Semana de la Ciencia y la Innovación 2010. Cd.
de México, 25 de Noviembre 2010.
J. C. Tinoco. “Transistores MOSFET avanzados para aplicaciones de microondas y ondas milimétricas”.
SIMPOSIO: La Investigación y el Desarrollo Tecnológico en Ingeniería Eléctrica. Facultad de Ingeniería
UNAM, Cd. de México, 30 de Noviembre 2010.
Juventino Cuéllar González, José Luis García García, Víctor García Garduño y Julio César Tinoco Magaña.
“Diseño y construcción de un sistema electrónico de atención para personas adultas mayores en situaciones
de emergencia (SAPE)”. SIMPOSIO: La Investigación y el Desarrollo Tecnológico en Ingeniería Eléctrica.
Facultad de Ingeniería UNAM, Cd. de México, 30 de Noviembre 2010.
J. C. Tinoco. “Transistor MOSFET para aplicaciones de muy alta frecuencia: Extracción de parámetros
intrínsecos”. Ciclo de Seminarios Universidad Politécnica de Región Ribereña, Cd. Miguel Alemán,
Tamaulipas. Septiembre 2009.
J. C. Tinoco. “Transistor MOSFET para aplicaciones de RF y ondas milimétricas”. IV Encuentro del
Seminario de Microsistemas-2009, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Puebla, Pue. 22 – 24 de
Abril, 2009.
J. C. Tinoco. “Extracción de Resistencias Serie de Transistores MOS por técnicas de RF”. Centro de Ciencias
Aplicadas y Desarrollo Tecnológico, Universidad Nacional Autónoma de México CCADET-UNAM. México
D. F. Mayo, 2008.
J. C. Tinoco. “Principios de Operación y Fabricación de Transistores de Efecto de Campo” Universidad
Privada Antenor Orego UPAO. Trujillo Perú. Octubre 2005.
J. C. Tinoco. “Teoría de Bandas de Energía”. Ciclo de Conferencias: Año Internacional de la Física. Facultad
de Ingeniería y Arquitectura, Universidad de San Martín de Porres. FIA-USMP. Lima Perú, Agosto 2005.
J. C. Tinoco. “Transformada de Lorentz”. Ciclo de Conferencias: Año Internacional de la Física. Facultad de
Ingeniería y Arquitectura, Universidad de San Martín de Porres. FIA-USMP. Lima Perú, Agosto 2005.
M. Estrada y J. C. Tinoco. “Oxidación en Plasma a temperatura ambiente (RTPO : Un nuevo método de
obtención de capas ultrafinas de SiO2 (<2.5 nm) y dieléctricos de alta-k” Seminario departamental.
Departamento de Ingeniería Eléctrica. CINVESTAV-IPN. México D. F., México, Mayo 2004.
DESARROLLOS TECNOLÓGICOS:
 Desarrollo del prototipo “Un Botón de Ayuda”. Facultad de Ingeniería – UNAM. Proyecto elaborado bajo
colaboración del Gobierno de la Ciudad de México a través del Instituto de Ciencia y Tecnología del Distrito
Federal ICyT-DF.
 Patente en Trámite
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JULIO CÉSAR TINOCO MAGAÑA
FORMACIÓN DE RECURSOS HUMANOS
ALUMNOS GRADUADOS (POSGRADO)
Alumno
Grado
Titulo de la Tesis
Lugar
Fecha
Alumno
Grado
Titulo de la Tesis
: Mario Alberto Hernández Román (Director)
: Maestría en Ingeniería.
: Validación Experimental del Modelo de Circuito Equivalente de
Pequeña Señal para Transistores FinFET de Tres Compuertas
: Universidad Nacional Autónoma de México
Posgrado en Ingeniería. Campo de Conocimiento: Ing. Eléctrica
: 02/2014
Fecha
: Lorenzo Antonio Flores (Director)
: Maestría en Ingeniería.
: Optimización de los efectos parásitos en transistores FinFET de tres
compuertas para aplicaciones analógicas de muy alta frecuencia
: Universidad Nacional Autónoma de México
Posgrado en Ingeniería. Campo de Conocimiento: Ing. Eléctrica
: 01/2014
Alumno
Grado
Titulo de la Tesis
Lugar
Fecha
: Wendy Yaznay Padrón Hernández - (Co-director)
: Maestría en Ciencias en Micro y Nanosistemas
: Modelado de Transistores Canal N de Silicio Tensado.
: MICRONA - Universidad Veracruzana
: 04/2013
Alumno
Grado
Titulo de la Tesis
: Silvestre Salas Rodríguez - (Co-director)
: Maestría en Ciencias en Micro y Nanosistemas
: Modelado de las Capacitancias Extrínsecas de Transistores
FinFET de tres Compuertas.
: MICRONA - Universidad Veracruzana
: 04/2013
Lugar
Lugar
Fecha
Alumno
Grado
Titulo de la Tesis
Lugar
Fecha
: Aleidi Nicolás Pablo (Director)
: Maestría en Ingeniería.
: Análisis de Distorsión Armónica en Transistores SB-MOSFET.
: Universidad Nacional Autónoma de México
Postgrado en Ingeniería. Campo de Conocimiento: Ing. Eléctrica
: 01/2012
ALUMNOS GRADUADOS (LICENCIATURA)
Alumno
Grado
Titulo de la Tesis
Lugar
Fecha
: Omar Fernando Rodríguez Bernal
: Ing. Químico
: Estudio de Celdas Solares Orgánicas: Principios de Operación
y Tecnología de Fabricación
: Facultad de Ingeniería - Universidad Veracruzana
: 01/2013
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JULIO CÉSAR TINOCO MAGAÑA
Alumno
Grado
Titulo de la Tesis
Fecha
: David Lucario Matías
: Ing. Eléctrico Electrónico
: Extracción de Capacitancias Parásitas de Transistores FinFET
de tres Compuertas.
: Universidad Nacional Autónoma de México
Facultad de Ingeniería – Depto. de Ing. Eléctrica Electrónica
: 01/2012
Alumno
Grado
Titulo de la Tesis
Lugar
Fecha
: Adalberto Sostenes Hernández Ceja
: Ing. En Electrónica y Comunicaciones
: Perspectivas de la Microelectrónica del BJT a los MuGFETs
: Facultad de Ingeniería - Universidad Veracruzana
: 09/2011
Alumno
Grado
Titulo de la Tesis
: Lorenzo Antonio Flores
: Ing. en Telecomunicaciones
: Extracción del Modelo de Circuito Equivalente de Pequeña-Señal
de Transistores FinFET.
: Universidad Nacional Autónoma de México
Facultad de Ingeniería – Depto. de Ing. en Telecomunicaciones
: 08/2011
Lugar
Lugar
Fecha
ACTIVIDADES EDITORIALES:
Revisor de Revistas Internacionales indizadas en el JCR
 IEEE Transactions on Electron Devices
 IEEE Electron Device Letters
 Elsevier – Solid-State Electronics
 Elsevier – Microelectronics Reliability
 IOP – Semiconductor Science and Technology
 IOP – Journal of Physics D: Applied Physics
 IOP – Nanotechnology Journal
 John Wiley: International Journal of Numerical Modelling
Revisor de Revistas Nacionales
 Superficies y Vacío
Miembro del Comité Editorial de la Facultad de Ingeniería – UNAM, (2010-2012).
DISTINCIONES:
1.
2.
Acreditación por parte de la Generalitat de Catalunya, España, como Profesor Lector. Obtenida en 2006.
Miembro del Sistema Nacional de Investigadores, Nivel 1, periodo 2015-2017.
8