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INGENIERIA ELECTRONICA
Cátedra Técnicas Digitales I
3º Año
2014
EVALUACION TEORIA 8 – TEMA 9
MEMORIAS
PREGUNTAS TIPO
1. Explique los
A
B
C
siguientes conceptos:
: Memoria Interna
: Memoria central o principal.
: Memoria Secundaria.
2. Explique los siguientes parámetros de las memorias electrónicas.
A: Unidad y capacidad de almacenamiento
B: Tiempo de acceso.
C: Estabilidad
3. Memorias Aleatorias (RAM) son :
a) Aquellas cuyo tiempo de acceso (tac) es similar para cualquier posición de la
palabra.
b) Aquellas cuyo tiempo de acceso (tac) depende de la posición de la palabra.
c) Aquellas cuyo tiempo de escritura (te) es similar al tiempo de lectura (tl).
d) Aquellas en las que el tiempo de escritura (te) es mayor en varios órdenes de
magnitud que el tiempo de lectura (tl).
e) Ninguna de las anteriores.
4. Memorias Aleatorias (RAM) pasivas son :
a) Aquellas cuyo tiempo de acceso (tac) es similar para cualquier posición de la
palabra.
b) Aquellas cuyo tiempo de acceso (tac) depende de la posición de la palabra.
c) Aquellas cuyo tiempo de escritura (te) es similar al tiempo de lectura (tl).
d) Aquellas en las que el tiempo de escritura (te) es mayor en varios órdenes de
magnitud que el tiempo de lectura (tl).
e) Ninguna de las anteriores.
5. Esquematice claramente, la constitución del bus de direcciones y de datos para
poder construir un banco de memoria de:
a. 4 Kbytes con módulos de
2kx4bits.
b. 8 Mbytes con módulos de
1 Mbytes
6. Memorias Aleatorias (RAM) activas son :
a) Aquellas cuyo tiempo de acceso (tac) es similar para cualquier posición de la
palabra.
b) Aquellas cuyo tiempo de acceso (tac) depende de la posición de la palabra.
c) Aquellas cuyo tiempo de escritura (te) es similar al tiempo de lectura (tl).
d) Aquellas en las que el tiempo de escritura (te) es mayor en varios órdenes de
magnitud que el tiempo de lectura (tl).
e) Ninguna de las anteriores.
7. Realizar el diagrama en blocks de una memoria RAM estática de 1 Mbyte.
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Evaluación Teórica 8 – Tema 9
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8. Dibuje el esquema temporal para el tiempo de acceso de lectura de una memoria
como la indicada en la figura.
9. Considerando la memoria RAM de la figura, dónde la primera y última dirección
tienen grabada la información indicadas en el gráfico misma DCh y 83h. Indicar
capacidad de la memoria, nombre y cantidad de líneas de n, m, p, q y r.
10. Memorias Serie (SAM) son :
a) Aquellas cuyo tiempo de acceso (tac) es similar para cualquier posición de la
palabra.
b) Aquellas cuyo tiempo de acceso (tac) depende de la posición de la palabra.
c) Aquellas cuyo tiempo de escritura (te) es similar al tiempo de lectura (tl).
d) Aquellas en las que el tiempo de escritura (te) es mayor en varios órdenes de
magnitud que el tiempo de lectura (tl).
e) Ninguna de las anteriores.
11. Unir con flechas los Elementos de Memoria con la Clase
Diodo
SRAM
Capacitor Cg
DRAM
Fusible
RPROM
Capacitor Cg (puerta flotante)
PROM
12. Que tipo de organización interna conoce de una memoria de acceso aleatorio;
indiquelas brevemente.
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Evaluación Teórica 6/7 – Tema 7/8
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13. Verificar en el siguiente diagrama temporal de lectura, cual es el tiempo de acceso.
A. TAA: Pues mide el tiempo desde que aparece la dirección válida hasta que
salen los datos al Bus.
B. tACS: Pues mide el tiempo, estando la dirección válida, desde que se
deshabilita el Chip Select hasta que salen los datos al bus.
C. tOE: : Pues mide el tiempo, estando la dirección válida, desde que se
deshabilita el Chip Select hasta que se saca la alta impedancia de salida
antes de salir los datos al bus.
D. tOZ: Pues Indica el tiempo de permanencia de los datos en la salida y por lo
tanto mide el tiempo, estando la dirección válida, desde que se deshabilita
la salida ( Ouput Enable) , ó el Chip Select (CS) hasta que se pone
nuevamente en alta impedancia en el bus.
14.Unir con flechas los Elementos de Memoria con la Clase
Candado CMOS
SRAM
Candado bipolar
DRAM
Fusible
RPROM
Capacitor Cg (puerta flotante)
PROM
15. Dibuje el Ciclo de Lectura para una SRAM:
16. Unir con flechas
Lectura Destructiva
SRAM
Escritura Destructiva
FLASH
Volátil
FIFO
Alta Densidad
DRAM
17. Unir con flechas
Lectura Destructiva
RD Dinámico
Escritura Destructiva
LIFO
Volátil
EPROM
Alta Densidad
SRAM
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18. Numerar secuencia para lectura de un Candado CMOS donde corresponda
-
-
Activar selección de palabra
Establecer VDD ó 0 en la línea de bit.
Precargar línea de bit a VDD/2 con circuito de Igualación
Conectar el Amplificador de columna
Seleccionar la columna con el decodificador de columna.
Establecer nivel en la señal de lectura/escritura (L/E`)
19. Numerar secuencia para escritura de un Candado CMOS donde corresponda
-
-
Activar selección de palabra
Establecer VDD ó 0 en la línea de bit.
Precargar línea de bit a VDD/2 con circuito de Igualación
Conectar el Amplificador de columna
Seleccionar la columna con el decodificador de columna.
Establecer nivel en la señal de lectura/escritura (L/E`)
20. El tiempo de ciclo (tc) de una RAM activa es:
a) Mayor que tl
b) Menor que tl
c) Igual que tl
d) Depende del elemento de memoria en cuestión.
21. El tiempo de ciclo (tc) de una RAM activa es:
a) Mayor que te
b) Menor que te
c) Igual que te
d) Depende del elemento de memoria en cuestión.
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