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Sistemas de memoria
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Conceptos básicos
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Jerarquía de memoria
Memoria caché
}
Transparencias de clase en
campusvirtual.udc.es
Memoria principal
Memoria virtual
Estructura de computadores 2
Memoria principal
Antiguamente: Matriz de pequeños anillos
ferromagnéticos
Hoy en día: Tecnología de semiconductores
Estructura de computadores 2
Memorias semiconductoras de acceso
aleatorio
•
RAM (Random Access Memory): Lectura y escritura de datos
rápida
•
RAM estática: almacenamiento de los valores binarios
mediante biestables
•
RAM dinámica: almacenamiento a través de celdas que
conservan la caga como condensadores:
•
•
•
Requieren circuitería de refresco
•
Más lentas que las estáticas
Celda más simple => más densidad y más barata
Utilizada para tamaños grandes => coste fijo de circuitería
se compensa con el menor coste de las celdas
Estructura de computadores 2
Memorias semiconductoras de acceso
aleatorio
•
•
ROM (Read Only Memory):
•
Aplicaciones: Microprogramación, subrutinas de biblioteca para
funciones de uso frecuente, programas del sistemas, tablas de
funciones
•
Inconveniente principal: Costes fijos de fabricación,
relativamente grande
PROM (ROM Programable): Alternativa más barata para aquellos
casos en que el número de chips necesario es bajo.
•
Proceso de escritura: eléctricamente y en un proceso posterior
al de fabricación (suministrador o cliente)
•
Mayor flexibilidad y comodidad
Estructura de computadores 2
Memorias semiconductoras de acceso
aleatorio
•
Memorias de sobre todo lectura: Útiles para aplicaciones en las
que las lecturas son más frecuentes que las escrituras pero se
requiere almacenamiento no volátil
•
EPROM (Erasable programmable read-only memor): Más
caras que una PROM pero podemos actualizar su contenido
múltiples veces. Hay que borrar todo su contenido anterior.
•
(EEPROM (Electrically EPROM):
•
•
Puedes escribirse (un byte) en cualquier momento sin borrar su contenido
anterior
•
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•
No volátil y actualizable in situ
Más caras y menos densas que las EPROM,
Escritura más lenta que la lectura
Memoria flash (Alta velocidad de programación)
•
•
Mayor densidad que las EEPROM, del orden de las EPROM
Borrado mucho más rápido que las EPROM
Estructura de computadores 2
Resumen: tecnologías
Tipo de memoria
Clase
Borrado
Mecanismos de
escritura
Volatilidad
Memoria de acceso
aleatorio (RAM)
Memoria de lectura/
escritura
Eléctricamente por
bytes
Eléctricamente
Volátil
Memoria de solo
lectura (ROM)
ROM programable
(PROM)
Memorias de solo
lectura
Mediante máscaras
No posible
PROM borrable
(EPROM)
Luz ultravioleta, chip
completo
Memoria FLASH
Eléctricamente por
bloques
PROM borrable
eléctricamente
(EEPROM)
Memorias de sobre
todo lectura
No-volátil
Eléctricamente
Eléctricamente por
bytes
Estructura de computadores 2
Organización
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La celda de memoria es el elemento básico de
la memoria semiconductora
•
Normalmente tiene 3 terminales:
•
Terminal de selección: selecciona la celda para la operacion de
lectura o escritura
•
•
Terminal de control: Tipo de operación
Tercer terminal: Introducción de la señal que fija el estado a 0 o 1
(en una escritura) o por el que se lee el estado (en una lectura)
Control
Control
Selección
Celda
Entrada de
datos
Escritura
Selección
Celda
Detección
Lectura
Estructura de computadores 2
Lógica del chip de memoria
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Un chip contiene una matriz de celdas de
memoria
•
Tamaños típicos encapsulados en un chip:
4M-bits, 16M-bits
•
Aspecto fundamental del diseño: número de
bits de datos que pueden ser leidos/escritos a
la vez
•
Dos vertientes:
•
Disposición física de las celdas coincide con la disposición lógica
(la que percibe el procesador) de las palabras.La matriz se
organiza en W palabras de B bits cada una.
•
Estructura de un-bit-por-chip: Los datos se leen o escriben por bits
Estructura de computadores 2
Lógica del chip de memoria
•
•
Se escriben o leen 4 bits a la vez
Cuatro líneas (Dʼs) para E/S a/desde un buffer de datos
Estructura de computadores 2
Lógica del chip de memoria
•
Para leer/escribir una palabra de datos en el bus, deben
conectarse varias DRAMs como esta al controlador de
memoria
Estructura de computadores 2
Lógica del chip de memoria
•
Matriz de memoria estructura en 4 submatrices
cuadradas de 2048x2048 elementos
Estructura de computadores 2
Lógica del chip de memoria
•
Matriz de memoria estructura en 4 submatrices
cuadradas de 2048x2048 elementos
Estructura de computadores 2
Lógica del chip de memoria
•
Líneas de direcciones (Aʼs): suministran la
dirección de la palabra a seleccionar.
•
Número de líneas requeridas -> log2 W (22 líneas 211=2048)
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Lógica del chip de memoria
•
Multiplexado de líneas de dirección (A0-A10)
=> Ahorro de número de pines.
Estructura de computadores 2
Lógica del chip de memoria
•
Primero se proporciona la dirección de la fila y después la dirección de
la columna de la matriz
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Lógica del chip de memoria
• La selección se realizan mediante 2 señales:
• RAS -> Row Address Selection
• CAS -> Column Address Selection
Estructura de computadores 2
Lógica del chip de memoria
•
Circuitería de refresco: se inhabilita el chip mientras se refrescan todas las celdas
•
•
El contador de refresco recorre todos los valores de fila
La salida del contador se conecta al decodificador de filas y se activa la línea RAS
Estructura de computadores 2
Encapsulado de los chips: EPROM DE 8
BITS
•
Estructura de una palabra-por-chip
•
•
•
•
•
1M palabras -> 20 pines (210=1M), A0-A19
8 líneas de lectura, D0-D7
Línea de alimentación, Vcc. Terminal de tierra, Vss
Pin de habilitación de chip CE (chip enable): ante la
posibilidad de varios chips de memoria todos
conectados al mismo bus de direcciones, CE indica
si la dirección es válida o no para el chip
Tensión de programación (operaciones de
Escritura), Vpp
Estructura de computadores 2
Encapsulado de los chips: DRAM de
16 Mbit
•
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Terminales de datos de E/S
•
OE (output enable) -> operación de
lectura
WE (write enable) -> operación de
escritura
Estructura de computadores 2
Organización en módulos: memoria de 256
Kbytes
•
Si un chip de RAM contiene 1 bit por palabra -> se
necesitan al menos un número de chips igual al
número de bits por palabra
•
Funciona cuando el tamaño de memoria es igual al
número de bits por chip (512*512=256K*8=256KB)
•
En caso contrario necesitamos un array de chips
Estructura de computadores 2
Organización en módulos: memoria de 1Mbyte
•
Cuatro columnas (grupos) de chips donde cada columna tiene una diposición como la de la
figura anterior
•
1M palabras -> 20 líneas de direcciones
•
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18 bits (menos significativos) -> conectados a los 32 módulos
2 bits (más significativos) -> selección de habilitación de chip a una de las 4 columnas de
módulos
Estructura de computadores 2
Memorias entrelazadas
•
Idea: dividir la memoria en módulos
independientes
•
Objetivo: acceso simultáneo a varias palabras
en diferentes módulos
•
•
Denominación: ténica de entrelazamiento
•
Situación ideal: El ancho de banda de acceso
a memoria se multiplica por el número de
módulos
Condición de eficiencia: las referencias a
memoria se distribuyen equitativamente entre
los módulos. La clave es la distribución
Estructura de computadores 2
Esquemas de entrelazamiento
•
•
Entrelazamiento de orden superior
Entrelazamiento de orden inferior
Memoria total = N = 2n palabras
Número de módulos = M = 2m
Estructura de computadores 2
Entr. de orden superior (consecutivo)
•
•
Dirección física: n bits
•
Los m bits más
significativos identifican
el módulo y el resto un
“desplazamiento” dentro
del módulo
0
Al i-ésimo módulo le
corresponden las
direcciones consecutivas
i2n-m hasta (i+1)2n-m-1
1
2
3
4
5
6
7
Estructura de computadores 2
Entr. de orden inferior (cíclico)
•
Al i-ésimo módulo le
corresponden las direcciones de
la forma
k*M+i con
k=0,1,2,...2n-m-1 (Espaciamiento
M entre ellas
•
Los m bits menos significativos
identifican el módulo y el resto un
“desplazamiento” dentro del
módulo
0 12 3 4 5 6 7
0 1 2 3 45 6 7
Estructura de computadores 2
Entrelazamiento: Conflicto de
memoria
•
Con cualquier de ambos esquemas se pueden
obtener M palabras en paralelo por cada
acceso a memoria
•
Conflicto de memoria: Varias direcciones
requieren simultáneamente el acceso a mismo
módulo
•
Los conflictos de memoria son mayores en
orden superior debido a la secuencialidad
Estructura de computadores 2
Entrelazamiento: Conflicto de
memoria
•
En sistemas multiprocesador es a veces
mejor el entrelazamiento de orden superior
cuando las tareas con disjuntas o
interaccionan poco en tre sí (lo cual no
siempre es cierto)
•
Se suele utilizar el entrelazamiento de orden
inferior
•
Ventajas del superior:
•
•
Expandibilidad
Fiabilidad: un fallo se restringe a un área localizada del espacio de
direcciones
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Diseño de un esquema de orden
inferior
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Soluciones:
•
•
Con latches a la salida
Con latches a la entrada
Estructura de computadores 2
Orden inferior. Latches a la salida
•
En cada acceso son leidas M palabras consecutivas:
k-M+i i=0,1,…,M-1
•
•
Se almacenan en latches y son transferidas a un MUX
•
•
•
•
En el mejor caso el tiempo de acceso se reduce en M
Las palabras son leidas en el siguiente ciclo. Mecanismo de
anticipación
Es ideal para accesos a memoria secuenciales
Baja su eficiencia en programas no secuenciales (saltos)
Para solucionar este problema se pueden diseñar sistemas con
latches a la entrada
Estructura de computadores 2
Orden inferior. Latches a la salida
Estructura de computadores 2
Orden inferior. Latches a la entrada
•
•
•
Cada módulo puede usar una dirección relativa particular
Necesita un controlador de memoria para procesar las peticiones una
a una, secuencialmente
Si una petición encuentra el latch ocupado por otra previa, es
retardado
Estructura de computadores 2
Orden inferior. Latches a la entrada
Estructura de computadores 2