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Pág.N.°1
LOSDISPOSITIVOSELECTRONICOSYSUSAPLICACIONES
Familia:
Ingeniería y gestión
Editorial:
Macro
Autor:
Ing. Juan Francisco Tisza
Contreras
ISBN:
978-612-304-124-3
N.° de páginas:
576
Edición:
1. 2013
Medida:
17.5 x 24.8
Colores:
1
Papel:
Bond de 75 g
a
Descripción
Este texto desarrolla los lineamientos básicos sobre los conceptos físicos de los semiconductores, los
dispositivos y circuitos electrónicos, así como otras aplicaciones que se han seleccionado para ser
analizadas. Posteriormente, estos conocimientos adquiridos ayudarán al análisis de sistemas electrónicos
complejos y actuales.
Este libro tiene el objetivo de dar a entender al lector los conceptos básicos de los dispositivos electrónicos
semiconduductores, lo cual servirá como un primer peldaño para un estudio más profundo de los mismos.
Por ello, se tratan temas como: diodo semiconductor, transistor bipolar, transistor de efecto de campo, entre
otros. Esta publicación está dirigida a profesionales y estudiantes de Ingeniería Electrónica, y afines.
Índice general
ÍNDICE
Capítulo 1
BREVE REVISIÓN DE ALGUNOS CONCEPTOS DE LA FÍSICA DEL ESTADO SÓLIDO
1.1 NIVELES DE ENERGÍA DE LOS ÁTOMOS
1.2 LA ECUACIÓN DE SCHRODINGER
1.3 ORIGEN DE LAS BANDAS DE ENERGÍA
1.4 METALES, SEMICONDUCTORES, AISLANTES
Capítulo 2
DIODO SEMICONDUCTOR
2.1 SIMBOLOGÍA Y CURVAS CARACTERÍSTICAS
2.2. CAPACIDADES INTERNAS EN EL DIODO SEMICONDUCTOR
2.3 DIODO VARACTOR
2.4. EL DIODO COMO CONMUTADOR
2.5. DIODO ZENER
2.6. DIODO TUNEL
2.7. PROBLEMAS RESUELTOS
Código: SGC-P-D-F4
Versión: 01
Fecha: 27.03.14
Pág.N.°2
Capítulo 3
TRANSISTOR BIPOLAR
3.1. EL TRANSITOR BIPOLAR
3.2. IDENTIFICACIÓN DE TERMINALES
3.3. CONFIGURACIONES POSIBLES EN UN TRANSISTOR (ANÁLISIS EN AC)
3.4. MODELO HÍBRIDO DE UN TRANSISTOR
3.5. PROBLEMAS RESUELTOS
Capítulo 4
EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET)
4.1. EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET)
4.2. CARACTERÍSTICAS
4.3. TIPOS
4.4. SIMBOLOS ADOPTADOS PARA LOS DIFERENTES MOSFET
4.5. MOSFETs UTILIZADOS EN CIRCUITOS DIGITALES
4.6. RESUMEN DE FÓRMULAS
4.7. PROBLEMAS RESUELTOS
Capítulo 5
INTRODUCCION A LA MICROELECTRONICA Y NANOELECTRONICA
5.1. GENERALIDADES
5.2. CONSTRUCCIÓN DE UN FET NMOS
5.3. CONSTRUCCIÓN DE UN FET PMOS
5.4. CONSTRUCCIÓN DE UN INVERSOR C-MOS
5.5. CIRCUITO TEMPORIZADOR TIMER 555
5.6. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
5.7. AMPLIFICADOR OPERACIONAL
5.7. INTRODUCCION A LOS CONCEPTOS FUNDAMENTALES DE LA NANOELECTRONICA
5.8. PROPIEDADES CUÁNTICAS
5.9. LA ECUACIÓN DE SCHRODINGER Y EL POZO INFINITO
5.10. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
Apéndice A
GUÍA DE PRÁCTICAS DE LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
EXPERIENCIA # 1.- CONDUCTIVIDAD ELÉCTRICA DE UN SEMICONDUCTOR
EXPERIENCIA # 2.- DETERMINACION DE LA CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIODO
SEMICONDUCTOR COMÚN, DIODO ZENER, DIODO TUNEL, VARICAP, DIODO
DE EMISION LUMINOSA (L. E. D.)
EXPERIENCIA # 3.- CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN TRANSISTOR BIPOLAR
EXPERIENCIA # 4.- CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN JFET
EXPERIENCIA # 5.- APLICACIONES DEL JFET
EXPERIENCIA # 6.- SEMICONDUCTORES RESISTIVOS
EXPERIENCIA # 7.- ESTUDIO DEL TRANSISTOR Y SU POLARIZACION
EXPERIENCIA # 8.- CONFIGURACIÓN DE EMISOR COMÚN
EXPERIENCIA # 9.- AMPLIFICADOR CON TRANSITOR EN SURTIDOR COMÚN
Apéndice B
INFORMACIÓN TÉCNICA: DATASHEET
B1: INFORMACION TECNICA DE SEMICONDIUCTORES
B2: INFORMACION TECNICA DEL DIODO
Código: SGC-P-D-F4
Versión: 01
Fecha: 27.03.14
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B3: INFORMACION TECNICA DEL DIODO SCHOKLEY
B4: INFORMACION TECNICA DEL DIODO TUNEL
B5:INFORMACION TECNICA DEL TRANSISTOR BJT
B6: INFORMACION TECNICA DEL TRAMNSISTOR JFET
B7: INFORMACION TECNICA DEL MOSFET
Apéndice C
PROBLEMAS PROPUESTOS
BIBLIOGRAFÍA
Código: SGC-P-D-F4
Versión: 01
Fecha: 27.03.14