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SEMICONDUCTORES.
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Conductores: Permiten fácilmente el paso de los electrones (tienen baja resistencia eléctrica).
El Cu tiene sólo un electrón en su última capa.
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Aislantes: No permiten el paso e intercambio de electrones periféricos (tienen muy alta
resistencia eléctrica).
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Semiconductores INTRÍNSECOS:
- Presentan una resistencia intermedia al paso de los electrones (silicio, germanio).
- Tienen cuatro electrones en su órbita de valencia, le cuesta lo mismo desprenderse de
ellos que absorber otros cuatro.
- Cristalizan en redes cúbicas formando cuatro enlaces covalentes con átomos contiguos.
- Son aislantes a 0 ºK, a medida que aumenta la temperatura algunos enlaces se rompen por
la agitación térmica, de tal manera que presentan algunos electrones libres para la
conducción eléctrica.
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Semiconductores EXTRINSECOS:
- Son semiconductores (Si, Ge) a los que se les añaden impurezas para aumentar su
conductividad.
- Tipo N: Se añaden impurezas con cinco electrones en su última órbita (Sb), por lo que se
aumenta la cantidad de electrones libres a temperatura ambiente.
- Tipo P: Se añaden impurezas con tres electrones en su última órbita (Al) por lo que
aumenta la cantidad de huecos (falta de un electrón en los enlaces covalentes).
- Tanto los semiconductores intrínsecos como extrínsecos son neutros en conjunto.
- Al aplicar una d.d.p. a un semiconductor extrínseco se consigue una circulación de
electrones mayor que en los semiconductores intrínsecos.
Tipo N
Tipo P
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Unión de semiconductores N-P
Al realizar la unión NP se produce el fenómeno de difusión, recombinándose electrones de la
zona N con los huecos de la zona P, esto produce un exceso de carga positiva en la zona N y
negativa en la zona P, así como una zona neutra. Esto provoca la aparición de un campo
eléctrico repulsor que impide que el fenómeno continúe indefinidamente.
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Diodos de semiconductores. Polarización de la unión NP.
Una vez detenido el proceso de difusión de la unión NP se puede realizar una:
a) Polarización directa: La tensión aplicada se opone a la de la barrera (anula
la barrera y el diodo conduce).
b) Polarización Inversa: La tensión aplicada aumenta la de la barrera (aumenta la barrera
y el diodo no conduce).