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DIBUJO TÉCNICO – ING. ELECTRÓNICA -UNSAAC
ARQ. MARÍA CECILIA TORRES / ARQ. RAUL GARCÍA
UNIDAD DIDACTICA V
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS.
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DIBUJO TÉCNICO ING. ELECTRÓNICA: ARQ. MARÍA CECILIA TORRES / ARQ. RAUL GARCÍA
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UNIDAD DIDACTICA V
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS.
CONTENIDO
TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)
Los transistores bipolares son de tipo NPN o PNP, ya que están formados por dos semiconductores
contaminados con impurezas de diferente polaridad. El transistor bipolar está formado por una unión PN
y por otra NP, característica que hace que un semiconductor de determinado tipo se encuentre entre dos
de tipo opuesto al primero, como se muestra en la figura 1.
Internamente, el BJT se compone de tres capas de silicio, según la configuración mostrada en la Figura
2.
Figura 2: Estructura interna del transistor bipolar
Lo que se obtiene con esta configuración es una sección que proporciona cargas (de huecos o de
electrones) que son captadas por otra sección a través de la sección media. El electrodo que
proporciona las cargas es el emisor y el que las recoge es el colector. L a base es la parte de en medio y
forma las dos uniones, una con el colector y otra con el emisor. Además, la base controla la corriente en
el colector. Este tipo de transistores recibe el nombre de transistores de unión.
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Figura 1. Símbolos y diagramas de polarización para transistores de unión. a -) PNP. b-) NPN. EMISOR. La unión base-emisor se polariza en forma directa. Los valores
del voltaje de polarización más comunes son 0.3 v para el Ge y 0.7 v para el Si. El emisor P del transistor PNP de la figura 1a inyecta huecos a su unión con la base.
La dirección de la corriente de huecos en el emisor está señalada por la flecha que aparece en su símbolo. Cuando la flecha a punta hacia la base, la unión entre el
emisor y ella es del tipo PN.
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TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR Los transistores bipolares son de tipo NPN o PNP, ya que están
formados por dos semiconductores contaminados con impurezas de diferente polaridad. El transistor
bipolar está formado por una unión PN y por otra NP, característica que hace que un semiconductor de
determinado tipo se encuentre entre dos de tipo opuesto al primero, como se muestra en la figura 3.
FIGURA 3 TRANSISTORES DE UNIÓN.
Lo que se obtiene con esta configuración es una sección que proporciona cargas (de huecos o de
electrones) que son captadas por otra sección a través de la sección media. El electrodo que
proporciona las cargas es el emisor y el que las recoge es el colector. La base es la parte de en medio y
forma las dos uniones, una con el colector y otra con el e misor. Además, la base controla la corriente en
el colector. Este tipo de transistores recibe el nombre de transistores de unión. La acción de
conmutación del transistor Q1 de la figura 3, muestra cómo la corriente de entrada controla la de salida.
Nótense las siguientes características importantes de operación: 1.Normalmente el transistor está
apagado; ninguna corriente circula en la salida, a menos que se aplique un voltaje con polarización
directa en el circuito base-emisor. 2.El voltaje con polarización directa controla la corriente de base y así
determina la magnitud de la corriente de salida. En la figura 3, el circuito de control de entrada
determina la magnitud de la corriente de base. Para el circuito de potencia, la salida es la corriente en
el colector. El transistor Q1 de la figura 3 es de tipo NPN. Este tipo de transistores requieren un voltaje
positivo Vbe como voltaje de polarización directa. El emisor es común al circuito de la entrada y al de la
salida. El arreglo de transistores utilizado co n mayor frecuencia es el circuito de emisor -común. La unión
base-emisor del transistor Q1 de la figura 3 se puede polarizar en forma directa con la batería B¹. Para
aplicar un voltaje de polarización directa, el interruptor S1 debe estar cerrado. La baterí a B2 proporciona
el voltaje de polarización inversa para el colector de Q¹. Polarizar en forma inversa implica que el
colector N tiene un voltaje más positivo que el de la base. Cuando el interruptor S¹ está abierto, no
circula corriente en el circuito base-emisor ni en el control. Esto se debe a que no se ha aplicado un
voltaje de polarización directa. Por consiguiente la resistencia entre el emisor y el colector del transistor
de la figura 3 es muy grande. Por el circuito de potencia tampoco circula corri ente y, por tanto, el foco
no enciende.
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TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET- Field Effect Transistor).
El transistor bipolar es la espina dorsal de la electrónica lineal, su funcionamiento se basa en dos tipos
de cargas electrones y huecos, es por eso que se denomina bipolar. Sin embargo para aplicaciones
donde se requiere alta impedancia el transistor unipolar es el más adecuado. El funcionamiento del
transistor unipolar depende de un solo tipo de carga que puede ser electrones o huecos. En la sig uiente
figura se muestra su símbolo.
FIG. 1
Debido a que la unión Gate-Source está polarizada inversamente (diferencia de bipolar) la corriente es
IG=0. Si tenemos un VG=2v y IG=0 la resistencia de entrada es
RG=2v÷0=∞
En términos reales la resistencia de entrada no es ∞ debido a una pequeña fuga de IG, pero si muy
cercana del orden de cientos de MΩ.
El termino efecto de campo se relaciona con las capas de empobrecimiento alrededor de cada región p.
Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, así como el
esquema de identificación de los terminales. También tendremos que conocer una serie de valores
máximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destrui r el
dispositivo.
El parámetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crítico con la temperatura, de
modo que esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a veces
necesaria la instalación de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores críticos los
proporcionan los fabricantes en las hojas de características de los distintos dispositivos.
La estructura física del FET así como su símbolo correspondiente se muestra en la figura 1. En la figura
1.a) se construye empleando una barra de material tipo n dentro del cual se difunde un par de regiones
tipo p. Un JFET de canal p se elabora empleando una barra de material tipo p con regiones difundidas
tipo n, como se muestra en la figura anterior.
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Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar :
Los transistores de efecto de campo o FET (Field Effect Transistor) son particularmente interesantes en
circuitos integrados y pueden ser de dos tipos: transistor de efecto de campo de unión o JFET y
transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor (MOSFET).
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CIRCUITOS INTEGRADOS.
La puerta lógica NOT (7404)
Circuitos Integrados Lineales
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REPRESENTACION DE DIFERENTES CIRCUITOS DE APARATOS. CIRCUITO DE
OSCILADOR
Son aquellos circuitos que generan energía electromagnética cuando no existe ninguna
fuente externa de RF aplicada a los mismos.
Estos circuitos suelen estar fabricados a partir de dispositivos de estado sólido.
Existen distintos tratamientos para el estudio de la generación de señal por circuitos
electrónicos, entre los cuales los más utilizados son los osciladores de resistencia
negativa y el método de lazo abierto.
ESQUEMA GENERAL
DE UN OSCILADOR.
REPRESENTACIÓN
SIMPLIFICADA DEL
CIRCUITO
OSCILADOR.
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REPRESENTACIÓN
SIMPLIFICADA DEL
CIRCUITO
OSCILADOR.
OSCILADOR COMO
UN LAZO CERRADO.
OSCILADOR COMO
LAZO ABIERTO.
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AMPLIFICADORES DE BAJA FRECUENCIA
Amplificador audio 10 W
Con sólo un circuito integrado como elemento activo este circuito es capaz de proporcionar hasta 10W de
potencia sobre una carga que puede estar comprendida entre 2 y 8 .
Como es lógico el circuito integrado, un TDA2003 , debe ser colocado con un adecuado disipador de calor para
evitar daños a sus componentes internos por sobre temperatura en la cápsula.
A máxima potencia el circuito necesita 2A para trabajar correctamente.
Los 10W se obtienen en el punto óptimo de trabajo una carga de 4 Ω. La entrada debe ser de al menos 1Vpp
para lograr este rendimiento.
Amplificador Audio 10W x 2
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DETECTOR FOTOELECTRICO DE SALIDA TRANSISTORIZADA
Este es un elemento que nos permite señalar o advertir el paso de un objeto atravez de
un haz luminoso. Este detecta cuando el haz es interrumpido por el objeto existen tres
sistemas de detección fotoeléctrica estos son: Reflex, de proximidad,de barrera.
BIBLIOGRAFIA
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0022.gif&imgrefurl=http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/trans_bipolar.htm&usg=__7tO0gvgqX9xEtZY
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istor%2BNPN%2Bcomo%2Binterruptor%26hl%3Des%26sa%3DN%26um%3D1&ei=o4fNSZ7pAdPKlQfK_7jiCQ
http://www.unicrom.com/Tut_amplificador-surtidor-comun-fet.asp
http://www.hspdigital.org/Documentos/HSP/CILI/practica_3.pdf
http://www.elprisma.com/apuntes/ingenieria_electrica_y_electronica/transistores/default9.asp
http://www.redeweb.com/_txt/articulos/6083717.pdf
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