Download Guia del Examén - carrera de ingeniería en electronica

EXAMEN DE FIN DE CARRERA
La Ley Orgánica de Educación Superior (LOES) establece que todas las Instituciones de
Educación Superior (IES) deben acreditarse ante el Consejo de Ev aluación, Acreditación y
Aseguramiento de la Calidad de la Educación Superior ( CEAACES).
El examen de fin de carrera es una herramienta que permite identificar los logros de aprendizaje
de los estudiantes con el fin de diagnosticar su niv el de conocimientos y habilidades para
elaborar e implementar planes de mejoramiento en la perspectiv a de elev ar la calidad
académica.
Componentes y referentes conceptuales a evaluar
Se espera que las y los estudiantes demuestren el desarrollo de competencias deriv adas de su
formación tanto de en ciencias básicas como en el campo profesional. Se pondrá énfasis en los
conceptos y criterios de ingeniería desde el punto de v ista cualitativ o más que cuantitativ o.
Formación en Ciencias Básicas de Ingeniería:
Comprende el conjunto de leyes y conocimientos científicos, deriv ados de las ciencias naturales
y ciencias básicas, que permiten la conceptualización y el análisis de los problemas de
ingeniería. Este campo es el puente necesario para la fundamentación de la ingeniería
profesional y aplicada. Comprende las siguientes áreas:




Área de Señales y Sistemas: Incluye las subáreas de análisis de señales y sistemas, en el
dominio del tiempo y frecuencia.
Área de Ciencias Básicas: Incluye las subáreas de programación, campos
electromagnéticos, estadística y probabilidad orientada a la ingeniería.
Área de Circuitos Eléctricos: Incluye las subáreas de fundamentos de circuitos eléctricos,
respuesta permanente y transitoria de los circuitos eléctricos, transferencia de energía,
corrección de factor de potencia y aplicaciones generales.
Área de Circuitos Electrónicos: Incluye las subáreas de física de semiconductores,
dispositivos semiconductores y su aplicación, amplificadores de señal y amplificadores
de potencia, osciladores y dispositivos de conmutación
Campo de Formación Profesional
Hace referencia al conjunto de conocimientos básicos de un campo específico de la ingeniería
mediante los cuales es posible desarrollar conocimientos y tecnología que permiten la
aplicación de los principios de las ciencias básicas de la Ingeniería en Electrónica, Control y
Automatización Comprende el saber hacer de la profesión y comprende las siguientes áreas:



Área de Instrumentación y Mediciones: Incluye las subáreas de conceptos básicos de
medición, instrumentos eléctricos de medida, instrumentos electrónicos de medida y
transductores.
Área de Sistemas Digitales: Incluye las subáreas de circuitos lógicos y arquitectura y,
organización de computadores.
Área de Sistemas de Control: Incluye las subáreas de modelamiento de sistemas, control
analógico y control digital.
Cuestionario
En el examen se utilizan preguntas de selección múltiple con única respuesta. Este tipo de
preguntas consta de un enunciado y cuatro opciones (A, B, C, D). Sólo una de estas opciones
responde correctamente la pregunta. El estudiante debe seleccionar la respuesta correcta y
marcarla en su Hoja de Respuestas rellenando el óv alo correspondiente a la letra que identifica
la opción elegida.
EJEMPLO:
En el circuito de la figura las capacitancias de los dos condensadores son iguales C1=C2=C. Un
interruptor S está abierto, el condensador C1 está cargado a un v oltaje V y el condensador C2
está descargado:
Después de cerrar el interruptor S:
A. La tensión en los dos condensadores será V/2 y la carga almacenada en cada condensador
será igual a la carga almacenada en C1.
B. La carga almacenada en los dos condensadores será la misma y la energía almacenada en
el sistema será igual a la energía inicial almacenada en C1.
C. La tensión en los dos condensadores será igual a la tensión inicial V en el condensador C1 y l a
energía será conserv ada.
D. La carga en cada condensador será igual a la mitad de la carga inicial almacenada en el
condensador C1 y la energía total almacenada en el sistema será la mitad de la energía inicial
almacenada en C1.
Respuesta correcta: D
Resolución de la Pregunta:
Circuito abierto:
Carga: q. Energía almacenada en el sistema: 1/2 q2C1 = E
Circuito cerrado:
Carga: q/2 + q/2. Energía almacenada en el sistema: 1/2 (q/2)2 /C1 + 1/2 (q/2)2/C1 = E/2
1. La resistencia eléctrica de un material no depende de...
a)
b)
c)
d)
Su resistividad.
La temperatura.
Sus dimensiones
La gravedad.
2. La unidad de medida de las resistencias es el...
a)
b)
c)
d)
Faradio.
Ohmio.
KOhmio.
MOhmio
3. Para un determinado tipo de resistencia, el tamaño fila su…
a)
b)
c)
d)
Valor óhmico
Vida media
Voltaje o potencia
Tolerancia
4. De los símbolos indicados en la figura…
a)
b)
c)
d)
5.
R1 y R2 son los símbolos generales de resistencia.
R3 no está normalizado.
Sólo se utiliza Rl.
Rl y R2 indican resistencia no reactiva.
Qué valor de potencia nominal no está normalizado en las resistencias de uso
común?
a)
b)
c)
d)
1/7 W.
1/4 W.
1/2 W.
1 W.
6. Una resistencia de 2M2 ohmios tiene un valor de...
a)
b)
c)
d)
2,2 .
2.200.000 .
220.000.000 .
2.200 .
7. En un montaje reostático, la potencia máxima que puede disipar la
resistencia variable.
a)
b)
c)
d)
Depende exclusivamente de la temperatura ambiente.
Es constante.
Depende de la posición del cursor.
Es igual a la nominal.
8. En un montaje potenciométrico con una resistencia de carga de valor muy
elevado...
a) La potencia que puede disipar la resistencia variable
depende de la posición del cursor.
b) La corriente por el cursor será muy alta.
c) La limitación más probable es la corriente máxima por
cursor.
d) La tensión de entrada está limitada por la potencia máxima disipable.
9. En una resistencia variable bobinada de potencia...
a)
b)
c)
d)
El recorrido eléctrico suele ser inferior al mecánico.
El recorrido eléctrico es siempre superior al mecánico.
Los recorridos eléctrico y mecánico son siempre iguales.
No hay recorrido eléctrico, sólo mecánico.
10. La resistencia variable que posee una ley de variación como la mostrada en la
figura...
a) Debe ser fabricada modificando adecuadamente el espesor
de la pista resistiva.
b) Únicamente podrá obtenerse utilizando
resistencias
bobinadas.
c) Tendría un tamaño exagerado.
d) No es posible fabricarla porque presenta una zona donde la
resistencia disminuye al aumentar la rotación del cursor.
11. La resolución de una resistencia variable lineal de pista continua.
a)
b)
c)
d)
Es nula.
Depende del estado de la superficie de la pista resistiva.
Aumenta con la frecuencia de la señal aplicada.
Depende exclusivamente del material con el que se fabrica el cursor.
12. Se conoce como resistencia variable motorizada aquella.
a) Que se utiliza en el control de velocidad de motores.
b) Que se instala en las motos de competición.
c) En la que el movimiento de rotación del cursor lo realiza un motor acoplado
al mismo.
d) Accionable manualmente mediante manivela.
13. Si en el montaje del reostato de la figura un movimiento mecánico provoca la
pérdida de contacto físico del cursor, la corriente que circulará será...
a)
b)
c)
d)
La misma.
Cero.
La máxima posible.
La mínima posible.
14. En el Sistema Internacional, la unidad de capacidad es el..
a)
b)
c)
d)
Picofaradio (pF).
Nanofaradio (nF).
Microfaradio (uF).
Faradio (F).
15. Es falso que mediante las franjas de colores pintadas en la superficie de
algunos condensadores podemos conocer...
a)
b)
c)
d)
El valor de su capacidad.
Su tolerancia.
La tensión máxima que soportan.
La rigidez dieléctrica del aislante.
16. Los condensadores electrolíticos.
a)
b)
c)
d)
Constructivamente son iguales a los demás.
Pueden ser conectados de cualquier forma.
Trabajan siempre con tensiones elevadas.
Tienen polaridad y alta capacidad con respecto a su tamaño.
17. Un condensador...
a)
b)
c)
d)
Almacena energía en forma de campo magnético.
Almacena energía en forma de campo eléctrico.
No almacena energía.
Produce energía por procedimientos químicos.
18. La capacidad de un condensador puede variarse mediante...
a)
b)
c)
d)
El sistema
El sistema
El sistema
Cualquiera
I.
II.
III.
de los anteriores.
19. Si se aplica una tensión de 1 Va un condensador de 1 F, almacena una carga
de...
a) 1 culombio.
b) 1 newton.
c) 1 tesla.
d) 1 weber.
20. Mediante el símbolo mostrado se representa el condensador...
a)
b)
c)
d)
De estator dividido.
Diferencial.
Pasamuros.
Con toma de corriente.
21. En el condensador de película plano de la figura, es falso que …
a)
b)
c)
d)
Las bandas de color I y II indican la 1a y la 2a cifra.
La banda III es el coeficiente multiplicador.
La banda IV corresponde al coeficiente de temperatura.
La banda V representa la tensión máxima.
22. El condensador de la figura tiene una tolerancia de...
a)
b)
c)
d)
±2,5%.
±5%.
±10%.
±20%.
23. El condensador de la figura tiene un valor de...
a)
b)
c)
d)
0,047 F.
470 pF.
4,7 uF.
47 nF.
24. El condensador de poliéster metalizado de la figura tiene...
a) Una capacidad de 250 nF.
b) Una tolerancia del ±33%.
c) Una tensión de trabajo de 250 V.
d) Un coeficiente de temperatura de 250 ppm/°C.
25. Una bobina...
a) Almacena energía en forma de campo eléctrico.
b) Se opone a las variaciones
de
la
corriente
eléctrica.
c) No almacena energía.
d) Genera energía cinética.
26. Una bobina de 10 mH presenta al paso de una corriente alterna senoidal de
100 llz una reactancia de...
a)
b)
c)
d)
6,28 .
1000 
27.
0 .
27. En CA senoidal una bobina pura o ideal...
a) Produce un desfase de 180° entre tensión e intensidad.
Adelanta la intensidad 90° respecto a la tensión.
b) Hace que tensión e intensidad estén en fase.
s
c) Retrasa la intensidad 90° respecto a la tensión.
28. En el conexionado de bobinas en serie y despreciando la inducción mutua, la
inductancia equivalente del conjunto es siempre...
a)
b)
c)
d)
Mayor que la mayor de ellas.
Igual al producto de todas ellas.
Menor que la mayor de ellas.
Menor que la menor de ellas.
29. En el conexionado de bobinas en paralelo y despreciando la inducción mutua,
la inductancia equivalente del conjunto es siempre...
a)
b)
c)
d)
Mayor que la mayor de ellas.
Mayor que la menor de ellas..
Igual al producto de todas ellas.
Menor que la menor de ellas.
30. La constante de tiempo  de una bobina es...
a)
b)
c)
d)
 = R/L.
 = RC.
v = L/R.
f = 2fL.
31. Cuanto mayor es la inductancia de una bobina, la resistencia CC.
a)
b)
c)
d)
Aumenta.
Disminuye
No varía.
Tiende a cero.
32. En la bobina de la figura...
a) La corriente eléctrica entra por el terminal 2 y sale por el
1.
b) El polo norte está a la derecha.
c) No hay campo magnético.
d) Las espiras están en cortocircuito.
33. En el circuito de la figura, en el instante t-0 justo después de cerrar SI es
máxima.
a)
b)
c)
d)
La
La
La
La
intensidad de corriente
tensión en la resistencia
intensión en la bobina
reactancia inductiva
34. En un transformador.
a) Cada devanado puede ser utilizado como primario o como
secundario indistintamente debido a que es reversible.
b) El devanado con mayor número de espiras es el primario.
c) El devanado con mayor número de espiras es el secundario.
d) Solamente si el primario y el secundario tienen el mismo número
de espiras es reversible.
35. El transformador permite...
a)
b)
c)
d)
Separar eléctricamente e independizar circuitos.
Amplificar o atenuar tensión continua.
Filtrar los parásitos de la red.
Rectificar señales alternas.
36. De los tres símbolos indicados en la figura.
a)
b)
c)
d)
Dos son transformadores trifásicos.
Ninguno tiene núcleo.
T3 es multifilar.
Todos corresponden a transformadores.
37. En un transformador siempre se cumple que...
a)
b)
c)
d)
La
La
La
La
potencia eléctrica del primario es igual a la potencia del secundario.
tensión del secundario es igual a la tensión del primario.
intensidad del primario es igual a la intensidad del secundario.
resistencia del primario es igual a la resistencia del secundario.
38. Si en un transformador la relación de transformación rt > I, entonces.
a)
b)
c)
d)
Es elevador de tensión.
Tiene más espiras en el arrollamiento primario que en el secundario.
Es reductor de intensidad.
Es elevador de potencia.
39. Los transformadores de aislamiento o de separación de
circuitos...
a)
b)
c)
d)
Son elevadores.
Son reductores.
Tienen una r, = 1.
Funcionan con CC.
40. El transformador centro derivado se caracteriza porque..
a) Tiene una toma auxiliar que une primario y secundario a tierra.
b) No tiene núcleo central.
c) Posee una toma media en el secundario que lo divide en dos, con polaridades
opuestas a dicha toma.
d) Es de tipo toroidal y la tensión del secundario es exactamente la mitad de la
del primario.
41. El transformador de la figura es.
a)
b)
c)
d)
Apantallado.
Con acoplamiento variable.
Con imán móvil.
Con núcleo ajustable.
42. Los transformadores que no se pueden fabricar con núcleo de hierro sino
con ferrita, aire, metal en polvo prensado, etc., son los...
a)
b)
c)
d)
De alimentación.
Aulotransformadores.
De aislamiento.
De radiofrecuencia.
43. Cuál de los transformadores citados a continuación tienen el
inconveniente de que el secundaria no está aislado
eléctricamente del primario?
a)
b)
c)
d)
Transformadores adaptadores de impedancias.
Autotransformadores.
Transformadores de audiofrecuencia.
Ninguno.
44. Trabajan con saturación magnética del núcleo los transformadores.
a)
b)
c)
d)
De aislamiento.
De audiofrecuencia.
De impulsos para disparo de tiristores.
Con toma media en el secundario.
45. Al medir con un voltímetro de alta impedancia la tensión en bornes de una
pila gastada...
a)
b)
c)
d)
Puede ser la misma que cuando estaba nueva.
Cae rápidamente cuando se conecta a un receptor.
Las dos respuestas anteriores son ciertas.
Obtenemos una lectura que corresponde con la mitad de su tensión nominal.
46. Las pilas en forma de botón...
a) Son herméticas.
b) Tienen una descarga espontánea muy pequeña.
c) Son de tamaño reducido.
d) Todas las respuestas anteriores son ciertas.
47. La tensión entre los puntos a – b valen
a) Vab = 12 V.
b) Vab = 6 V.
c) Vab = 10 V.
d) Vab = 5 V.
48. La tensión entre los puntos a – b valen
a) Vab = 17 V.
b) Vab = 3 V.
c) Vab = 10 V.
d) Vab = 7V.
49. Si las dos pilas de la figura son iguales, la tensión Vab vale...
a)
b)
c)
d)
Vab = V1/V2.
Vab = VV1 + V2 .
Vab = VI .V2.
Vab = 0.
50. En la conexión serie de varios generadores CC iguales, la batería
resultante...
a) Puede entregar una intensidad de corriente que
es la misma que entregaría cualquiera de los
elementos que la forman.
b) Tiene una resistencia interna cuyo valor coincide
con el de cualquiera de los elementos que la forman.
c) Proporciona una tensión que es igual al inverso
de la suma de los inversos de las tensiones parciales.
d) Proporciona una mayor tensión de salida a medida que disminuye el n° de
elementos que la forman.
51. Para conectar varias pilas en paralelo es conveniente que tengan...
a)
b)
c)
d)
Igual fem y Ri.
Igual fem y distinta Ri.
Distinta fem y distinta Ri.
Distinta fem e igual Ri.
52. La tensión de la batería de plomo de la figura depende de...
a)
b)
c)
d)
El número de bornes.
El número de pares de placas que hay en cada vaso.
El número de vasos o células.
Sus dimensiones.
53. Respecto al mantenimiento de una batería de plomo ácido sabemos que...
a) En el proceso de descarga hay un aumento de la concentración del ácido.
b) Para conocer el estado de carga de cada acumulador es necesario medir la
densidad del electrolito.
c) En el proceso de carga, la tensión nunca llega a sobrepasar el valor nominal.
d) No existe gaseado durante la carga y, por tanto, no hay que tomar
precauciones.
54. Dada la gráfica de la figura, que muestra la capacidad de descarga de una
batería de plomo en función de la corriente,
deducimos que...
a)
b)
c)
d)
II >12 >13 >14.
I1<I2<I3<I4.
1 1 = 1 2 = 13 = 14.
La gráfica es falsa.
55. Para rellenar las baterías de plomo ácido se emplea...
a)
b)
c)
d)
Agua
Agua
Agua
Agua
corriente.
destilada.
mineral.
oxigenada
56. Estructuralmente un diodo se compone de...
a)
b)
c)
d)
Tres cristales dopados y dos terminales externos de conexión.
Dos uniones semiconductoras.
Dos cristales dopados y dos terminales externos
de conexión.
Tres uniones semiconductoras.
57. Cuando en un diodo directamente polarizado existe un flujo de electrones
de valencia
moviéndose hacia la izquierda, significa que los huecos
fluyen hacia...
a)
b)
c)
d)
La derecha.
La izquierda.
Todas las direcciones, erráticamente.
No se mueven.
58. En un diodo de silicio no polarizado y a temperatura ambiente, los iones de
la zona de deplexión producen una barrera de potencial de...
a)
b)
c)
d)
0,2
0,3
0,7
1,5
V.
V.
V.
V.
59. Dentro de la estructura cristalina de un diodo, los elementos que no
pueden desplazarse son...
a)
b)
c)
d)
Los electrones libres.
Los huecos.
Los portadores mayoritarios.
Los iones.
60. En el diseño de un diodo rectificador, interesa una banda prohibida ancha
porque...
a)
b)
c)
d)
estrecha.
La corriente inversa de saturación será mayor.
La temperatura afectará menos al semiconductor.
La tensión umbral será menor.
Ninguna respuesta es cierta, la banda prohibida debe ser
61. Cuando una unión PN está polarizada según indica el esquema de bloques
de la figura.
a)
Circula una intensa corriente eléctrica a través de la
unión que se cierra por el circuito exterior.
b)
c)
d)
Disminuye el campo eléctrico que se establece en la unión, lo que
favorece su capacidad de conducción.
Aumenta la barrera de potencial y el ancho de la zona de transición, con
lo que será imposible que se establezca por ella una corriente directa.
Su zona de trabajo se encuentra en el primer cuadrante de la curva
característica.
62. ¿Cuál de las características de un diodo citadas a continuación puede
encontrarse en su datasheet?
a)
b)
c)
d)
El color de la cápsula.
Vida media del componente.
Intensidad media máxima.
Tensión inversa mínima.
63. Ateniéndonos a su código de designación, ¿cuál de los siguientes
componentes es un diodo de unión?
a)
b)
c)
d)
2N3055.
1N4148.
7400.
ZF12.
64. ¿Cuál de las siguientes afirmaciones es cierta?
a) Cuando varios diodos están conectados en paralelo, la máxima
corriente que puede entregar el conjunto está limitada a la del
diodo que menos corriente admite.
b) Los diodos no pueden conectarse en serie.
c) En la conexión de diodos en paralelo es preciso colocar una
resistencia de pequeño valor en serie con cada uno de ellos para
compensar las disimetrías.
d) Los diodos sólo pueden conectarse en anti paralelo
65. Un rectificador monofásico en puente de Graetz está formado por...
.
a)
b)
c)
d)
1 diodo.
2 diodos.
3 diodos.
4 diodos.
66. En un puente rectificador integrado...
a)
b)
c)
d)
Los terminales marcados con el símbolo ~ corresponden a la
salida de tensión alterna.
Los terminales marcados con los signos + y - corresponden a
la entrada de tensión continua pulsatoria simple.
Es obligatorio el uso de radiador.
Los terminales marcados con los símbolos ~ son los de
entrada de tensión alterna, y los marcados con los signos + y son los de salida de tensión continua pulsatoria doble.
67. Cuando se conectan en serie varios diodos de potencia del mismo tipo...
a)
b)
c)
d)
La tensión inversa aplicada a la rama se reparte
por igual entre todos ellos.
El tiempo de recuperación inversa será el mismo
para todos.
Los diodos más rápidos dejarán de conducir antes, lo que les es favorable
pues soportarán una tensión inversa menor.
La distribución de la tensión inversa entre los diodos de la rama puede
equilibrarse mediante la conexión de una resistencia en paralelo con cada
uno.
68. Cuando se conectan en paralelo varios diodos de potencia del mismo tipo...
a)
La dispersión de las características estáticas de los diodos
hace que puedan provocarse fuertes desequilibrios en sus
respectivas contribuciones a la corriente de carga.
b)
Se crea un desequilibrio que se hace menos patente con el
aumento de la temperatura, ya que es positivo el coeficiente
de temperatura de la tensión en los diodos.
c)
Es preciso conectar una resistencia en paralelo con cada
diodo a fin de uniformar sus características.
d)
El valor de la resistencia a conectar en serie con
cada diodo será tanto
mayor cuanto mayor sea la corriente que deba circular por dicha rama.
69. El valor de la corriente que un diodo de potencia puede soportar, si sus
picos se repiten cada 20 ms con una duración del pico de 1 ms y para una
cierta temperatura de la cápsula, se denomina...
a)
b)
c)
d)
I FA VI FRM IfSMIFRMS
70. El tipo de encapsulado de un diodo de potencia
depende de...
a)
b)
c)
d)
La
La
La
La
intensidad nominal del diodo.
caida de tensión directa.
temperatura ambiente.
corriente de fugas.
71. Del espesor “d” de la capa N- del diodo de potencia de la figura depende...
a)
b)
c)
d)
La
La
La
La
comente directa media.
tensión de ruptura.
tensión de umbral.
tensión directa de pico repetitiva.
72. Los diodos zener trabajan habitualmente...
a)
b)
c)
d)
En polarización directa.
En polarización inversa.
En ambas polarizaciones, directa e inversa.
Por cátodo a masa.
73. En la característica inversa correspondiente a un diodo zener de la figura,
el punto de trabajo...
a)
Ql es el adecuado porque aun no se ha producido la
ruptura.
b)
c)
d)
Q3 está dentro de la zona de regulación.
Q5 es idóneo para circuitos con corrientes fuertes.
Q2 o Q4 están prohibidos.
74. Los diodos zener se tit Hi-tin principalmente en...
a)
Estabilización de tensiones, circuitos recortadores y protección contra
sobretensiones.
b)
Rectificación de potencia.
c)
Amplificación de señales de audio.
d) Sintonización FM.
75. Cuál de los símbolos de la figura no representa al diodo zener?
a)
b)
c)
d)
Dl.
D2.
D3.
D4.
76. El efecto zener y el efecto avalancha...
a)
b)
Son iguales.
Se producen con polarizaciones diferentes: uno en directa y el otro en
inversa.
c)
d)
Germanio.
Se diferencian en que uno es controlable y el otro destruye la unión PN.
Solo se producen si el material semiconductor usado en la unión es el
77 . Los transistores BJT o bipolares reciben este nombre porque...
a)
b)
c)
d)
Basan su funcionamiento en dos tipos de portadores de carga: electrones y huecos.
Tienen tres uniones PN.
Pueden trabajar de dos modos diferentes: como conmutador y como amplificador.
Necesitan dos fuentes de alimentación para ser polarizados.
78. El símbolo representado corresponde a un transistor...
a)
b)
c)
d)
NPN
PNP
PPN
NPP
79. El transistor bipolar fue inventado en el año 1948 por
a)
b)
c)
d)
John Bardeen.
Walter H. Brattain.
Willian B. Shockley.
Los tres anteriores
80. Un transistor bipolar tiene
a)
b)
c)
d)
Dos zonas dc dopado.
Dos zonas de deplexion.
Tres tipos de portadores de carga.
Dos terminales.
81. Un transistor sin polarizar es similar a
a)
b)
c)
d)
Dos diodos contrapuestos. Q
Una resistencia variable.
Un interruptor cerrado.
Una red RC.
82. En un transistor NPN los portadores mayoritarios en la base son
a)
b)
c)
d)
Los huecos.
Los electrones libres.
Los iones positivos.
Los iones negativos.
83. En las características de salida de un transistor bipolar mostradas en la figura, la
zona rayada corresponde a...
a)
b)
c)
d)
84.
a)
b)
c)
d)
La zona de saturación.
La zona de corte.
La zona activa.
La zona prohibida.
Para que un transistor BJT este polarizado en la zona activa debe tener.
La unión
La unión
La unión
La unión
E-B y la unión C-B directamente polarizadas. Q
E-B y la unión C-B inversamente polarizadas.
E-B directamente polarizada y la unión C-B inversamente polarizada.
E-B inversamente polarizada y la unión C-B directamente polarizada.
85. En un transistor NPN que trabaja en sum rue ion se verifica que...
a)
b)
c)
d)
VCE = 0V.
Ic - 0 A.
VCE = VCC. Q
Ic = IM.
86. Un transistor NPN con los valores indicados se encuentra
a)
b)
c)
d)
En la zona activa.
Saturado.
En corte. LI
Bloqueado
87 . Habiendo realizado a un transistor NPN con un óhmetro analógico las medidas
indicadas, sabemos que...
a)
b)
Esta estropeado.
Aparentemente se encuentra en buen estado.
c)
d)
Puede funcionar solamente como conmutador.
Tiene fugas pero funciona bien.
88. El punto de trabajo de un transistor se conoce como.
a) Punto
reposo.
b) Punto
c) Punto
d) Punto
Q, que signifies Quiescent point, es decir, punto quieto, inmóvil o de
W, del ingles Working point, es decir, punto de trabajo.
C, del ingles Charge point, es decir, punto de máxima carga.
T, en castellano.
89. Que montaje básico del transistor tiene una ganancia de corriente próxima a la
unidad?
a) Emisor común.
b) Base común.
c) Colector común.
d) Ninguno.
90. El montaje en colector común tiene...
a) Alta impedancia
b) Alta impedancia
c) Baja impedancia
d) Baja impedancia
de entrada y baja de salida.
de entrada y alta de salida.
de entrada y alta de salida.
de entrada y baja de salida.
91. En un transistor, bipolar , discreto conectado en emisor común, el fenómeno de
“embalamiento térmico”…
a) No existe.
b) Se produce al someter al componente a temperaturas inferiores a las de trabajo
recomendadas.
c) No puede evitarse aunque se coloquen dispositivos de estabilización térmica, pero su
efecto es despreciable.
d) Es un proceso acumulativo provocado por una elevación de temperatura, que a su vez
aumenta la IC así sucesivamente, hasta destruir el transistor.
92. Los transistores de efecto de campo de unión...
a) Están dotados de dos puertas que suelen estar conectadas internamente constituyendo
un único terminal exterior.
b) Se conocen abreviadamente como MOSFET debido a su constitución interna.
c) De doble puerta tiene un campo de aplicación mucho más amplio que los de puerta
única.
d) No presentan ningún tipo de analogía con respecto a los BJT.
93. A medida que la tensión de puerta de un JFET canal N es más negativa, eI canal
se hace...
a) Más ancho.
b) Más estrecho.
c) Más conductor.
d) Más largo.
94. La diferencia más clara entre el JFET y el MOSFET de empobrecimiento es
que...
a) Uno se gobierna por tensión y el otro por corriente.
b) El MOSFET puede trabajar con tensiones de puerta tanto positivas como negativas.
c) Las dos respuestas anteriores son ciertas.
d) En el FET el sustrato es accesible desde el exterior.
95. El circuito de polarización de la figura…
a) Es correcto para la configuración en surtidor común.
b) Tiene la pila V66 conectada al revés.
c) Está en montaje drenador común.
d) Todas las respuestas anteriores son falsas.
96. El transistor JFET difiere del bipolar en que...
a) Su velocidad de conmutación es alrededor de 10 veces
menor.
b) Su impedancia de entrada es mucho menor.
c) Tiene mucha menos ganancia de tensión.
d) Para magnitudes elevadas de tensión, la corriente no se
mantiene constante y en aplicaciones con altas intensidades
no presenta pérdidas.
97. En los características de drenador de un JFET canal N de la figura se cumple
que…
a) VGS4 <V GS3 <V GS2 <V GS1 .
b) VGS4 >V GS3 >V GS2 >V GS1 .
c) VGS4 =V GS3 =V GS2 =V GS1 .
d) VGS4 = 0 V
98. En los transistores MOSFET, el sustrato se suele unir internamente a...
a)
b)
c)
d)
La fuente
El drenador
La puerta
La capsula
99. El símbolo del MOSFET de acumulación canal N es el de...
a)
b)
c)
d)
Q1.
Q2.
Q3.
Q4.
100.
Los transistores MOSFET de acumulación se conocen también por el
nombre de…
a)
b)
c)
d)
MOS de empobrecimiento.
MOS de enriquecimiento o de canal inducido.
MOS de deplexión.
MOS de canal difuso.
101.
En el circuito de polarización del MOSFET de la figura.
a) Si se invierte la polaridad de
disminuye la corriente de cargas a través del
canal.
b) Los electrones libres circulan por el canal desde el drenador hacia la fuente.
c) Observamos que no tiene la puerta aislada del canal.
d) La tensión negativa de puerta
controla el ancho del canal, funcionando en
estas condiciones como un FET.
102 . El TRIAC es un elemento...
a)
b)
c)
d)
Unidireccional.
Bidireccional.
Conductor únicamente en corriente continúa.
Rectificador.
103. TRIAC son las siglas de...
a)
b)
c)
d)
Corriente altema trifásica.
Trato industrial de alta corriente.
Tríodo de corriente alterna.
Tiristor resistente a la corriente altema.
104. Un TRIA equivale a...
a)
b)
c)
d)
Dos transistores en serie.
Dos tiristores en anti paralelo.
Dos tiristores en serie y oposición.
Dos DIAC en serie.
105. Los TRIAC se 11tiH7.au preferentemente en
.
a)
Convertidores estáticos de corriente continua.
b)
Regulación y control de corriente alterna.
c)
Electrónica digital.
d)
Radiofrecuencia.
106 . En el TRIAC con solapa aislada de la figura es falso que.
a)
No sean necesarias arandelas ni casquillos aislantes para su
montaje en los disipadores térmicos.
b) Se consigan aislamientos eléctricos de hasta 2.500 V
c)
G corresponda al terminal de puerta.
d)
El agujero que hay en dicha solapa sirva para realizar la
conexión de cualquiera de sus ánodos al
107. El SCRy el TRIAC se diferencian en...
a)
Que el TRIAC se puede cebar independientemente del
sentido de la tensión aplicada a la puerta.
b)
El n° de terminales.
c)
La forma para pasar del estado de conducción al de bloqueo.
d) Que e! TRIAC es un componente usado principalmente para
disparo de los DIAC.
1. LED son las siglas de,
□
□
□
□
a)
b)
c)
d)
2.
□
□
□
□
a)
b)
c)
d)
□ b)
□ c)
□ d)
4.
5.
Curva
Curva
Curva
Curva
1
2
3
4
El LED con mayor tensión directa es el de color.
a)
b)
c)
d)
6.
□
□
□
□
Aprovechan mejor la energía consumida y proporcionan
mayor luminosidad con menor consumo.
Tienen un tiempo de respuesta mucho más rápido,
permitiéndoles trabajar a mayor frecuencia.
Su vida útil es mucho más larga.
Todas las respuestas anteriores son ciertas.
¿Cuál de las curvas características de la figura corresponde a un LED?
□ a)
□ b)
□ c)
□ d)
7.
Polarización directa.
Polarización inversa.
Elevada intensidad, del orden de amperios.
Nunca se enciende, sino que funciona cuando
incide luz sobre él.
Las ventajas de los LED frente a las lamparitas de filamento son, entre otras, que…
□ a)
□
□
□
□
LED
Un LED puede encenderse cuando trabaja con
3.
□
□
□
□
Luz en diodos.
Diodo iluminado.
Diodo emisor de luz.
Diodo electroluminiscente.
Rojo.
Naranja.
Amarillo.
Azul.
El valor exacto de la caída de tensión directa de un LED depende de…
a)
b)
c)
d)
La corriente que circula a través de su unión.
El color de la radiación emitida.
La tolerancia de fabricación.
Todas las respuestas anteriores son ciertas.
En el LED de la figura.
a) El terminal más corto corresponde al cátodo.
b)
El terminal más corto corresponde ai ánodo.
Los terminales tienen distinta longitud porque ha salido defectuoso de fábrica.
c)
d)
Cualquiera de los dos terminales puede ser indistintamente ánodo o cátodo.
8.
Observando un LED desde su parte inferior...
□ a)
□ b)
□ c)
□ d)
9.
El terminal más cercano a la muesca es el
ánodo.
El terminal más cercano a la muesca es el
cátodo.
Cualquiera de los dos terminales puede ser
indistintamente ánodo o cátodo.
La muesca no es original, ha sido producida
por rozamiento con algo.
El gráfico corriente-luminancia del LED mostrado en la figura indica que...
□ a) Luce menos a mayor intensidad.
□ b) Existe una relación logarítmica entre la corriente y la
iluminación.
□ c) Existe una relación exponencial entre la corriente y la
iluminación.
□ d) A medida que aumenta la intensidad de corriente que
lo atraviesa emite mayor luminosidad.
10.
¿Cuál de las características del datasheet descritas a continuación no pertenece a un LED?
□ a)
□ b)
□ c)
□ d)
Corriente directa máxima y nominal (en mA).
Tensión inversa máxima y tensión directa nominal (en V).
Potencia de disipación (en mW).
Resistencia de aislamiento (en MÍX).
11. Los circuitos integrados lógicos o digitales …
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
Trabajan con variables que pueden tomar infinitos valores.
Se les llama lógicos porque se fabrican en un proceso lógico.
Pueden realizar cualquier función eléctrica o electrónica.
Trabajan con dos valores de tensión distintos.
12. Los CI digitales que contienen entre 100 y 9.999 puertas equivalentes por chip son …
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
De
De
De
De
pequeña escala de integración, SSI.
media escala de integración, MSL.
alta escala de integración, LSI..
muy alta escala de integración, VLSI.
13. Los La calidad de una familia lógica viene determinada por …
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
La potencia que disipa..
La velocidad de conmutación.
El producto potencia disipada-retardo de propagación.
El fan-out.
14. Las letras intermedias de las subfamilias TTL de la serie 74xx indican …
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
74Sxx: estándar.
74LSxx: estándar, alta velocidad.
74 ALSxx: bajo consumo, Schottky avanzada.
74Fxx: Schottky, bajo consumo
15. La subfamilia CMOS que es compatible tanto en patillaje como en alimentación con la familia TTL
es …
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
HE40xx.
74HCTxx.
40xxA.
40xxUB.
16. ¿Cuál es la tensión de alimentación nominal de los CI digitales en tecnología TTL?…
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
10 V.
15 V.
5 V.
12 V.
17. La familia lógica que funciona con tensiones de alimentación entre 3 y 18 V es …
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
TTL Schottky.
HTL.
CMOS serie 4000.
RTL.
18. El símbolo que acompaña el pin del CI de la figura denominado CLK indica que dicha entrada es
activa …
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
A nivel bajo.
A nivel alto.
Por flanco de bajada.
Por flanco de subida.
19. Sin Modificar el estado de los conmutadores de la figura, la puerta lógica que mantiene el LED
apagado es …
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
NAND.
OR-exclusiva.
NOR.
Todas las respuestas anteriores son ciertas.
20. ¿Cuál de la señales indicadas está presente en la salida de la
puerta de la figura?…
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
OUT 1.
OUT 2.
OUT 3.
Ninguna
21. ¿Cuál de los estados lógicos
siguiente son se presenta en
la salida de la puerta triestado de la figura …
.
.
a)
b)
OUT 0.
OUT 1.
.
.
c)
d)
OUT = Z ( alta impedancia).
OUT = Z (baja impedancia).
22. ¿Cuál de los circuitos con contactos realiza la misma función lógica que la puerta de la figura?…
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
Circuito
Circuito
Circuito
Circuito
I.
II.
III.
IV.
23. La puerta NAND de la figura se comporta como …
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
Un inversor.
Un decodificador.
Un buffer.
Una puerta AND.
24. Las memorias RAM se caracterizan por …
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
Ser de sólo lectura.
Venir grabadas de fábrica
Perder la información que almacenan cuando se les desconecta de la fuente de alimentación
Ser de acceso secuencial
25. La capacidad de la memoria de la figura es de …
.
.
.
.
a) 1.024 bits.
b) 8.192 bits.
c) 3.000 bits.
d) 256 bytes.
26. La memoria que necesita periódicamente de ciclos de refresco para evitar la pérdida de datos es …
a) RAM estática.
b) RAM dinámica.
. c)
PROM.
. d)
Flash.
27. Las memorias ROM grabadas por máscara…
.
.
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
Se pueden reprogramar cuantas veces se desee.
Están internamente constituidas por transistores BJT.
Sólo pueden ser grabadas durante el proceso de fabricación .
Se borran mediante su exposición a rayos ultravioleta.
28. La secuencia de operaciones mostrada en la figura y correspondiente a una memoria hace …
.
.
.
.
a) Lectura.
b) Escritura.
c) Borrado de datos.
d) Refresco de datos.
29. La memoria de la figura dispone d…
.
.
.
.
a) 11 líneas de direcciones.
b) 7 líneas de datos.
c) 1 línea de alimentación.
d) 3 líneas de control.
30. El hardware de un sistema microprogramable es el conjunto de…
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
Instrucciones y rutinas con que se programa el sistema.
Señales analógicas y digitales que fluyen por el sistema.
Circuitos y componentes electrónicos que constituyen el sistema.
Conductores eléctricos que interconecta los dispositivos del sistema.
31. Al conjunto de líneas que usan los microprocesadores para enviar o recibir órdenes se le
denomina…
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
Bus
Bus
Bus
Bus
de direcciones.
de control.
de datos.
de instrucciones.
32. La velocidad de funcionamiento del microprocesador está determinada por …
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
El tiempo de acceso de la memoria.
La frecuencia del reloj.
El número de componentes que integran el sistema.
Las características eléctricas de los periféricos con los que intercambia información.
33. En un sistema microprogramable la función de la memoria ROM es …
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
Contener aquellos programas y datos que la CPU o el usuario puedan modificar.
El almacenamiento temporal de los datos recibidos desde el exterior.
Contener los datos y programas de arranque que precisa el sistema para su activación .
El almacenamiento de aquellos datos que la CPU envía para su posterior visualización en
pantallas o displays.
34. La longitud de la palabra binaria que procesa el microprocesador determina el número de hilos
del…
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
Bus
Bus
Bus
Bus
de direcciones.
de control.
de datos.
de instrucciones.
E1
Vo
Vi
35. Un bus de direcciones de 16 líneas permite al microprocesador gobernar una memoria de hasta …
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
8 K posiciones.
16 K posiciones.
32 K posiciones.
64 K posiciones.
36. Los dispositivos lógicos triestado …
. a)
. b)
. c)
S1
Disponen de una entrada de control que autoriza el funcionamiento del circuito o lo inhibe
poniéndolo en estado de alta impedancia.
Tienen tres estados de salida posibles: bajo (L), alto (H) e indiferente (X).
Tienen tres terminales: una entrada y dos salidas, una inversora y la otra no inversora.
S2
. d)
Permiten intercomunicar los tres buses del sistema para aumentar su versatilidad.
37. En un microprocesador las entradas de control X1-X2…
. a)
de
. b)
. c)
. d)
Suelen llevar conectadas un cristal de cuarzo o una red LC o RC para estabilizar el generador
reloj interno.
Controlan la transferencia de datos serie y paralelo, respectivamente.
Llevan conectadas la tensión de alimentación del chip.
Reciben una petición de servicio de la memoria o del dispositivo I/O.
38. La señal de control que indica al microprocesador si la memoria o el dispositivo de I/O está o no
listo para realizar una transferencia de datos es…
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
HLD.
INTR.
ALE.
READY.
39. En un microprocesador de 8 bits, el stack pointer o puntero de la pila es generalmente...
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
Un
Un
Un
Un
registro de propósito general de 8 bits.
registro de propósito especial de 16 bits.
registro de propósito especial de 8 bits.
registro de propósito general de 16 bits.
40. Cuando al efectuar una suma lógica el resultado tiene un número impar de unos, el flag
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
P=l.
Z = 1.
C = 1.
P = 0.
41. El bloque de lógica cableada dentro del microprocesador que controla y sincroniza las transferencias
de datos y las operaciones que se realizan con ellos se denomina…
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
Unidad lógica-aritmética.
Decodificador de instrucciones.
Unidad de control.
Registro de instrucciones.
42. El registro que memoriza la dirección de la siguiente instrucción que se ha de ejecutar se denomina …
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
Contador de programa.
Puntero de la pila.
Registro de estado.
Registro de instrucciones.
43. Al registro que ofrece información auxiliar acerca del resultado de las operaciones lógicas o
aritméticas que realiza la ALUse le llama…
. a)
. b)
Acumulador.
Registro de datos.
. c)
. d)
Registro de estado.
Registro de instrucciones.
44. En las instrucciones de comparación …
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
El
El
El
El
contenido del acumulador se resta del segundo dato.
resultado de la diferencia se carga en el acumulador.
estado de los flags se carga en el acumulador.
contenido de los bytes que se comparan no se modifica.
45. No es cierto que…
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
En una bifurcación sea imposible volver al punto en que se interrumpió la secuencia
En una toma de decisión se testee el estado de alguno de los flags.
Las bifurcaciones puedan ser condicionales y no condicionales.
Sea posible romper la ejecución secuencial de un programa.
46. En una instrucción de salto condicional…
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
Si no se cumple la condición, se produce el salto.
El estado de los bits de condición no se modifica.
Si se cumple la condición, el contenido del contador del programa no se modifica.
Si no se cumple la condición, el valor de la dirección que acompaña al código de operación se
carga en el contador del programa.
47. Una subrutina es…
. a)
El eje principal de un programa en el que se especifican las direcciones de memoria en las que
se
. b)
. c)
. d)
encuentran los datos a procesar.
Un grupo de instrucciones de un programa que realiza una operación concreta y que se repite
íntegramente en varias zonas del mismo.
El mnemònico asignado a una dirección.
El programa ensamblador que traduce los mnemónicos a código máquina automáticamente.
48. En un microprocesador la pila es …
. a) Una zona de la memoria RAM de uso exclusivo del microprocesador y que se utiliza para
guardar
únicamente la dirección de retomo en las llamadas a subrutinas.
. b) Un conjunto limitado de registros internos que dispone el microprocesador para salvar el
contenido
del contador del programa en las instrucciones de salto incondicional.
. c) Una zona de la memoria ROM que está en principio reservada para el microprocesador, pero
que
también puede ser utilizada por el usuario para salvar el contenido del acumulador y del
registro de
estado.
. d) Una zona de la memoria RAM donde se puede almacenar el contenido de los registros del
microprocesador cuando se quiere ejecutar una subrutina o atender a una petición de
interrupción.
49. El amplificador diferencial de la figura funciona en modo…
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
Entrada
Entrada
Entrada
Entrada
simétrica, salida simétrica.
simétrica, salida asimétrica.
asimétrica, salida asimétrica.
asimétrica, salida simétrica.
E1
S1
Vo
Vi
S2
50. La entrada de polarización de un AOP de transconductancia tiene…
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
La misma
La misma
0,7V más
0,7V mas
tensión que la entrada (+).
tensión que la entrada (-).
que la entrada –Vcc.
que la entrada +Vcc.
51. La corriente de salida máxima de un OTA en configuración típica suele ser…
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
Mayor que la de polarización.
Igual a la de polarización
Menor que la de polarización
Cero.
52. Los operacionales de transconductancia tienen la particularidad de…
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
Que la etapa diferencial de entrada posee control externo para su corriente de polarización.
Estar construidos con transistores MOSFET.
Ser idóneos para aplicaciones en circuitos controlados por corriente.
Que todas sus entradas tienen el mismo consumo.
53. La ecuación característica de un operacional de transcon ductancia es…
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
(
(
(
(
).
).
).
).
Ii2
Vi2
-
Io
Vo
Ii1
Vi1
+
54. En la curva de transferencia de la figura, la ganancia de tensión del operacional vale…
Vo(V)
.
.
.
.
a)
b)
c)
d)
SAT+
14V
Av=2.
Av=-2.
Av= saturación positiva.
Av=7.
-7V
Vi(V)
7V
SAT-
-14V
55. Analizando la curva de respuesta a la frecuencia de un AOP se puede afirmar que…
Av(dB)
100
. a)
. b)
. c)
Las líneas discontinuas corresponden a
conexiones en lazo cerrado.
La línea continua corresponde a conexión en
lazo cerrado.
El ancho de banda aumenta a medida que
80
60
40
20
0
F(Hz)
-20
1
10 100
1K 10K 100K 1M 10M
. d)
|aumenta la ganancia.
Los ejes están graduados de forma lineal.
DEPARTAMENTO DE ELÉCTRICA Y ELECTRÒNICA
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