Download Hallar el valor de las tensiones y las corrientes señaladas en los
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(/(&75Ï1,&$%È6,&$ ','4%+%+15FGVTCPUKUVQTGU/15('6 3UREOHPD D Un determinado transistor MOSFET de enriquecimiento para el que Vt=1V y 2 K=0.25mA/V se va a utilizar polarizado en su región de saturación. Si la corriente de drenador ID debe ser de 4mA, hallar el valor de VGS y el valor mínimo necesario de VDS. E Repetir el apartado anterior si la corriente de drenador debe ser de ID=16mA. 6ROXFLyQ D9*6 99'6PLQ 9 E 9*6 99'6PLQ 9 3UREOHPD Un transistor de enriquecimiento NMOS con una tensión umbral Vt de 2V y un factor de transconductancia K=0.1mA/V2 se utiliza como una resistencia lineal controlada por tensión. Hallar el rango de valores de VGS para el que se obtiene una resistencia comprendida entre 0.5k: y 5k:. 6ROXFLyQ 9d 9*6 d 9 3UREOHPD Un transistor MOSFET de deplexión canal n con IDSS=9mA, K=1mA/V2 y Vp=-3V tiene sus terminales de puerta y fuente conectados a tierra. Hallar la región de funcionamiento del transistor y la corriente de drenador ID cuando: D VD=0.1V. E VD=1V. F VD=3V. G VD=5V. 6ROXFLyQ D2KPLFD,' P$E 2KPLFD,' P$F6DWXUDFLyQ,' P$G Saturación,' P$ 3UREOHPD Un transistor NMOS de deplexión con IDSS=9mA, K=1mA/V2 y Vp=-3V tiene su terminal de puerta conectado a tierra y una fuente de 1V conectada al terminal de fuente. Hallar el mínimo valor de drenador VD necesario para que el dispositivo esté trabajando en saturación. ¿Cuál es el valor de la corriente de drenador que se obtiene para el valor de tensión VD determinado? 6ROXFLyQ 9'PLQ 9,' P$ 3UREOHPD Un transistor MOSFET de deplexión canal n trabajando en la región ohmica con VDS=0.1V, conduce una corriente de drenador de valor ID=1mA cuando VGS=-1V, y de valor ID=3mA cuando VGS=1V. Hallar el valor de K y la tensión umbral Vp. 6ROXFLyQ . P$99S 9 3UREOHPD Un transistor MOSFET de deplexión canal n trabajando en saturación con VDS=5V, conduce una corriente de drenador de valor ID=5mA cuando VGS=-1V, y de valor ID=45mA cuando VGS=1V. Hallar el valor de IDSS y la tensión de pinch-off Vp. 6ROXFLyQ ,'66 P$9S 9 3UREOHPD D A partir de la expresión de la corriente de drenador ID en saturación de un MOSFET de enriquecimiento canal n, hallar una expresión que represente la variación porcentual (%) del valor de la corriente de drenador por ºC en función de la variación porcentual del valor del factor de transconductancia K por ºC, del coeficiente de temperatura de Vt en V/ºC, de VGS y de Vt. E Si el valor de la tensión umbral Vt disminuye 2mV cada ºC de aumento de la temperatura, hallar el coeficiente de temperatura de K que hace que el valor de la corriente de drenador ID disminuya un (0.2%)/ºC cuando el transistor NMOS está polarizado con VGS=5V, y el valor de la tensión umbral es Vt=1V. 6ROXFLyQ D w,' ,' w7 w. . w9 E w. . 7 w7 w7 w7 9*6 9W & 3UREOHPD Considerar el circuito de la figura, en el que los valores de los parámetros característicos de los transistores Q1 y Q2 son Vt=2V, PnCOX=20PA/V2, L1=L2=10Pm y W1=50Pm. Sabiendo que k = (1/2) Pn COX (W/L) D Hallar el valor de R para el que se establece una corriente de drenador ID=0.4mA en el transistor Q1. E Hallar el valor de W2 (ancho de la puerta del transistor Q2) para el que Q2 trabaja en la saturación con una corriente ID=0.6mA. V D D = 1 0V R 2 = 10k: Q2 R Q1 6ROXFLyQ D5 N: E : PP 3UREOHPD Analizar el circuito de la figura para determinar el valor de la corriente de drenador ID y la tensión de drenador VD, teniendo en cuenta que los parámetros característicos del 2 transistor NMOS son Vt=1V y K=0.5mA/V . V DD = 1 0 V 10M : 5 k: ID 10M : 6ROXFLyQ ,' P$9' 9 3UREOHPD D Analizar el circuito de la figura para determinar el valor de la corriente de drenador ID y la tensión de drenador VD, teniendo en cuenta que los parámetros característicos del transistor MOSFET de deplexión son Vp=-1V e IDSS=0.5mA. E Hallar los nuevos valores de RS y RD para los que se obtiene una corriente de drenador ID=0.5mA y una tensión de drenador VD=4V. V DD = 1 0 V R G1 = 8 .5 M : R D = 3 2 k: R G2 = 1 .5 M : R S= 1 6 k: 6ROXFLyQ D,' P$9' 9E 56 N:5' N: 3UREOHPD Calcular las corrientes y tensiones señaladas en los circuitos de la figura teniendo en 2 cuenta que para todos los dispositivos |Vt|=1V y K=0.5mA/V . Suponer que la expresión de la corriente de drenador en la región de saturación para todos los transistores tanto de deplexión como de enriquecimiento es ID=K(VGS-VP,T)2. 10 V 10V + 6V I1 V4 V3 V2 V5 - 10V a) - 4V b) + 5V c) 1 0V 10V I7 d) 10 V 10V 10 M : V8 V6 V9 10M : - 5V 6ROXFLyQ D, P$ E 9 9F9 9 G 9 99 9H9 9 I , P$J9 9 K 9 e) f) g) h) 3UREOHPD Hallar el valor de las tensiones VDS1 y VDS2 señaladas en el circuito de la figura teniendo en cuenta que las características de los transistores NMOS Q1 y Q2 empleados son las dadas por las figuras F1 y F2 respectivamente. V DD = + 4 V Q1 + V DS1 - + V DS2 - Q2 V TT= - 2 V ,'P$ ,' P$ V G S1 = + 1.5V V G S2 = 6.0V V G S1 = + 1.0V V G S2 = 5.5V V G S1 = + 0.5V V G S2 = 5.0V V G S1 = 0V V G S1 = -0.5V V G S1 = -1.0V V G S2 = 4.5V V G S2 = 4.0V V G S2 = 3.5V V G S1 = -1.5V V G S2 = 3.0V 9'6 9 6ROXFLyQ 9'6 99'6 9 fig ura F 1 9'6 9 fig ura F 2 3UREOHPD D En el circuito representado en la figura, los transistores NMOS Q1, Q2 y Q3 son idénticos, siendo sus parámetros característicos Vt=2V y K=20PA/V2. Determinar el valor de la corriente I0 y de la tensión V0. E Repetir el apartado D suponiendo que se intercambian las conexiones de la resistencia RD y del transistor Q2. F Repetir el apartado D suponiendo que se sustituye el transistor Q2 por un transistor NMOS de deplexión conectado como resistencia (conectando los terminales G y S del transistor), siendo sus parámetros característicos Vp=-2V e IDSS=0.08mA. 6V Q2 IO R D = 1 0K: VO Q1 Q3 6ROXFLyQ D, ,' P$9 9'6 9E , ,' P$9 9'6 9F, ,' P$9 9'6 9 3UREOHPD Determinar el punto de trabajo de los transistores Q1 y Q2 en el circuito de la figura, teniendo en cuenta que los parámetros característicos del transistor son Vt1=2.5V, 2 2 Vt2=3V, K1=0.08mA/V , K2=0.125mA/V , y que en el circuito VDD=12V, VTT=-4V, VGG=11V, RG=1M: y RS=2k:. V DD Q1 RG Q2 V GG RS V TT 6ROXFLyQ ,' P$9'6 9,' P$9'6 9 3UREOHPD Determinar el punto de polarización de los transistores Q1 y Q2 en el circuito de la figura, teniendo en cuenta que los parámetros característicos del transistor son Vt1=3V, Vt2=1V, K1=0.12mA/V2, y que en el circuito VDD=4V, V1=15V, RD1=1k:, RD2=18k:, 2 R1=100k: y R2=300k:. 1RWD Suponer K2=0.2mA/V . V DD R D1 R1 I D1 Q1 R D2 I D2 Q2 V1 R2 6ROXFLyQ ,' P$9'6 9,' P$9'6 9 3UREOHPD Calcular y justificar en qué región están polarizados los transistores en el circuito de la figura, teniendo en cuenta que los parámetros característicos del transistor MOSFET 2 de enriquecimiento canal n son Vt=2V y K=0.2mA/V , y para el transistor bipolar npn VBE=0.7V y E=200. V DD = 1 2 V 2M : 4 .4 5 k: 1 6 k: 1M : Q1 Q2 2M : 0 .5 6 k: 83: 6ROXFLyQ ,' P$\9'6 9,& P$9&( 9