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Asignatura: Comunicación
Sílabo de Semiconductores y Dispositivos
Electrónicos
I.
II.
Datos Generales
Código
A0561
Carácter
Obligatorio
Créditos
5
Periodo académico
2016
Prerrequisito
Ninguno
Horas
Teóricas:
3
Prácticas:
3
Sumilla de la Asignatura
Bandas de energía, cristales de (silicio), materiales extrínsecos e intrínsecos, la juntura PN y el
diodo semiconductor, introducción a la teoría de los transistores BJT. Tipos, configuraciones,
recta de carga, parámetros híbridos, parámetros pi.
Los transistores fet, los transistores
mosfet, diversas configuraciones, propiedades, rectas de carga. El amplificador diferencia
III. Competencia
Define y explica los conceptos y teorías más importantes y generales acerca de los
dispositivos electrónicos, demostrando una actitud crítica con respecto a la información
producida y recibida.
Utiliza la teoría de los dispositivos electrónicos para aplicarlos a cualquier sistema eléctrico y
en diversas situaciones prácticas.
Argumenta e identifica con comentarios a favor o en contra acerca de los conocimientos
adquiridos mostrando actitudes de familiarización con la asignatura y con la carrera
profesional.
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Asignatura: Comunicación
IV.
Organización de los Aprendizajes
Unidad
I
II
Conocimientos
INTRODUCCIÓN
Aplicaciones de la electrónica en la electricidad. Historia
de los dispositivos electrónicos y la electrónica.
BANDAS DE ENERGÍA
Teoría de bandas de energía, en los cristales (Si, Ge),
conductividad, resistividad y movilidad, en los metales;
materiales extrínsecos, é intrínsecos, conductividad,
resistividad y movilidad, en los semiconductores.
EL DIODO SEMICONDUCTOR
La juntura PN y el diodo semiconductor, explicación de su
funcionamiento desde el punto de vista de los
semiconductores. El diodo ideal, aproximaciones del diodo.
El diodo como recortador, función de transferencia,
ejemplos,
resolución
de
problemas
con
diodos.Enclavadores, Multiplicadores de tensión. El diodo
zener. Características y aplicaciones.
Planteamiento de desarrollo de un proyecto de control
electrónico
con
el
empleo
de
transistores
y
microcontroladores.
INTRODUCCIÓN A LOS TRANSISTORES BJT
Clasificación, Teoría de los BJT. Tipos y configuraciones de
los transistores. Rectas de carga.
Problemas de aplicación.
Variaciones de la ganancia de corriente. La recta de
carga.
El punto de trabajo. Saturación. El transistor en
conmutación. Polarización de emisor. Excitadores para los
LEDS.
Procedimientos
Actitudes
Describe las aplicaciones de la electrónica en la
electricidad.
Describe la teoría de las bandas de energía y las
propiedades de los materiales intrínsecos, extrínsecos y
las impurezas trivalentes y pentavalentes.

Diseña circuitos con diodos utilizando herramientas de las
ciencias básicas y Pspice de Orcad

Diseña en laboratorio circuitos aplicativos con diodos
zener y de propósito general
Resuelve problemas con transistores BJT en continua.
Describe los tipos de transistores fet así como sus
características y configuraciones principales.
Analiza el efecto que produce en la corriente de
colector y la tensión colector emisor, el parámetro
ganancia de corriente
Analiza el transistor BJT y su punto de trabajo así como su
funcionamiento como conmutador


Efecto de pequeños cambios. Polarización por divisor de
tensión: recta de carga y punto de trabajo. Polarización de
emisor con dos fuentes de alimentación. Otros tipos de
polarización.
Actividad: Visita técnica a una empresa.
Resuelve problemas aplicativos sobre los diferentes tipos
de polarización
Reconoce
las
cualidades del ingeniero
en
el
proceso
de
solución
de
los
problemas en ingeniería.
Valora la importancia de
los
materiales
semiconductores en el
diseño de dispositivos
electrónicos.
Valora la importancia de
los
dispositivos
electrónicos
en
la
solución de problemas.
Resalta la importancia
de
los
circuitos
electrónicos
con
transistores y dispositivos
pasivos.
Evaluación Parcial
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Asignatura: Comunicación
III
INTRODUCCIÓN A LOS TRANSISTORES FET
Análisis teórico, funcionamiento, tipos, características
principales. Configuraciones importantes,
Rectas de carga, problemas diversos. Análisis de Problemas
mixtos de FET y BJT en continua.
INTRODUCCIÓN A LOS MOSFET
Análisis de los mosfet, características, tipos. Formas de
funcionamiento,
Rectas de carga, el mosfet como interruptor. Problemas
diversos.
INTRODUCCIÓN A LOS AMPLIFICADORES DIFERENCIALES
Teoría de los amplificadores diferenciales. Corriente de
polarización. Corriente offset de entrada. Corriente de
polarización de entrada
Análisis para señal. Impedancia de entrada.
Tensión de offset de salida. Tensión de salida ideal. Efectos
combinados.
IV
Ganancia en modo común. Rechazo al modo común.
El espejo de corriente. El amplificador diferencial con espejo
de corriente. Corriente de polarización mediante fuente de
corriente. Carga activa
Resuelve problemas con transistores FET utilizando los
conceptos teóricos aprendidos
Analiza el comportamiento del mosfet en el simulador
Pspice de Orcad
Elabora circuitos aplicativos con MOSFET en laboratorio
utilizando un control PWM para controlar la velocidad de
un motor cc.



Resuelve problemas sobre corriente de polarización y
corrientes de offset y de polarización de entrada.
Resuelve problemas aplicativos de ganancia para señal
Diseña un circuito aplicativo con amplificadores
diferenciales
en laboratorio
Resuelve problemas sobre ganancia en modo común
Elabora circuitos aplicativos en laboratorio utilizando un
amplificador operacional como variante para el control
PWM. Resuelve problemas sobre espejos de corriente
Evaluación Final

Resalta la importancia
de
los
dispositivos
electrónicos
y
su
aplicación
a
la
electricidad.
Posee
una
actitud
reflexiva y critica frente a
la
investigación
científica
y
sus
resultados.
Valora la importancia
del
transistor
mosfet
como
dispositivo
conmutador
Valora la importancia de
los
amplificadores
diferenciales
en
aplicaciones eléctricas.
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V.
Estrategias Metodológicas
El proceso de aprendizaje consiste en el desarrollo teórico de los conceptos básicos y estrategias
adecuadas para resolver ejercicios y problemas. Basadas en métodos como el inductivo
deductivo, procedimientos de observación, comparación, abstracción, generalización y
aplicación de técnicas expositivas dialogadas, trabajos en grupo, práctica en problemas entre
otros que influyan en el buen aprendizaje, incidiendo en la investigación.
Fase de diseño previo por parte del docente.
 Selección de contenidos tanto conceptuales, procedimentales de manera diversificada y
respondiendo a su realidad.
 Planteamiento de los objetivos que se busca al finalizar el curso y la selección de las
actividades de aprendizaje.
 Determinación de recursos materiales
 Propuesta previa para la formación de grupos de trabajo para realizar las actividades.
Fase de aprendizaje.
 Motivación o situación desequilibrante que haga vivir intensamente al estudiante: es el
momento donde se presenta el problema.
 Los estudiantes elaboran organizadores de conocimientos y resuelven problemas utilizando
conocimientos teóricos e implementan circuitos con dispositivos semiconductores
realizando medición de parámetros eléctricos. Buscan y manifiestan las posibles
aplicaciones o causas del problema (primeras hipótesis).
 Seleccionan estrategias para encontrar respuesta al problema. Ejecutan la estrategia
realizando por ejemplo experimentos, revisando bibliografía escrita (separatas) o
audiovisual, efectuando visitas de campo y otras actividades de investigación (la conclusión
de la información cuaderno, papelógrafo, mural, otros).
 Elaboran nuevas hipótesis basados en lo aprendido y establecen las diferencias con las
previas.
 Refuerzan y aplican lo aprendido a situaciones diarias.
 Reflexionan sobre sus aprendizajes, las estrategias seguidas, la propuesta y la ayuda
docente y terminan planteando nuevas interrogantes o problemas.
Fase de la Metodología experimental.
 Observación de experimentos para comprenderlos y explicarlos tomando como base los
conocimientos teóricos adquiridos
 Formulación de hipótesis partiendo de los experimentos observados.
 La explicación de sistemas matemáticos a la hipótesis obtenida se le aplica un
planteamiento para poder dar más sentido a la hipótesis obtenida. Hay dos formas de
comprobar los sistemas matemáticos:

Compara los hechos observados que quedan explicados por las hipótesis, al introducir
en la comparación conclusiones lógicas.

Ver si se han encontrado nuevos hechos y ver si se pueden adaptar a las hipótesis para
dar sentido a los razonamientos.
 La experimentación: al contrastar las consecuencias de las hipótesis con lo que ocurre en la
realidad se pueden plantear tres posibilidades:

La experimentación confirma la hipótesis: los hechos obtenidos se dan en la realidad
por lo tanto se verifican las hipótesis (porque los hechos salen de las hipótesis).

La experimentación refuta esos hechos: los hechos no tienen sentido respecto a la
realidad por lo tanto se anulan las hipótesis.
Las consecuencias de las hipótesis no pueden obtenerse directamente ni indirectamente, por
carecer de medios técnicos.
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Asignatura: Comunicación
VI.
Sistema de Evaluación
Instrumentos
Rubros
Evaluación de entrada
Prueba objetiva
Consolidado 1
Prueba de desarrollo
Prueba objetiva
Peso
Requisito
20%
Prueba de desarrollo
Evaluación parcial
20%
Prueba de desarrollo
Prueba objetiva
A) Consolidado 2
20%
Prueba de desarrollo
Evaluación final
Evaluación de recuperación (*)
40%
No aplica
(*) Reemplaza la nota más baja obtenida en los rubros anteriores
Fórmula para obtener el promedio:
PF = C1 (20%) + EP (20%) + C2 (20%) + EF (40%)
VII. Bibliografía
7.1 Básica


SAVANT “Diseño Electrónico”. University of Texas at Austin. USA 2002.
MALVINO ”Principios de Electronica”. Editorial McGraw Hill España 2000
7.2 Complementaria



HORESTEIN “Microelectrónica, Circuitos y Dispositivos”. Editorial Prentice Hall. EEUU
2003.
RASHID “Circuitos Microeletrônicos”. Editorial McGraw Hill. España 2002.
SEDRA SMITH FAVIO DI LORENZO ”Circuitos Microelectrónicos”. EEUU. 2005.
7.3 Recursos Digitales


Li Y". Why consider a power BJT rather than a MOSFET? Electronic Engineering Times
2010 Nov 15(1591):48-48.
(2) Yang B, Wang J, Xu S, Korec J, Shen ZJ. Advanced Low-Voltage Power MOSFET
Technology for Power Supply in Package Applications. IEEE Transactions on Power
Electronics 2013; 28(9):4202.
2017.
Firmado por
FELIPE NESTOR GUTARRA MEZA
CN = FELIPE NESTOR GUTARRA MEZA
O = UNIVERSIDAD CONTINENTAL
OU = 20319363221
T = DECANO
Signature date and time: 22/02/2017 06:39:56
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