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DISPOSITIVOS ACOPLADOS PR CARGA (CCD).
Tales cámaras están siendo rápidamente favorecidas en cuanto al procesamiento de
imágenes, visión a través de máquinas ó supervisión y control industriales. Un método para
la formación de imágenes de estado sólido es fabricar muchos fotodiodos delgados juntos
en una disposición lineal o bidimensional. Sin embargo, las dificultades de fabricación y las
bajas densidades de encapsulamiento han conducido al desarrollo del dispositivo acoplado
por carga (CCD). Como su nombre indica, el CCD conduce su información mediante la
transferencia eficiente de paquetes de carga eléctrica a través del dispositivo. Las ventajas
ofrecidas por la tecnología CCD son el incremento en la densidad de encapsulamiento con
respecto a la del arreglo de fotodiodo, la libertad en cuanto al retraso y a la fluorescencia y
la sensibilidad a bajos niveles de luz. Tal vez más significativa sea la libertad de distorsión
geométrica de la imagen, que es una seria limitación de las cámaras vidicón. Gran parte del
futuro de la formación de imágenes de estado sólido depende de este dispositivo y por
consiguiente, el análisis se centrará en las cámaras de CCD y su aplicación.
Almacenamiento de carga
Considere la situación en la que se tiene un semiconductor tipo p sobre el que se ha
depositado una capa delgada de bióxido de silicio. En la capa de óxido se deposita un
electrodo metálico. Antes de la aplicación de un voltaje los huecos están uniformemente
distribuidos a través del material, al aplicar un voltaje positivo, los huecos se expulsan del
área bajo el electrodo y se forma una capa de agotamiento. Al aumentar el voltaje se
incrementa la extensión de la capa de agotamiento. A cierto voltaje, el potencial superficial
es tan alto que los electrones son atraídos hacia la superficie, en donde forman una capa
delgada pero densa de carga negativa. Esto crea un CCD de canal n. La capa de
agotamiento puede concebirse en términos de un pozo de potencial, una región de bajo
potencial en el material por debajo de la placa, que actúa como un sumidero de electrones
(figura 2a). La capa de óxido entre el electrodo y el silicio ayuda a evitar deriva de carga
lejos del pozo. El dispositivo que se ha descrito es un CCD de canal superficial. En todos
los dispositivos prácticos se utiliza una estructura de canal subterráneo en la cual la carga
es almacenada bastante por debajo de la superficie para efectos de una transferencia más
efectiva. Los conceptos, sin embargo, son semejantes.
Transferencia de carga.
El paquete de carga contenido en el pozo puede moverse a través del dispositivo
mediante aplicaciones consecutivas de un pulso de voltaje a los electrodos de interconexión
(figura 2b). Inicialmente se supone que la carga está contenida bajo el primer electrodo.
Cuando se aplica un potencial al segundo electrodo aumenta el ancho del pozo a través de
la región bajo los dos electrodos. Ahora, la carga es compartida entre los dos electrodos. Al
eliminar el voltaje del primer electrodo se provoca la destrucción del pozo, haciendo que
toda la carga disponible pase al segundo pozo. El pozo y su carga asociada se han movido a
través del semiconductor. Merece la pena señalar que la carga acumulada puede
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almacenarse durante varias horas sin desintegración apreciable. ¡La eficiencia del proceso
de transferencia de carga tiende a un valor extraordinario de 99.999%!.
Figura 2.- Movimiento del paquete de carga entre los electrodos. a) Pozo de potencial
conteniendo carga; b) Creación de un pozo adyacente, la carga se "derrama" en él; c)
Carga compartida entre los pozos; d) Desaparición del primer pozo; e) El paquete de
carga se ha movido entre los pozos.
Formación de imágenes ópticas.
Como ya se ha visto, muchos materiales semiconductores, como el silicio, son
fotosensibles. La luz incidente genera pares electrón-hueco en el material. Los electrones
son atrapados en el pozo de potencial, en tanto que los huecos desaparecen en el sustrato. Si
se considera un CCD de canal n, el número de electrones producidos en un lapso dado y por
tanto la carga acumulada, es proporcional a la intensidad de la luz incidente. El patrón de la
carga acumulada a través del dispositivo reproduce la variación en intensidad de luz de la
imagen original.
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La lectura de la señal se lleva a cabo mediante la transferencia de paquetes de carga a
CCD’s adyacentes, para ser leídos como imágenes de vídeo. Aunque en principio es posible
conectar cada detector con un reloj de pulsos por separado, en la práctica los electrodos se
agrupan en conjuntos de tres o cuatro, denominados fases. Cada fase se conecta a un voltaje
sincronizado por separado. Para el sistema que se ha presentado, un sistema de
sincronización trifásico permite que la carga sea movida por completo a través del
dispositivo (figura 3). Para la transferencia en línea son posibles velocidades del reloj hasta
de 10 MHz.
Figura 3.- Formación de imágenes utilizando un arreglo de pixeles CCD.
La sencilla disposición de formación de imágenes en línea, según se acaba de presentar,
no es idónea para los detectores por área, debido al tiempo requerido para transferir la carga
a través del dispositivo. Para los detectores por área, los pixeles individuales están
dispuestos en una matriz de M x N elementos. Los paquetes de carga son conmutados a una
serie de almacenes y lecturas secuenciales mientras se graba una segunda imagen. Los
formadores de imágenes por áreas deben ser capaces de transferir datos a velocidades
compatibles con los sistemas convencionales de TV. Existen dos formas principales en las
que es posible organizar información en una pastilla CCD, a saber, la transferencia de
cuadros y la transferencia de interlíneas.
En la transferencia de cuadros, el arreglo se divide en columnas verticales entre las
cuales hay detenciones de canal (figura 4). Los electrodos están colocados en el arreglo,
perpendiculares a las columnas. El arreglo es dividido en dos secciones, una región de
almacenamiento protegida contra la luz y una región ópticamente sensible.
El principio básico de operación es que toda el área sensible es expuesta a la luz y luego
la carga desarrollada es transferida al área de almacenamiento para su lectura. Esto es
innecesario para las altas velocidades de lectura requeridas en los sistemas de TV y sólo
entonces debido al tiempo necesario para la lectura y no para la transferencia de datos. Los
datos son leídos secuencialmente, mientras se graba el siguiente cuadro.
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Figura 4.- CCD para transferencia de cuadros.
En la transferencia de interlíneas, las secciones de lectura están mezcladas con los
elementos sensibles. La salida de cada columna es tomada en paralelo utilizando un registro
común (figura 5). Aunque potencialmente es más rápida que la transferencia de cuadros
debido a que las regiones sensibles a la luz están intercaladas con regiones no sensibles, se
pierde la mitad de los puntos de la imagen.
Figura 5.- CCD para transferencia de interlíneas.
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SISTEMAS DE ESCANEO EN MODO “CIS”
INTRODUCCION.
El Dispositivo Acoplado por carga (CCD) ha estado ampliamente utilizado en el
escaneo detallado de pagina de documentos por muchos años. Como la longitud de un CCD
es cerca de una pulgada; se requiere un lente de reducción cóncavo para centrar la imagen
de una pagina de tamaño estándar de ancho de 8.5 pulgadas en el CCD.
El uso de sensores de imagen lineales para ecanear documentos comenzó hace 20 años.
El dispositivo principal utilizado para este propósito son los CCD o arreglos de fotodiodos,
al ecanear un documento requiere tres elementos principales para capturar la imagen:
1.- Una fuente de luz para iluminar el documento.
2.- Un lente para centrar la imagen del documento en un sensor de imagen.
3.- Un sensor de imagen.
Desde entonces se utilizo un CCD para esta aplicación y reducir a una pulgada la
imagen standard de una página de 8.5 pulg. mediante una lente de reducción. Este también
requiere una distancia de separación de 30 cm entre el sensor y el documento.
EL MODULO CIS.
El modulo de sensor de imagen de contacto (CIS) se ha desarrollado para mejorar 1as
deficiencias del sistema de reducción de lente de sensor de imagen. La distancia del
documento al sensor de imagen SE ha reducido a 2 cm y un plan de reducción de lente no
esta requerido, desde entonces la longitud de módulo CIS esta a una relación uno a uno
para el documento que se registra.
La longitud del módulo esta determinado por la longitud requerida para el documento
registrado. Para longitudes arriba de 36 pulgadas aún se están desarrollando. La luz
proviene de un arreglo de LED's que iluminan el documento. La pagina iluminada esta
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enfocada hacia el sensor de imagen mediante un lente de varilla. El sensor de imagen se
montó en un substrato cerámico junto con un amplificador de salida y componentes
electrónicos
DESCRIPCION DEL MODULO CIS.
Dos configuraciones de chips están disponibles. Un chip con 200 dpi tiene un tamaño de
7935 x 700 micrómetros. Hay 64 foto elementos que tienen 85 x 85 micrómetros en 125
micrómetro cuadrados al centro. El Chip de 400 dpi tiene 8088 x 700 micrómetros. Hay
128 foto elementos que tienen 34.5 x 87 micrómetros en 63.5 micrómetros al centro. Estas
largas áreas de foto elementos ofrecen una mayor sensibilidad que los CCD's usuales que
generalmente tienen foto sitios de 10 a 15 micrómetros cuadrados. Los chips son punteados
al final en el substrato cerámico para producir la longitud deseada.
El arreglo de LED's está compuesto por elementos LED individuales que están
espaciados para una iluminación óptima del documento. LED's amarillo-verde están
utilizados para ofrecer un uso más amplio con papel de diferentes colores y marcas de
pluma y lápiz. Otros LED's pueden utilizarse en aplicaciones donde se usan diferentes
colores. El LED rojo están disponibles con una emisión de pico de longitud de onda de 660
nanómetros que son más eficientes que el LED amarillo-verde y proveer mejor
sensibilidad. Es también posible proveer un banco de LED's con tres colores de azul, rojo y
verde para obtener registros a color.
El lente de varilla utilizado en el módulo CIS es un arreglo lineal de micro lentes que se
coloca en una o dos filas dependiendo de la transmisión óptica requerida (para 400 dpi el
módulo CIS Utiliza dos filas). Cada varilla esta cerca de 1 mm en diámetro y puede ser
provisto con una conjugación total desde 16 a 65 milímetros. El uso de este lente provee
calidad superior de imagen sin distorsión en la periferia.
El módulo CIS estándar utiliza unos 15.5 milímetros tota1es y conjuga los lentes para
proporcionar la configuración más pequeña. Este lente produce una profundidad de foco de
mas o menos 0.3 milímetros. Una lente con una conjugación más larga y mayor
profundidad de foco puede ser provista para aplicaciones con requisitos más estrictos para
escaneo facsímil. El lente y los 400 dpi del chip sensor de imagen ofrece una excelente
resolución con una función de transferencia de modulación ( MTF) que mejora el 60% a 4
pares de línea por milímetro (4 Ip / mm).
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FOTODETECTOR.
El foto detector de este chip CIS es un fototransistor. A diferencia de un fotodiodo, el
fototransistor amplifica la foto corriente debido a la ganancia de emisor común (hfe) del
transistor. Luz con unos 620 nm de longitud de onda provee la respuesta máxima, con un
ancho de banda de cerca de 250 nm (- 3 db). El primero y ultimo fotoelemento
generalmente tiene menos sensibilidad de luz debido a un efecto de borde, así están
diseñados para tener 10% mas rendimiento comparadas con otras reas de foto elementos.
Debido a la ganancia alta suministrada por el fototransistor, la carga almacenada en el
condensador de almacenamiento asociado a cada transistor puede ser descargada
rápidamente cuando el interruptor fototransistor esta encendido. Esto permite que el
modulo opere en una frecuencia de reloj tan alta como 2 MHZ.
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SENSORES DE IMAGEN DE PIXELES ACTIVOS CMOS (A.P.S.)
Introducción
El campo de aplicación de los sensores de imagen de estado sólido se ha incrementado
continuamente desde la invención de la tecnología CCD en 1970 (imágenes digitales,
visión industrial, robótica, teledetección, microcámaras. ..)
Recordaremos que el concepto CCD (para Charge coupled device) está basado en la
transferencia paso a paso de cargas fotoelectrónicas creadas por la luz en cada pixel, hasta
un punto único de salida.
Los dispositivos CCD, muy conocidos por ejemplo en las cámaras de vídeo, las
cámaras astronómicas o en los sensores de imagen en tos satélites..., han ido constituyendo
hasta la fecha la tecnología dominante, pero deben ahora competir con un nuevo sensor de
imagen llamado A.P.S. (Active Pixel Sensor), el cual posee algunas ventajas. Estamos
desarrollando nuestra investigación en torno a esta clase de sensor, en especial en el campo
de aplicaciones aeronáuticas y espaciales.
¿ Qué es un A.P.S. ?
El principio del APS, como se ve en la figura más abajo, consiste en asociar al detector
fotosensible en cada célula pixel (fotodiodo o fotoMOS) varios transistores activos para
proporcionar una ampliación y una selección de la señal que proviene de las cargas
fotogeneradas. La señal de voltaje es entonces transferida hasta la salida a través de un
column-bus, como en una célula de memoria. Con este principio ya no se necesitan, como
en los CCD, las numerosas transferencias de carga de pixel a pixel hacia la salida del CCD,
con las limitaciones que acarrea.
El concepto APS presenta las ventajas siguientes:
•
Los sensores del CMOS pueden tomar la ventaja por los costos bajos en la
producción.
•
Los productos pueden correrse en los procesos mas comunes sub micron
CMOS con mínimos cambios, permitiendo fabricarlos fácilmente en las
fundiciones.
Desde que los sensores del CMOS son manufacturados en los mismos procesos
como aquellos procesos para circuitos analógicos y digitales, permitiendo
virtualmente que cualquier funcionalidad puede integrarse en el chip,
reduciendo el número por eso, de componentes y logrando el más bajo costo
del sistema.
•
•
Acceso aleatorio a pixeles y sistemas de ventanas. Posibilidad de alta velocidad
de lectura.
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•
Bajo consumo de energía (20-50 mW) El CI CMOS se alimenta con 3.3V y se
está moviendo rápidamente a 2.5 V. Los CCDs usan una fuente de
alimentación de 15V
•
Posibilidad de aprovechar las mejoras en la reducción de tamaños para
realizar pixeles de dimensiones reducidas y una mayor superficie de matrices
de sensor.
(a)
(b)
Figura 12.- (a).- El concepto APS. (b).- Una matriz APS de 256*256 pixeles
desarrolladapor el grupo CIM
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Los Sensores de Imagen CMOS, Los Sistemas de Imagen en un
solo Chip
LA RECETA PARA PROCESAR EL PODER
Los sensores de estado sólido, incluso CCDs y CMOS, usan una propiedad física
particular del silicio llamó el efecto fotoeléctrico. Cuando los fotones golpean silicio, ellos
excitan los electrones de la banda de valencia a la banda de la conducción. El número de
electrones" liberado" es proporcional al número de fotones que golpean al silicio y su
longitud de onda. Así, en vigencia, el número de electrones coleccionado varía con la
intensidad y el color de la iluminación. Estos electrones son, una representación electrónica
de la escena tomada. Para una aplicación típica, la escena es enfocada sobre el pixel con la
ayuda de una lente óptica. A más grande número de pixeles, es más fina la resolución del
sensor. El pixel es el ojo del sensor. Su eficacia de la conversión de fotones a los electrones
determina su sensibilidad. Ésta es típicamente una función del tamaño y abertura del pixel.
La proporción de conversión de carga en voltaje también es importante ya que el paquete
de carga de electrón tiene que ser convertida en una señal que puede medirse y puede
manipularse para el proceso señalado. Cuando los pixeles se ponen típicamente en una reja
ortogonal (para las series del área), un mecanismo tiene que existir para leer todas las filas
y columnas de pixeles individuales que comprenden el sensor. En este punto, el CMOS y el
CCD son idénticos en su funcionalidad. Sólo está en la aplicación dónde ellos difieren.
PONIENDO TODO JUNTO
La tecnología de fabricación CCD no ha estado sujeta a mucha evolución desde que su
invención. Todavía se fabrican CCDs en los procesos de NMOS. Quizás el cambio más
significante ha estado en el área de rendimientos, ahora los rendimientos les permiten a los
fabricantes producir sensores de CCD de multi-megapixel de resolución. La lenta evolución
de equipo ha obligado a los fabricantes de CCD a que continúen usando obleas de 4-6
pulgadas dónde el resto de la industria está en obleas de 8-12 pulgadas. La desigualdad en
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el proceso de la tecnología para CCDs evita la integración adicional en chip para tener en el
mismo el sensor y la conversión de voltaje. Como resultado, toda la señal se procesa fuera
del sensor con circuitos integrados CMOS
Esto no quiere decir que los sensores del CMOS no tiene problemas. La calidad de la
imagen de sensores del CMOS puede variar significativamente entre los fabricantes
diferentes y en la mayoría de los casos no está a la par con los CCDs. El problema principal
con los sensores CMOS es la actuación del ruido. Estos sensores usan los pixeles activos,
de sus nombre Active Pixel Sensores (APS). Cada pixel tiene un amplificador que
convierte el paquete de carga reunido a un voltaje. Las desigualdades en los transistores
pueden producir las desigualdades en los amplificadores, causando una desigualdad en la
respuesta de los pixeles. La otra fuente mayor de ruido es la corriente oscura que produce
una carga que contamina la imagen.
Desde que cada pixel tiene un amplificador, el área del pixel entera no puede usarse para
detectar fotónes. Esto produce que la abertura sea de menos de 100 por ciento, causando
una insensibilidad y una caída de la señal de salida. Con las caídas señaladas y el ruido, el
signo neto a la proporción del ruido (SNR) deteriora, produciendo un más bajo rango
dinámico del sistema. Alguna de esta pérdida se compensa por el hecho que toda las señales
se procesan en un solo chip, cerca de la fuente señalada. Los adelantos han producido
calidad de la imagen de sensores del CMOS que eran hace una década escasamente
aceptables, siendo comparable a las de CCDs.
Los sistemas completos en un solo chip a veces son llamados "los sistemas inteligentes",
los sistemas que pueden darse cuenta de la luz, datos del proceso y hacer las decisiones
inteligentes serán los sistemas verdaderamente inteligentes. Varios proveedores del CMOS,
están siguiendo la investigación agresivamente en el área de "Sistemas de Imagen
Inteligentes". Como las normas para las aplicaciones específicas para los sensores de
imagen empiezan, se harán los esfuerzos más convenidos en este área por todos los
jugadores.
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SENSOR DE IMAGEN FOVEON X3 (VPS)
La empresa Foveon Inc, de Santa Clara, California, anunció el 11 de febrero de 2002 el
lanzamiento de su nueva línea de sensores para imagen digital. El Foveon X3.
Será el primer sensor, en captar la luz roja, verde y azul del espectro visible en cada
pixel. La compañía manifiesta, que esto dará lugar a capturas de imágenes más agudas y
fieles al color. Encajan el color, utilizando 3 fotodetectores de silicio, uno por cada color,
en cada pixel. Se prevé, que estará disponible próximamente en el mercado para cualquier
tipo de cámara digital y soportes digitales.
La "tecnología de Foveon X3 permite obtener la fotografía digital con la calidad que los
consumidores han venido esperando solamente de la película." "la tecnología de sensor
actual la imagen no ha permitido a cámaras fotográficas digitales realizar su capacidad
máxima. Se cree que las brechas de la tecnología de Foveon X3 formarán la fundación de
una nueva generación de cámaras fotográficas digitales en todas las clases."
El nombre X3 viene de una capacidad única que la tecnología de Foveon X3
proporciona; la capacidad de capturar tres colores en cada pixel. Los sensores de la imagen
de Foveon X3 capturan el color completo de una imagen sin usar un filtro del mosaico del
color y sin el costo, la complejidad, y las limitaciones de los sistemas de la multi-viruta
tales como una cámara fotográfica 3-CCD o similares,esencialmente, Foveon ha
desarrollado una solución monopastilla para capturar color completo en una imagen. Los
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métodos anteriores para capturar color completo eran costosos, y eran solamente
apropiados para los sistemas muy high-end.
La brecha de Foveon X3 es lograda apilando tres fotodetectores dentro de cada pixel.
Cada uno de los fotodetectores se templa para capturar un diverso color, uno dedicado a la
luz roja, uno al verde, y uno al azul. Virtualmente cada sensor de la imagen del color
registra apenas un color por pixel. Consecuentemente, la tecnología de Foveon X3 entrega
dos veces la agudeza, el detalle mejor del color, y la resistencia mucho mayor a los
artefactos imprevisibles del color en la comparación a otros sensores de imagen con el
mismo número de pixeles.
Además de la brecha en la resolución del color, los sensores de la imagen de Foveon X3
son los primeros para incorporar el tamaño variable del pixel para los sensores de la imagen
del color, permitiendo una nueva clase de las cámaras fotográficas duales de la capacidad
still/video que sobresalen en la calidad de la imagen para ambos modos de la captura.
Ventajas Del Funcionamiento: Agudeza creciente sin artefactos
Los sensores de la imagen con la tecnología de Foveon X3 son mucho menos
susceptibles a los artefactos digitales y crean imágenes más agudas. Los sensores actuales
de la imagen de color (CCD y CMOS) contienen apenas una capa de detectores
monocromáticos de la foto, con un fotodetector por pixel. Para capturar color, los pixeles
en el sensor de imagen se organizan en un patrón del mosaico que se asemeja a un tablero
de damas de tres colores. Consecuentemente, cada pixel captura apenas un color rojo,
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verde o azul. El uso de los filtros del color del mosaico en sensores de la imagen tiene
desventajas inherentes, puesto que capturan solamente un color, los sensores mosaico de
imagen deben confiar en el proceso complejo para interpolar los dos tercios restante de los
colores que no se capturan. La interpolación conduce a una pérdida del detalle y del color
de la imagen. Para compensar, algunas cámaras fotográficas velan intencionalmente
cuadros para reducir estos efectos.
Los pixeles de Foveon X3 maximizan el uso de la luz puesto que los tres colores se
recogen en cada pixel. Con los sensores de la imagen de Foveon X3, las fotografías están
agudas y virtualmente libres de artefactos del color. "el detalle y el color fotográficos que
se puede alcanzar con esta tecnología es sin igual," "pixel por píxel las cámaras
fotográficas digitales basadas en Foveon X3 entregará imágenes de la más de alta calidad
que cualquier otro sensor de imagen. "
VPS: Funcionamiento y alta resolución video en un solo chip. Los sensores de
Foveon X3 se diseñan con el VPS (Variable Pixel Sensor). VPS combina las ventajas de
pixeles grandes y pequeños juntas en un solo sensor de la imagen. Pixeles más pequeños
traen la ventaja de una resolución más alta y de imágenes más agudas exigidas por
fotografía inmóvil. Pixeles más grandes traen la ventaja de una sensibilidad ligera más alta
que sea necesaria para las situaciones de la luz corta, sistemas automaticos más rápidos del
foco y los usos en video. El cambiar de los tamaños del pixel se logra instantáneamente y se
alcanza solamente con la captura del lleno-color de la tecnología de Foveon X3.
Separación De colores Del Silicio. Los sensores de la imagen de Foveon X3 son los
únicos sensores de imagen del mundo que capturan imágenes del color aprovechándose de
las características de la separación de color que proporciona el silicio de forma natural. Es
una característica bien conocida del silicio que la luz de diversos colores se absorbe en
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diversas profundidades; la luz azul se absorbe cerca de la superficie, la luz verde es
absorbida más lejos, y la luz roja es incluso más profunda. Cada pixel de Foveon X3
consiste en tres fotodetectores situados en diversas profundidades dentro del sensor que
detectaron la absorción de la luz roja, verde, y azul que ha penetrado en el silicio. Los tres
fotodetectores convierten la luz que se absorbe en el silicio en tres señales que después se
convierten a datos digitales y se procesan con el software del proceso de imagen de Foveon.
Costo Menos Complejo, Más bajo. Los sensores de la imagen de Foveon X3
aerodinamizan el diseño electrónico de cámaras fotográficas digitales. Las cámaras
fotográficas digitales de hoy deben utilizar algoritmos matemáticos complejos para estimar
los valores rojos, verdes, y azules de cada pixel, puesto que solamente un color por pixel se
está midiendo verdaderamente. Para lograr esta interpolación, el hardware de proceso
dedicado y el software, se requieren dentro de la cámara fotográfica. La interpolación del
color agrega costo y complejidad a una cámara fotográfica mientras que el aumento retrasa
entre disparar el botón del obturador y capturar un cuadro. Este retraso causado por los
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requisitos del proceso, pueden dar lugar a la diferencia entre capturar un gran cuadro o
ninguno. Capturando los tres colores en cada pixel, los sensores basados en Foveon X3
eliminan la necesidad de la interpolación costosa, compleja, además de evitar errores en el
color. "Para desarrollar la tecnología de Foveon X3, se ha integrado el conocimiento de la
ciencia del color, proceso de imagen, diseño del sensor de imagen y software para
desarrollar un producto que está destinado convertirse en el estándar en los sensores de
imagen para las cámaras fotográficas electrónicas," dijo al fundador de Carver Mead, de
Foveon y presidente de la mesa.
Disponibilidad. La disponibilidad inmediata de los primeros dos sensores de imagen.
El primero, el F7-35x3-a25b, tiene una resolución de 2304 x 1536 x 3, y se diseña para un
formato óptico de 4/3 pulgada. El segundo sensor de la imagen, el F10-14x3-d0å, se diseña
para un formato el 1/2"óptico, tiene una resolución de 1344 x 1024 x 3. Los kits del diseño
de la referencia que consisten en un hardware se refieren a la plataforma y el desarrollo del
software está también disponible para O.E.M.s. El primer cliente de Foveon para la
tecnología de Foveon X3 es Sigma Corporation, que está utilizando el sensor de imagen de
F07-35x3-a25b en la cámara fotográfica digital de la sigma SD9 SLR. Sigma Corporation
introducirá el SD9 en la cabina #1635 en PMA en Orlando, la Florida, el 24 de febrero de
2002.
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