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EXAMEN PARCIAL DE TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA FEB 04
INGENIERÍA TÉCNICA INDUSTRIAL, esp ELECTRONICA INDUSTRIAL
-Las cuestiones tienen todas la misma puntuación positiva en caso de respuesta correcta y
negativa en caso contrario.
-Para promediar ambas partes es necesaria una nota mínima de 3 sobre 10 en cada una.
CUESTIONES (40% nota final)
Justifica de manera breve y razonada si las siguientes afirmaciones son ciertas o no:
1. Los huecos se comportan como:
a. Una partícula cargada positivamente en el interior del semiconductor.
b. Una partícula cargada negativamente en el interior del semiconductor.
c. SON partículas positivas que se crean en el interior del semiconductor.
2. Los semiconductores intrínsecos:
a. Tienen mayor número de electrones que de huecos.
b. Tienen menor número de electrones que de huecos.
c. Tienen igual número de electrones que de huecos.
3. La difusión tiende a:
a. Aumentar las concentraciones.
b. Homogeneizar las concentraciones.
c. Destruir los semiconductores.
4. Para estabilizar una tensión en continua:
a. Un diodo zéner en zona zéner conectado a tierra es una buena opción.
b. Un diodo en polarización inversa conectado a tierra es una buena opción.
c. Un puente de diodos es una buena opción.
5. En una unión PN:
a. La capacidad de transición, que es la dominante en polarización directa,
aumenta a medida que aumenta el valor de polarización.
b. La capacidad de difusión, que es la dominante en polarización inversa,
disminuye a medida que se polariza más inversamente.
c. La capacidad de difusión domina en polarización directa y la de transición
en inversa, y ambas aumentan con el valor de polarización.
d. Ninguna de las afirmaciones anteriores es correcta.
6. Los procesos de difusión:
a. Aunque suponen movimientos de carga, no dan lugar a
corrientes
eléctricas en el semiconductor.
b. Aunque no suponen movimientos de carga, dan lugar a
corrientes
eléctricas en el semiconductor.
c. Suponen movimientos de carga, que dan lugar a corrientes eléctricas en
el semiconductor.
7. La potencia máxima que puede disipar un diodo:
a. Es constante y no depende de la temperatura ambiente a la que trabaja
dicho diodo.
b. Depende de la temperatura máxima de operación y su resistencia térmica.
c. Es la misma para todos los diodos y sólo depende de la concentración de
portadores mayoritarios.
8. El modelo más adecuado para hacer cálculos manuales en un circuito complejo:
Vd
a. El modelo exponencial ( I D = I S ( e n·VT − 1) )
b. Una fuente de tensión de valor Vγ o bien un circuito abierto, dependiendo
del valor de la tensión en bornes del diodo.
c. El modelo de diodo en pequeña señal.
9. La resistencia de un semiconductor dopado con NA=1019cm-3 es:
a. Menor que la de otro dopado con NA=1017cm-3
b. Mayor que la de otro dopado con NA=1020cm-3
c. Las dos respuestas anterior son falsas.
d. Las dos primeras respuestas son verdaderas.
10. El modelo del diodo en pequeña señal:
a. Es válido siempre y es la mejor opción para hacer cálculos manuales en
circuitos complejos.
b. Sólo lo podemos usar cuando ya conocemos el punto de trabajo.
c. Las dos respuestas anteriores son falsas.