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DISPOSITIVOS DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA
DIODO
SCR
TRIAC
UJT
LASCR
GTO
PUT
DIAC
TRANSISTOR
DIODO
El DIODO es uno de los dispositivo mas importantes de los circuitos de potencia, aunque tienen, entre otras, las
siguientes limitaciones: son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario
al de conducción. El único procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo. Los diodo de potencia
e caracterizan porque en estado de conducción, deben ser capaces de soportar una alta intensidad y una pequeña
tensión. En sentido inverso, deben de ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una
pequeña Intensidad de fuga.
Tabla de especificaciones, circuito y patillaje
Especificación de
Voltaje/corriente
Alta Frecuencia
(Hz)
Tiempos de
conmutación
(µS)
Resistencia en
estado activo
(Ω)
Uso general
5000 V / 5000 A
1K
100
0.16 m
Alta
velocidad
3000 V / 1000 A
10K
2-5
1m
Schouky
40 V / 60 A
20K
0.23
10 m
TIPO
Símbolo
características
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SCR
El SCR es un dispositivo electrónico rectificador controlado de silicio. Es un dispositivo triterminal (A o ánodo, C o
cátodo, G o gate o puerta de control muy similar al diodo de cuatro capas (shockley) que posee una entrada
adicional (G) que permite disparar el dispositivo antes del VBO.
Tabla de especificaciones, circuito y patillaje
Especificación de
Voltaje/corriente
Alta Frecuencia
(Hz)
Tiempos de
conmutación
(µS)
Resistencia en
estado activo
(Ω)
Tiristores de
control de
fase
1200 V / 5500 A
5K
40
2.1 m
Tiristores de
conmutación
rápida
1000 V / 1000 A
10K
20
0.47 m
TIPO
Símbolo
características
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TRIAC
El TRIAC es un SCR bidireccional que se comporta como dos SCR en paralelo e invertido de tal manera que este
dispositivo puede controlar corriente en cualquier dirección. Normalmente tiene una tensión de ruptura y el
procedimiento normal de hacer entrar en conducción a un TRIAC es a través de un pulso de disparo de puerta
(positivo o negativo).
Tabla de especificaciones, circuito y patillaje
TIPO
TRIAC
Especificación de
Voltaje/corriente
Alta Frecuencia
(Hz)
Tiempos de
conmutación
(µS)
Resistencia en
estado activo
(Ω)
1200 V / 300 A
400
200 - 400
3.57 m
Símbolo
características
Q1
TRIAC
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UJT
El UJT es un dispositivo que también se le llama transistor de uní – unión esta constituido por dos
regiones contaminadas con tres terminales externas: dos bases y un emisor. El emisor esta fuertemente
dopado con impurezas p y la región n débilmente dopado con n. Por ello la resistencia entre las dos
bases, RBB o resistencia o interbase es elevada (de 5 a 10 k ohms estando el emisor abierto). El
funcionamiento del UJT es muy similar al del SCR.
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LASCR
El LASCR también se le conoce como foto – SCR o SCR activado por luz es como su propio nombre lo indica un SCR
cuyo disparo es controlado por luz. Cuando la luz incidente es suficientemente intensa, el SCR se dispara y permanece
en conducción aunque desaparezca esa luz.
Tabla de especificaciones, circuito y patillaje
TIPO
LASCR
Especificación de
Voltaje/corriente
Alta Frecuencia
(Hz)
Tiempos de
conmutación
(µS)
Resistencia en
estado activo
(Ω)
6000 V / 1500 A
400
200 - 400
0.53 m
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GTO
El GTO es un tiristor que pude ser disparado por un pulsa positivo a su terminal gate y bloqueado si se aplica un impulso
negativo a esa misma terminal. El GTO se emplea actualmente en muchas aplicaciones interesantes en el dominio de altas
potencias cuyo control se realiza fácilmente mediante transistores bipolares. Los bajos requerimientos de potencia de su
control facilitan la aplicación de técnicas de modulación de anchura de pulso.
Tabla de especificaciones, circuito y patillaje
TIPO
Especificación
de
Voltaje/corrient
e
Alta Frecuencia
(Hz)
Tiempos de
conmutación
(µS)
Resistencia en
estado activo
(Ω)
Transistores
desactivados
automaticamente
GTO
4500 V / 3000 A
10K
15
2.5 m
Símbolo
características
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PUT
El PUT (transistor uni-union programable) es un dispositivo de disparo ánodo puerta (anode gate)
puesto que su disparo se realiza cuando la puerta tenga una tencion mas negativa que el ánodo, es
decir, la conduccion del PUT se realiza por control de sus terminales. El PUT es un dispositivo
perteneciente a la familia de los dispositivos de uni-union y sus caracteristicas son muy similares al
SCR
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DIAC
El DIAC es un de dos terminales que permite la conduccion en ambos sentidos sobrepasando cierto
umbral de tencion. El diac ( diffused silicon actrigger diode ) tiene una estructura hibrida entre la de un
transistor y la de dos tiristores en antiparalelo.cuando conduce en sentido A2-A1, las capas operativas
son P1N2P2N3 y cuando lo hacen en sentido contrario, las P2N2P1N1.
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TRANSISTOR
El funcionamiento y utilización del transistor de potencia es idéntico al de las transistores normales,
teniendo como características especiales las altas tenciones e intensidades que tienen que soportar
y por tanto, las altas potencias en disparar.
Existen tres tipos de transistores de potencia:
- Bipolar
- unipolar o FET ( transistor de efecto de campo)
- IGBT
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