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TRANSISTORES
¡¡¡ IMPORTANTE !!!
No es un dispositivo simétrico ni lineal
Descubiertos por
Shockley, Brattain y
Barden en 1947
(Laboratorios Bell)
TRANSISTORES
BIPOLARES
TRANSISTORES
NPN
PNP
UNIÓN
CANAL N (JFET-N)
CANAL P (JFET-P)
EFECTO
DE CAMPO
METAL-OXIDOSEMICONDUCTO
R
CANAL N (MOSFET-N)
CANAL P (MOSFET-P)
* FET : Field Effect Transistor
TRANSISTOR
BIPOLAR
En principio un transistor bipolar está formado
por dos uniones PN.
Base
(B)
Colector
(C)
N P N
C
SÍMBOLO B
E
E
B
SÍMBOLO
C
Emisor
(E)
Para que sea un transistor y no dos diodos
deben de cumplirse dos condiciones.
1.- La zona de Base debe ser muy estrecha
(Fundamental para que sea transistor).
2.- El emisor debe de estar muy dopado.
Normalmente, el colector está muy poco
dopado y es mucho mayor.
Dispositivos que regulan un flujo de
corriente mediante una cantidad
pequeña de energía.
(varía la conductividad entre dos
terminales actuando sobre un tercer
terminal de control)
TRANSISTOR BIPOLARES
CARACTERÍSTICA DE SALIDA IDEAL DE UN
TRANSISTOR NPN
C
IC [mA]
B
E
ZONA DE
SATURACIÓN:
Comportamiento
como interruptor
cerrado.
IB [mA] =
30
3000
 = 100
2000
20
1000
10
ZONA ACTIVA:
Comportamiento
como Fuente de
Corriente.
0
VCE
Funcionamiento asimilable al de una
fuente de corriente controlada por
corriente
ZONA DE CORTE:
Comportamiento
como interruptor
abierto.
CARACTERÍSTICAS REALES DE LOS TRANSISTORES
Avalancha
Secundaria
Activa
IC
IB
IB6
I
CMax
VCE = 0 VCE1 VCE2
IB5
Saturación
PMax = VCEIC
IB4
IB3
Avalancha
Primaria
IB2
IB1
VBE
Característica
de Entrada
IB= 0
VCEMax
1V
Corte
Característica
de Salida
VCE
TRANSISTOR BIPOLAR:
PARÁMETROS SUMINISTRADOS POR LOS FABRICANTES
Limitaciones
IC
IC-MAX
Corriente máxima de colector
VCE-MAX
Tensión máxima CE
PMAX
Potencia máxima
C
ICMAX
B
E
PMAX
SOAR
VCE-MAX
VCE
Área de operación segura
(Safety Operation Area)
POLARIZACION DE UN TRANSISTOR
Polarización fija
Vcc = Vce + Ic . Rc
EL TRANSISTOR COMO LLAVE
USOS DEL TRANSISTOR NPN: Como interruptor
12 V
3A
12 V
36 W
12 V
3A
I
I
 = 100
40 mA
Sustituimos el interruptor
principal por un transistor.
La corriente de base debe ser
suficiente para asegurar la zona
de saturación.
Ventajas:
No desgaste, sin chispas,
rapidez, permite control desde
sistema lógico.
12 V
36 W
IC
ON
PF (ON) 3 A
OFF
12 V VCE
PF (OFF)
USOS DEL TRANSISTOR PNP: Como interruptor
12 V
3A
12 V
36 W
40 mA
I
12 V
 = 100
3A
I
12 V
36 W
IC
Al igual que antes, sustituimos el
interruptor principal por un
transistor.
La corriente de base (ahora
circula al revés) debe ser
suficiente para asegurar la zona
de saturación.
ON
PF (ON) 3 A
OFF
12 V VEC
PF (OFF)
Circuito autopolarizado
Estudio del transistor como amplificador
Modelo hibrido simplificado