Download Las memorias MRAM (Magnetic Random Access

Las memorias MRAM (Magnetic Random Access
Memory), tienen su origen conceptual en las antiguas
memorias de ferrita.
Su funcionamiento se basa en almacenar
información en pequeñas celdas de
material magnético mediante la creación de
un pequeño campo magnético que permite
modificar el estado de la célula, algo
parecido al funcionamiento de un disco duro
pero sin partes móviles y con densidades de
grabación mucho más elevadas
Esquema simplificado de una celda MRAM.
Con respecto a esto último, hay o había un grave
inconveniente, y es que al grabar una celda, el
campo magnético puede afectar a las contiguas,
alterando su información, pero al parecer,
Toshiba, que es uno de los fabricantes que trabaja
en su desarrollo, ha encontrado la manera de
aislar magnéticamente las celdas, con lo que el
problema desaparece.
Las ventajas de este tipo de memorias son
fundamentalmente, además de ser no
volátiles, que son seis veces más rápidas
que las actuales, pero sobre todo su
consumo eléctrico, ya que además de
necesitar muy poca energía para la
grabación/lectura, no necesitan refresco de
datos. Su duración es en principio ilimitada.
Las memorias MRAM almacenan los
contenidos bajo soporte magnético,
evitando el constante consumo
eléctrico de las convencionales y
facilitando el arranque instantáneo de
los ordenadores.
De manera similar a los discos duros
convencionales, las memorias MRAMs
(Magnetic Random Access Memory),
son magnéticas, de acceso aleatorio, y
que emplean cargas magnéticas para
almacenar el estado de los bits de
memoria.
La memoria no necesita ser constantemente
refrescada y su contenido permanece inalterado
al apagar los ordenadores, lo que facilitará la
construcción de nuevos ordenadores de arranque
instantáneo.
Por otro lado la MRAM es hasta seis veces más
rápida que la RAM estática de hoy en día y puede
alcanzar una densidad de grabación sin
precedentes
La memoria MRAM es bastante parecida en sus
aspectos físicos aunque no suele necesitar de un
transistor para la operación de escritura. Sin
embargo, tiene el problema de la interferencia en
escritura (half select) que limita el tamaño de las
celdas a 180 nm o más. Las variantes que utilizan
toggling pueden escalar hasta cerca de 90 nm,[2]
el mismo tamaño que las memorias DRAM
actuales