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Universidad Abierta Interamericana Ingeniería en Sistemas Informáticos Universidad Abierta Interamericana Ingeniería en Sistemas Informáticos Electromagnetismo - Estado Sólido II Trabajo práctico N° 2 – Curva característica del diodo Carrera: Ingeniería en Sistemas Informáticos Profesor: Lic. Enrique Cingolani Comisión: 5º B Turno: Noche Campus: Centro Año: 2009 Alumnos: Arostegui, Federico Bayer, Karina Del Pino, Juan Farias, Diego 1 Universidad Abierta Interamericana Ingeniería en Sistemas Informáticos Índice Síntesis ................................................................................................................ 3 Introducción ........................................................................................................ 3 Práctica ................................................................................................................ 3 Elementos Utilizados ................................................................................................... 3 Desarrollo de la Experiencia. ....................................................................................... 4 Parte A. ................................................................................................................... 4 Parte B. ................................................................................................................... 4 Conclusiones. .............................................................................................................. 6 2 Universidad Abierta Interamericana Ingeniería en Sistemas Informáticos Síntesis En este TP realizaremos el estudio de la juntura N-P y obtener la curva característica del diodo. Introducción El diodo esta formado básicamente por una juntura de semiconductores extrínsecos N (electrones como portadores mayoritarios) y P (huecos como portadores mayoritarios). La característica de esta juntura es dejar pasar corriente en un solo sentido (al sobrepasar su tensión umbral) y oponerse al paso en sentido inverso. Existen dos formas de polarizar al diodo, en Directa y en Inversa. La polarización directa se da cuando el positivo de la fuente se conecta con la zona P del diodo, y la parte negativa de la fuente a la zona N. Cuando la tensión aplicada al diodo supera la tensión de umbral (aproximadamente 0,7 V para el Si y 0,3 V para el Ge) el diodo conduce la corriente eléctrica. La polarización inversa se da cuando el positivo de la fuente se conecta con la zona N del diodo, y la parte negativa de la fuente a al zona P. En esta polarización el diodo no conduce corriente eléctrica. Práctica Elementos Utilizados Multímetro (2). Protoboard. Resistencia de 2KΩ (nosotros usamos una de 2,2KΩ). Fuente de Corriente Continua. Diodos 1N4007 (nosotros usamos un 1N4004). Diodos para su verificación. 3 Universidad Abierta Interamericana Ingeniería en Sistemas Informáticos Desarrollo de la Experiencia. Parte A. Se realizó la medición con el multímetro en la escala de resistencia eléctrica de varios diodos, para verificar dichos valores de resistencia. En la práctica se observó que el diodo en directa tenía una resistencia muy alta; y en inversa no puedo medir ya que es muy alta. De este modo se identificaron los extremos de varios diodos, la “rayita” del diodo indica el extremo N. Parte B. Circuito realizado con Polarización Directa. Circuito realizado con Polarización Inversa. Tabla de medición en Directa. Vf(Volt) 0 0,2 0,4 0,8 1,2 1,6 2,0 2,4 2,8 3,2 3,6 4,0 4,4 4,8 5,2 I (mA) 0 0,0008 0,0104 0,0959 0,29 0,48 0,655 0,811 0,984 1,155 1,338 1,496 1,692 1,871 2,3 V (Volt) 0 0,232 0,35 0,454 0,507 0,532 0,547 0,558 0,567 0,576 0,584 0,589 0,595 0,6 0,606 4 Universidad Abierta Interamericana Ingeniería en Sistemas Informáticos Gráfico en Directa. Curva del Diodo en Directa Corriente del Diodo (mA) 2,5 2 1,5 1 0,5 0 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 Tensión del Diodo (Volt) Se observa de manera gráfica la correspondencia de las mediciones obtenidas en el laboratorio con las características de la curva del diodo conectado en directa, dicha gráfica representa la corriente del diodo en función de la tensión del diodo y se puede observar que cercano a la tensión de ruptura (que en el silicio es aproximadamente 0,7 V) el diodo comienza a conducir mas corriente, manteniendo casi constante la tensión entre los extremos del diodo. Tabla de Medición en Inversa. Vf(Volt) 0 2 4 6 8 10 12 14 I (µA) 0 2 4 6 8 10 12 14 V (Volt) 0 -2,03 -3,98 -6 -8,07 -10,04 -12,08 -14,08 Puede observarse linealidad entre los valores de tensión medidos y de corriente, esto se debe a que; al estar el diodo en Inversa, éste no conduce corriente y se comporta como una llave abierta, por dicho motivo la medición de corriente se debe a que el multímetro que mide la tensión del diodo esta haciendo de “puente” entre los extremos del diodo, por lo que la corriente 5 Universidad Abierta Interamericana Ingeniería en Sistemas Informáticos medida es la corriente que pasa a través del multímetro ya que su resistencia interna no es infinita como se supone la del multímetro ideal. Por este motivo esta medición en inversa no representa la curva característica del diodo, solo la relación lineal entre la corriente y la tensión en la resistencia interna del multímetro que mide la caída de tensión en el diodo. Conclusiones. En la presente práctica pudimos observar de manera práctica el funcionamiento de un diodo en directa y en inversa en corriente continua, así como observar de manera práctica la curva característica de dicho dispositivo. En el primer caso, se realizó la medición de la corriente que circulaba a través del diodo y la tensión que caía en él, observando que luego de pasar la tensión de umbral (aproximadamente 0,7 en el Si) el diodo comenzó a conducir mucha corriente, formando una curva exponencial en la gráfica. Esta representación se corresponde con la curva característica del diodo estudiada en las clases teóricas. En el segundo caso, se realizó la medición de la corriente que circulaba a través del diodo, pero al estar conectado en inversa, se observo linealidad entre la tensión de la fuente de corriente continua y la corriente que circulaba por el circuito; deduciendo luego que esta linealidad se debe a que la corriente medida por el multímetro se debe a que, el multímetro que mide la tensión del diodo oficia de puente entre los extremos del diodo por lo que la corriente medida es la corriente que circula por la resistencia interna del multímetro. Dicha linealidad responde a la ley de Ohm y no a las características del diodo conectado en inversa. Por dicho motivo con el instrumental disponible en el laboratorio no se puede realizar la medición de las corrientes del diodo conectado a inversa ya que dichas corrientes son muy pequeñas y los multímetros disponibles no son capaces de medirlas. 6