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Tema 3:
Interfaces Ópticos
1.1.-Evolución.
1.2.- Estándares ITU.
1.3.- Implementaciones.
Soluciones discretas
Soluciones integradas
31/10/2007
Prof. Dr. A. Aguilar
1
Objetivo
‰ Normativa ITU-T
ƒ Discusión de los aspectos generales de la
estandarización y relación de las Recomendaciones
mas relevantes de la ITU-T en relación con:
¾ tipos de fibras ópticas,
¾ interfaces ópticos,
¾ bandas WDM
‰ Interfaces Ópticos.
ƒ Analizar la evolución de los interfaces ópticos, sus
implementaciones y los estándares ITU
relacionados.
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General
‰ Ultimas 2 décadas: los sistemas ópticos han
evolucionado desde configuraciones simples punto a
punto operando a una única longitud de onda (λ) a
arquitecturas mas complejas punto-multipunto,
multitramo y con múltiples λs.
‰ En dicho contexto la Unión Internacional de
Telecomunicación ha desarrollado un amplio abanico de
interfaces ópticos, comenzando con aplicaciones PDH
y continuando con SDH/SONET, DWDM y OTN.
‰ Los sistemas han migrado desde soluciones
propietarias a soluciones estandarizadas que
proporcionan unas condiciones industriales de alto
volumen de producción a coste efectivo
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Perspectiva histórica
‰ 1980 - 1988. Recomendaciones G.955 y G.956 (G.955 desde 1990 ).Se
especifica los sistemas de línea de la jerarquía plesiócrona PDH, basada
en la trama básica de 1,544 Mb/s (mercado USA y Canadá) y de 2,048
Mb/s (mercado europeo).
ƒ Se especifica las características de la planta de fibra óptica, principalmente
la atenuación y dispersión.
ƒ Supone un compatibilidad longitudinal. El TX y RX de un cierto enlace, con
características estandarizadas, deben ser del mismo suministrador
‰ En 1988, Bellcore (actualmente Telcordia) y asumido por ITU especifica
SDH/SONET.
ƒ introduce el concepto de desarrollo de equipos inter-operables, independiente
del fabricante.
ƒ Además de definir las características de la planta de fibra es necesario
especificar los parámetros a la salida del TX (punto S) y a la entrada de RX
(punto T).
ƒ Este principio de especificación se denominó compatibilidad transversal.
‰ En la compatibilidad transversal no se especifica la distancia del
enlace, sólo se especifica las características de la fibra: margen de
atenuación, dispersión cromática y retardo diferencia de grupo.
dispersión
ƒ La distancia se usa para la clasificación del enlace.
‰ La compatibilidad transversal es el método de estandarización elegido
por ITU para los interfaces ópticos
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Evolución
‰ 2 últimas décadas. El concepto y la tecnología de diseño y
fabricación de los interfaces ópticos han migrado desde diseños
propietarios y específicos de compañía con componentes
discretos hacia transceptores (TX+RX) en formato estándar,
según acuerdos multi-suministrador (Multi-Source-Agreements),
que satisfacen las especificaciones de ITU y Telcordia .
‰ Las actuales aplicaciones SDH/SONET/OTN ofrecen un abanico
completo de especificaciones de interfaces ópticos que
satisfacen la compatibilidad transversal.
‰ Los diseños iniciales de bajo volumen de fabricación eran de
relativamente alto coste. Actualmente, en particular los
productos a bajas velocidades entre 155 Mbit/s y 2,5 Gbit/s
disponibles por un amplio abanico de suministradores, son
fabricados en volúmenes altos y a precios muy competitivos
(commodity products).
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Fibra Óptica (1)
Rec. ITU
Título
G650.1
Definición y métodos de prueba para los atributos
lineales y determinísticos de las fibras monomodo y
cables
Definición y métodos de prueba para los atributos
estadísticos y no lineales de las fibras monomodo y
cables
Características de un cable de fibra óptica multimodo
de 50/125 µm, de IG.
Características de un cable de fibra óptica
(convencional) monomodo
G650.2
G.651
G.652
Cat. A F.O básica
Cat. B Requisitos de Dispersión de Polarización modal (PMD) para
aplicaciones a 10 Gb/s
Cat. C Requisitos adicionales para operación en el margen de λs de
1360-1530 nm para aplicaciones CWDM
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Fibra Óptica (2)
Rec. ITU
Título
G.653
Características de un cable de fibra óptica monomodo
de dispersión desplazada
Características de un cable de fibra óptica monomodo
de corte desplazado
G.654
G.655
Características de un cable de fibra óptica monomodo
de dispersión desplazada de dispersión no-nula
G.656
Características de un cable de fibra óptica monomodo
con dispersión no-nula para transporte óptico de
banda amplia
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WDM
Bandas: G.Sup39.
Banda
Banda O
Banda E
Banda S
Banda C
Banda L
Banda U
Descripción
Original
Extendida
Longitud de Onda Corta
Convencional
Longitud de Onda Larga
Longitud de Onda
Ultralarga
Rango (nm)
1260 – 1360
1360 – 1460
1460 – 1530
1530 – 1565
1565 - 1625
Efectos No Lineales. G. 663. “Aspectos relacionados con
la aplicaciones de los dispositivos y subsistemas de los
Amplificadores ópticos”
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Recomendaciones ITU. (1)
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Recomendaciones ITU (2)
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Interfaces Ópticos e ITU Rec.
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Interfaces Ópticos e ITU Rec.
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Convenio de Códigos y Distancias
ITU naming
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Telcordia
naming
Target Distance
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Sistemas SDH. STM-16
Margen de Potencia
dB
Short
0
0 - 12
25
S - 16.1 1310 nm
23
10 - 20
42
L - 16.1
Long
0
0 - 12
46
S - 16.2
STM16
10 - 20
37
62
62
16 - 28
0
L - 16.2
50
1550 nm
Joint
94
L- 16.2JEEngineering
100
Longitud Enlace (km)
J.E. Ingeniería Mixta (acuerdo entrefabricantes)
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Redes SDH. Rec. ITU-T relacionadas
‰ Recomendación G.783. Características de los
bloques funcionales de los equipos SDH
‰ Recomendación G.803. Arquitectura de las redes
de transporte basadas en SDH.
‰ Recomendación G.841. Tipo y características de
las arquitecturas de protección de la red SDH.
‰ Recomendación G.842. Arquitecturas de
protección de interconexión de redes SDH
‰ Recomendación G.872. Interfaces normalizados
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OTN. Rec.ITU-T relacionadas
‰ Recomendación G.798. Características de los
bloques funcionales de los equipos OTN
‰ Recomendación G.872. Arquitectura de las
redes OTN
‰ Recomendación G.873.1. OTN. Protección
lineal.
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INFERFACES ÓPTICOS
Soluciones Discretas.
Décadas 80 y 90
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Equipos.
Multiplex
PCM. 2Mbps
(30+2 ch. B)
Equipo Terminal
a 2 Mb/s
Equipos de
medida
Repetidor a 140 Mbps
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Tecnología de 140 Mbit/s – 2,5 Gbit/s
‰ Los TX y RX ópticos estaban motados
sobre placas de circuito impreso diseñados
y construidos usando elementos discretos:
ƒ Dispositivos E/O: láser y pin-FET
(Fotodetector + Pre-amplificador) encapsulados
(tipo DIL, Butterfly, coaxial) con la fibra
acoplada y
ƒ Circuitos electrónicos correspondientes:
¾ TX: Circuito excitador (polarización y modulación),
Circuitos de control,
¾ RX: con fibra acoplada, Amplificador y Circuito de
decisión
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140–622 Mbit/s. Módulo Láser
‰ Típicamente contiene: el chip láser, fotodiodo monitor, TEC (en su caso) y la
fibra acoplada.
‰ Los primeros láseres fueron del tipo FP o láseres multimodo. Posteriormente del
tipo DFB, operando a 1550 nm y anchura espectral mas estrecha (requisitos para
distancias de hasta 80 km).
ƒ Encapsulado tipo DIL (Dual-In-Line) de 14 pines con TEC, Estándar de facto
y fácil de implementar en un entorno general de fabricación.
¾ Proporciona alta estabilidad.
¾ El TEC es el elemento menos fiable del módulo
ƒ Potencia de pico acoplada ≈ 1 mW
‰ Con un acoplamiento menos crítico entre chip láser y fibra, aparecieron
dispositivos trabajando a 1310 nm y con una potencia acoplada de 0,1
mW.
ƒ En un sistema de producción de alto volumen, la mayor parte del coste del
dispositivo láser está en el acoplamiento óptico.
ƒ Para aplicaciones de corto y medio alcance se utilizan láseres de bajo coste
(ITU. Rec. 957).
‰ A principio de los 90 surgió el encapsulado coaxial de pequeño tamaño con fibra
acoplada (estándar de facto) .
ƒ No incluye elemento de enfriamiento TEC,
ƒ Permitió la migración hacia el uso de estos transmisores para casi todas las
aplicaciones con distancias de hasta 80 km y velocidades de hasta 622
Mbit/s
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140–622 Mbit/s. Módulo RX
‰ Su evolución ha sido mas lenta.
‰ Para obtener una baja sensibilidad (estandarizada),
en la mayoría de los casos se requiere adicionalmente
una etapa de bajo ruido con semiconductores, como
FETs de GaAs o preamplificadores IC.
‰ Tipos de encapsulados:
ƒ DIL y coaxial.
‰ Tipos de fotodetectores:
ƒ Inicialmente, solo pin.
¾ Bajo coste
¾ Apropiado para velocidades de hasta 622 Mbi/s y distancias de
hasta 80 km
ƒ Posteriormente, APD.
¾ Mejora la sensibilidad.
¾ Se usó inicialmente hasta 622 Mbit/s y distancias de hasta 120
km.
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Tecnología 2,5 Gbit/s (1)
‰ 1er sistema a principios de los 90.
‰ Suponía un paso adelante en relación con los
requisitos: tecnología electrónica de Alta –
Frecuencia y mejores características de los módulos
láser:
ƒ Necesidad de un aislador para minimizar la influencia en el
láser de la reflexión procedente de la conexión a la fibra del
enlace.
ƒ El encapsulado tradicional DIL no es adecuado. Se introdujo
el tipo “butterfly”, mas adecuado para HF.
ƒ Par satisfacer los requisitos de dispersión se requieren
diodos láser de anchura espectral estrecho: tipo SLM (Single
Longitudinal Modo) o DFB.
ƒ Inicialmente los módulos láser incorporaban elemento TEC
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Tecnología 2,5 Gbit/s (2)
‰ Finales de los 90. Mejora de las prestaciones de los
láseres DFB:
ƒ Operación sin enfriamiento
ƒ Versiones miniatura del encapsulado butterfly mas adecuada
para HF.
¾ 1as versiones operando a 1310 nm y posteriores a 1550 nm.
ƒ Para distancias mayores de 80 km se requiere modulación
externa.
¾ la modulación directa no es apropiada debido al efecto chirp
(variación de la λ de emisión durante el tiempo de bit).
¾ Inicialmente el chip láser y el modulador externo se integraron
en una estructura conocida como EML (External Modulated
Laser). Posteriormente el chip EML consistía en dos secciones:
láser, operando en continua (CW), y la sección de modulador de
electro-absorción, que modula la luz emitida por la sección láser
• El modulador no deja pasar la luz cuando se le aplica corriente.
¾ Adecuado para aplicaciones DWDM con espaciado de hasta 100
GHz (≈ 0,8 nm).
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Tecnología 2,5 Gbit/s (3)
‰ Inicialmente se instalaron sistemas con vanos
de 40-80 km (largo alcance), que requerían
receptores de alta sensibilidad.
ƒ Fotodiodos APD.
ƒ Requisitos del encapsulado de HF.
¾ Mínimo número de pines eléctricos y dispuestos
convenientemente.
ƒ Integración en el RX de la etapa preamplificadora
‰ En aplicaciones de corto y medio alcance se
utilizaba receptores con pin utilizando el
mismo encapsulado que los basados en APD
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Tecnología 10 Gbit/s
‰ TX óptico
ƒ 1er diseño. Combinación de un DL de 1550 nm (CW-laser) y
modulador externo de tipo Mach Zehnder (MZ).
¾ Para conseguir distancias de 80 km y superiores se necesitaba
amplificadores ópticos, usados como booster o pre-amplificador.
¾ Adicionalmente se necesitaba compensación de dispersión.
ƒ Necesidad de tecnología de transmisión de Alta Frecuencia:
láseres, detectores, interconexiones eléctricas.
¾ Dominio de los diseños propietarios
ƒ Avances tecnológicos.
¾ Modulador integrado, basado en Electro-absorción (EMLs)
• Fácil de fabricar y efectivo en coste, en comparación con el MZ.
• Se especificó la Rec. G. 691 para enlaces de hasta 40 km sin
necesidad de AO.
• Con AO se especificó SDH/SONET a 80 km.
• Posteriores avances y utilización de APD se consiguió distancias
superiores a 40 km sin AO
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Tecnología a 40 Gbit/s
‰ La mayoría de las implementaciones actuales,
canal único como multicanal WDM, son
completamente propietarias.
ƒ Su coste es extremadamente alto
ƒ La demanda de mercado es limitada
ƒ Es prematuro la creación de acuerdos industriales
(MSAs)
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SOLUCIONES INTEGRADAS
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Versiones iniciales
‰La Recomendación G.957 sirvió como referencia
a los fabricantes para el diseño de los
dispositivos TX y RX con total funcionalidad y
características estandarizadas.
‰Implementación. Módulos integrando en su
interior las funciones ópticas (láser y/o
fotodiodo) y electrónicas necesarias:
¾ Módulo TX: Circuitos de excitación y control del láser
¾ Módulo RX: Etapas de amplificación. Extracción de reloj,
para las aplicaciones que lo requieran
ƒ Encapsulado DIL, en la mayoría de los caso.
ƒ Fibra óptica acoplada al módulo.
ƒ Soluciones propietarias para velocidades hasta 2,5
Gbit/s
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Dispositivo 1x9
‰Módulo transceptor (TX+RX en un módulo)
ƒ Dimensiones: ancho, alto, largo en mm: 25x10x40.
ƒ Conexión óptica: receptáculos de conector óptico
tipo SC
ƒ Interfaces eléctricos 9 pines.
¾ Tipo serie, la velocidad de las señales eléctricas es
exactamente la misma que la de las señales ópticas.
ƒ Van soldados en el extremo de una Placa de Circuito
Impreso (PCB)
¾ Conexión óptica directa desde el exterior.
ƒ Aplicaciones.
¾ Gigabit Ethernet, Canal Fibra, SDH/SONET: STM-1/OC-3
y STM-4/OC-12.
¾ Distancias cortas e intermedias
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Dispositivos SFF (Small Form Factor)
‰ Objetivo: Mejora de la densidad de equipos
de la red.
ƒ Montaje, mediante soldadura, de varios
transceptores en una única PCB.
‰ El Transceptor SSF, utiliza 2 conectores
ópticos del tipo LC, mas pequeños que el SC :
ƒ Ancho: 12,7 mm (la mitad que el 1x9)
ƒ Interfaces eléctricos:
¾ configuraciones 2x5 y 2x10 pines.
ƒ Desarrollados por acuerdos entre fabricantes
(Multisource Agreement, MSA).
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Dispositivos SFF (2)
‰ Aplicaciones:
ƒ Las del dispositivo 1x9 mas canal fibra a 2 y 2,5
Gbit/s SDH/SONET
‰ Alcance.
ƒ Pequeño e intermedio, inicialmente, operando a
1310 nm.
ƒ Grande: 40-80 km, utilizando láseres mejorados
SLM o DFB, sin enfriamiento, operando a 1310 nm
y 1550 nm y receptores APD.
‰ Precio muy competitivo, debido a su alto
volumen de fabricación por su utilización en
muchas aplicaciones
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Dispositivos SFF (3)
‰ Implementación.
Dimensiones (mm):
ancho, alto, largo
12,7x10x40
‰ Mas información
ƒ Especificaciones oficiales
para MSA SSF:
¾ www.sffcommitte.org/ie/
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Dispositivos SFP (Small Form Factor Pluggable)
‰ Desarrollado bajo MSA.
‰ Similar a los SFF, pero permite (des)conexión de
forma (des)enchufable eléctricamente. Esto implica
que puede ser insertado/extraido individualmente de
una placa activa sin afectar al servicio o al
comportamiento de otros puertos en servicio.
ƒ Ofrece una total flexibilidad, permitiendo mezclar varios
tipos de señales en un único paquete de circuito bajo el
concepto de “pagar cuando crece”
ƒ En caso de fallo, solo se reemplaza el transceptor afectado.
‰ El I/F eléctrico se realiza mediante un conector de
20 pines, que proporciona todas las señales eléctricas
necesarias.
ƒ Dispone de un bus serie de 2 hilos para la gestión del
dispositivo, a donde se accede para monitorear su
comportamiento y alarmas.
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Dispositivos SFP (2)
‰Aplicaciones. Cubre todas las aplicaciones
hasta 2, 5 Gbit/s y recientemente a 4 Gbit/s
para aplicaciós de 4 Canal Fibra.
ƒ Canal único, una longitud de onada
ƒ CWDM, según ITU Recomendación G.695
¾ Los láseres DFB, sin enfriamiento, son adecuados para
una separación de canal de 20 nm.
ƒ DWDM.
¾ Recientes avances en encapsulamiento y
microenfriamiento de substratos ha permitido su
introducción en aplicaciones DWDM a 2, 5 Gbit/s
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Dispositivos SFP (3)
‰ Implementación.
Dim (mm): 13,7x38x76
‰ Compatibilidad EM.
Mediante una caja
protectora, montada en
el frontal de la PCB.
ƒ Aumenta el tamaño,
reduciendo la densidad
‰ Mas información
¾ www.schelto.com/SFP/
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Transpondedores a 2,5 Gbit/s
‰Un tranpondedor contiene funciones de
(de)multiplexación.
‰El transpondedor a 2,5 Gbit/s contiene un
interfaz eléctrico de 16 canales operando
cada uno a 155 Mbit/s.
‰Desarrollado bajo MSA.
‰Aplicaciones
ƒ SDH/SONET.
¾ Canal único
¾ DWDM, soluciones propietarias
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Transpondedores a 10 Gbit/s
300 pin Transponder (JDS)
Dispositivo X2
(JDS)
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XENPAK (JDS)
Dispositivo XFP (Finisar)
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300-pin Tansponder
‰Finales de los 90..
‰Interfaz eléctrico. 16 canales de 622 Mb/s.
ƒ 10x30 pines
ƒ Varios señales digitales de alarma y analógicas,
para reportar el estado de varias partes del
módulo
ƒ Superficie: Inicial práctico 3,5x4,5 pulgadas.
Recientemente: 2,2x3 pulgadas2
‰Desarrollo MSA.
ƒ www.300pinMSA.org
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300-pin Tansponder (2)
‰Tecnología E/O. Alcance
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
Muy corto (VSR). 60 m
intra-office/corto a 1310 nm
Corto y medio (hasta 40 kma 1550 nm.
Largo (80 km):
¾ con moduladores MZ
¾ EML y APD sin amplificadores ópticos
‰Aplicaciones: Conexión SDH-WDM,
SDH/SONET, OTN (G.709) y 10 GbE
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200-pin Tansponder
‰Competidor del 300-pin transponder.
‰Menos tamaño
‰Demostró interés en aplicaciones intraoffice
y corto alcance
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XENPAK
‰Tendencia a mejorar la densidad de equipos
con funcionalidad “enchufable”.
‰Acuerdos MSA.
‰Requisitos EMI
‰2x5 pulgadas
‰Aplicaciones: 10 GbE, SDH/SONET.
‰Conectores ópticos: 2 tipo SC
‰I/F eléctricos (IEEE 802.3ae), 70 pines
‰Mas información en www.10gea.org
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XFP
‰ Tamaño reducido, flexibilidad en relación co el
espacio de aplicaciones
‰ Disponibilidad de la nueva generación de IC
‰ Aplicaciones: SDH/SONET STM-64/OC-192, OTN
G.709, 10 GbE, Canal fibra.
ƒ Alcances:
¾ Inicialmente a 1310 nm corto y medio
¾ Actualmente: a 1550 nm, EML , hasta 80 km y DWDM
‰ Tamaño: 18x71x8,5 mm3
‰ Interfaz eléctrico: conector de 30 pines (factor
dereducción x10)
‰ Conector óptico: 2 tipo LC.
‰ Diagnostico digital mediante bus serie, I2C
‰ Mas información: www.sfpmsa.org.
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Tecnología a 40 Gbit/s
‰ En 2002 se anticipó como necesidad de
mercado la disponibilidad comercial de
dispositivos integrados, multi-suministrador
de dispositivos operando a 40 Gbit/s.
‰Se definió un MSA para un transpondedor de
300 pines similar al de 10 Gbit/s.
ƒ Aplicaciones de Muy Corto alcance (VSR) según
G.693.
ƒ Mas detalles en www.300pinMSA.org
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FIN
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