Download José Lipovetzky Curriculum Vitae - Gerencia Física

José Lipovetzky
Curriculum Vitae
1-DATOS PERSONALES
José Lipovetzky, nacido el 13 de diciembre de 1977 en Rosario, Argentina, DNI 26.375.588
Domicilio Onelli 88 3 D, San Carlos de Bariloche CP 8400,
Teléfono móvil 011-15-5936-8859
E-Mail: [email protected], [email protected], [email protected]
2-ESTUDIOS:
-Doctor de la Universidad de Buenos Aires, Área Ingeniería. Tesis: “Efectos de la radiación
ionizante sobre sistemas MOS y aplicación a dosimetría” realizada en el Laboratorio de Física de
Dispositivos, Microelectrónica – FIUBA. Calificada Sobrealiente 10 (diez) "Summa Cum Laude", 5
de marzo de 2010.
-Cursos para la Maestría en Optoelectrónica (no finalizado), Facultad de Ingeniería,
Universidad de Buenos Aires, desde 2005.
-Ingeniero Electrónico, Facultad de Ingeniería, Universidad de Buenos Aires, 2005. Tesis
“Dosímetro MOS de Borrado Eléctrico”. Promedio más alto de Electrónica 2005, 8.8/10.
-Técnico en Computación, CEM Nº 1, General Roca, Río Negro, Promedio 8.96.
3-EXPERIENCIA DOCENTE Y EN TAREAS DE INVESTIGACIÓN:
3.1. Desempeño Actual:
-Investigador Asistente CONICET, Área de Ingeniería, desde el 2 de enero de 2012, RES
3446/2011, desde el 1 de marzo de 2014 lugar de trabajo Laboratorio de Bajas Temperaturas,
Gerencia de Física y Aplicaciones No Nucleares, Centro Atómico Bariloche.
-Investigador categorizado, categoría V, Ministerio de Educación, Secretaría de Políticas
Universitarias RES 4619 8/12/2011.
3.2. Docencia en cursos de postgrado:
- Docente en la Biannual European - Latin American Summer School on Design, Test and
Reliability, March 20-21, 2014, Fortaleza, Brasil.
-Docente en el curso para Doctorado FIUBA “Diseño y Fabricación de Circuitos
Integrados CMOS”, desde el 1 cuat 2010 al 2 cuat 2013, RES CD1148/11
- Docente en la Biannual European - Latin American Summer School on Design, Test and
Reliability, June 19-21, 2013, Tallinn, ESTONIA.
-Docente en el Seminario de Tecnología de las Aplicaciones Espaciales (postgrado Sistemas
Embebidos), FIUBA, mayo 2013.
-Docente en el curso para Doctorado FIUBA “Diseño de sistemas Tolerantes a Fallas”, 24hs,
agosto 2012.
-Docente del “Curso de efectos de radiación ionizante en circuitos CMOS y testing”,
Pontificia Universidad de Porto Alegre, Brasil, Río Grande do Sul, 6, 7 y 8 de noviembre de 2012,
15 hs
-Profesor en el curso de la Escuela Argentina de Microelectrónica Tecnología y
Aplicaciones, EAMTA 2011, Ciencias Básicas Aplicadas a Microelectrónica, agosto de 2011,
curso de doctorado FI-UBA RES CD 2122/11.
3.3. Docencia en cursos de grado:
-Profesor Adjunto Interino con dedicación exclusiva en Dispositivos Semiconductores y
Seminario de Diseño y Fabricación de Circuitos Integrados (66.48/9), Facultad de Ingeniería UBA
Departamento de Electrónica, y tareas de investigación en el Laboratorio de Física de
Dispositivos-Microelectrónica, desde 8 de mayo de 2010 hasta el 28 de febrero de 2014, RES
951/10 RES CD 314/10.
-Jefe de Trabajos Prácticos Regular dedicación simple, Facultad de Ingeniería UBA,
Departamento de Física, Física I, desde noviembre de 2008 hasta agosto 2012 RES CD 2165/08.
-Ayudante de Primera Facultad de Ingeniería UBA, Departamento de Física, Física I, desde
abril del 2006 hasta noviembre de 2008 RES CD5871/06.
-Ayudante de Segunda Facultad de Ingeniería UBA, Departamento de Física, Física I, desde
abril del 2001 a marzo 2006 RES CD469/01, 4292/02, 1019/03, 1532/03, 4011/04, 4587/05.
3.4. Becas obtenidas:
-Becario de Doctorado Facultad de Ingeniería UBA, Laboratorio de Física de
Dispositivos-Microelectrónica. Beca Peruilh desde 2005 hasta 2009 realizando la tesis “Efectos
de radiación ionizante sobre sistemas MOS y aplicación a dosimetría”. Los trabajos son
realizados dentro de los proyectos PICT99, I037 de UBA y posteriores RES CD5608/05.
-Becario Estímulo Facultad de Ingeniería UBA, Laboratorio de Física de
Dispositivos-Microelectrónica Beca UBA SECyT 2003 y 2004 realizando la tesis “Dosímetro MOS
de borrado Eléctrico”.
4-PRODUCCIÓN CIENTÍFICA Y TRANSFERENCIA:
4.1. Patentes y Transferencia tecnológica:
Faigon, Adrian; Lipovetzky, Jose; ; Redin, Eduardo Gabriel; Maestri, Mauricio; Consejo Nacional
de Investigaciones Cientificas y Tecnicas (CONICET); "Método para medir radiaciones y
dosimetro". AR062735B1 04/09/2009
Faigon, Adrián; Lipovetzky, José; et al. "Método para la construcción de un dosímetro MOS de
radiación ionizante empleando óxidos gruesos de procesos CMOS estándar" presentada la
solicitud el día 11/03/2013 nro de Expediente 20130100872.
Selección y validación de componentes para vuelo, Satellogic, desde 2012 y en curso.
4.2. Artículos en Revistas Internacionales con Referato:
12. M. Garcia-Inza, S. H. Carbonetto, J. Lipovetzky, M. J. Carra, L. Sambuco Salomone, E. G.
Redin, A. Faigon, “Switched Bias Differential MOSFET Dosimeter”, in press, IEEE Transactions on
Nuclear Science, 2014.
11- J. Lipovetzky, M.A. García Inza, S. Carbonetto, M.J. Carra, E. Redin, L. Sambuco Salomone, A.
Faigon, “New field oxide n-channel MOS dosimeters fabricated in CMOS processes”, IEEE Transactions
on Nuclear Science, vol. 60, no. 6, pp. 4683-4691, 2013.
10. A. Faigón, M. García Inza, J. Lipovetzky, E. Redin, S. Carbonetto, L. Sambuco Salomone, F.
Berbeglia, "Experimental evidence and modeling of non-monotonic responses in MOS dosimeters",
Radiation Physics and Chemistry, Available online 3 May 2013
http://dx.doi.org/10.1016/j.radphyschem.2013.04.029
9- L. Sambuco Salomone, J. Lipovetzky, S. H. Carbonetto, M. A. García Inza, E. G. Redin, F.
Campabadal, and A. Faigón “Experimental evidence and modeling of two types of electron traps
in Al2O3 for nonvolatile memory applications” J. Appl. Phys. 113, 074501 (2013);
http://dx.doi.org/10.1063/1.4792038
8-Juliano Benfica, Letícia Maria Bolzani Poehls, Fabian Vargas, José Lipovetzky, Ariel Lutenberg,
Edmundo Gatti, Fernando Hernandez, “A Test Platform for Dependability Analysis of SoCs
Exposed to EMI and Radiation”, Journal of Electronic Testing, December 2012, Volume 28, Issue
6, pp 803-816.
7-Lipovetzky, J.; Siedle, A. H.; Inza, M. G.; Carbonetto, S.; Redin, E.; Faigon, A.; , "New
Fowler-Nordheim Injection, Charge Neutralization, and Gamma Tests on the REM RFT300 RADFET
Dosimeter," Nuclear Science, IEEE Transactions on , vol.59, no.6, pp.3133-3140, Dec. 2012doi:
10.1109/TNS.2012.2222667
URL: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6365406&isnumber=6365378
6- Benfica, J.; Bolzani Poehls, L. M.; Vargas, F.; Lipovetzky, J.; Lutenberg, A.; Garcia, S. E.;
Gatti, E.; Hernandez, F.; , "Evaluating the Effects of Combined Total Ionizing Dose Radiation and
Electromagnetic Interference," Nuclear Science, IEEE Transactions on , vol.59, no.4,
pp.1015-1019, Aug. 2012 doi: 10.1109/TNS.2012.2190621
URL: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6190732&isnumber=6268392
5-Carbonetto, S. H.; Garcia Inza, M. A.; Lipovetzky, J.; Redin, E. G.; Sambuco Salomone, L.;
Faigon, A.; , "Zero Temperature Coefficient Bias in MOS Devices. Dependence on Interface
Traps Density, Application to MOS Dosimetry," , IEEE Transactions on Nuclear Science, vol.PP,
no.99, pp.1, 2011.
4-M. García Inza, J. Lipovetzky, E. Redin, S. Carbonetto, and A. Faigón "Floating Gate PMOS
Dosimeters under Bias Controlled Cycled Measurement" IEEE Trans. Nucl. Sci., Vol. 57, Iss. 2
page 848, 2011
3-J. Lipovetzky, E. Redin, M. Garcia Inza, S. Carbonetto and A. Faigón. "Reducing measurement
uncertainties using bias cycled measurement in MOS dosimetry at different temperatures", IEEE
Transactions on Nuclear Science, Volume 57, No. 2, Pages 848-853, 2010.
2-Faigon, A.; Lipovetzky, J.; Redin, E.; Krusczenski, G.; "Extension of the Measurement Range of
MOS Dosimeters Using Radiation Induced Charge Neutralization" IEEE Trans. on Nuclear Science,
Volume 55, Issue 4, Part 1, Aug. 2008 Page(s):2141- 2147
1-Lipovetzky, J.; Redin, E.G.; Faigon, A.; "Electrically Erasable Metal–Oxide–Semiconductor
Dosimeters" IEEE Transactions on Nuclear Science, Volume 54, Issue 4, Part 3, Aug. 2007
Page(s):1244 - 1250
4.3. Artículos en proceedings y actas de congresos internacionales:
29-M. García Inza, J. Lipovetzky, S. Carbonetto, G. Redin, L. Sambuco Salomone, A. Faigón, “El
dosímetro FOXFET. Estructura y caracterización”, XV Convención y Feria Internacional
Informática, La Habana, Cuba, 18 al 22 de marzo de 2013.
28-Oliveira, C.; Benfica, J.; Poehls, L.M.B.; Vargas, F.; Lipovetzky, J.; Lutenberg, A.; Gatti, E.;
Hernandez, F.; Boyer, A., "Reliability analysis of an on-chip watchdog for embedded systems
exposed to radiation and EMI," Electromagnetic Compatibility of Integrated Circuits (EMC
Compo), 2013 9th Intl Workshop on , vol., no., pp.89,94, 15-18 Dec. 2013
doi: 10.1109/EMCCompo.2013.6735179
URL: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6735179&isnumber=6735156
27- Salomone, L.Sambuco; Kasulin, A.; Lipovetzky, J.; Carbonetto, S.H.; Inza, M.A.Garcia;
Redin, E.G.; Berbeglia, F.; Campabadal, F.; Faigon, A., "Radiation response of Al2O3-based MOS
capacitors under different bias conditions," Micro-Nanoelectronics, Technology and Applications
(EAMTA), 2013 7th Argentine School of , vol., no., pp.22,26, 15-16 Aug. 2013 URL:
http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6621072&isnumber=6621062
26- Calarco, N.; Perez Quintian, F.; Lutenberg, A.; Lipovetzky, J., "Programmable gain CMOS
photodetector array for a non-diffractive beam optical encoder II," Micro-Nanoelectronics,
Technology and Applications (EAMTA), 2013 7th Argentine School of , vol., no., pp.62,65, 15-16
Aug. 2013
keywords: {CMOS logic circuits;encoding;integrated
optoelectronics;photodetectors;photodiodes;programmable circuits;sensor arrays;independent
programmable gain system;nondiffractive beam optical encoder II;photocurrent
generation;photodiode;programmable gain CMOS photodetector array;sensitivity problem;size
0.5 mum;Arrays;CMOS integrated circuits;Mirrors;Optical
sensors;Photoconductivity;Photodiodes;CMOS image sensors;displacement measurement;optical
signal processing;photodiodes},
URL: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6621079&isnumber=6621062
25- Bulacio, M.F.; Tacca, H.E.; Lipovetzky, J.; de la Plaza, A., "Integrated Switched-Capacitor
FSK demodulator for the transmission of control information to the motor over power lines,"
Micro-Nanoelectronics, Technology and Applications (EAMTA), 2013 7th Argentine School of ,
vol., no., pp.55,61, 15-16 Aug. 2013 URL:
http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6621078&isnumber=6621062
24- Carra, M.J.; Inza, M.A.Garcia; Lipovetzky, J.; Carbonetto, S.; Redin, E.; Salomone,
L.Sambuco; Faigon, A., "Ionizing radiation differential sensor based on thick gate oxide MOS
transistors," Micro-Nanoelectronics, Technology and Applications (EAMTA), 2013 7th Argentine
School of , vol., no., pp.49,54, 15-16 Aug. 2013
URL: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6621077&isnumber=6621062
23- J. Lipovetzky,
L. Chiesa, A. Burman, G. Richarte, S. Carbonetto, M. Garcia Inza, E. Redin,
L. Sambuco, A. Faigon,
“Total Ionizing Dose Engineering Tests of microSD Memories for
their use in a Cubesat Satellite”, RADECS 2012, 24-28 de Septiembre de 2012. Aceptado para
publicación.
22- S. Carbonetto, M. Garcia Inza, J. Lipovetzky, M. Carrá, L. Sambuco Salomone, E. G. Redin,
A. Faigón, “Novel CMOS differential and amplified dosimeters. Proposals and simulations ”,
RADECS 2012, 24-28 de Septiembre de 2012. Aceptado para publicación.
21-Rigoni, N.; Lugones, R.; Lutenberg, A.; Lipovetzky, J.; , "Programmable gain CMOS
photodetector array for a non-diffractive beam optical encoder," Micro-Nanoelectronics,
Technology and Applications (EAMTA), 2012 Argentine School of , vol., no., pp.58-61, 9-10
Aug. 2012
URL: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6297318&isnumber=6297308
20-Salomone, L.S.; Campabadal, F.; Fernandez, M.I.; Lipovetzky, J.; Carbonetto, S.H.; Inza,
M.A.G.; Redin, E.G.; Faigon, A.; , "Electron trapping in Al2O3/HfO2 nanolaminate-based MOS
capacitors," Micro-Nanoelectronics, Technology and Applications (EAMTA), 2012 Argentine
School of , vol., no., pp.90-95, 9-10 Aug. 2012
URL: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6297324&isnumber=6297308
19-Inza, M.G.; Lipovetzky, J.; Carbonetto, S.; Salomone, L.S.; Redin, E.; Faigon, A.; , "Total
ionizing dose numerical model for radiation effects estimation in floating gate devices,"
Micro-Nanoelectronics, Technology and Applications (EAMTA), 2012 Argentine School of , vol.,
no., pp.79-83, 9-10 Aug. 2012
URL: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6297322&isnumber=6297308
18- Salomone, L.S.; Campabadal, F.; Fernandez, M.I.; Lipovetzky, J.; Carbonetto, S. H.; Inza,
M.A.G.; Redin, E. G.; Faigon, A., "Radiation effects in Al2O3-based MOS capacitors,"
Micro-Nanoelectronics, Technology and Applications (EAMTA), 2012 Argentine School of , vol.,
no., pp.96,100, 9-10 Aug. 2012
URL: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6297325&isnumber=6297308
17-Benfica, J.; Bolzani Poehls, L.; Vargas, F.; Lipovetzky, J.; Lutenberg, A.; Garcia, S.E.; ,
"Configurable platform for SoC combined tests of TID radiation, aging and EMI," Electromagnetic
Compatibility (APEMC), 2012 Asia-Pacific Symposium on , vol., no., pp.393-396, 21-24 May 2012
doi: 10.1109/APEMC.2012.6237989
URL: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6237989&isnumber=6237787
16- Benfica, J.; Bolzani Poehls, L.M.; Vargas, F.; Lipovetzky, J.; Lutenberg, A.; Garcia, S.E.;
Gatti, E.; Hernandez, F.; Calazans, N.L.V.; , "Evaluating the use of a platform for combined
tests of total ionizing dose radiation and Electromagnetic immunity," Radiation and Its Effects on
Components and Systems (RADECS), 2011 12th European Conference on , vol., no.,
pp.473-478, 19-23 Sept. 2011 doi: 10.1109/RADECS.2011.6131354
URL: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6131354&isnumber=6131283
15-Benfica, J.; Poehls, L.B.; Vargas, F.; Lipovetzky, J.; Lutenberg, A.; Garcia, S.E.; Gatti, E.;
Hernandez, F.; Calazans, N.L.V.; , "Configurable platform for IC combined tests of total-ionizing
dose radiation and electromagnetic immunity," Test Workshop (LATW), 2011 12th Latin American
, vol., no., pp.1-6, 27-30 March 2011 doi: 10.1109/LATW.2011.5985935
URL: ttp://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=5985935&isnumber=5985882
14-Rigoni, Nicolas; Lugones, Rodrigo; Lutenberg, Ariel; Lipovetzky, Jose; , "Design of a
customized CMOS active pixel sensor for a non-diffractive beam optical encoder," Argentine
School of Micro-Nanoelectronics Technology and Applications (EAMTA), 2011 , vol., no., pp.1-5,
11-12 Aug. 2011 URL:
http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6021278&isnumber=6021266
13-Salomone, L. Sambuco; Carbonetto, S. H.; Inza, M. A. Garcia; Lipovetzky, J.; Redin, E. G.;
Campabadal, F.; Faigon, A.; , "Charge trapping/detrapping in HfO2-based MOS devices,"
Argentine School of Micro-Nanoelectronics Technology and Applications (EAMTA), 2011 , vol.,
no., pp.1-5, 11-12 Aug. 2011 URL:
http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6021284&isnumber=6021266
12-Gacia lnza, M.; Lipovetzky, J.; Redin, E.; Carbonetto, S.; Salomone, L.S.; Kasulin, A.;
Faigón, A.; , "Study of Floating Gate MOS devices transients during switched bias irradiations,"
Argentine School of Micro-Nanoelectronics Technology and Applications (EAMTA), 2010 , vol.,
no., pp.62-65, 1-9 Oct. 2010 URL:
http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=5606374&isnumber=5606363
11-Carbonetto, S.H.; Inza, M.A.G.; Lipovetzky, J.; Redin, E.G.; Salomone, L.S.; Kasulin, A.;
Faigón, A.; , "Temperature error minimization in low dose radiation measurements with 140 nm
MOS dosimeters," Argentine School of Micro-Nanoelectronics Technology and Applications
(EAMTA), 2010 , vol., no., pp.71-75, 1-9 Oct. 2010 URL:
http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=5606372&isnumber=5606363
10-Salomone, L.S.; Kasulin, A.; Inza, M.G.; Lipovetzky, J.; Redin, E.; Carbonetto, S.;
Campabadal, F.; Faigón, A.; , "Radiation effects on high-K dielectrics. Measurement technique
and first results," Argentine School of Micro-Nanoelectronics Technology and Applications
(EAMTA), 2010 , vol., no., pp.66-70, 1-9 Oct. 2010 URL:
http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=5606371&isnumber=5606363
9-Carbonetto, S.; Lipovetzky, J.; Inza, M.G.; Redin, E.; Faigon, A., "Ring oscillators response to
irradiation and application to dosimetry," Micro-Nanoelectronics, Technology and Applications,
2009. EAMTA 2009. Argentine School of , vol., no., pp.1-4, 1-2 Oct. 2009
URL: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?arnumber=5288910&isnumber=5288889
8-Inza, M.G.; Lipovetzky, J.; Redin, E.; Carbonetto, S.; Faigon, A., "Stand alone MOS dosimetry
system for high dose ionizing radiation," Micro-Nanoelectronics, Technology and Applications,
2009. EAMTA 2009. Argentine School of , vol., no., pp.27-30, 1-2 Oct. 2009
URL: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?arnumber=5288903&isnumber=5288889
7-Lipovetzky, J.; Redin, E.; Inza, M.G.; Carbonetto, S.; Faigon, A., "Temperature effects on
metal oxide semiconductor dosimeters during switched bias irradiation," Micro-Nanoelectronics,
Technology and Applications, 2009. EAMTA 2009. Argentine School of , vol., no., pp.41-45, 1-2
Oct. 2009
URL: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?arnumber=5288902&isnumber=5288889
6-Lipovetzky, J.; Redin, E.; Garcia Inza, M.; Carbonetto, S.; Faigon, A., "Temperature
dependence and compensation in MOS dosimeters using bias controlled cycled measurement.,"
Nuclear Science Symposium Conference Record, 2008. NSS '08. IEEE , vol., no., pp.1038-1043,
19-25 Oct. 2008
URL: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?arnumber=4774575&isnumber=4774073
5-Lipovetzky, J.; Redin, E.; Maestri, M.; Garcia Inza, M.; Faigon, A., "Extension of the
measurement range of MOS dosimeters using radiation induced charge neutralization," Radiation
and Its Effects on Components and Systems, 2007. RADECS 2007. 9th European Conference on
, vol., no., pp.1-8, 10-14 Sept. 2007
URL: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?arnumber=5205484&isnumber=5205424
4-Lipovetzky, J.; Inza, M.G.; Carbonetto, S.; Redin, E.; Faigon, A., "Temperature and interface
traps compensation in MOS Bias Controlled Cycled Dosimeters," Micro-Nanoelectronics,
Technology and Applications, 2008. EAMTA 2008. Argentine School of , vol., no., pp.23-28,
18-19 Sept. 2008
URL: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?arnumber=4638971&isnumber=4638962
3-J. Lipovetzky, E. Redin, A. Faigon “Reusable MOS sensor in a radiation dosimeter”,
Proceedings of the IBSERSENSOR 2006 workshop, 27 al 29 de septiembre de 2006, ISBN
9974-0-0337-7
2-Lipovetzky, J.; Redin, E. G.; Faigón, A – “Evaluación Del Uso De Un Oscilador En Anillo MOS
Como Sensor En Un Dosímetro”. XIV Jornadas de Jóvenes Investigadores de la AUGM,
UNICAMP, Campinhas, Brasil, 15 a 17 de Octubre 2006
1-A. Faigon, E.G. Cedola, G. Redin, J. Kruszenski, J. Lopez, M. Maestri, J. Lipovetzky, A.
Docters, Modeling Irradiation-Induced Charging-Annealing dynamics in
Metal-Oxide-Semiconductor devices, In: A. Mendez-Vilas, Editor(s), Recent Advances in
Multidisciplinary Applied Physics, Elsevier Science Ltd, Oxford, 2005, Pages 841-847, ISBN
978-0-08-044648-6,
http://www.sciencedirect.com/science/article/B86PR-4PB2G1H-14/2/f6174050ef224bd3e1cdf18e
c156cc26
4.4. Trabajos publicados en actas de congresos nacionales con referato:
11- José Lipovetzky, Mariano García Inza, Martín Carrá, Nicolás Rigoni, Pablo Barbeito, Ariel
Lutenberg, Alejandro De La Plaza, "Tres años de experiencia en un curso de diseño y fabricación
de circuitos integrados. Balance y futuros pasos." XV Reunión de Trabajo en Procesamiento de la
Información y Control, 16 al 20 de septiembre de 2013, pp 704--709.
10-M. Carrá, M. García Inza, J. Lipovetzky, S. Carbonetto, E. Redin, A. Faigon, “Sensor
Diferencial de radiación ionizante basado en transistores MOS de óxido grueso ”, 23º Congreso
Argentino de Control Automático AADECA 2012, Octubre 2012. Aceptado.
9-Fabio A. Guarnieri, Mariano Garcia Inza, José Lipovezky, Alejandro de la Plaza, "Potenciostato
Implantable Integrado en Tecnología CMOS", Libro de Memorias del Segundo Congreso de
Microelectrónica Aplicada, uEA2011 pp 30-32, UNLP, 7 al 9 de septiembre de 2011.
8-L. Sambuco Salomone, S.H. Carbonetto, M.A. García Inza, J. Lipovetzky, E.G. Redín, F.
Campabadal, A. Faigón, “Captura y liberación de carga en dispositivos MOS con dieléctricos de
alto-K”, Libro de Memorias del Segundo Congreso de Microelectrónica Aplicada, uEA2011 pp
11-16, UNLP, 7 al 9 de septiembre de 2011.
7-S.H. Carbonetto, J. Lipovetzky, M. García Inza, L. Sambuco, E.G. Redín, A. Faigón, Diseño de
sensores diferenciales MOS con amplificación y su aplicación a dosimetría”, Libro de Memorias del
Segundo Congreso de Microelectrónica Aplicada, uEA2011 pp 11-16, UNLP, 7 al 9 de septiembre
de 2011.
6-L. Sambuco Salomone, A. Kasulin, S. H. Carbonetto1, M. A. García Inza, J. Lipovetzky, E. G.
Redín, F. Campabadal, A. Faigón "Efectos de la radiación en estructuras MOS capacitivas con
dieléctricos de alto K", Memorias del Congreso de Microelectrónica Aplicada 2010, pp. 133-138
julio 2010.
5-A. Kasulin, L. Sambuco Salomone, S. Carbonetto, M. García Inza, J. Lipovetzky, F.
Campabadal, E. Redín, A. Faigón, "Desarrollo de un Sistema para la Obtención Rápida de Curvas
Capacidad-Tensión en Dispositivos MOS. Aplicación al Estudio de Dieléctricos de Alto K."
Memorias del Congreso de Microelectrónica Aplicada 2010, pp. 139-142 julio 2010.
4-J. Lipovetzky, E. Redin, M. García Inza, and A. Faigón "MOS Dosimetry for very high doses.",
proceedings EAMTA 2007 Argentine School of Microelectronics, Technology and Applications
2007.
3-Laura Chiabrando , María T. Garea, José Lipovetzky, Ricardo C. Minniti & Viviana Repetto
"Innovación para el estudio de una colisión en dos dimensiones utilizando NTIC´s", Libro digital
de trabajos del Congreso Argentino de Enseñanza de la Ingeniería 2008.
2-Ema Aveleyra, José Lipovetzky, María Teresa Garea."APLICACIONES DE LAS TIC´S EN EL
LABORATORIO DE FÍSICA. ANÁLISIS DE UNA EXPERIENCIA CON APLICACIÓN DE SENSORES DE
FUERZA Y POSICIÓN." – Proceedings del I Congreso de Tecnologías de la Información y la
Comunicación en la Enseñanza de las Ciencias TICEC05, La Plata, Argentina, 29 y 30 de
Septiembre de 2005.
1-J. Lipovetzky, E. Redin, A. Faigón, “Respuesta y borrado de dosímetros MOS a bajas dosis”.
Jornadas de Imágenes II SPIE (Sociedad para la Ingeniería Óptica), Buenos Aires, Noviembre de
2005.
4.5. Presentación de tutoriales y plenarias en congresos.
2-Escuela Argentina de Microelectrónica, Tecnología y Aplicaciones EAMTA 2012, presentación
de la plenaria “Total Ionizing Dose Effects in MOS devices and CMOS circuits”, 10 de septiembre
de 2012, UNC, Córdoba.
1-Segundo Congreso de Microelectrónica Aplicada uEA 2011, presentación del tutorial “Efectos
de la radiación ionizante en dispositivos MOS y circuitos CMOS”, 8 de septiembre de 2011, UNLP.
4.6. Presentación de trabajos en congresos sin publicación.
19- José Lipovetzky, Lucas Chiesa, Ariel Burman, Gerardo Richarte, Adrián Faigón, “Sistema
para testeo en dosis total de memorias micro-SD”, CASE 2012. Libro de trabajos, ISBN:
978-987-9374-82-5, pag 25, 2012.
18-L. Sambuco Salomone, J. Lipovetzky, S. Carbonetto, M. García Inza, E. Redin, M.
Fernández, F. Campabadal, A. Faigón, "Efectos de radiación en aislantes de alta constante
dieléctrica para dispositivos MOS", 97° Reunión Nacional de la Asociación de Física Argentina
(AFA), 2012.
17- G. Redin, M. Gacia Inza, J. Lipovetzky, S. Carbonetto, L. Sambuco Salomone, A. Faigón,
“Calibración de sensores MOS usando la técnica BCCM para medición de dosis en radioterapia”,
2a Runión Conjunta SUF-AFA, Montevideo 20-23 sep 2011.
16- A. Faigón, L. Sambuco Salomone, G. Redin, M. Gacia Inza, J. Lipovetzky, S. Carbonetto, F.
Campabadal, “Inestabilidades en dispositivos MOS con ALD alúmina como asilante. Modelo de
frente de tunel”, 2a Runión Conjunta SUF-AFA, Montevideo 20-23 sep 2011.
15- José Lipovetzky, Alejandro De La Plaza, Mariano García Inza, Ariel Lutenberg, Martín Carrá,
Pablo Barbeito, Federico Dangiolo, Nicolás Rigoni, Luis Lopez. "Work In Progress - Development
of an Integrated Circuits Course that Includes the Full Experience of Designing an ASIC in a
CMOS Process" 41st ASEE/IEEE Frontiers in Education Conference, Rapid City, USA, 2011
http://fie-conference.org/fie2011/papers/1377.pdf
14- Ariel Lutenberg, Mariano Garcia Inza, Sebastian Carbonetto, Jose Lipovetzky, Gabriel
Gabian, Hernan Romero and Daniel Musciano, "Work in Progress – Development of a Linear
Integrated Circuits Course Focused on Design under Realistic Trade-off Conditions" F4F, 41st
ASEE/IEEE Frontiers in Education Conference, Rapid City, USA, 2011
http://fie-conference.org/fie2011/papers/1565.pdf.
13-Redin G, Lipovetzky J, García Inza M, Sambuco Salomone L, Carbonetto S, Faigon A,
“Calibración de sensores MOS usando la técnica BCCM para la medición de dosis en
radioterapia." poster la II Reunión Conjunta SUF-AFA, realizada en Montevideo, Uruguay, entre
el 20 y 23 de setiembre de 2011.
12-Faigon A, Sambuco Salomone L, Lipovetzky J, García Inza M, Carbonetto S, Redin G,
Campabadal F, "Inestabilidades en dispositivos MOS con ALD Alúmina como aislante. Modelo de
frente de túnel." poster II Reunión Conjunta SUF-AFA, realizada en Montevideo, Uruguay, entre
el 20 y 23 de setiembre de 2011.
11- T. González, L. Chiesa, G. Bassi, A. Burman and J. Lipovetzky. “Integrated DC motor driver
with digital speed controller.” Argentine School of Micro-Nanoelectronics Technology and
Applications (EAMTA), 2011, August 11-12 2011, Buenos Aires.
10-A. Burman, T. González, L. Chiesa, G. Bassi and J. Lipovetzky. “ Novel CMOS sensor array for
Line Follower Mobile Robots. “ Argentine School of Micro-Nanoelectronics Technology and
Applications (EAMTA), 2011, August 11-12 2011, Buenos Aires.
9-R. Lugones, J. Lipovetzky, A. Lutenberg and N. Rigoni. “Characterization of photodiodes built
on standard CMOS 0.5um process. “, Argentine School of Micro-Nanoelectronics Technology
and Applications (EAMTA), 2011, August 11-12 2011, Buenos Aires.
8-D'Angiolo, Federico Gabriel; Suarez Martene, Juan Cruz , Lipovetzky José, "Memoria SRAM de 1
kbit integrada en un proceso CMOS estándar", Congreso de Microelectrónica Aplicada 2010, PP
145-147 julio 2010.
7-Rodriguez A., Lipovetzky J, García Inza M., Redin E., Faigón A. "Cámara de calibración de
fuentes de braquiterapia basada en dosímetros Metal Óxido Semiconductor.", 94 Reunión de la
Asociación de Física Argentina, Septiembre 2009, Rosario.
6-J. Lipovetzky, G. Kruszenski, G. Redin, M. Maestri, A. Faigón, " Dosímetro MOS para muy altas
dosis", 90º Reunión de la Asociacion de Fisica Argentina, La Plata, septiembre 2005
5-Ema Aveleyra, José Lipovetzky, María Teresa Garea, Aplicación de la informática en el
laboratorio de Física para nivel universitario: “Estudio de una colisión usando sensores de fuerza
y posición”, presentado en Mesas de Experiencias - II Congreso Iberoamericano de EducaRed,
Julio de 2005, Buenos Aires, Argentina.
4-Redin E., Maestri M., Lipovetzky J., G. Kruszenski y Faigón A, “Dosimetría MOS Reutilización
de sensores mediante una técnica de borrado asistido por Radiación.” presentado como póster
en la 89º Reunión de la Asociación Física Argentina, Bahía Blanca, Septiembre 2004.
3-Lipovetzky, J., Redin E. Maestri M. Cedola A y Faigón A., “Técnica de Borrado eléctrico para la
reutilización de dosímetros MOS.” presentado como póster en la 89º Reunión de la Asociación
Física Argentina, Bahía Blanca, Setiembre 2004.
2-J. Lipovetzky, M. Maestri, G. Redin, A. Faigón “Modelización de la variación de la tensión de
encendido de un transistor MOS para ser usado como sensor en un dosímetro de radiación
ionizante”, Presentado como póster en las XI Jornadas de Jóvenes Investigadores de la AUGM,
La Plata, 2003
1-J. Lipovetzky, G. Kruszenski, G. Redin, A. Faigón “Evolución de la tensión de Umbral en
RADFET’s a altas tasas de dosis”, presentado como póster en la Reunión de la AFA, Septiembre
de 2003, San Carlos de Bariloche
5- Participación en proyectos y subsidios:
- PICT-2012-0770 “Sensores y detectores de radiación microfabricados”, Director Hernán
Pastoriza, participación como Investigador del grupo de trabajo responsable, 2013-2015, Monto
$ 397.800
-IEEE Circuits and Systems Society Outreach Activities, financiamiento para la Conferencia
Argentina de Sistemas Embebidos 2013 (CASE 2013), Monto USD 3000.
-PICT Reuniones Científicas RC TIC 096 2010, Co-responsable, Monto: $ 30.000, subsidio para
organización de EAMTA 2011.
-PICT 2007-1907-3 (ANPCYT) Planificación y control dosimétrico en radioterapia con fotones y
electrones (PCDRFE), Miembro de equipo, Monto:$471.213, enero 2009 a septiembre de 2013
-Y064 (UBACyT) Estructuras MOS para dosimetría de bajas dosis. Aplicación a Radioterapia.
Programación científica 2011/2014. Miembro de equipo, Monto: $15.400, Fecha desde: 13 julio
de 2011.
-I043 (UBACyT) Dosimetría M.O.S de bajas dosis. Aplicación a radioterapia. Programación
científica 2008/2011. Miembro de equipo, Monto:$63.000, Fecha desde: may 2008 hasta: ago
2011.
-I037 (UBACyT) Dosimetría M.O.S de bajas dosis. Aplicación a radioterapia. Programación
científica 2006/2008. Miembro de equipo. Fecha desde: 2006 hasta: may 2008
-Convenio de colaboración UBA-CSIC. Efectos de las radiaciones ionizantes sobre óxidos
ultradelgados para tecnologías MOS. Participa como:Miembro de equipo. Monto:U$D1.500
Fecha desde: 24/04/2007 hasta: 31/12/2009
6-FORMACIÓN DE RECURSOS HUMANOS:
Dirección de tesis:
Doctorado:
Lucas Sambuco Salomone, “Estudio de inestabilidades y efectos de radiación en estructuras
MOS con dieléctricos nanomértricos de alto K”, tesis para el Doctorado en Ingeniería de la
Universidad de Buenos Aires, desde de 7 de agosto de 2012, Codirector, en curso
Grado (dirección):
-Fabricio Alcalde, “Diseño y fabricación de un TAG RFID”, tesis de grado para Ingeniería
Electrónica FIUBA, en curso.
-Martín Echarri, “Integración en un proceso CMOS de un dosímetro basado en transistores de
óxido de campo”, tesis de grado para carrera de Ingeniería Electrónica, Director, en curso.
-Diego Martin, “Diseño y fabricación en un proceso CMOS de una interfaz de comunicación en un
protocolo 'two-wire' para nodos en redes de sensores”, tesis de grado para la carrear de
Ingeniería Electrónica, UBA, Director, 27 de diciembre de 2013, calificación 10 (diez).
-Gabriel Gabian, "Diseño de un sistema de fotodetección APS programable para un codificador
óptico basado en NDB", tesis de grado para la carrera de Ingeniería Electrónica, Director, 20 de
diciembre de 2013, calificación 10 (diez).
-Martín Carrá, “CONFIGURACIONES CIRCUITALES DIFERENCIALES DE MOSFET'S DE ÓXIDO
GRUESO PARA SU USO EN DOSIMETRÍA DE BAJAS DOSIS”, Director, Calificación 10 (Diez), 27 de
diciembre de 2012.
Grado (codirección):
-Nicolás Rigoni, “Codificador Óptico Integrado en un proceso CMOS”, tesis de grado para la
carrera de Ingeniería Electrónica, Codirector, calificación 10 (diez), octubre de 2012.
-Lucas Sambuco Salomone, "Efectos de radiación ionizante en óxidos de alto K", tesis de grado
para la carrera de Ingeniería Electrónica, Codirector, Tesis aprobada, calificación 10
(sobresaliente), diciembre de 2011.
-Sebastián Carbonetto, "Estructuras circuitales para dosimetría MOS", Tesis de grado para la
carrera de Ingeniería Electrónica, Facultad de Ingeniería, Codirector, Tesis aprobada, calificación
10 (sobresaliente), junio 2010.
-Ariel Rodríguez, "Dosimetría MOS: Aplicación práctica al diseño de una cámara de calibración
para fuentes de equipos de braquiterapia HDR", Proyecto final de grado para la carrera de
Ingeniería en Física Médica, Codirector, calificación 10 (sobresaliente), diciembre de 2008.
Participación como jurado de tesis:
-Tesis para la Maestria en Física Médica de la Universidad de Buenos Aires, “CARACTERIZACION DE LA LUMINISCENCIA ESTIMULADA OPTICAMENTE DE MATERIALES CON INTERÉS EN DOSIMETRÍA”Luis Camargo, 8 de octubre de 2013.
-Tesis para la Maestría en Física Médica de la Universidad de Buenos Aires, “Estudio de
Factibilidad del uso del centellador Mg2Si04:Tb”, Yesica Vasco, 17 de julio de 2013.
-Tesis de grado para Ingeniería Electrónica, FIUBA, Diseño y Caracterización de un sensor
magnetorresistivo a partir de multicapas delgadas depositadas por ablación láser, Pablo N.
Granell, 19 de Octubre de 2012.
-Tesis de grado para Ingeniería Electrónica, FIUBA, “Diseño de un conversor analógico Digital
Sigma Delta”, Luis López, 12 de abril 2012.
-Tesis de grado para Ingeniería Electrónica, FIUBA, "Caracterización de un microdisplay como
modulador espacial de luz", Ariel Burman 16 Diciembre de 2010.
-Tesis de grado para Ingeniería Electrónica, FIUBA, "Medición optoelectrónica del secado de
pinturas mediante técnicas de procesamiento de señales y de análisis de procesos
estocásticos", Ezequiel Rubinsztain, 20 Diciembre de 2010.
-Dirección de becarios:
-Martin, Diego , Beca TIC para la finalización de carrera de Ingeniería Electrónica, desde 2012
-Zelaya, Guido,
Beca TIC para la finalización de carrera de Ingeniería Electrónica, desde 2012
-Participación como Jurado de concursos docentes
- UNIV.DE BUENOS AIRES / FAC.DE INGENIERIA Concurso para ayudante de 1 regular dedicación
simple en la asignatura Tecnología de Componentes, FIUBA, julio 2012.
7-CURSOS REALIZADOS:
CURSOS DE POSTGRADO (fuera del doctorado):
“ICTP Latin-American Advance Course on FPGA Design for Scientific Instrumentation”,
organizado por el International Centre for Theoretical Physics, CEADEN y Universidad de Ciencias
Informáticas de La Habana, Cuba, Diciembre de 2012, 150 horas.
"Curso de Seguridad Radiológica de Fuentes Radiactivas para Usos Menores - Formación Básica"
Sociedad Argentina de Radioprotección, 24hs, aprobado, 16 de julio 2010.
"ICTP Latin-American Basic Course on FPGA Design for Scientific Instrumentation", organizado
por el International Centre for Theoretical Physics, y realizado en Mar del Plata, marzo de 2010,
150 horas, calificación 10 (sobresaliente).
Circuitos Integrados CMOS avanzados: Circuitos analógicos y microsensores. Escuela Argentina
de Microelectrónica, Tecnología y Aplicaciones 2009, Instituto Balseiro, CAB, CNEA, y UNS, Dres.
Mandolesi y Pastoriza, septiembre-octubre 2009, 72 horas, calificación 9.
"Circuitos con capacitores conmutados", Facultad de Ingeniería, Ing. Alejandro de La Plaza,
cuatrimestral, 2009, calificación 10 (sobresaliente).
"Diseño de Circuitos Integrados CMOS", Universidad Nacional del Sur, Dr. Pedro Julián, 80 horas,
2007.
"Física y tecnología de diposisitivos MOS", Universidad de San Martín, Dr. Adrián Faigón,
cuatrimestral, 2007.
"Introducción a la Didáctica en la Educación Superior", duración 40 horas, Facultad de
Ingeniería, UBA, 2004.
"La Enseñanza de Ingeniería: Los contenidos y la Evaluación", duración 40 horas, Facultad de
Ingeniería, UBA, 2004.
CURSOS DE POSTGRADO (como parte del doctorado):
"Circuitos Integrados CMOS Avanzados: Física de Dispositivos, y Automatización Fisica de
Diseño." Dr. Marcelo Johanny Dr. Adrián Faigón, Universidad Nacional del Sur, EAMTA 2006.
"Circuitos Integrados CMOS Avanzados: Circuitos Analógicos, Microsensores y MEMS – 2434",
Dr. Fortunato Carlos Augusto DUALIBE y Dr. Hernán Pastoriza, Universidad Nacional del Sur,
EAMTA 2006.
"Detectores", Ing. Eduardo Castro, Maestría en Optoelectrónica FIUBA, FIUBA 2006.
"Sistemas de Detección", dictada por el Ing. Eduardo Castro, Maestría en Optoelectrónica,
FIUBA, 2006.
"Sistemas Optoelectrónicos Satelitales", dictada por el Ing. Eduardo Castro, Maestría en
Optoelectrónica, FIUBA, 2006.
"Óptica avanzada", dictada por las Dra. María Aurora Rebollo y la Dra. Liliana Pérez, Maestría en
Optoelectrónica, FIUBA, 2006.
"Procesamiento de señales", Ing. Gonzáles, Maestría en Optoelectrónica, FIUBA, 2006.
OTROS CURSOS CORTOS:
-3rd. International School on the Effects of Radiation on Embedded Systems for Space
Applications. (SERESSA), CNEA Centro Atomico Constituyentes, Diciembre 2007.
-Organic photonics and electronics, New technologies for emerging applications (SC571)”, 8hs,
SPIE (International Society for Optical Engineering) 49º Annual Meeting, Denver, Colorado, USA.
-The Craft of Scientific Writing” y “The Craft of Scientific Presentations” Workshops, 4hs c/u,
SPIE (International Society for Optical Engineering) 49º Annual Meeting, Denver, Colorado, USA
(2004).
8-DIOMAS:
Inglés, escrito y hablado, recibiendo “grade B” para el First Certificate in English”, Universidad
de Oxford.
Francés, nivel III FIUBA 2006-2007
9-OTROS ÍTEMS RELEVANTES:
Revisor de artículos para journals internacionales en:
-IEEE Transactions on Electron Devices,
-Measurement (Elsevier),
-Sensors and Actuators: A Physical (Elsevier).
-Journal of Electronic Testing (Elsevier)
-IEEE Transactions on Nuclear Science.
Miembro del comité académico evaluador de
-Congreso Argentino de Microelectrónica, Tecnología y Aplicaciones CAMTA 2009, 2010, 2011,
2012, 2013, 2014.
-IEEE Frontiers in Education 2011 (Conference).
-Congreso Argentino de Sistemas Embebidos CASE 2010, CASE 2011, 2012, 2014.
-Arencon 2014
-Latin American Test Workshop 2012, 2013, 2014
-Argencom 2014
-Chair de la SERESSA 2014
-Miembro del Organizing Committee de la Latin American Semi Final del TTTC McKluskey Best
Doctoral Thesis Award realizado durante el LATW 2014, marzo 2014.
-Publication Chair y editor en la Fifth Argentinean Conference on Embedded Systems
(CASE/SASE), gestionando la publicación e indexación de artículos destacados en IEEExplore,
agosto de 2014.
-Publication Chair y editor en la Fourth Argentinean Conference on Embedded Systems
(CASE/SASE), gestionando la publicación e indexación de artículos destacados en IEEExplore,
agosto de 2013.
-Chair en el área ASICs en el CASE 2012.
-Miembro del comité de organización de las Jornadas de Tesistas de Doctorado FIUBA, 12 de
octubre de 2012.
-Co-Chair de la de la Sexta Escuela Argentina de Microelectrónica, Tecnología y Aplicaciones
EAMTA 2011, Facultad de Ingeniería - UBA, realizada entre el 6 y el 13 de agosto de 2011.
-Faculty Advisor del Capítulo de la Circuits and Systems Society de la Rama Estudiantil de la
FIUBA de la IEEE 2011-2012.
-Miembro del Consejo Asesor del Departamento de Física de la Facultad de Ingeniería de la
Universidad de Buenos Aires 2011-2012.
-Miembro del comité de organización del Encuentro en Óptica Aplicada, FIUBA-CIOP 2007 y del
Workshop SPIE, FIUBA 2005
-Faculty Liaison y technical point of contact of MEP Account en MOSIS para el Laboratorio de
Física de Díspositivos-Micreoelectrónica de la FIUBA 2009-2012.
-Secretario, Tesorero, Presidente y Vicepresidente del Capítulo Estudiantil “Universidad de
Buenos Aires” de la Sociedad Internacional para la Ingeniería Óptica (SPIE) durante los períodos
2003, 2004, 2005, 2006 y 2007 respectivamente.
-Miembro de la Comisión de Ciencia y Técnica del Centro Argentino de Ingenieros (CAI) 2007.
-Mención especial en el concurso Pre Ingeniería 2005-2006 por el trabajo “Dosímetro MOS de
borrado eléctrico”.
-Beca para asistir a la 49º Annual Meeting de SPIE (International Society for Optical
Engineering), Denver, Colorado, USA, 2004.