Download Nº 4 Capacitores

FACULTAD REGIONAL MENDOZA
TRABAJO PRÁCTICO DE LABORATORIO N º 4
CAPACITORES ELECTROLÍTICOS
DEPARTAMENTO:
ELECTRÓNICA
CATEDRA:
TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA
PROFESOR TITULAR:
ING. ADOLFO F. GONZALEZ
PROFESOR ADJUNTO:
ING. RUBÉN O. VICIOLI
JEFE DE TRABAJOS PRÁCTICOS:
ING. GABRIEL SOSA
AYUDANTE DE TRABAJOS PRÁCTICOS:
ING. FEDERICO M. GRACIÁ
2016
Departamento de Electrónica
Cátedra: Tecnología Electrónica
OBJETO DE LA PRÁCTICA
Determinar pérdidas en un capacitor electrolítico y analizar su variación con respecto a la frecuencia
y la temperatura.
MATERIALES A UTILIZAR
Elementos bajo prueba:
Capacitores electrolíticos.
Instrumentos de medición:
Generador de A.F.
Termómetro digital.
Multímetro digital.
Osciloscopio.
Elementos Varios:
Fuente de alimentación regulable.
Cámara térmica.
FUNDAMENTOS TEÓRICOS
(1)
Característica del capacitor electrolítico de aluminio:
El capacitor electrolítico de aluminio está formado por un ánodo y un cátodo, separados por
papel, el cu al es tá im pregnado co n el el ectrolito. La f abricación de u n ca pacitor el ectrolítico
comienza enrollando dos láminas de aluminio separadas por un papel absorbente humedecido con
ácido electrolítico. Luego se hace circular una corriente eléctrica entre las placas para provocar una
reacción química que producirá una capa de óxido sobre el aluminio (ánodo), siendo este óxido de
electrolito el verdadero di eléctrico del ca pacitor. P ara que p ueda se r co nectado en un ci rcuito, el
capacitor llevará sus t erminales de co nexión r emachados o s oldados co n soldadura de punt o. Por
último, t odo el co njunto se i nsertará en un a ca rcaza m etálica que l e dar á r igidez mecánica y se
sellará herméticamente, en general, con un tapón de goma, que evitará que el ácido se evapore.
Circuito equivalente:
El circuito equiv alente de un ca pacitor el ectrolítico de aluminio s e muestra en la f igura 1
Tanto el diseño físico co mo el pr oceso constructivo hacen que no solo s e encu entre pr esente la
capacitancia, si no t ambién, una r esistencia e i nductancia serie y una r esistencia en par alelo, que
permiten el paso de corriente.
Figura 1
Ca:
Capacidad del ánodo.
Rp:
Pérdidas en el material dieléctrico.
Rs:
Suma de las pérdidas en los terminales. Junturas y placas del capacitor.
Ls:
Inductancia de terminales y placas.
2
Departamento de Electrónica
Cátedra: Tecnología Electrónica
Pérdidas y fallas:
Una falla en l a unif ormidad de l a ca pa de óx ido formada en al gún punt o de l as placas
produce un co rtocircuito o una di sminución de l a t ensión de t rabajo del ca pacitor. E sta co ndición
aumenta la co rriente de fuga que pr ovoca e l s obre ca lentamiento interno y la consiguiente
expansión y evaporación del áci do, que a l s uperar p or pr esión el her metismo de l t apón de gom a
puede destruir por explosión al capacitor.
Si el sellado hermético no es bueno, el ácido se seca y deja de actuar como dieléctrico. En
este caso, el valor de capacidad se reduce progresivamente.
Un ca pacitor que no es ut ilizado en un per iodo de apr oximadamente 4 años ( no r ecibe
tensión), comienza a deformarse internamente. En efecto, la capa de óxido se reduce por si misma
si el capacitor no es conectado a una f uente de t ensión continua, acercándose gradualmente a su
condición de ant es de ser f ormado. Un ca so s imilar ocu rre cu ando se utiliza un ca pacitor co n
tensiones mucho menor a su tensión nominal de trabajo; al estar prácticamente sin polarización de
corriente continua, l a capa de ó xido se i rá haci endo cada vez más angosta, hasta provocar la falla
del circuito en donde trabaja.
Al es tar l os t erminales del ca pacitor uni dos por r emaches o p untos d e s oldadura a l as
placas, exi ste en am bos ca sos una ci erta r esistencia de co ntacto. S i e l capacitor t rabaja en una
condición de rizado como, por ejemplo, el filtrado en una fuente conmutada, estas uniones eléctricas
se ca lentarán y oxidarán. A l ca lentarse y enfriarse, s e di latan y contraen pr ovocando que l as
uniones de l os terminales se af lojen, ll egando i ncluso a dej ar al capacitor en un e stado de ci rcuito
abierto o f alsos contactos. P or ot ra par te e stos f alsos contactos pr oducen un sobrecalentamiento,
que acelera el proceso, en una especie de círculo vicioso.
Resistencia Serie Equivalente (E.S.R.):
ESR son l as s iglas en i nglés de E quivalent S eries Re sistance que en e spañol s e t raduce
como Resistencia Serie Equivalente. Es una magnitud o parámetro dinámico de los capacitores que
refleja el estado de l as par tes vitales de un ca pacitor, l o cu al es im portante par a det erminar si se
halla en buen o mal estado de funcionamiento. La ESR puede definirse como la resistencia
dinámica pur a y total que opone un ca pacitor al pasaje de una co rriente al terna. I ncluye la
resistencia continua de los terminales, l a resistencia continua del material dieléctrico, la resistencia
de las placas y la resistencia alterna en fase del dieléctrico a una frecuencia y temperatura
determinada. La ESR se puede im aginar como una r esistencia i deal en s erie con el ca pacitor, que
solo puede m edirse anul ando su reactancia capacitiva, midiendo l os ohm s en co rriente al terna. La
ESR no es una resistencia física dentro del capacitor que pueda medirse con un óhmetro común de
corriente continua, sino que es una resistencia que se genera solo en corriente alterna.
Factor de Disipación (D.F.):
Un capacitor ideal, no debería producir calor cuando circula una corriente eléctrica a través
de él. El calor que se produce en los dispositivos reales, viene de la resistencia que los fabricantes
no pueden el iminar completamente. Porque tiene mucha im portancia, se especifica una medida de
esta resistencia. Podríamos utilizar la E.S.R. directamente, pero es mucho más conveniente utilizar
una ex presión denom inada F actor de Di sipación ( D.F. que s on s us s iglas en inglés). El D.F. se
define como la relación de la resistencia ( E.S.R.) con respecto a l a reactancia capacitiva. A mayor
resistencia, mayor D.F., y en general peor es el capacitor. Debido a que en los buenos capacitores
el D.F es una cifra muy pequeña., frecuentemente se expresa en porcientos.
𝐷𝐹 =
𝑅
𝑋𝐶
Utilizando DF en lugar de ESR podemos obtener un factor que mide la calidad de un
capacitor para un amplio rango de valores de capacidad. Si en su lugar utilizásemos ESR, sería
necesario cada vez especificar el valor de capacidad.
Otra forma de especificar DF es:
𝐷𝐹 = 2. 𝜋. 𝑓. 𝐶. 𝑅
3
Departamento de Electrónica
Cátedra: Tecnología Electrónica
BREVE DESCRIPCIÓN DE LA PRÁCTICA
Se determinará la corriente de pérdida de un capacitor electrolítico.
Se medirá el DF de un capacitor electrolítico y se graficará su variación con la frecuencia.
Se graficará la variación del DF en función de la temperatura.
DESARROLLO DE LA PRÁCTICA
1. Medición de la corriente de pérdida:
Para m edir l a co rriente de pér didas se de be aco ndicionar pr imeramente el ca pacitor
aplicándole la t ensión de co ntinua no minal a t ravés de una r esistencia en s erie de 1 K ohm, par a
tensiones mayores a 100 Volt y de 470 ohm para tensiones menores a 100 Volt durante 30 minutos
a 24 horas y no más de 48 horas para los de aluminio y de 5 minutos para los de tantalio.
Después del pr e aco ndicionamiento, se apl ica la t ensión nom inal de co ntinua al ca pacitor
con una resistencia serie limitadora y un miliamperímetro. La formación de la película de dieléctrico
se pr oduce d entro de l os 60 segundos. La corriente de pér dida se m ide al cabo de 5 m inutos con
una precisión de + - 5% para los de Al y del + - 2% para los de Ta.
2. Determinación del DF en función de la frecuencia:
Figura 2
Al c ircuito de l a figura s e l o ex citará co n una señal cu adrada de 5 v olt p ico y 100Khz de
frecuencia. Eso determinará una corriente constante de 5 mA.
Luego variar la frecuencia del generador desde 1 Khz a 1M hz y tomar los distintos valores
de tensión. El cociente entre l a tensión m edida y la corriente nos d ará el v alor resistivo ( E.S.R.) a
aplicar en la fórmula de cálculo del DF.
𝐷𝐹 = 2. 𝜋. 𝑓. 𝐶. 𝑅
Graficar los valores de DF en función de la frecuencia. Tomar por lo menos 20 valores.
3. Medición de la variación del DF en función de la temperatura:
Colocar el ci rcuito a ens ayar d entro de l a cámara térmica. Excitar al mismo con una señal
cuadrada de 5 volt pico y 100 Khz de frecuencia. Variar la temperatura de la cámara térmica desde
temperatura ambiente hasta 65 ºC, en pasos de 5 ºC aproximadamente.
Utilizar el mismo procedimiento del punto anterior para determinar el valor de DF.
Graficar el valor de DF en función de la temperatura.
CONCLUSIONES
Comparar los valores obtenidos y experiencias con la teoría. Emitir juicio de valor.
4
Departamento de Electrónica
Cátedra: Tecnología Electrónica
ANEXO 1
La t abla 1 m uestra el v alor máximo de E SR par a ca pacitores el ectrolíticos nue vos, a 20 ºC .
Recordar que la ESR disminuye a medida que la temperatura aumenta.
1uF
2.2uF
4.7uF
10uF
22uF
47uF
100uF
220uF
470uF
1,000uF
4,700uF
10,000uF
10V
xxx
xxx
xxx
xxx
5.4
2.2
1.2
0.6
0.24
0.12
0.23
0.12
16V
xxx
xxx
xxx
8.0
3.6
1.6
0.7
0.33
0.18
0.09
0.20
0.08
25V
xxx
6.0
15
5.3
2.1
1.2
0.32
0.23
0.12
0.08
0.12
0.06
35V
< 14
8.0
7.5
3.2
1.5
0.68
0.32
0.17
0.09
0.07
0.08
0.04
63V
< 16
< 10
4.2
2.4
1.5
0.56
0.3
0.16
0.09
0.05
0.04
xxx
100V
< 18
< 10
2.3
3.0
1.5
0.7
0.15
0.09
0.05
0.06
xxx
xxx
250V
< 20
< 18
5.0
2.5
1.8
0.8
0.8
0.5
0.3
xxx
xxx
xxx
Tabla 1
5
Departamento de Electrónica
Cátedra: Tecnología Electrónica
ANEXO 2
Guía de selección de capacitores (2)
Cerámicos:
Valores:
1 pF a 2.2 µF.
Tolerancia:
10% o 20%.
Rango de tensión:
3,3 Volts a 6 Kilo voltios CC.
Factor de disipación:
5%.
Coeficiente de temperatura:
200.00 ppm/ºC.
Tolerancia (para NP0):
0,25% a 10%.
Coeficiente de temperatura:
0±30 y 0±60 ppm/ºC.
Notas: Propósito gener al, alta r esistencia de ai slamiento, di spositivo utilizado par a desacoplar t ransitorios
de circuitos integrados y compensación de cargas reactivas producidas por variaciones de temperatura. Su
aplicación incluye filtrado, pas o y acoplamiento no crítico en circuitos de al ta frecuencia. S ensible a la
frecuencia ( su ca pacidad v aría co n e sta) sus ca racterísticas deben ser m edidas a l a f recuencia de
operación. Se deben montar cerca de los componentes a compensar y proteger de las fuentes de calor. No
se debe n oper ar m uy por debaj o del r ango de voltaje especificado y bajo co ndiciones de hum edad. E n el
diseño de circuitos se debe tener en cuenta los cambios en la constante dieléctrica producidos por
temperatura, intensidad del campo eléctrico y auto “aging”.
Chips cerámicos:
Valores:
10 pF a 0,18 µF.
Tolerancia:
5% a 20%.
Rango de temperatura:
-55 ºC a +125 ºC.
Resistencia de aislación:
mayor a 100.000 MΩ.
Dieléctrico de Papel / Plástico:
Muchos t ipos de di
eléctricos y
configuraciones es
tán di sponibles. Cada t
ipo t iene s us pr opias
características. Por ejemplo, las unidades de papel metalizado tienen baja resistencia de aislamiento y
están pr opensos a f allas por r uptura. Los tipos pl ásticos tienen mejores ca racterísticas co ntra la humedad
que las unidades de papel. Los tipos de Poli carbonato y Mylar se usan en aplicaciones que requieren
mínimos cambios con la temperatura, tales como sintonización y circuitos temporizadores.
Película de Poli carbonato y Poli Carbonato Metalizado:
Valores:
superior a 50µF.
Rango de Voltaje:
hasta 1000 VCC.
Factor de disipación:
0.5% (a 25ºC y 120 Hz.)
Rango de temperatura:
-55ºC a + 125ºC.
6
Departamento de Electrónica
Cátedra: Tecnología Electrónica
Notas: Bloqueo de CC, f iltrado, pas o, aco plamiento y
apl icaciones de supresión de t ransitorios. B aja
tolerancia, alta frecuencia (40 – 400 Khz.) y alta resistencia de aislamiento. No recomendable para circuitos
del t ipo S ample / Hol d, a mplificadores de f ijación r ápida. T amaño pequeño, es tabilidad media y larga
duración bajo carga.
Poliéster Metalizado / Lámina de Poliéster:
Valores:
0,001 a 100µF.
Rango de Voltaje:
superior a 1.500 VCC.
Factor de disipación:
1% (a 25ºC y 120 Hz.)
Rango de temperatura:
-55ºC a + 125ºC.
Notas: El poli carbonato es utilizado en la mayoría de las aplicaciones comunes. Resistencia a la humedad
y alta r esistencia de ai slamiento. T amaño pequeño, es tabilidad m edia y buena v ida út il baj o ca rga. La
capacidad varía ampliamente con l a temperatura. Las uni dades de l ámina gener almente son m ás bar atas
que l os tipos m etalizados. Los d e pel ícula de poli éster son comúnmente conocidos como Mylar, la cual es
una marca registrada de DuPont.
Lámina de poliéster:
Valores:
hasta 10µF.
Rango de Voltaje:
superior a 1.000 VCC.
Factor de disipación:
0,03% (a 25ºC y 120 Hz.)
Rango de temperatura:
-40ºC a + 85ºC.
Notas: Utilizados en temporizadores, integradores y circuitos sintonizados. Alta resistencia de aislamiento y
pequeños cambios en la capacidad con la temperatura. Excelente características de absorción dieléctrica.
Tamaño grande con excelente estabilidad y larga vida bajo carga.
Papel / Papel metalizado / lámina de papel:
Valores:
hasta 100µF.
Rango de Voltaje:
hasta 5.000 VCC.
Rango de temperatura:
-30ºC a + 100ºC.
Coeficiente de temperatura:
mayor a 4.500 ppm/ºC
Notas: Propósito general. Estabilidad media y buena vida bajo carga. Gran tamaño, bajo costo. Los de
papel m etalizado t ienen un r evestimiento de papel co n una del gada capa de zi nc o aluminio y son m ás
pequeños qu e l as uni dades de l ámina de metal. Sin embargo son propensos a r uptura d el di eléctrico. Las
unidades de lámina de papel se usan en aplicaciones de alto voltaje y alta corriente. Su factor de disipación
varía con la temperatura.
Lámina de polipropileno / polipropileno metalizado
Valores:
hasta 10µF.
Rango de Voltaje:
hasta 400 V CC y 270 V AC (unidades d e l ámina: 200 a 1. 600 V DC y
300 a 440 V AC).
Rango de temperatura:
-55ºC a + 105ºC.
Notas: unidades de lámina se usan en circuitos sintonizados, circuitos integrados, circuitos temporizadores
y circuitos de def lexión de T RC. Uni dades m etalizadas son usadas en ci rcuitos de bl oqueo de CC. A ptos
7
Departamento de Electrónica
Cátedra: Tecnología Electrónica
para alta frecuencia, alta resistencia de aislamiento, baja tolerancia, alta estabilidad y excelentes
características de absorción del dieléctrico.
Tipos menos comunes:
Poli sulfuro:
Similar a l os ca pacitores de pol i ca rbonato y poli pr opileno. Tamaño pequeño, r ango de t emperatura alt o
(hasta 1 50ºC), adecuado para a plicaciones de al ta f recuencia, al ta resistencia de ai slamiento. Excelentes
para al ta co rriente y
aplicaciones m ilitares. No r ecomendados en ci rcuitos del t ipo S ample / Ho ld,
amplificadores de fijación rápida.
Poli vinilo fluorado:
Considerado experimental. Tiene alta constante dieléctrica (4 a 12 veces la de los dispositivos de poliéster),
lo cual resulta en un capacitor de un tamaño muy pequeño. Estas unidades sufren cambios significativos en
su capacidad con la temperatura, sobre todo a bajas temperaturas.
Papel Poliéster Metalizado / lámina de papel poliéster:
La unidad de lámina tiene una pequeña mejoría en el factor de disipación con respecto a los tipos
metalizados. Operan a temperatura de –55ºC hasta 125ºC con voltajes de 240 a 600 Voltios CC.
Papel poli propileno:
Disponibles para voltajes desde 400 hasta 800 VAC. Operan a temperaturas de –40ºC hasta +80ºC.
Teflón / Kapton:
Tiene un r ango de temperatura de –55ºC a +250ºC co n un co eficiente de variación de t emperatura de
0,009%/ºC. El teflón tiene una muy baja absorción del dieléctrico lo que lo hace bueno para aplicaciones en
circuitos del tipo S ample / Hold. E stos ca pacitores son usados en apl icaciones especializadas t ales co mo
equipamiento de perforación de petróleo. Estos capacitores son de gran tamaño dado que el dieléctrico no
está disponible en láminas delgadas.
ELECTROLÍTICO DE ALUMINIO
Valores:
0.68 a 220.000 µF.
Tolerancia:
-10% a +75%.
Rango de Tensión:
superior a 350 Voltios.
Rango de temperatura:
-55ºC a +85ºC
Factor de disipación:
varía con la temperatura.
Coeficiente de temperatura:
varía con la temperatura.
Notas: Utilizado en filtros, aco plamiento y paso; en apl icaciones que r equieren gr andes v alores de
capacidad y este v alor puede e star por deb ajo del nom inal. La s uma del valor de t ensión al terna m ás el
valor de co ntinua apli cados nunca debe e xceder el valor par a CC especificado. M ayor t amaño que l os
electrolíticos de tantalio, pero más baratos. Existe una pérdida alrededor del 10% del valor nominal debido a
que el ectrodo de o xido de a luminio s e co mbina e lectroquimicamente co n el e lectrolito. Det erioros e n la
película de óxido requiere que el capacitor sea “re formado” después de su almacenamiento, para prevenir
fallas en el di eléctrico. E sto r equiere l a apl icación del voltaje es pecificado e n el ca pacitor por un p eriodo
igual o mayor a 30 minutos, para reestablecer el valor inicial de la corriente de fuga. Existen dispositivos de
8
Departamento de Electrónica
Cátedra: Tecnología Electrónica
4 terminales que ofrecen baja ESR e inductancia a alta frecuencia. Estas unidades se diseñan para uso en
fuentes de alimentación conmutadas.
ELECTROLÍTICO DE TANTALIO
Tipo Sólido:
Valores:
0,001 a1.000µF
Rango de Temperatura:
-55ºC a +85ºC
Rango de Tensión:
6 a 120 V CC.
Tolerancia:
5% a 20%.
Corriente de fuga:
varía con la temperatura.
Notas: Utilizados en apl icaciones de baj o voltaje de CC t ales como paso, aco plamiento y bloqueo. No s e
recomienda su uso en circuitos temporizadores del tipo RC, sistemas de disparo o redes de desplazamiento
de f ase debi do a l as ca racterísticas de ab sorción del di eléctrico. A ltas ca pacidades en pe queño v olumen
con ex celente vida út il. Los t ipos sólidos son poco sensibles a l a t emperatura y tiene m ejor ca racterística
capacidad –temperatura que cu alquier ot ra un idad elect rolítica. Por las características del d ieléctrico y su
alta co rriente de fugo no s on r ecomendables par a circuitos t emporizadores. E xcepto las uni dades n o
polarizadas, estos di spositivos no deben s er ex puestos a t ensiones de CC o pi cos de CA que e xcedan el
2% del valor de CC especificado. Para prevenir fallas por cortocircuito o por corriente de fuga cuando están
expuestos a grandes tensiones, se recomienda conectar un resistor en paralelo con cada unidad (shunt).
Tipos Chips:
Valores:
0,068 a100µF
Rango de Temperatura:
-55ºC a +125ºC
Rango de Tensión:
3 a 50 V CC.
Tolerancia:
5% a 20%.
Corriente de fuga:
varia con la temperatura.
Tipos no Sólidos:
Valores:
0,5 a1.200µF
Rango de Temperatura:
-55ºC a +85ºC
Rango de Tensión:
hasta 350 VCC.
Tolerancia:
-15% a 30% y 20%.
Corriente de fuga:
varía con la temperatura.
Notas: unidades de lámina polarizada se usan como paso o filtrado de CC pulsante de baja frecuencia. No
utilizable en circuitos temporizadores o de precisión debido a gran tolerancia. Grandes valores disponibles.
Picos de t ensiones al ternas y voltajes de CC apl icados n o debe n superar el v alor máximo es pecificado.
Utilizables hasta 200 KHz. Los de lámina no polarizada se usan en circuitos sintonizados de baja frecuencia
y en servo sistemas. Uni dades sinterizadas son u sadas en el f iltrado de fuentes de al imentación de baj o
voltaje y en aplicaciones de CC. No tolera tensiones inversas. La corriente de fuga es la menor de todos los
tipos de tantalio; no es apreciable por debajo de los 85ºC. Utilizable hasta frecuencias de 1 Mhz.
Vidrio:
9
Departamento de Electrónica
Cátedra: Tecnología Electrónica
Valores:
0.5 a 10.000 pF.
Tolerancia:
hasta 5%.
Rango de tensión:
100 a 500 V CC.
Rango de temperatura:
-55ºC a +125ºC.
Coeficiente de temperatura:
0 a 140 ppm/ºC.
Notas: alta resistencia de aislamiento, baja absorción del dieléctrico y coeficiente de temperatura constante.
Tiene un Q mucho mayor que l os di spositivos de mica. M uy buena r espuesta a al tas f recuencias, puede
operar en un r
ango d e 100 K Hz. Has ta 1G Hz. S oporta co ndiciones s everas del a mbiente per o es
susceptible a pequeños golpes, debe ser montad con cuidado.
Mica:
Valores:
1 a 0,1 µF.
Rango de tensión:
100 a 2.500 VCC.
Rango de temperatura:
-55ºC a +150ºC.
Coeficiente de temperatura:
-20 a +100 y 0 a +70 ppm/ºC.
Chips de Mica:
Valores:
1 a 10.000 pF.
Rango de tensión:
hasta 500 VCC.
Notas: usado en t emporizadores, os ciladores, ci rcuitos s intonizados y cuando e s r equerido un f iltrado
preciso en alta frecuencia. Su capacidad e impedancia son muy estables, y las características de capacidad
son m uy buenas a f recuencias de 10 K hz. Ha sta 500 M hz. Lo s dispositivos que ut ilizan pl ata en su
construcción son susceptibles a la migración del ión plata, produciendo corto circuitos. Pueden ocurrir fallas
en una s pocas hor as si l os ca pacitores están ex puestos a f uertes t ensiones de CC, hum edad y alta
temperatura.
Capacitores “Trimmer”
Valores: rango de 0,25 a 1pF y 1 a 120 pF.
Vidrio / Cuarzo: baja pérdida, alto Q y alta estabilidad para aplicaciones de sintonía. Rango de frecuencia
hasta 300 MHz.
Zafiro: alto nivel de respuesta entre 1 y 5 GHz.
Plástico: unidades de alto grado pueden operar hasta 2 GHz.
Cerámicos: tamaño pequeño, uni dades d e un solo gi ro, su v alor de ca pacidad m áximo es de 100 pF. Su
capacidad cambia con la temperatura.
Aire: Excelentes características en la bande de UHF, desde 300 MHz. Hasta 1 GHz.
Mica: tiene un amplio rango de capacidades y manejo de corrientes relativamente altas.
Vació / Gas: Usado par a aplicaciones de al to voltaje. V alores des de 5 a 3. 00 pF , con rango de t ensión
desde 2 a 30 Kvoltios (CC).
10
Departamento de Electrónica
Cátedra: Tecnología Electrónica
Bibliografía:
1. Harper, Charles A. Handbook of Components for Electronics. [ed.] Har old B. C rawford y Ruyh Weine.
s.l. : MacGraw-Hill, Inc., 1977. págs. 7-20 - 7-101. ISBN 0-07-026682-4.
2. Kaiser, Cletus J. The Capacitor HandBook. Segunda E dición. Olathe : CJ Publishing, 1995. ISBN: 0 9628525-3-8.
3. Savant, Jr., C. J., Roden, Martin S. and Carpenter, Gordon L. Diseño Electrónico. [trans.] Gonzalo I.
Duchén Sánchez. Segunda Edición. Wilmington : Addison-Wesley Iberoamericana, S.A. de C. V., 1992, pp.
363-364.
11
Suntan
HIGH TEMPERATURE ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR-105℃
®
FEATU R E S
TS14
‧ Wide temperature range, long life:
105℃ 2000 hours
‧ Miniature and low impedance
 Specifications
I
T
E
M
S P E R F O R M A N C E
C H A R A C T E R I S T I C S
-40~+105
6.3~100
Operating Temperature Range(℃)
Rated Voltage Range (V)
Capacitance Tolerance (25℃,
120Hz)
-40~+105
160~400
±20%
CV≤1000: 0.1CV+40 (at 25℃, after 1 minute)
0.01CV or 3 whichever is greater. (at 25℃, after 2 minutes)
Leakage current (μA)
C: Nominal Capacitance (μF)
Dissipation Factor (25℃,
120Hz)
CV>1000: 0.04CV+100 (at 25℃, after 1 minute)
V: Rated Voltage (V)
Rated voltage (V)
6.3
10
16
25
35
50
63
100
160
200
250
315
350
Tan δ
0.22 0.19 0.16 0.14 0.12 0.10 0.09 0.08 0.15 0.15 0.15 0.20 0.20
When nominal capacitance is over 1000μF tanδ shall be added 0.02 to the listed value with increase of every 1000μF
Rated voltage (V)
Z-25℃ / Z+20℃
Impedance Ratio
Z-40℃ / Z+20℃
6.3
4
8
10
3
6
16
25
35
50
63
400
0.20
100
2
4
3
Temperature Stability (120Hz)
Rated voltage (V)
Impedance Ratio
Time
Leakage current
Capacitance Change
Dissipation Factor
Load Life (105℃)
Shelf Life (105℃)
160~250
Z-25℃ / Z+20℃
Z-40℃ / Z+20℃
315~400
3
8
6
2000 hours (ØD ≤ 8, 1000 hours)
Not more than the specified value.
Within ±20% of the initial value.
Not more than 200% of the specified value.
1000 hours, No voltage applied. After test: UR to be applied for 30 minutes, 24 to 48 hours before measurement.
 Dimensions
mm
 Multiplier for ripple current
Frequency coefficient
Freq(Hz)
Rated
Voltage(V)
6.3~100
160~400
ΦD
F
Φd
a
5
2.0
6.3
2.5
0.5
8
3.5
10
12.5
5.0
0.6
1.0
Suntan® Technology Company Limited
16
18
7.5
0.8
L<16:1.0
L≥16:2.0
Website: www.suntan.com.hk
50
120
1K
10K
100K
0.1~4.7
--
0.4
0.7
0.8
1.0
10~47
--
0.5
0.8
0.9
1.0
100~220
--
0.7
0.9
0.9
1.0
Cap (μF)
330~1000
--
0.8
0.9
1.0
1.0
2200~15000
--
0.9
1.0
1.0
1.0
0.47~220
0.8
1.0
1.3
1.4
1.6
Temperature coefficient
Temperature (℃)
+70
+85
+105
6.3~100
2.0
1.7
1.0
160~400
1.8
1.4
1.0
Rated Voltage (V)
Email: [email protected]
Tel: (852) 8202 8782
Fax: (852) 8208 6246
Suntan
HIGH TEMPERATURE ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR-105℃
®
TS14
 STANDARD RATINGS Ripple Current: 105℃, 120H
10
WV
Cap(μF)
2.2
10
15
22
16
25
35
50
63
Size
(mm)
ØDxL
Ripple
Current
mArms
Size
(mm)
ØDxL
Ripple
Current
mArms
Size
(mm)
ØDxL
Ripple
Current
mArms
Size
(mm)
ØDxL
Ripple
Current
mArms
Size
(mm)
ØDxL
Ripple
Current
mArms
Size
(mm)
ØDxL
Ripple
Current
mArms
-----
-----
-----
-----
--
--
-105
-120
130
150
220
5x11
5x11
5x11
5x11
35
82
100
125
---6x12
---130
6x11
195
6x12
160
6x11
245
8x12
8x14
10x12
305
370
385
33
--
--
--
--
47
--
--
130
5x11
180
130
200
220
5x11
100
5x11
5x11
6x11
-5x11
-5x11
5x11
6x11
6x11
6x11
220
6x11
214
8x12
385
220
5x11
6x11
200
220
6x11
260
8x12
315
8x12
440
10x12
500
10x16
500
330
6x12
240
8x12
315
8x12
480
8x16
542
10x16
670
10x20
12x20
610
660
470
6x12
8x12
280
315
8x12
450
664
875
895
1100
12.5x25
850
--
535
520
780
10x15
--
8x16
8x14
10x12
1500
1800
8x16
8x14
8x12
---
515
500
495
---
2200
10x20
980
680
1000
10x17
790
980
-1020
1200
-1600
1740
2050
10x20
900
10x20
12.5x20
13x21
16x25
1210
13x20
12x20
1210
1210
13x26
16x25
1350
1495
16x30
1430
16x20
--
1685
--
---
---
---
---
16x26
1950
16x35
2190
18x40
1900
-2810
2650
--
--
--
--
--
--
--
Size
(mm)
ØDxL
Ripple
Current
mArms
--
--
--10x12
16x25
-16x25
-------
--123
226
-304
-------
10x20
996
13x20
12x25
16x26
16x26
1350
1660
1740
1880
--
--
16x26
2030
16x35
2460
18x30
2580
18x40
2990
-18x40
18x35
--
Size
(mm)
ØDxL
Ripple
Current
mArms
10x20
10x13
10x15
-10x20
12.5x20
12x25
-19x35
-------
40
35
36
-71
123
175
-361
-------
2700
--
--
3300
12x20
1250
4700
12x26
1600
10x20
-10x20
12x20
-12x25
16x25
16x26
Size
(mm)
ØDxL
Ripple
Current
mArms
Size
(mm)
ØDxL
Ripple
Current
mArms
Size
(mm)
ØDxL
Ripple
Current
mArms
Size
(mm)
ØDxL
Ripple
Current
mArms
--
--
5x12
26
5x12
22
6x12
30
-5x11
6x11
6x11
8x12
10x12
10x20
12.5x25
16x25
16x25
16x35
18x40
-75
110
130
180
230
370
620
750
1000
1350
1850
-6x12
8x12
10x12
10x16
10x20
12x25
16x30
18x35
-22x45
--
-48
81
135
170
215
295
500
980
-1800
--
-8x12
10x12
10x20
12x20
12x20
16x25
18x35
-----
-50
80
135
180
220
350
525
-----
8x12
8x12
10x16
12x20
12x25
12x25
16x30
18x40
-----
43
50
90
155
190
225
340
2120
-----
100
WV
Cap(μF)
2.2
3.3
4.7
10
22
33
47
100
220
330
470
680
1000
160
200
250
400
450
Note: Specification are subject to change without notice. For more detail and update, please visit our website.
Suntan® Technology Company Limited
Website: www.suntan.com.hk
Email: [email protected]
Tel: (852) 8202 8782
Fax: (852) 8208 6246