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PR 194-2016/ROHM
ROHM Semiconductor presenta nuevos niveles de
eficiencia con la 3ª generación de tecnología SiC
MOSFET de SiC, diodos Schottky de SiC y módulos de SiC:
estructuras avanzadas que aumentan la densidad de
potencia, la fiabilidad y la eficiencia energética
Willich-Münchheide/Múnich (Alemania), 8 de noviembre de 2016 – En la
principal feria mundial del sector electrónico, electronica de Múnich (8-11 de
noviembre
de
2016/Pabellón
A5-Stand
542)
ROHM
Semiconductor
presentará su 3ª generación de MOSFET de SiC, diodos Schottky de SiC y
módulos de SiC. Los nuevos dispositivos cubren con éxito las necesidades de
suministro eficiente de energía y son soluciones clave para reducir las pérdidas
durante la conversión de potencia. ROHM, compañía pionera en el desarrollo de
SiC, fue la primera en producir con éxito de forma masiva MOSFET de SiC en
2010 y continúa liderando la industria en el desarrollo de productos que tratan
de reducir aún más las pérdidas de potencia.
3ª generación de MOSFET de SiC
ROHM está produciendo actualmente de forma masiva los primeros MOSFET de
SiC de tipo zanja del mercado. La nueva generación de MOSFET de SiC de ROHM
reduce la resistencia en conducción en un 50% en todo el rango de temperatura
y la capacidad de entrada en un 35% para un chip del mismo tamaño si se
compara con los MOSFET de SiC de puerta plana. Sus óptimas prestaciones se
consiguen al combinar bajas pérdidas y conmutación a alta velocidad. Esto
disminuye el tamaño de componentes periféricos como bobinas y condensadores
gracias a la mayor frecuencia de conmutación. Como resultado de ello se mejora
la eficiencia de conversión, lo cual ayuda a la miniaturización, la reducción de
peso y la mayor eficiencia energética. Los nuevos MOSFET de SiC de 1200V de
la serie SCT3080KL en encapsulado TO-247 son un ejemplo perfecto.
Catálogo de MOSFET de SiC de 3ª generación
650V
Referencia 17mΩ 22mΩ 30mΩ 60mΩ 80mΩ 120mΩ
TO-247
SCT3xxxAL ✔
1200V
Referencia 22mΩ 30mΩ 40mΩ 80mΩ 160mΩ
TO-247
SCT3xxxKL
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ROHM ofrecerá además MOSFET de SiC homologados por AECQ y basados en la
serie plana de 2ª generación.
Diodos Schottky de SiC de 3ª generación
La 3ª generación de diodos Schottky de SiC consigue la tensión directa (VF) más
baja y la corriente inversa de fuga (lR) más baja para todo el rango de
temperatura entre todos los diodos Schottky de SiC actualmente disponibles en
el
mercado.
Además
se
caracterizan
por
su
capacidad
para
manejar
sobrecorrientes elevadas, lo cual es ideal para aplicaciones en fuentes de
alimentación.
Junto
a
los
dispositivos
TO220AC
de
650V/6,
8
y
10A
recientemente anunciados, ROHM añadirá dispositivos D2PAK y TO220FM que
también añaden opciones de menor corriente de 2A y 4A a esta familia.
Los diodos de SiC ofrecen un tiempo de recuperación inversa extremadamente
corto si se compara con los dispositivos basados en silicio, lo cual hace que sean
ideales para conmutación a alta velocidad.
En general, estas características contribuyen a la continua tendencia en aumento
de la eficiencia, la densidad de potencia y la robustez en los diseños.
Catálogo de diodos Schottky de 3ª generación
Módulos de SiC completos de tipo troceador (chopper)
Los nuevos módulos de SiC completos de ROHM, incluyendo los módulos de tipo
troceador (chopper) para convertidores, integran MOSFET de SiC de zanja y
diodos Schottky de SiC producidos de forma masiva. Además de los módulos de
tipo 2 en 1 se han preparado módulos de tipo troceador de 1200V/120A, 180A y
300A para cubrir los requisitos del mercado. ROHM también está trabajando en
un nuevo módulo de potencia con una inductancia parásita más baja.
Catálogo de módulos de SiC
For more information visit www.rohm.com/web/eu/electronica-2016
Para más información sobre ROHM en electronica visite
http://www.rohm.com/web/eu/electronica-2016
Acerca de ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor es una compañía global con una facturación de 352.397
millones de yenes (3.300 millones de dólares) a 31 de marzo de 2016 y con
21.171 empleados. ROHM Semiconductor desarrolla y fabrica una gama muy
amplia de productos, desde microcontroladores de consumo ultrabajo, gestión
de alimentación, CI estándar, diodos MOSFET y módulos de SiC, transistores y
diodos de potencia hasta LED y componentes pasivos como resistencias,
condensadores de tantalio y visualizadores LED, así como cabezales de
impresión térmica. El grupo cuenta con plantas de fabricación avanzadas en
Japón, Corea, Malasia, Tailandia, Filipinas, China y Europa.
LAPIS Semiconductor (antes OKI Semiconductor), SiCrystal AG, Kionix y
Powervation Ltd. son compañías del ROHM Semiconductor Group.
ROHM Semiconductor Europe tiene su sede central cerca de Dusseldorf y cubre
la región EMEA (Europa, Oriente Medio y África). Para mayor información por
favor visite www.rohm.com/eu
Información de contacto:
ROHM Semiconductor GmbH
Media Department
Karl-Arnold-Str. 15
D-47877 Willich-Münchheide
Germany
Tel.: +49 2154 921 0
Fax: +49 2154 921450
E-mail: [email protected]
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Evelyn Stepken
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D-81737 Munich
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Fax: +49 89 673 461-55
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Pie de foto:
ROHM Semiconductor presenta nuevos niveles de eficiencia con la 3ª generación de
tecnología SiC