Download Figura 8.5. Repres. de Arrhenius de la σ para un semiconductor

Figura 8.1. Representación de la estructura de bandas de
energía en sólidos a la separación interatómica de equilibrio
Figura 8.5. Repres. de Arrhenius de la σ
para un semiconductor extrínseco tipo n
Figura 8.2. Diagrama de bandas para metales (a,b), aislantes (c) y semiconductores (d)
Figura 8.9. Variación del campo
crítico, HC, con T para un supercon.
Figura 8.3. Esquema de un
termopar
Figura 8.6. (a) Esquema de una unión
tipo p-n (b) y (c) bajo c.a.
Figura 8.10. Variación de
magnetización, M, con el campo
magnético externo H
Figura 8.4 (a). Diagrama de bandas de un
semiconductor extrínseco tipo n
Figura 8.7. Esquema de un transistor de unión
bipolar pnp
Figura 8.4 (b). Diagrama de bandas de un semiconductor
extrínseco tipo p
Figura 8.8. ρ vs T para un superconductor
y un metal no superconductor
Figura 7.11. V frente a JC,
característica de los varistores
Figura 8.13. Estructura de un varistor
de ZnO
Figura 8.14. ρ vs T para
un termistor PTCR
Figura 8.12. Ejemplos de aplicaciones de varistores para eliminar (reducir) picos de sobrevoltaje
Figura 8.15. Condensador de placas 
Figura 8.17(b). Ciclo de histéresis ferro-
Figura 8.17(a). Celda unidad y proyección de la estructura del
BaTiO3 mostrando el dipolo permanente
Figura 8.16. Espectro de
frecuencias de la permitividad
mostrando los diferentes tipos
de mecanismo de relajación
eléctrico típico mostrando los domínios en
función del campo electrico aplicado (E)
Figura 8.18. Transductor
ultrasónico basado en un
material piezoeléctrico
Figura 8.19. CL de ésteres de colesterilo
Figura 8.21. Vidrios constituidos por CL
Figura 8.20. Tipos de mesofases de CL: (a) nemática,
(b) colestérica, (c) esmética-A, (d) esmética-C