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UAI – EES2 – Mario Nuñez – 2008
TRANSISTORES BIPOLARES (BJT)
Su estructura está formada por dos uniones muy próximas, estas uniones
pueden ser n-p-n o p-n-p, la zona central es de un espesor muy delgado.
Existen 3 semiconductores, la base, el colector y el emisor, que están
conectados al circuito exterior, por lo tanto es un circuito de tres patas, en la
cual una de las tres es compartida.
En un transistor del tipo p-n-p, el emisor (p), está fuertemente dopado, y su
función es emitir portadoras hacia el siguiente semiconductor, la base (n), que
está apenas dopado y con un muy pequeño espesor. En el otro extremo se
encuentra el colector (p), quien es el que colecta (o recibe) todos los
portadores emitidos.
En cambio en un transistor del tipo n-p-n, el emisor (n), emite portadoras que
fueron recibidas desde la base (p) hacia afuera.
Esquema básico de un transistor p-n-p
Algunas propiedades interesantes:
1. Sobre las tensiones
 Vb – Vc = Vbc = - Vcb O sea las corrientes circulan en un solo
sentido
 Vc – Ve = Vce = - Vec
 Ve – Vb = Veb = - Vbe
 Etc…
2. Todas las corrientes que entran al componente son positivas. De acuerdo
a las leyes de Kirchhoff, entonces:
 Vbc + Vce + Veb = 0
 Ib + Ic + Ie = 0
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Símbolo de un transistor n-p-n
Configuración de Base Común
En éste tipo de conexiones, ambos circuitos comparten la pata correspondiente
a la base, y basándonos en un transistor de tipo n-p-n (como el símbolo de
arriba), la parte “p” debe estar conectado a un mayor potencial que el lado “n”,
para la unión emisor-base (polarizada en directo), mientras que la otra unión se
encuentra en inversa, en este caso se puede decir que la región de trabajo es
“activa”.
Se puede decir que la inyección de portadores minoritarios a ambos lados de la
unión es muy importante del lado de la base, y casi nulo del lado del emisor.
Los electrones inyectados a la base (debido a su bajo dopaje) llegan hasta la
misma sin recombinarse, en un orden del 99%, al alcanzar esta posición son
impulsados hacia el colector. El 1% restante se dirige hacia el emisor.
En el campo eléctrico de la zona del emisor (zona muy conductora), no hay
(casi) caída de potencial, porque es un semi-conductor muy dopado o sea que
tiene características similares a las de un metal.
Para un transistor en la región activa, la cantidad de portadores que alcanzan el
colector y con ello, la intensidad de corriente de ese terminal Ic, está
determinada por el proceso de difusión a través de la base, a su vez
influenciado por Veb y no por la diferencia de potencial Vbc.
Circuito
Datos:
 Transistor tipo n-p-n
 Tipo de circuito (que pata del transistor comparte) base común
 Como está trabajando el transistor
o Estado 1
o Estado 2
o Estado 3
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Estado 1
El Emisor está conectado en Directa y el Colector en Inversa, por lo tanto su
Región de trabajo es Activa (o normal).
Estado 2
El Emisor está conectado en Directa y también el Colector, por lo tanto el
transistor está saturado de corriente (la tensión entre el colector y el emisor,
Vce es cero)
Estado 3
El Emisor y el Colector están conectados ambos en Inversa, por lo tanto la
Región de trabajo es Corte (la intensidad de la base, Ib es cero)