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APELLIDOS: NOMBRE: FÍSICA-1 (1ª PARTE); FEBRERO 2001 No desgrapar las hojas Contestar en la casilla correspondiente CUESTIONES (3 puntos): 1.- Hallar la caída de tensión VAB entre los extremos de la fuente de intensidad en régimen estacionario. A 1 k 0,1A 6V B 5V 5 nH 40 F 1 k VAB= 2.- Calcular el equivalente de Thevenin en régimen estacionario entre los puntos A y B del siguiente circuito 3 k 7 k 1 k A 20 F 20 V VOUT 40 F 5 k B ETH= RTH= 3.- Para el bloque semiconductor tipo P dopado con Boro descrito en la figura, se sabe que la resistividad es de 10 ·cm. Se pide calcular la concentración de impurezas en at/cm3. 1 mm 2 10 mm DATOS: Despreciar el efecto de los portadores minoritarios Movilidad de los huecos: 480 cm2/(V·s) Carga del electrón: 1.6x10-19 C NA = 4.- El fotodiodo de la figura tiene una sensibilidad de 10nA/lx. Calcular el valor de resistencia necesaria para obtener una tensión de salida de 10 V cuando se aplica una iluminación de intensidad 500 lx. 15 V R VOUT R= 5.- En el circuito de la figura calcular el valor máximo de la resistencia R admisible para que el transistor opere en la región de saturación. Datos: K=1 mA/V2; VTH = 1 V Ecuaciones del transistor: V Región triodo: I D 2K(VGS VTH DS )VDS 2 Región de saturación: I D K (VGS VTH ) 2 VDD = 5 V R R= 6.- En el circuito de la figura, calcular la tensión de salida VOUT 10 V 2,4 k + 15 k 600 VOUT = VOUT Ejercicio 1: Dado el circuito de la figura, al que se ha conectado una señal de entrada vi en forma de diente de sierra, dibujar la forma de onda V o entre los puntos A y B en los supuestos siguientes: 1) No hay ninguna carga conectada entre los puntos A y B 2) Se conecta una carga RL=2k entre los puntos A y B Calcular para ambos casos (con carga y sin carga) las corrientes máximas que circularán por cada uno de los diodos Zener (Z1 y Z2). R A Z1 Vo Z2 B Datos: R=2 k VZ1=30 V VZ2=40 V NOTA: Dibujar las respuestas de los apartados 1) y 2) en los diagramas que se encuentran en la siguiente página. Se permite despreciar la caida de tensión en directa de los Zenner 100 80 60 40 20 -20 -40 -80 -100 Solución Apartado 1 100 80 60 40 20 -20 -40 -80 -100 Solución Apartado 2 100 80 60 40 20 -20 -40 -80 -100 Sin carga Con carga IZ1 max = IZ1 max = IZ2 max = IZ2 max = Ejercicio 2: En el circuito de la figura: + 2 k 10 mW/cm2 10 V BPX71 - Calcular la corriente que atravesará el transistor BPX71 cuando se ilumine con una luz de 10 mW/cm2. Las curvas características del dispositivo BPX71 se muestran en la siguiente gráfica. Intensidad= APELLIDOS: NOMBRE: FÍSICA-1 (2ª PARTE); FEBRERO 2001 No desgrapar las hojas Contestar en la casilla correspondiente E Ejercicio 3: En el circuito de la figura calcular: a) El valor de la resistencia RE necesaria para obtener una corriente IC2 igual a 1.25 mA, RA IC2 RB suponiendo que ambos transistores son iguales, se encuentran térmicamente acoplados y operan en RAN. Para la resolución emplear el modelo Q1 de Ebers-Moll. Despreciar las corrientes de base Q2 frente a las corrientes de colector. b) El rango de valores de RB para los que el RE circuito de la figura actúa como espejo de corrientes. Datos: E = 10V; RA = 1 k; VT= 0.025 V; IS = 1x10-15 A; F = 0.99; R = 0.2; F = 100; R = 0.25 Modelo de Ebers-Moll: I IE S F VBC VVBE e T 1 I e VT 1 S VVBE I I C I S e T 1 S R I IB S F RE = VVBE e T 1 I S R Rango RB: VVBC e T 1 VVBC e T 1 Ejercicio 4: En el circuito de la figura calcular: a) El punto de operación (VDS, ID) e indicar la región de funcionamiento del transistor. b) La ganancia en tensión y resistencia de entrada cuando RP = 0 . c) La ganancia en tensión y resistencia de entrada en función del valor del potenciómetro RP. Datos: Vdd = 15 V; IDSS = 10 mA; VP = -5 V Región Triodo: I D 2I DSS VP2 VDS VGS VP 2 VDS 2 V 2I Región de Saturación: I D I DSS 1 GS ; g m DSS VP VP VGS 1 VP a) Punto de operación b) RP = 0 c) RP > 0 ID = Ganancia = Ganancia= VDS = RIN = RIN