Download Congreso Nacional del XIV Verano de la Investigación Científica del

XIX Verano de la Investigación Científica y Tecnológica del Pacífico
ESTUDIO DE PELICULAS DELGADAS DE Ga2O3 E In2O3 OBTENIDAS POR EL
METODO DE ABLASION LASER (PLD) PARA APLICACIONES DE
ELECTRÓNICA FLEXIBLE.
Maira Beatriz Pérez Sosa, Unidad Profesional Interdisciplinaria en Ingeniería y Tecnologías
Avanzadas del Instituto Politécnico Nacional, [email protected], Karla Stephanie Diaz
Bayo, Universidad Politécnica del Valle de México* Departamento de Ingeniería en
Nanotecnología*, [email protected], Dr. Manuel Quevedo López University of
Texas at Dallas, [email protected]
PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA
La electrónica flexible posee un campo de aplicación muy amplio que requiere un
conocimiento multidisciplinario avanzado en las áreas que la componen. Pese a los
avances existentes, aún se necesita el desarrollo de elementos integrantes
electrónicos. Por tal motivo, el presente trabajo estudia el efecto de la presión de
oxígeno en las propiedades morfológicas, estructurales, eléctricas y ópticas de
películas delgadas de óxido de indio y oxido de galio, depositadas por la técnica de
ablación laser (PLD por sus siglas en ingles) para su posible aplicación como capa
activa en transistores de capa delgada (TFTs por sus siglas en ingles).
METODOLOGÍA
Se eligió el método de ablación laser (PLD: Pulse Laser Deposition) para efectuar
el depósito de las películas. Se utilizaran los blancos (material fuente) de óxido de
indio (In2O3) y oxido de galio (Ga2O3) con un pureza de 99.99%, diámetro y espesor
de 1” y 0.25”, respectivamente. Los depósitos se realizaron a temperatura ambiente,
en una atmosfera reactiva de oxígeno, utilizando 15,000 pulsos (para mantener fijo
el espesor de las película) y una densidad de energía de 0.95 mJ/cm2. Las presiones
a estudiar son 0.01, 0.1, 1, 10 y 100 mTorr. Se realizó una revisión literaria en
búsqueda de las diversas técnicas de caracterización que nos ayuden a evaluar las
propiedades estructurales, morfológicas, ópticas y eléctricas de las películas y que
además estén disponibles en la Universidad de Texas en Dallas. De esta revisión,
se decidió utilizar como sustratos SiO2 y vidrio.
Las técnicas de caracterización seleccionadas fueron:
a) Propiedades estructurales y morfológicas: microscopia electrónica de barrido (SEM),
Difracción de rayos X (XRD), microscopia de fuerza atómica (AFM), Espectroscopia de
rayos X (XPS), Espectroscopia Raman, Espectroscopia de infrarrojo (FTIR)
b) Propiedades ópticas: Espectroscopia ultravioleta-visible (UV-vis
c) Propiedades eléctricas: Efecto Hall utilizando la geometría de Van Der Pauw y prueba
de 4 puntas
CONCLUSIONES
La presente investigación no está concluida aún; sin embargo, se pretende que los
resultados obtenidos sirvan para analizar cómo influye la presión durante el depósito
en las propiedades estructurales, morfológicas, ópticas y eléctricas. Para ello a cada
muestra se caracterizará por medio de las técnicas mencionadas anteriormente y
se hará un análisis acerca la información obtenida por medio de estas.
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Pacífico
Agosto 2014