• Aprenderly
  • Explore
    • Ciencia
    • Ciencias sociales
    • Historia
    • Ingeniería
    • Matemáticas
    • Negocio
    • Numeración de las artes

    Top subcategories

    • Advanced Math
    • Estadísticas y Probabilidades
    • Geometría
    • Trigonometry
    • Álgebra
    • other →

    Top subcategories

    • Astronomía
    • Biología
    • Ciencias ambientales
    • Ciencias de la Tierra
    • Física
    • Medicina
    • Química
    • other →

    Top subcategories

    • Antropología
    • Psicología
    • Sociología
    • other →

    Top subcategories

    • Economía
    • other →

    Top subcategories

    • Ciencias de la computación
    • Diseño web
    • Ingeniería eléctrica
    • other →

    Top subcategories

    • Arquitectura
    • Artes escénicas
    • Ciencias de la religión
    • Comunicación
    • Escritura
    • Filosofía
    • Música
    • other →

    Top subcategories

    • Edad Antigua
    • Historia de Europa
    • Historia de los Estados Unidos de América
    • Historia universal
    • other →
 
Sign in Sign up
Upload
Planilla Nr 9 : Interruptor Contactor para Motores
Planilla Nr 9 : Interruptor Contactor para Motores

MEDICION DE β DE UN TRANSISTOR TBJ β de un transistor es la
MEDICION DE β DE UN TRANSISTOR TBJ β de un transistor es la

2N3904 MMBT3904 PZT3904
2N3904 MMBT3904 PZT3904

circuitos de polarización del transistor en emisor común
circuitos de polarización del transistor en emisor común

2 - TecnoEdu
2 - TecnoEdu

(TRANSISTORES BJT Y FET) 1) Hallar el punto de polarización del
(TRANSISTORES BJT Y FET) 1) Hallar el punto de polarización del

curso: semiconductores unidad 3: el transistor - teoría
curso: semiconductores unidad 3: el transistor - teoría

Nota 2
Nota 2

Tema 2. Dispositivos de potencia - OCW
Tema 2. Dispositivos de potencia - OCW

TP4 - Transistores
TP4 - Transistores

Fault Detection Circuit Based on IGBT Gate Signal - RevistaIEEE-AL
Fault Detection Circuit Based on IGBT Gate Signal - RevistaIEEE-AL

El Sensor Óptico reflexivo con salida a Transistor Descripción
El Sensor Óptico reflexivo con salida a Transistor Descripción

Especificaciones y Disipación de Potencia del Transistor de
Especificaciones y Disipación de Potencia del Transistor de

TRABAJO PRÁCTICO NÚMERO 4: Transistores Estudio
TRABAJO PRÁCTICO NÚMERO 4: Transistores Estudio

Polarización del transistor Bipolar1.
Polarización del transistor Bipolar1.

DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS DE TRES TERMINALES (8
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS DE TRES TERMINALES (8

Transistores Bipolares
Transistores Bipolares

Diapositiva 1
Diapositiva 1

BJTs de potencia Definiciones BJTs de potencia
BJTs de potencia Definiciones BJTs de potencia

PTC NTC
PTC NTC

TRANSISTORES CLASIFICACIÓN
TRANSISTORES CLASIFICACIÓN

INSTITUTO DE EDUCACIÓN SUPERIOR TECNOLOGICO PÚBLICO
INSTITUTO DE EDUCACIÓN SUPERIOR TECNOLOGICO PÚBLICO

Polarización del Transistor de Unión Bipolar (BJT)
Polarización del Transistor de Unión Bipolar (BJT)

Polarización del transistor Bipolar2.
Polarización del transistor Bipolar2.

< 1 2

Área de operación segura



Para los dispositivos semiconductores de potencia (como BJT, MOSFET, tiristor o Transistor IGBT), el área de operación segura (en inglés, Safe Operating Area , SOA), se define como la tensión y actuales condiciones sobre las cuales se puede esperar que el dispositivo funcione sin auto-daño.El SOA se refleja generalmente en las hojas de datos del transistor como un gráfico con VCE (tensión de colector-emisor) en el eje de abscisas y ICE (corriente colector-emisor) en el eje de ordenadas; la 'zona' segura se refiere al área bajo la curva. La especificación SOA combina las diversas limitaciones del dispositivo - máxima tensión, corriente, potencia, temperatura de la unión, segunda ruptura - en una curva, lo que permite el diseño simplificado de los circuitos de protección.A menudo, además de la valoración continua, se establecen curvas SOA separadas para condiciones de corta duración del pulso (pulso de 1 ms, pulso de 10 ms, etc.).La curva del área de operación segura es una representación gráfica de la capacidad de manejo de potencia del dispositivo en diversas condiciones. La curva de la SOA tiene en cuenta la capacidad de portadora del enlace por hilo, la temperatura de la unión del transistor, la disipación de la corriente interna y las limitaciones de descomposiciónes secundarias.
El centro de tesis, documentos, publicaciones y recursos educativos más amplio de la Red.
  • aprenderly.com © 2025
  • GDPR
  • Privacy
  • Terms
  • Report