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2N3904 / MMBT3904 / PZT3904
2N3904
MMBT3904
C
E
C
B
TO-92
SOT-23
E
B
Marca: 1A
PZT3904
C
E
C
B
SOT-223
Amplificador NPN de propósito general
Este dispositivo está diseñado a modo de amplificador y enchufe de propósito general.
El margen dinámico útil se extiende a 100 mA en el caso del enchufe y a 100 MHz en
el caso del amplificador. Fuente obtenida de Process 23.
Especificaciones máximas absolutas*
Símbolo
TA = 25°C si no hay contraindicación
Parámetro
Valor
Unidades
VCEO
Tensión colector-emisor
40
V
VCBO
Tensión colector-base
60
V
VEBO
Tensión emisor-base
6,0
V
200
mA
-55 to +150
°C
IC
Corriente del colector - c ontínua
TJ, Tstg
Margen de temperaturas de la conexión de almacenamiento y funcionamiento
*Estos valores son limitados y sobrepasarlos puede afectar a la capacidad de servicio de cualquier dispositivo semiconductor.
NOTAS:
1) Estos valores límite se basan en una temperatura máxima de conexión de 150 grados centígrados.
2) Estos límites son de régimen permanente. Se debería consultar a la fábrica acerca de las aplicaciones que implican funcionamientos pulsados o ciclos de
utilización reducidos.
 1997 Fairchild Semiconductor Corporation
(continuación)
Características eléctricas
Símbolo
TA = 25°C si no hay contraindicación
Parámetro
Condiciones de prueba
Mín.
Máx. Unidades
CARACTERÍSTICAS DE DESCONEXIÓN
V(BR)CEO
Tensión de ruptura colector-emisor
IC = 1,0 mA, IB = 0
40
V
V(BR)CBO
Tensión de ruptura colector-base
IC = 10 µA, IE = 0
60
V
V(BR)EBO
Tensión de ruptura emisor-base
IE = 10 µA, IC = 0
6,0
IBL
Corriente de corte de la base
VCE = 30 V, VEB = 0
50
nA
ICEX
Corriente de corte del colector
VCE = 30 V, VEB = 0
50
nA
V
CARACTERÍSTICAS DE CONEXIÓN*
hFE
Ganancia de corriente contínua
VCE(sat)
Tensión de saturación colector-emisor
VBE(sat)
Tensión de saturación base-emisor
IC = 0,1 mA, VCE = 1,0 V
IC = 1,0 mA, VCE = 1,0 V
IC = 10 mA, VCE = 1,0 V
IC = 50 mA, VCE = 1,0 V
IC = 100 mA, VCE = 1,0 V
IC = 10 mA, IB = 1,0 mA
IC = 50 mA, IB = 5,0 mA
IC = 10 mA, IB = 1,0 mA
IC = 50 mA, IB = 5,0 mA
40
70
100
60
30
0,65
300
0.2
0.3
0,85
0,95
V
V
V
V
CARACTERÍSTICAS DE PEQUEÑA SEÑAL
fT
Producto de corriente -- ganancia -ancho de banda
Cobo
Capacitancia de salida
Cibo
Capacitancia de entrada
NF
Figura de ruido (excepto MMPQ3904)
IC = 10 mA, VCE = 20 V,
f = 100 MHz
VCB = 5,0 V, IE = 0,
f = 1,0 MHz
VEB = 0,5 V, IC = 0,
f = 1,0 MHz
IC = 100 µA, VCE = 5,0 V,
RS =1,0kΩ, f=10 Hz to 15,7 kHz
300
MHz
4,0
pF
8,0
pF
5,0
dB
35
ns
ns
CARACTERÍSTICAS DE CONMUTACIÓN (excepto MMPQ3904)
td
Tiempo de retardo
VCC = 3,0 V, VBE = 0,5 V,
tr
Tiempo de subida
IC = 10 mA, IB1 = 1,0 mA
35
ts
Tiempo de almacenamiento
VCC = 3,0 V, IC = 10mA
200
ns
tf
Tiempo de caída
IB1 = IB2 = 1,0 mA
50
ns
*Pureba de impulso: anchura entre impulsos ≤ 300 µs, ciclo de trabajo ≤ 2,0%
Modelo Spice
NPN (Is=6,734f Xti=3 Eg=1,11 Vaf=74,03 Bf=416,4 Ne=1,259 Ise=6,734 Ikf=66,78m Xtb=1,5 Br=0,7371 Nc=2
Isc=0 Ikr=0 Rc=1 Cjc=3,638p Mjc=0,3085 Vjc=0,75 Fc=0,5 Cje=4,493p Mje=0,2593 Vje=0,75 Tr=239,5n Tf=301,2p
Itf=0,4 Vtf=4 Xtf=2 Rb=10)
2N3904 / MMBT3904 / PZT3904
Amplificador NPN de propósito general
(continuación)
Características térmicas
Símbolo
PD
TA = 25°C si no hay contraindicación
Característica
Máx.
RθJC
Disipación total del dispositivo
Degradación por encima de 25°C
Resistencia térmica, conexión a caja
RθJA
Resistencia térmica, conexión a ambiente
Símbolo
PD
2N3904
625
5,0
83,3
*PZT3904
1000
8,0
200
125
Característica
mW
mW /°C
°C/W
°C/W
Máx.
**MMBT3904
350
2,8
357
Disipación total del dispositivo
Degradación por encima de 25°C
Resistencia térmica, conexión a ambiente
4 microplaquetas efectivas
Cada microplaqueta
RθJA
Unidades
Unidades
MMPQ3904
1000
8,0
mW
mW /°C
°C/W
°C/W
°C/W
125
240
*Dispositivo montado sobre FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1,5 mm; almohadilla de montaje para el conductor del colector con un mínimo de 6 cm2.
**Dispositivo montado sobre FR-4 PCB 1,6" X 1,6" X 0,06."
500
V CE = 5V
400
125 °C
300
25 °C
200
100
- 40º C
0
0,1
1
10
100
h
I C - CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)
VBESAT- TENSIÓN BASE-EMISOR (V)
Tensión de saturación base-emisor
frente a corriente del colector
1
0.8
β = 10
- 40 °C
25 °C
0.6
125 °C
0.4
0.1
IC
1
10
100
- CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)
V BE(ON)
- TENSIÓN DE CONEXIÓN BASE-EMISOR (V)
frente a corriente del colector
VCESAT- T ENSIÓN COLECTOR-EMISOR (V)
Ganancia típica de corriente pulsada
FE
- GANANCIA TÍPICA DE CORRIENTE PULSADA
Características típicas
Tensión de saturación colector-emisor
frente a corriente del colector
0,15
β = 10
125 °C
0,1
25 °C
0,05
- 40 °C
0,1
1
10
100
I C - CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)
Tensión de conexión base-emisor
frente a corriente del colector
1
VCE = 5V
0,8
- 40 °C
25 °C
0,6
125 °C
0,4
0,2
0,1
1
10
100
I C - CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)
2N3904 / MMBT3904 / PZT3904
Amplificador NPN de propósito general
(continuación)
(continuación)
Capacitancia frente a
tensión de polarización inversa
Corriente de corte del colector
frente a temperatura ambiente
10
500
f = 1.0 MHz
CAPACITANCIA (pF)
VCB = 30V
100
10
1
0,1
25
50
75
100
125
TA - TEMPERATURA AMBIENTE (° C)
- GANANCIA DE CORRIENTE (dB)
fe
I C = 0.5 mA
R S = 200Ω
4
2
I C = 100 µA, R S = 500 Ω
1
10
f - FRECUENCIA (kHz)
Ganancia de corriente y ángulo de fase
frente a frecuencia
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
h fe
θ
V CE = 40V
I C = 10 mA
1
2
C obo
1
10
TENSIÓN DE POLARIZACIÓN INVERSA (V)
100
10
100
f - FRECUENCIA (MHz)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
1000
I C = 1.0 mA
10
I C = 5.0 mA
I C = 50 µA
8
6
I C = 100 µA
4
2
0
0,1
100
θ - GRADOS
h
V CE = 5.0V
I C = 50 µA
R S = 1.0 kΩ
6
0
0,1
C ibo
3
12
I C = 1.0 mA
R S = 200Ω
NF - FIGURA DE RUIDO (dB)
NF - FIGURA DE RUIDO (dB)
8
4
Figura de ruido frente a resistencia de fuente
Figura de ruido frente a frecuencia
12
10
5
1
0,1
150
PD - DISIPACIÓN DE POTENCIA (W)
ICBO- CORRIENTE DEL COLECTOR (nA)
Características típicas
1
10
R S - RESISTENCIA DE FUENTE (kΩ )
100
Disipación de potencia frente a
temperatura ambiente
1
SOT-223
0,75
TO-92
0,5
SOT-23
0,25
0
0
25
50
75
100
TEMPERATURA (o C)
125
150
2N3904 / MMBT3904 / PZT3904
Amplificador NPN de propósito general
(continuación)
(continuación)
Tiempo de conexión frente a corriente del colector
500
I B1 = I B2 =
Ic
10
TIEMPO (nS)
40V
15V
100
t r @ V CC = 3.0V
2,0V
t r - TIEMPO DE SUBIDA (ns)
Características típicas
10
100
500
I B1 = I B2 =
Ic
10
100
T J = 125°C
10
5
Ic
10
T J = 25°C
1
Tiempo de almacenamiento frente a
corriente del colector
T J = 25°C
I B1 = I B2 =
T J = 125°C
5
10
100
I C - CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)
10
100
I C - CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)
Tiempo de caída frente a
corriente del colector
500
t f - TIEMPO DE CAÍDA (ns)
t S - TIEMPO DE ALMACENAMIENTO (ns)
1
VCC = 40V
10
t d @ VCB = 0V
5
Tiempo de subida frente a corriente del colector
500
I B1 = I B2 =
T J = 125°C
Ic
10
VCC = 40V
100
T J = 25°C
10
1
10
100
I C - CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)
5
1
10
100
I C - CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)
2N3904 / MMBT3904 / PZT3904
Amplificador NPN de propósito general
(continuación)
Circuitos de prueba
3,0 V
275 Ω
300 ns
10,6 V
Ciclo de funcionamiento = 2%
10 KΩ
Ω
0
- 0,5 V
C1 < 4,0 pF
< 1,0 ns
FIGURA 1: Circuito de prueba del equivalente al tiempo de subida y de retardo.
3,0 V
10 < t1 < 500 µs
t1
10,9 V
275 Ω
Ciclo de funcionamiento = 2%
Ω
10 KΩ
0
C1 < 4,0 pF
1N916
- 9,1 V
< 1,0 ns
FIGURA 2: Circuito de prueba del equivalente al tiempo de almacenamiento y de caída.
2N3904 / MMBT3904 / PZT3904
Amplificador NPN de propósito general
MARCAS COMERCIALES
A continuación, se proporciona un listado de marcas registradas y no registradas que posee o está autorizado a
utilizar Fairchild Semiconductor. No obstante, no aparecen indicadas todas las marcas comerciales.
ACEx™
CoolFET™
CROSSVOLT™
E2CMOSTM
FACT™
FACT Quiet Series™
FAST®
FASTr™
GTO™
HiSeC™
ISOPLANAR™
MICROWIRE™
POP™
PowerTrench™
QS™
Quiet Series™
SuperSOT™-3
SuperSOT™-6
SuperSOT™-8
TinyLogic™
LIMITACIÓN DE RESPONSABILIDAD
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SE RESERVA EL DERECHO DE REALIZAR CAMBIOS EN CUALQUIERA
DE SUS PRODUCTOS SIN PREVIO AVISO, CON EL OBJETIVO DE MEJORAR LA FIABILIDAD, LA
FUNCIONALIDAD O EL DISEÑO DE LOS MISMOS. FAIRCHILD NO SE RESPONSABILIZA DE LA
APLICACIÓN O EL USO DE NINGÚN PRODUCTO O CIRCUITO DESCRITO AQUÍ Y TAMPOCO TRANSFIERE
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NORMAS REFERENTES A LOS SISTEMAS DE MANTENIMIENTO DE VIDA
NO SE AUTORIZA EL USO DE LOS PRODUCTOS DE FAIRCHILD COMO COMPONENTES CRÍTICOS EN LOS DISPOSITIVOS O
SISTEMAS DE MANTENIMIENTO DE VIDA SIN AUTORIZACIÓN EXPRESA POR ESCRITO DE FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.
Tal y como se indica aquí:
1. Los sistemas o dispositivos de mantenimiento de vida
son aquellos: (a) cuyo propósito es el implante quirúrgico
en el cuerpo, (b) el mantenimiento de la vida, o (c) cuyo
fallo de funcionamiento, siendo utilizados siguiendo
adecuadamente las instrucciones del etiquetado, puede
causar un daño considerable al usuario.
2. Un componente crítico es cualquier componente de
un dispositivo o sistema de mantenimiento de vida cuyo
mal funcionamiento puede provocar la avería del sistema o
del dispositivo de mantenimiento de vida, o afectar a la
segurida o efectividad del mismo.
DEFINICIONES DEL ESTADO DEL PRODUCTO
Definiciones de los términos
Identificación de la hoja de datos
Estado del producto
Definición
Información avanzada
En fase formativa
o de diseño
Esta hoja de datos contiene las especificaciones de diseño
para el desarrollo del producto. Las especificaciones pueden
estar sujetas a variaciones sin previo aviso.
Preliminar
Primera fabricación
Esta hoja de datos contiene datos preliminares. Los datos
complementarios se publicarán más adelante. Fairchild
Semiconductor se reserva el derecho de realizar cambios
en cualquier momento, sin previo aviso, con el objetivo de
mejorar el diseño.
No se necesita identificación
Obsoleto
Fabricación plena
Esta hoja de datos contiene especificaciones finales. Fairchild
Semiconductor se reserva el derecho de realizar cambios en
cualquier momento, sin previo aviso, para mejorar el diseño.
No se fabrica
Esta hoja de datos contiene especificaciones sobre un
producto que Fairchild semiconductor ha dejado de fabricar.
La hoja de datos es meramente informativa.