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UNIVERSIDAD NACIONAL FEDERICO VILLARREAL
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRÓNICA E INFORMÁTICA
SÍLABO
ASIGNATURA: DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
1.
DATOS GENERALES
1.1.
1.2.
1.3.
1.4.
1.5.
1.6.
1.7.
1.8.
1.9.
1.10.
2.
CÓDIGO: IEE303
DEPARTAMENTO ACADÉMICO
ESCUELA PROFESIONAL
CICLO DE ESTUDIOS
CRÉDITOS
CONDICIÓN
PRE-REQUISITOS
HORAS DE CLASE SEMANAL
HORAS DE CLASE TOTAL
PROFESORES RESPONSABLES
AÑO LECTIVO ACADEMICO
:
:
:
:
:
:
:
:
:
:
Ing. Electrónica e Informática
Ingeniería Electrónica
04
Obligatorio
05 (Teoría 03 - Práctica 02)
.
Msc. Ing. Fernando López A.
2014 - I
SUMILLA
La asignatura de Dispositivos Electrónicos, es de carácter teórico – práctico y
tiene como propósito desarrollar en el alumno los conocimientos básicos de
los componentes y dispositivos usados en Electrónica, estudiando la
estructura física de los mismos, la fabricación, así como su funcionamiento y
aplicaciones en circuitos electrónicos, analógicos y digitales. Los tópicos
generales de estudio son: Conducción en semiconductores, diodos
semiconductores, Transistores bipolares, Transistores unipolares, dispositivos
de potencia, circuitos Integrados.
3.
COMPETENCIA GENERAL
Comprende los principios básicos de operación de los componentes y
dispositivos electrónicos, mediante el análisis lógico, la implementación de
circuitos con estos dispositivos y la resolución de problemas; trabajando en
equipo, con responsabilidad y respeto.
4.
ORGANIZACIÓN DE LAS UNIDADES DE APRENDIZAJE
UNIDAD
DENOMINACIÓN
I
Conducción en semiconductores
II
Diodos semiconductores
III
Transistores bypolares
IV
Transistores unipolares
V
Dispositivos de potencia
VI
Circuitos integrados
Nº DE HORAS
Total Horas:
1
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5.
PROGRAMACIÓN DE LAS UNIDADES DE APRENDIZAJE
UNIDAD I: CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES
Competencia específica 1: Comprende la importancia del conocimiento
de La conducción en semiconductores.
Competencia específica 2: Aplica conocimiento de física electrónica,
conducción
en
cristales,
ecuaciones
correspondientes de conductividad.
Contenidos:
CONCEPTUAL
Conceptúa
propiedades de
materiales
semiconductores.
PROCEDIMENTAL
ACTITUDINAL
las Resuelve ejercicios con Participa activamente,
los materiales
extrínsecos con responsabilidad y
/intrínsecos,
termistores, respeto.
LDR,.VDR
Conceptos de huecos y electrones en semiconductores
intrínsecos, semiconductores
extrínsecos
tipo P y tipo N.
ecuación de neutralidad, ley de acción de masas, nivel de Fermi,
difusión de portadoras, ecuación de continuidad, recombinación,
efecto Hall, resistencias termistores, LDR, VDR
UNIDAD II DIODOS SEMICONDUCTORES
Competencia específica 1: Comprende la aplicación de unión P-N de un
semiconductor.
Contenidos:
CONCEPTUAL
PROCEDIMENTAL
ACTITUDINAL
Conceptúa el diodo Resuelve ejercicios con los Participa activamente,
P-N,
características diferentes tipos de diodos con responsabilidad y
circuitales , ecuación P-N, dependencia térmica.. respeto.
I-V
Teoría del diodo P-N, fabricación, deducción de la ecuación del diodo real,
dependencia térmica del diodo, resistencia estática y dinámica de un
diodo, capacidad de difusión, capacidad de transición, tiempo de
conmutación, polarización directa/inversa ,circuitos con diodos, diodos
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especiales como Zener, Varactor ,Tunnel, LED, fotodiodo ,diodolaser.
diodo shokley.
UNIDAD III: TRANSISTORES BIPOLARES
BJT
Competencia específica 1: Comprende la importancia del conocimiento,
de un transistor bipolar en DC y en AC.
Competencia específica 2:Reconocimiento de las zonas de trabajo de un
transistor bipolar.
.
Contenidos:
CONCEPTUAL
Conceptúa
propiedades de
transistor bipolar.
PROCEDIMENTAL
ACTITUDINAL
las Resuelve
ejercicios Participa activamente, con
un mediante el análisis de responsabilidad y respeto.
las propiedades de un
transistor bipolar . Uso
de
curvas
características.
Tipos NPN y PNP. Técnicas de fabricación de un transistor bipolar.
Ecuaciones Ebers-Moll. Curvas i-v de configuraciones emisor común,
base común ,colector común. Zonas de un BJT activa, saturación y corte
.Polarización de un BJT .Estabilidad térmica . Conmutación de un BJT.
UNIDAD IV: TRANSISTORES UNIPOLARES
Competencia específica 1: Comprende la importancia del conocimiento
de un transistor unipolar.
Competencia específica 2: Reconocimiento de las zonas de trabajo de un
transistor unipolar.
Contenidos:
CONCEPTUAL
PROCEDIMENTAL
ACTITUDINAL
Conceptúa
las Resuelve ejercicios mediante el
propiedades de un análisis de las propiedades de
transistor unipolar.
un transistor unipolar. Uso de
curvas características.
Participa
activamente,
responsabilidad
respeto.
Tipos de unipolares JFET y MOSFET de canal N y canal P. Fabricación
del Jfet y del mosfet .Curvas de transferencia. Zonas de operación,
saturación, óhmica y de corte .Modelos para pequeña señal .Aplicaciones
de un Jfet y Mosfet.
3
con
y
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UNIDAD V: DISPOSITIVOS DE POTENCIA
Competencia específica 1: Comprende la importancia del conocimiento y
análisis de dispositivos electrónicos de
potencia..
Competencia específica 2: Aplica los conceptos anteriores, para
implementar tarjetas y circuitos de potencia.
Contenidos:
CONCEPTUAL
Conceptúa las
propiedades de los
diversos tipos de
dispositivos de
potencia..
Tiristores, SCR,
DISPOSITIVOS DE
SBS,DARLISTOR.
PROCEDIMENTAL
ACTITUDINAL
Resuelve ejercicios
mediante el análisis de los
parámetros de dispositivos
de potencia.
Participa activamente,
con responsabilidad y
respeto.
TRIAC,MOSFET DE POTENCIA,IGBT,
CONTROL COMO PUT,SUS,DIAC,UJT,
Técnicas de fabricación, curvas características, polarización,
data sheet, funcionamiento y aplicaciones.
UNIDAD VI: CIRCUITOS INTEGRADOS IC
Competencia
específica 1: Comprende la importancia
conocimiento, de circuitos integrados.
del
Competencia específica 2 : Aplica los conceptos de fabricación de
los IC.
Contenidos:
CONCEPTUAL
PROCEDIMENTAL
Conceptúa las
propiedades de los
circuitos integrados.
Reconocer tecnologías
de fabricación de IC,
analógica y digital.
ACTITUDINAL
Participa
activamente,
con responsabilidad y
respeto.
Características principales de un circuito integrado. Técnicas de
fabricación planar, epitaxial, fotolitográfica. Tecnologías como
TTL,DTL,ECL,RTL,CMOS. Integración de R,L,C, diodos y
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transistores. Uso de películas delgadas. Tecnologia digital con
CMOS y TTL
6.
ESTRATEGIAS METODOLÓGICAS
Para el logro de un aprendizaje significativo, dentro del enfoque
Constructivista, se aplicará:
6.1 Método de Cambio Conceptual
teórica.
y Verbal Significativo para la parte
6.2 Método de Resolución de Problemas de casos prácticos, aplicados a
grupos de no más de tres alumnos
6.3 Simulación de diversos circuitos eléctricos, aplicando software
especializado (Proteus, Matlab) como parte de un trabajo del curso.
7.
EVALUACIÓN
La evaluación es continua y apunta hacia el establecimiento de relaciones
significativas entre los distintos conceptos, así mismo toma en cuenta la
retroalimentación.
PROMEDIO FINAL se obtiene:
PF = (PP + EP + EF ) / 3
(PP) promedio de prácticas: (4 prácticas calificadas)/4
(EP) Examen parcial
(EF) Examen final
8. REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS.
-MILLMAN -HALKIAS
………………..
^^ DISPOSITIVOS Y
CIRCUITOS ELECTRONICOS ^^
-GRAY-SEARLE
……………………………^^.PRINCIPIOS
ELECTRONICA,FISICA
,MODELOS
Y
DE
CIRCUITOS
ELECTRONICOS^^
-DATA SHEETS DE LOS FABRICANTES (INTERNET )
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