Download Transistor Bipolar

Capítulo 14 Transistor Bipolar
1
Capítulo 14
Transistor Bipolar
Capítulo 14 Transistor Bipolar
2
Introducción
En general, las señales de radio o de TV que se reciben en una antena son
muy débiles y no pueden conectarse directamente a los parlantes o al tubo de
imagen de la televisión. Por lo tanto, es necesario amplificar la señal para que
tenga suficiente energía. Antes de 1951, se utilizaban tubos al vacío para
amplificación de señales, y aunque sus características de amplificación son
muy buenas, también tienen varios inconvenientes. Primero, se requiere una
potencia de 1 W o más para calentamiento interno o luz. Segundo, el fusible de
luz puede funcionar solamente unos pocos miles de horas antes de quemarse.
Tercero, ocupa más espacio. Cuarto, el calor generado por los tubos al vacío
aumentan la temperatura interna del instrumento.
En 1951 se descubrió la primera unión p-n. Se trataba de un dispositivo que
puede amplificar la señal de radio y TV. La ventaja del transistor es que se
superan las inconveniencias del tubo al vacío. En primer lugar, no hay calor o
luz, por lo que se requiere menos potencia. Segundo, su uso es ilimitado.
Tercero, tiene poco volumen y ocupa menos espacio, y cuarto, un transistor
genera muy poco calor, por lo que el aparato en el cual está instalado opera a
bajas temperaturas.
El transistor se compone de tres capas de material semiconductor, y consta de
tres terminales. Dependiendo del componente que sea el portador mayoritario,
se pueden dividir en transistores bipolares y unipolares. Los primeros usan los
electrones libres y lo agujeros que se mueven para conducir la corriente. El
término “transistor” proviene de las dos palabras :”transfer resistor” en Inglés, o
sea: “resistencia de transferencia”. De acuerdo con este término, se tiene que
la corriente de entrada en el circuito de baja resistencia es transferida al
circuito de salida de alta resistencia; por lo tanto se tiene un efecto de
amplificación.
14.1 Construcción y Símbolo del Transistor
Un transistor bipolar está formado por tres capas de material semiconductor.
En el tipo de transistor NPN, se tiene una delgada capa de material
semiconductor tipo p entre dos capas más gruesas de material semiconductor
tipo n, como se muestra en la Fig. 14.1(a). Otro tipo de transistor es el PNP,
donde se tiene una delgada capa de material semiconductor tipo n entre dos
capas más gruesas de material semiconductor tipo p, como se muestra en la
Fig. 14.1(b). No importa si se trata de transistores tipo NPN o PNP, siempre
tendrán alambres metálicos que salen de los semiconductores y que se usan
como conexiones al circuito. La parte izquierda del semiconductor es el
electrodo que emite los portadores mayoritarios, por lo tanto se llama Emisor
(E); el semiconductor de la región del medio es el que controla la cantidad de
portadores mayoritarios que van al colector, y se llama Base (B). La región de
semiconductor de la derecha es el electrodo que recoge los portadores
mayoritarios que salen del emisor a través de la base, y se llama Colector (C).
En las tres capas que constituyen la construcción del semiconductor, cada
transistor tiene dos uniones p-n como si fueran dos diodos montados espalda
contra espalda conectados entre sí, como se muestra en la Fig. 14.2
3
Capítulo 14 Transistor Bipolar
La unión p-n entre la región de emisión y la región de la base es la unión de
emisón (unión E); la unión p-n entre la región de la base y la región del colector
se denomina la unión del colector (unión C).
Emisor (E)
Colector (C )
Base (B)
Emisor (E)
Colector (C )
Diagrama de la Estructura
Base (B)
C
E
E
B
C
B
Diagrama del Símbolo
C
E
E
(a) n-p-n
(b) p-n-p
Fig. 14.2
En cuanto a la concentración de dopaje o de contaminación, el emisor tiene la
concentración más alta, y luego le sigue el colector y con menos dopaje se
tiene a la base (únicamente 1/10 o menos de lo que tienen los electrodos
externos). El ancho de la base es generalmente de unos 0.001 de pulgada, y el
ancho entre el emisor y el colector es de aproximadamente 0.150 pulgada. Por
lo tanto, el ancho de la base es de únicamente 1/150 del ancho total.
4
Capítulo 14 Transistor Bipolar
La idea es hacer que los portadores puedan pasar rápidamente a través de la
base y lleguen al colector, y ofrecer suficiente espacio para que el colector
recoja a los portadores de la base.
14.2
Principio Básico de Operación de la Base
Para usar transistores en un circuito de amplificación, es necesario aplicar las
polarizaciones adecuadas a cada una de las dos uniones p-n. En esta sección
usaremos un transistor n-p-n para explicar esto. El transistor n-p-n tiene
características similares a las del p-n-p. Requerimos únicamente cambiar un
electrón por un hueco e invertir la polaridad de la tensión y la dirección de la
corriente.
En la Fig. 14.3 se muestran las conexiones de una correcta polarización para
transistores n-p-n y p-n-p. Nota: Ambas uniones B-E de estos dos transistores
están bajo polarización directa, y las uniones B-C están ambas bajo
polarización inversa. Las flechas apuntan de la tensión más alta a la más baja.
Polarización
Directa
Polarización
Inversa
Polarización
Directa
Polarización
Inversa
Fig. 14.3 – Polarización Directa e Inversa en un Transistor
Cuando el transistor está bajo polarización directa e inversa, la polarización
directa entre el emisor y la base hará que la región agotada de la unión B-E sea
más angosta. la polarización inversa entre la base y el colector hará que la
región agotada de la unión B-C sea más ancha, como se ve en la Fig. 14.4(a).
Existen numerosos electrones en las bandas de conducción de la región
emisora de tipo n, que son fáciles de mover a través de la unión B-E y
difundirse en la región de tipo p de la base.
En vista de que la concentración de dopaje es muy baja y que el ancho es muy
pequeño en la región de la base, el número de huecos es limitado. El
porcentaje de recombinación de dichos electrones en la unión B-E con los
huecos será muy bajo. Los electrones que fluyen fuera de la base son los de
tipo de valencia. Estos, generarán la pequeña cantidad de corriente de base IB,
como se ve en la Fig. 14.4(b).
5
Capítulo 14 Transistor Bipolar
Regiones agotadas
Unión E
Unión C
(a) Efecto interno de un transistor bajo polarización directa e inversa
Base
Electrones
Región agotada
(b) Operación del emisor – base bajo polarización directa
Base
Electrón
(c) Operación de la base – colector bajo polarización inversa
Fig. 14.4
Capítulo 14 Transistor Bipolar
6
La mayoría de los electrones del emisor se difundirán en la zona agotada B-C
(unión del colector). El alto campo eléctrico inducido por los iones positivos y
negativos en ambos lados de la región agotada B-C atraerán a los electrones a
través de la unión B-C. Podemos visualizar esto como que los iones positivos
atraen a los electrones a través de la unión B-C, como se muestra en la Fig.
14.4(c).
Los electrones que fluyen a través de la región del colector salen de éste y
entran al terminal positivo de la fuente externa de tensión DC. Luego se
convierten en la corriente de colector IC, como se muestra en la Fig.14.4(c ). La
magnitud de la corriente de colector es directamente dependiente de la
corriente de base, pero independiente de la tensión DC de colector.
14.2.1
Corrientes del Transistor
La dirección de la corriente en un transistor n-p-n (generalmente se usa la
dirección de la corriente y no la dirección del flujo de electrones) se dibuja tal
como lo muestra la Fig.14.5(a). La dirección de la corriente en un transistor
p-n-p es la dirección que se muestra en la Fig.14.5(b). Nótese que la dirección
de la flecha del emisor es la misma que se acostumbra para la dirección de la
corriente.
De estos datos sabemos que la corriente del emisor es igual a la suma de la
corriente de la base más la corriente del colector, lo cual se expresa como:
Como sabemos, IB es mucho más pequeña que IE e IC. El subíndice significa
que es un “valor DC”.
Fig.14.5 – Dirección acostumbrada de la corriente para los transistores.
Capítulo 14 Transistor Bipolar
7
14.3 Parámetros y Capacidad de Transistores
En esta sección comenzaremos a estudiar la forma de aplicar la corriente
adecuada de polarización en un transistor. Para el análisis de un circuito
transistorizado empleamos dos parámetros importantes, que son dc (ganancia
de corriente DC) y dc. Introduciremos también la curva característica del
transistor. Aprenderemos a determinar la función del transistor a partir de su
curva característica, y finalmente discutiremos la capacidad (clasificación) del
transistor.
Como se aprecia en la Fig. 14.6, n-p-n y p-n-p son las polarizaciones aplicadas,
respectivamente. VBB es la unión base – emisor bajo polarización directa, y VCC
es la unión base – colector bajo polarización inversa.
Fig. 14.6 – Transistor bajo polarización
14.3.1
Beta DC (dc) y Alfa DC (dc)
La relación entre corriente del colector IC y corriente de base IB se llama
ganancia de corriente DC dc del transistor.
El valor típico de dc es de unos 20 – 200 o aún mayor. En la hoja de datos de
los transistores, generalmente se usa el valor hFE para indicarlo.
Capítulo 14 Transistor Bipolar
8
La relación entre corriente del colector y corriente del emisor IE se llama dc
---Ver Libro de Texto--El valor típico de dc está entre 0.95 – 0.99, siempre menor que 1.
14.3.2
Relación entre dc y dc
Dividiendo la ecuación de la corriente (14.1), IE = IC + IB entre IC, se tiene:
---Ver Libro de Texto--Como dc = IC / IB y dc = IC / IE, la ecuación anterior se convierte en:
---Ver Libro de Texto---
Reorganizándola se tiene: ---Ver Libro de Texto--En la Ecuación (14.4), si conocemos el valor de dc, entonces podemos
determinar el valor de dc. Utilice dc para expresar el valor de dc en la
ecuación anterior como:
---Ver Libro de Texto---
Capítulo 14 Transistor Bipolar
9
---Ver Libro de Texto--Ejemplo 14.1. La corriente de colector IC de un transistor es de 2mA, la
corriente de base IB es de 20A. ¿Cuál es la ganancia de corriente DC, dc del
transistor?
Respuesta: Mediante la Ecuación (14.20):
---Ver libro de Texto--Ejemplo 14.2. En un transistor IE = 1mA, IC = 0.99 mA. Determine dc.
Respuesta: Mediante la Ecuación (14.3):
---Ver libro de Texto--Ejemplo 14.3. En un transistor dc = 0.98, determine dc.
Respuesta: Mediante la Ecuación (14.5):
---Ver libro de Texto---
14.3. Común del Circuito Emisor
En el circuito de la Fig.14.7, el terminal común ó terminal de tierra de cada una
de las fuentes se conecta al emisor. Por esta razón a este circuito se le llama
circuito de emisor común. En este circuito hay dos lazos, el izquierdo se llama
circuito base (circuito de entrada), y el de la derecha se llama circuito colector
(circuito de salida). En aplicaciones de baja potencia el rango de V BB está entre
5 y 15 V. En el circuito base se pueden usar diferentes valores de VBB y de Rb
para controlarlo. Veremos que se pueden tener corrientes de base para
controlar la corriente del colector. Por lo tanto cualquier corriente de base IB
que cambie inducirá a su vez un cambio de corriente de colector IC.
En el circuito de colector se tiene un voltaje de entrada V CC y una resistencia
limitadora de corriente RC, y la diferencia de potencial entre colector y emisor
se puede expresar como VCE. La tensión de entrada VCC debe tener la
polarización inversa en el diodo colector, pues de otra forma, el transistor no
funcionará. Generalmente VCE debe ser mayor de 1V, para que pueda
satisfacer la condición anterior. En el circuito de baja potencia, V CC
generalmente está entre 1 y 15V.
Capítulo 14 Transistor Bipolar
10
Circuito de entrada
Circuito de salida
Fig.14.7 – Circuito de emisor común
14.5 Curva Característica de la Base
En el circuito mostrado en la Fig.14.7, ¿Qué aspecto cree usted que tendría la
curva IB vs. VBE?. Se parece a la curva de un diodo rectificador normal, como
se muestra en la Fig.14.8. Cuando deseamos observar la relación corriente vs.
tensión de un diodo emisor, es necesario comprender la curva característica de
corriente vs. tensión del diodo. A esto se le llama curva característica de la
base (curva característica de entrada). Por lo tanto utilizaremos los modelos
aproximados del diodo que se han visto anteriormente.
Por ejemplo cuando se está inspeccionando un circuito transistorizado, se
puede considerar el diodo emisor como un diodo ideal. Esto le permitirá a usted
obtener aproximada y rápidamente la corriente y la tensión. Sin embargo, si
usted necesita un diseño muy preciso se debe tomar en cuenta la resistencia
intrínseca del diodo emisor.
Generalmente, usted encontrará que el segundo modelo de aproximación es el
mejor para diseñar el circuito. Su velocidad de cálculo es cercana a la del diodo
ideal y la precisión es igual a la de la tercera aproximación. En general
asumiremos que VBE = 0.7V para el modelo de segunda aproximación, como se
muestra en la Fig.14.8.
Capítulo 14 Transistor Bipolar
11
Fig.14.8 – Curva Característica de la Base
La corriente de base IB en la Fig.14.7 se puede obtener a partir del siguiente
cálculo. La tensión entre dos terminales de la resistencia base es igual a la
diferencia entre la tensión de la fuente VBB y la tensión VBE de la base-emisor.
Por la Ley de Ohm podemos obtener la corriente base:
Sí en la tensión hay un único subíndice (VC, VE, VB) significa que la tensión en
cualquier terminal del transistor está en función de la tierra. Sí hay doble
subíndice en la tensión (VBE, VCE, VCB), esto significa la diferencia de tensión
entre dos terminales del transistor. Podemos utilizar subíndices sencillos para
indicar la tensión de doble subíndice. Por ejemplo, podemos expresar V CE en
términos de VC menos VE.
VCB se puede obtener a partir de VC menos VB:
VBE se puede obtener a partir de VB menos VE:
Ejemplo 14.4. En el circuito de la Fig.14.7, VBB = 9V,
VBE = 0.7V. Determine la corriente de base IB.
RB = 100 k,
y
Capítulo 14 Transistor Bipolar
12
Respuesta: Mediante la Ecuación (14.6) :
14.6 Curva Característica del Colector
En la Fig.14.9 (a), podemos obtener IC vs. VCE mediante varios valores de la
corriente de base IB, y a estas curvas las llamamos curvas características del
colector (curva característica de salida).
(a) Circuito
(b) IC vs. VCE para un IB dado.
(C ) Curvas de colector (IB1 < IB2 < IB3 ... etc.)
Fig.14.9 – Curva característica de colector
Nota: VBB y VCC se pueden ajustar. Sí VBB está diseñado para generar un IB, y
VCC = 0, entonces IC = 0, VCE = 0. Ahora podemos ajustar gradualmente el valor
de VCC hacia un valor más alto, y luego VCE e IC se aumentarán también. Estos
cambios se pueden observar entre los puntos O y B de la Fig.14.9(b).
Capítulo 14 Transistor Bipolar
13
Cuando VCE es aproximadamente 0.7V, la unión colector-base se encuentra
bajo polarización inversa, y permitirá que IC=BC IB alcance el valor máximo.
Después de esto IC ya no aumentará cuando aumente VCE, y se mantendrá
constante. Esto se muestra en la región del lado derecho de la curva B. De
hecho, un aumento en VCE hará más ancha la región agotada en la unión
colector-base, de tal forma que los huecos en la región de la base para
recombinarse con los electrones, disminuirán. Esto hace que IC aumente
ligeramente.
Utilice otro valor de IB para dibujar la figura y se obtendrán las curvas
correspondientes de IC vs. VCE como se muestran en la Fig.14.9(c ). Estas
curvas se convierten en las curvas características de ese transistor en
particular.
Ejemplo 14.5. Dibuje la curva característica del colector del circuito que se
muestra en la Fig. 14.10. Asúmase que dc = 100, IB está entre 5A y 25 A, y
que varía en incrementos de 5A.
Fig. 14.10
Respuesta: Usando IC = dcIB, con los valores de la Tabla 14.1, la curva
característica es tal como se muestra en la Fig. 14.11
Capítulo 14 Transistor Bipolar
14
Fig. 14.11
14.6.1
Corte
Cuando IB = 0, el transistor está bajo condición de “corte”. En el transistor de la
Fig. 14.12, la base está abierta, lo que hace que la corriente sea 0. Bajo esta
condición existe solamente “corriente de portador caliente” ICE0 inducida por
temperatura, y que es la “corriente directa de fuga” minoritaria para el colector.
En vista de que ICE0 es muy pequeña, por lo general se ignora para el cálculo
de la calibración del circuito. Bajo situación de corte, las uniones base – emisor
y base – colector están ambas bajo polarización inversa.
Fig. 14.12 – Corriente de fuga ICE0 del colector bajo estado de corte
14.6.2
Saturación
Démosle una mirada al estado de saturación. En la Fig. 14.13(a), al
incrementar VBB se aumenta también la corriente de la base (IB), y la corriente
de colector (IC). VCE disminuye debido al aumento de tensión en RC.
Capítulo 14 Transistor Bipolar
15
Región saturada
Fig. 14.13
Cuando VCE alcanza el valor de VCE(sat), la unión base – colector se encuentra
bajo polarización directa, y por lo tanto IC se mantiene constante cuando IB
aumenta. Por lo tanto la relación IC = dcIB no existe en el punto de saturación.
La tensión VCE(sat) se da bajo el punto del codo de la curva del colector, en la
región mostrada en la Fig. 14.13(b). Generalmente la tensión de saturación
para un transistor de silicio es menor de un voltio (VCE(sat) = 0.2 V).
Ejemplo 14.6. Determine si el transistor de la Fig. 14.14 está bajo estado de
saturación o no. Suponga que VCE(sat) = 0.2 V.
Capítulo 14 Transistor Bipolar
16
Fig. 14.14
Respuesta: Determinamos primero VCE(sat) mediante la Ecuación (14.7)
Luego verificamos si IB es suficientemente alta para generar VCE(sat)
El resultado muestra que la corriente de base puede generar IC, la cual es más
alta que VCE(sat) y por lo tanto el transistor está bajo estado de saturación, y la
corriente del colector no será mayor que 11.5 mA. Al aumentar más IB, la
corriente del colector permanece en su valor de saturación.
14.6.3
Las Tres Regiones de Operación del Transistor
La curva mostrada en la Fig. 14.15 se puede dividir en tres regiones de
operación. Primero, la región de VCE entre 1V y 40 V, que es la más importante
debido a que el transistor generalmente trabaja en esta región. Aquí, el diodo
emisor se encuentra bajo polarización directa y el diodo colector en
polarización inversa. El colector recoge casi todos los electrones que van del
emisor a la base. En esta región, la tensión del colector no afecta a la corriente
del colector, y se llama “región activa”. La parte plana de la curva es la región
activa.
Otra zona diferente de trabajo es la región de disrupción, donde el transistor no
puede operar debido a que se dañaría. No está diseñado cono el diodo Zener,
que puede trabajar en la región de disrupción.
Finalmente, en la porción de la curva que se eleva, V CE está entre 0 y
aproximadamente 1V, y a esta zona se le llama “región de saturación”.
17
Capítulo 14 Transistor Bipolar
Aquí, el diodo colector no se encuentra bajo polarización inversa. Nota: en
transistores de baja potencia, la parte aplanada de la curva puede estar en
menos de 1V, como en el caso de la corriente de colector del 2N3904, que
tiene 1 mA a 0.3V.
En todo caso, siempre habrá una región de saturación, una región activa y una
región de disrupción, como se ve en la Fig. 14.15. Un transistor puede trabajar
con seguridad en la región de saturación o en la región activa, pero nunca en la
región de disrupción. En aplicaciones en las que el transistor se usa para
amplificar señales débiles de radio o de TV, se debe operar en la región activa.
Región de
saturación
Región
activa
Región de
disrupción
Fig. 14.15
14.6.4
Más Acerca de dc
dc es un parámetro muy importante en el transistor bipolar, y es necesario
entenderlo bien. Depende de la corriente del colector y de la temperatura. Si la
temperatura en la unión se mantiene y se aumenta IC, entonces dc llegará a el
valor máximo. Sin embargo, si se aumenta IC todavía más, entonces dc
disminuye. Si IC se mantiene constante y se cambia la temperatura, entonces
dc variará en forma directa con el cambio de temperatura. Por lo tanto, dc
aumenta cuando lo hace la temperatura, y viceversa. Tal como se muestra en
la Fig. 14.16, la dc del transistor cambiará con IC y con la temperatura en la
unión.
En la hoja de datos, generalmente se usa un IC específico para expresar el
valor de dc (hFE), a pesar de que con IC y la temperatura son constantes, dc
asume diferentes valores para los diferentes transistores.
El valor de dc basado en IC es generalmente el valor mínimo. A veces se
ofrecen como referencia los valores máximos y los valores típicos de dc (min).
18
Ganancia mínima de corriente dc
Capítulo 14 Transistor Bipolar
Corriente del colector IC (mA)
Fig. 14.16 - dc vs. IC para diferentes temperaturas
14.7
Aproximaciones.
Para poder diseñar y encontrar los problemas de un transistor, se deben
desarrollar aproximaciones para investigar internamente a los transistores. Si
no se tienen aproximaciones sencillas se empleará demasiado tiempo a la hora
de buscar problemas en los circuitos con transistores. Si no se dispone de
aproximaciones de alto nivel, los diseñadores entregarán circuitos a
transistores con un bajo nivel de desempeño.
14.7.1
Transistor Ideal
Si en el mundo existiera un transistor ideal o perfecto, ¿qué le sucedería a la
curva de la Fig. 14.9(c )? Primero, no habría región de disrupción, lo que
significa que podríamos suministrar la tensión deseada a los terminales del
colector – emisor. Segundo, ya no habría corriente de corte en el colector, lo
que significa que la corriente del colector es igual a cero cuando IB = 0.
Tercero, ya no habría región de saturación y la región activa se extendería
hasta la región de VCE = 0
La Fig. 14.17 muestra un diagrama mejorado con las características que
acabamos de citar. ¿Cómo sería la curva de características base? La base –
emisor del transistor es exactamente como la del diodo. Idealmente no habría
potencial de barrera ni resistencia intrínseca. Como vimos antes con el diodo
ideal, el transistor funciona como un interruptor, que está cerrado bajo
polarización directa y abierto bajo polarización inversa.
Capítulo 14 Transistor Bipolar
19
Fig. 14.17 – Curva característica del colector ideal
La Fig. 14.18 muestra los diagramas del transistor ideal. El terminal de entrada
es el diodo ideal, y el de salida es la fuente de corriente. Esta generará
corriente ideal, que es igual al producto de la ganancia de corriente por la
corriente de la base:
Diodo
ideal
Fig. 14.18 – Transistor ideal
14.7.2
Segunda Aproximación
Cuando la tensión suministrada al circuito colector es igual a veinte veces el
potencial de barrera, o mayor de 14V, entonces el terminal de entrada actúa
casi como un diodo ideal, siendo el error menor de un 5%. Sin embargo, la
mayoría de las tensiones que se suministran son menores de 14V y por lo tanto
generalmente se usa la segunda aproximación para el diodo emisor. Esto
significa que es necesario usar 0.7V para calcular la corriente de base.
En la Fig. 14.19 se muestran los diagramas de segunda aproximación para
transistores. La diferencia con la condición ideal es que se emplea esta
segunda aproximación para expresar el diodo emisor, lo que significa que
asumimos que se da una caída de tensión de 0.7 V en la unión de la base –
emisor.
Capítulo 14 Transistor Bipolar
20
Fig. 14.19 – Modo de segunda aproximación
14.7.3
Tercera Aproximación
Para revisar y diseñar circuitos, es necesario comprender dos conceptos
relacionados con la tercera aproximación: primero, existe una resistencia
intrínseca en el diodo emisor. Por lo tanto, la caída de tensión entre la unión
base – emisor es igual a la caída de tensión de la resistencia intrínseca más
0.7V. En transistores de baja potencia, esta tensión adicional es muy pequeña,
y casi no influye en el VBE. En transistores de alta potencia, esta caída de
tensión hará que VBE sea de más de 1 V.
Segundo, existe una resistencia intrínseca en el diodo colector, habiendo más
de un 10% en la tensión de la resistencia. Generalmente esta tensión no tiene
importancia, excepto cuando se está en la región de saturación. Para
transistores de baja potencia, el voltímetro generalmente indicará que la
tensión está entre 0.1 y 0.2 V.
Generalmente no es necesario comprender a fondo la tercera aproximación.
Sin embargo, es necesario recordar que VBE puede ser mayor de 0.7V debido a
la resistencia intrínseca en el emisor. Cuando VCE es ligeramente mayor de
cero debido a que el transistor está en la región de saturación, entonces es
necesario usar la tercera aproximación. Se puede usar el circuito establecido
para medir el valor de VBE y usar este valor en lugar de 0.7V cuando se calcula
el circuito base.
Ejemplo 14.7. ¿Cuál es la tensión del colector – emisor (VCE) para el circuito
mostrado en la Fig. 14.20? (Asuma que se trata de un transistor ideal)
Respuesta:
Capítulo 14 Transistor Bipolar
21
Fig. 14.20
La caída de tensión en RB es de 15V, y según la Ley de Ohm:
La corriente de colector es igual a la ganancia de corriente por la corr. base:
Se calcula luego la tensión colector – emisor,
que es igual a la tensión
de entrada menos la
caída de tensión.
En el circuito de la Fig. 14.20, la corriente del emisor no tiene mucha
importancia, por lo tanto se ignora en la mayoría de los casos. Sin embargo,
para este ejemplo calcularemos la corriente del emisor, que es igual a la
corriente del colector más la corriente de base:
IE = 3.19 mA + 31.9 A = 3.222 mA
Este valor está muy cercano al de la corriente de colector, lo cual constituye
otra razón por la que no es necesario calcularlo. La mayoría de la gente
aceptará que la corriente del emisor está cerca de los 3.19 mA, que es el valor
del colector.
Ejemplo 14.8. ¿Cuál es la tensión colector – emisor en la Fig. 14.20 cuando
usamos la segunda aproximación?
Respuesta: La tensión en el diodo emisor es:
Por lo tanto, la tensión en la RB es de 14.3V, que es igual a la diferencia entre
15V y 0.7 V.
La corriente en la base será:
Capítulo 14 Transistor Bipolar
22
IB = 14.3 V / 470  = 30.4 A
La corriente de colector es igual al producto de la ganancia de corriente y la
corriente de base:
IC = 100(30.4 A) = 3.04 mA
La tensión colector – emisor es igual a:
VCE = 15 – (3.04 mA) (3.6 k) = 4.06 V
El resultado de esta respuesta tiene 0.5V más que el diodo modelo, pues varía
de 3.52 a 4.06 V. Si esta mejora es importante queda a criterio de cada uno.
Ejemplo 14.9. Si el valor de VBE es de 1V, ¿cuál es la tensión colector – emisor
(VCE) del circuito en la Fig. 14.20 cuando se usa la 3ª aproximación?
Respuesta: La tensión en RB es de 14V (de 15V a 1V), y la corriente de base
se puede obtener a partir de la Ley de Ohm:
IB = 14V / 470 k = 29.8 A
La corriente de colector es el producto de la ganancia de corriente y la corriente
de base:
IC = 100(29.8 A) = 2.98 mA
La tensión colector – emisor es igual a:
VCE = 15 – (2.98 mA) (3.6 k) = 4.27 V
Ejemplo 14.10. Si la tensión de alimentación de la base es de 5V, ¿cuáles son
las tensiones de colector – emisor (VCE) en los tres ejemplos anteriores?
Respuesta: para un diodo ideal:
---Ver Libro de Texto--La segunda aproximación:
Capítulo 14 Transistor Bipolar
23
---Ver Libro de Texto--La tercera aproximación:
---Ver Libro de Texto--En este ejemplo podemos comprender la diferencia que hay entre las tres
aproximaciones en condiciones de baja tensión de suministro. A partir de los
resultados vemos que la diferencia está dentro de 1 Voltio, y por lo tanto,
cuando se corrige el circuito se puede usar el análisis ideal. Sin embargo, si se
desea diseñar el circuito, la segunda aproximación es la mejor. Si no se tiene
una idea para escoger una aproximación, es mejor usar la segunda, que es
adecuada para ambas aplicaciones.
14.8 Acerca de la Hoja de Datos
Un transistor de señal reducida disipa menos de 0.5 W de potencia, y un
transistor potente disipa más de 0.5 W. Por lo tanto, al leer la hoja de datos de
un transistor, es necesario comenzar por la potencia máxima, ya que allí se
describe la limitación del transistor en cuanto a tensión y corriente.
14.8.1
Capacidad de Disrupción
Las capacidades máximas de disrupción de un transistor 2N3904 en la hoja de
datos es la siguiente:
---Ver Libro de Texto---
Estas tensiones se refieren a disrupción inversa. VCB es la tensión entre
colector y base, y VCE0 es la tensión colector – emisor cuando la base se
encuentra en circuito abierto. VEB es la tensión entre emisor – base. Por lo
general, para seguridad, las tensiones de diseño no deben estar muy cerca de
la capacidad máxima. En algunos dispositivos es fácil dañarlos si se operan
cerca de la capacidad máxima.
Capítulo 14 Transistor Bipolar
14.8.2
24
Corriente y Potencia Máximas
Algunas de las características máximas del transistor tipo 2N3904 se indican a
continuación:
---Ver Libro de Texto---
IC es la capacidad máxima en CD para la corriente del colector. Esto implica
que el 2N3904 puede operar bajo los 200 mA de corriente directa. La
capacidad es diferente para otras temperaturas. Si la temperatura ambiente es
de 60º C, la capacidad máxima de potencia es de 250 mW. Para operación
comercial, la temperatura está entre 0 y 60º C, y en la hoja de datos se
consigna el límite de disipación bajo la peores de las condiciones a 60 º C.
Si la temperatura ambiente es de solamente 25º C, la capacidad de potencia
puede ser hasta de 350 mV, y entre más baja sea la temperatura interna del
transistor, será mauro la capacidad de potencia. La temperatura interna o de
unión afectará las condiciones de trabajo del dispositivo. Con una temperatura
externa menor se tendrá también una temperatura interna menor, y si la
temperatura de operación del transistor se encuentra lejos de la temperatura en
la cual se pueda dañar, será más fácil sacarle toda la capacidad de operación
en cuanto a potencia.
14.8.3
Factor de Disminución
En la hoja de datos el factor de disminución da una idea de cómo reducir la
potencia indicada del dispositivo. Por ejemplo, el factor de disminución del
2N3904 es de 2.8 mW / ºC, lo que significa que la potencia especificada se
disminuye en 2.8 mW por cada grado Centígrado, a partir de los 350 mW,
cuando la temperatura comienza a subir desde los 25 ºC.
Capítulo 14 Transistor Bipolar
14.8.4
25
Disipadores de Calor
Una manera de aumentar la potencia especificada de un transistor es retirando
el calor interno, para lo cual se usa un disipador. Si se puede incrementar el
área del envase de un transistor, entonces será más fácil disipar el calor hacia
el aire. En la Fig. 14.21(a) se muestra se muestra un disipador de calor, y
cuando cubre el transistor, la forma de aletas aumentan el área de disipación
del calor.
La Fig. 14.21(b) muestra otra manera de disipar el calor. Esta pieza de metal se
puede sujetar a la cubierta de un instrumento electrónico y generalmente
constituye un medio de disipar altas temperaturas. Por lo visto, es fácil disipar
temperatura de la cubierta de un transistor.
En transistores de alta potencia, como el que se muestra en la Fig. 14.21(c ), el
colector se debe conectar al exterior de la carcasa para disipar la mayor
cantidad posible de calor. La cubierta exterior del dispositivo puede fijarse al
bastidor del instrumento o aparato. Se puede colocar una lámina delgada de
mica entre el transistor y el aparato para evitar que el colector forme
cortocircuito contra la masa del aparato. En vista de que el calor generado por
el transistor se puede disipar rápidamente, el transistor tiene un alto poder de
disipación a la misma temperatura ambiente. Algunas veces, el transistor se fija
a una amplia superficie con aletas, que actúa como disipador. Esto hace que el
transistor disipe en forma más efectiva el calor.
El propósito de utilizar disipadores de calor es reducir la temperatura en la
carcasa exterior del transistor, lo cual a su vez reduce la temperatura interna o
de la unión. En las hojas de datos puede encontrarse la resistencia térmica, lo
cual le permite al diseñador obtener la temperatura de la carcasa externa para
diferentes tipos de disipador de calor.
Pieza
metálica
Colector conectado a
la carcasa exterior
Pin 1 conectado a la base; pin 2 conectado
al emisor. La carcasa exterior es el colector
Fig. 14.21 – (a) Disipador de tipo embebido; (b) transistor de tipo cubierta; (c)
transistor de potencia cuyo colector está conectado a la carcasa externa.
Capítulo 14 Transistor Bipolar
14.8.5
26
Ganancia de Corriente
En algunos sistemas se usan los parámetros hFE en lugar de los dc, pero
ambos valores son iguales, es decir,
dc = hFE
(14.9)
Debe recordarse que en la Ecuación (14.9), en la hoja de datos generalmente
se usa hFE para indicar ganancia de corriente.
En la hoja de datos del 2N3094, se dan las siguientes datos en la parte de
características:
El 2N3904 puede trabajar muy bien cuando la corriente de colector es de unos
10 mA. Bajo esta corriente, la ganancia mínima de corriente es de 100 y la
máxima es de 300. ¿Qué significa esto? Esto implica que si se necesitan
muchos 2N3904 en el circuito trabajando a 10 mA, las ganancias de corriente
de algunos de los transistores serán tan bajas como 100, y algunos tendrán
ganancias de hasta 300. La mayoría de los transistores tienen ganancias de
corriente dentro de este rango.
La ganancia mínima de corriente se disminuye cuando la corriente del colector
es mayor o menos de 100 mA. Para los 0.1 mA, la ganancia mínima de
corriente es de 40. para 100 mA, la ganancia mínima de corriente es de 30. las
hojas de datos ofrecen únicamente la ganancia mínima de corriente para 10
mA debido a que el mínimo representa las peores condiciones. Los
diseñadores generalmente tienen que tomar en cuenta las condiciones peores
de funcionamiento, y tienen que evaluar la forma en que el circuito va a trabajar
con la ganancia de corriente más adversa.
Ejemplo 14.11. Un transistor 2N3904 tiene VCE = 12V, e IC = 10 mA. ¿Cuál es
su potencia de disipación? ¿Puede trabajar en forma segura con esta potencia
disipada a la temperatura ambiente de 25 ºC?
Capítulo 14 Transistor Bipolar
27
Respuesta: De acuerdo con la Ecuación (14.8), multiplique VCE por IC:
PD = (12V)( 10 mA) = 120 mW
¿Es seguro? Si la temperatura ambiente es de 25 ºC y la potencia del transistor
es de 350 mW, entonces está dentro del rango seguro.
Como se sabe, en un buen diseño se debe incluir el factor de seguridad para
asegurarse que el transistor puede trabajar durante un tiempo largo. El factor
de seguridad por lo general es de 2 o más. El factor de seguridad significa que
según el diseño, se tiene capacidad de disipación de potencia de la mitad de
350 mW, o sean 175 mW. Por lo tanto, a 25 ºC, la disipación de potencia de
120 mW es muy segura.
Ejemplo 14.12. En el Ejemplo 14.11, si la temperatura ambiente es de 100 ºC,
¿se estará siempre dentro del rango seguro de disipación de potencia?
Respuesta: La nueva temperatura es mayor de 25 ºC,
100 ºC – 25 ºC = 75 ºC,
lo que a menudo se puede escribir como que: T = 75 ºC
Aquí, la  significa que hay una diferencia, en el caso anterior, que entre ambas
temperaturas hay una diferencia de 75 ºC.
Multiplicando la diferencia de temperatura por el factor de disminución:
(2.8 mW / ºC)( 75 ºC) = 210 mW
lo que generalmente se escribe como que: P = 210 mW, significando la P
que existe una diferencia en la potencia, que es la potencia nominal menos la
diferencia de potencies, lo cual es igual a:
P(max) = 350 mW – 210 mW = 140 mW
Esto proporciona la potencia nominal del transistor a temperatura ambiente de
100 ºC. ¿Es este un diseño seguro? El transistor todavía no tiene problema, sin
embargo la disipación de potencia de 120 mW es menor que la potencia
máxima de 140 mW. Sin embargo, el factor de potencia ya no es de 2. Si la
temperatura o el poder de disipación se incrementan, el transistor podría
alcanzar el punto crítico, por lo cual el diseñador necesita re-diseñar el circuito,
para hacer que el factor de seguridad sea de 2. Trate de cambiar el circuito
para hacer que la disipación de potencia sea la mitad de 140 mW, o sea 70
mW. Otra forma es reducir la tensión del colector – emisor a 7V, lo que
reduciría la potencia en:
PD = (7V)(10 mA) = 70 mW
28
Capítulo 14 Transistor Bipolar
14.9
El transistor Como Interruptor
Cuando un transistor funciona como un interruptor, está trabajando en la región
de corte o de saturación.
La Fig. 14.22 muestra la operación básica de un transistor actuando como
interruptor. En la Fig. 14.22(a), el transistor está en la región de corte debido a
que no hay polarización directa en la unión base – emisor. Bajo esta condición,
el colector y el emisor está abiertos, y actúa como el interruptor abierto de la
Fig. 14.22(a). En la Fig. 14.22(b), la unión base – emisor está bajo polarización
directa. La corriente de base es suficientemente alta como para que el colector
alcance el valor de saturación. Por lo tanto, el transistor está en estado de
saturación, y bajo esta condición, el colector – emisor es como un cortocircuito.
En realidad, hay menos de 1 voltio de caída de potencial, que es la tensión de
saturación del transistor.
Corte
Saturación
Fig. 14.22. Acción idealizada de un transistor actuando como interruptor
14.9.1
Condiciones que Prevalecen Durante el Corte
Como se mencionó anteriormente, cuando no hay polarización directa en la
unión base – emisor, el transistor está en corte. Si se ignora la fuga, el
transistor no tiene corriente, y VCE es igual a VCC.
VCE(corte) = VCC
(14.10)
Capítulo 14 Transistor Bipolar
14.9.2
29
Condiciones que Prevalecen Durante Saturación
Tal como lo estudiamos anteriormente, cuando la unión base – emisor se
encuentra bajo polarización directa, y se tiene suficiente corriente de base para
generar corriente en el colector, el transistor se encuentra en estado de
saturación. La ecuación de la corriente de colector bajo condición de saturación
es
El valor de VCE es muy pequeño bajo condiciones de saturación, y la
corriente de saturación del colector es aproximadamente :
La corriente mínima de saturación de la base para producir la condición
de saturación es:
Generalmente IB es mucho más grande que IB(min) para garantizar que el
transistor está bajo condiciones de saturación.
Ejemplo 14.13 (1). La Fig. 14.23 muestra un circuito con transistor actuando
como interruptor. Cuando Vin = 0, ¿cuál será VCE ? (2) Asuma que VCE(sat) = 0V,
y que dc = 200. ¿Cuál será el valor de IB para la condición de saturación?; (3)
Cuando Vin = 5V, calcule el valor máximo de RB para hacer que el transistor
esté en condición de saturación.
Fig. 14.23
Capítulo 14 Transistor Bipolar
30
Respuesta: (1) Cuando Vin = 0V, el transistor está en la región de corte.
Mediante la Ecuación (14.10), VCE = VCC = 10V.
(2) Como VCE(sat) = 0V,
---Ver Libro de Texto--Este valor de IB es para el transistor cuando entra en la región de saturación. Al
aumentar IB se provoca que el transistor entre de lleno en la región de
saturación, pero no aumentará el valor de IC.
(3) Cuando el transistor está en la región de saturación, VBE = 0.7V, y el
potencial en RB es:
---Ver Libro de Texto--Para hacer que IB = 0.05 mA, el valor máximo de RB se obtiene mediante la Ley
de Ohm:
---Ver Libro de Texto---
14.10
Envases de Transistores e Identificación de Terminales
Hay muchos envases diferentes para transistores, según sea su aplicación. Los
transistores de mayor potencia se distinguen porque tienen disipadores de
calor o son del tipo tornillo. Para aplicaciones de potencia mediana o baja, la
cubierta generalmente es de metal o de plástico. Existen otros tipos que se
usan en dispositivos de alta frecuencia. Es necesario comprender la diferencia
entre los envases y la identificación de los terminales, lo cual veremos en esta
sección.
14.10.1
Categorías de Transistores
Tal como lo mencionamos anteriormente, los fabricantes generalmente
clasifican los transistores en tres tipos: (1) de uso general / dispositivos de
señal débil, (2) dispositivos de alta potencia, y (3) dispositivos RF (emisores de
frecuencia / micro frecuencia).
A pesar de haber diferentes tipos de envase para cada tipo de transistor, es
posible encontrar algunos envases de tipo diferente. A continuación veremos
los tipos de envase / cubierta para los tres tipos de transistor. Con ello se
espera que el estudiante pueda identificar el transistor cuando lo vea.
Capítulo 14 Transistor Bipolar
31
(1) De propósito general / señal débil
Se utilizan en amplificación a baja potencia o como interruptor en circuitos. Su
envase es de metal o de plástico. Puede haber muchos transistores en un solo
envase o cubierta. En la Fig. 14.24 se muestran los envases de plástico, y en la
Fig. 14.25 se aprecian los de metal. En la Fig. 14.26 se pueden ver envases
con transistores múltiples. A este último tipo pertenece el “doble en paralelo”
(DIP, en Inglés) y el de “pequeña escala” (SO, en Inglés). Es similar al envase
IC normal, y los terminales se muestran en la superficie. Es posible identificar el
emisor, la base y el colector.
Fig. 14.24 – Envases de plástico para propósito general / señales débiles
(Nota: dibujo incompleto en el original)
(f) Terminales en paralelo
(vista inferior)
Fig. 14.25 – Envases de metal para transistores de uso general / de señal débil
Capítulo 14 Transistor Bipolar
(a) Transistor Bipolar con envase de
metal
Paquete SO con 4 transistores
32
Paquete DIP con 4
transistores y
empaque delgado.
El pin 1 es el
punto de
identificación.
Empaque de cerámica para dos
transistores
Fig. 14.26 – Envases típicos para transistores múltiples
(2) Transistores de Potencia
El transistor de potencia sirve para controlar corrientes altas (generalmente
mayores de 1 A) o tensiones altas. Por ejemplo, se usa para alimentar la
bocina en la última etapa de amplificación de potencia de un equipo de audio
estéreo. La Fig. 14.27 muestra la estructura de los envases. En aplicaciones
normales, la cubierta metálica es el colector y se conecta a un disipador de
calor . En la Fig. 14.27(a), puede verse de una forma aproximada la forma en
que un transistor pequeño se coloca en un envase grande.
(3) Transistores RF
Se utilizan en alta frecuencia, generalmente en sistemas de comunicación o en
aplicaciones de alta frecuencia. Su aspecto y disposición de los pines está
diseñado con los mejores parámetros para altas frecuencias. La Fig. 14.28
muestra algunos ejemplos.
Capítulo 14 Transistor Bipolar
33
(f) de adherir a superficie
(g) Corte de sección de la
cápsula de un transistor
Fig. 14.27 – Transistores típicos de potencia
Fig. 14.28 – Transistores RF
Capítulo 14 Transistor Bipolar
34
14.11 Resumen
1. En un transistor bipolar hay tres nodos: emisor, colector, y base.
2. En un transistor bipolar hay dos uniones: (1) unión base – emisor, y (2)
unión base – colector.
3. La corriente en el bipolo se compone de huecos y electrones, por ello se
llama así.
4. Comparado con el colector y el emisor, la base es más angosta y tiene
menos concentración.
5. En los transistores bipolares hay tipos n-p-n y p-n-p.
6. Cuando el bipolar se usa como amplificador, la unión base – emisor se
encuentra bajo polarización directa, y la unión base – colector bajo
polarización inversa.
7. En el transistor existen tres tipos de corriente, que son: corriente de base
(IB), corriente de emisor (IE) y corriente de colector (IC).
8. IB es mucho más pequeña que IE y que IC.
9. La relación entre IC e IB es la ganancia DC, y se utiliza el símbolo dc. El
valor típico se encuentra entre 20 y varios cientos.
10. En las hojas de datos de transistores, dc generalmente se expresa como
hFE.
11. La relación entre IC e IE es dc. El valor típico se encuentra entre 95 y
0.99
12. El transistor tiene polarización directa – inversa. La ganancia de tensión
es la relación entre la resistencia interna del emisor y la resistencia
externa del colector.
13. Cuando un transistor trabaja en las regiones de corte y saturación,
funciona como un interruptor.
14. Corriente de base IB = (VBB – VBE) / RB
15. Tensión colector – emisor VCE = VC – VE
16. Potencia de disipación de un transistor PD = PC = VCEIC
17. En la región de corte, las dos uniones del bipolar están bajo polarización
inversa. No hay corriente de colector. Bajo condiciones ideales, es como
un interruptor abierto entre el colector y el emisor.
18. En la región de saturación, las dos uniones del bipolar están bajo
polarización directa. Hay corriente máxima de colector. Bajo condiciones
ideales, es como un interruptor en corto entre el colector y el emisor.
19. dc cambia con la temperatura, y tiene diferentes valores para el mismo
tipo de transistor.
20. Tipos de envase: plástico, metal, cerámica.
21. El transistor debe probarse antes de montarlo en la tarjeta del circuito
impreso.
22. Las partes que más fallan en un circuito a transistores son: una unión
abierta, dc demasiado baja, corriente de fuga muy alta, tarjeta del circuito
impreso abierta o en corto.
23. Los transistores se puede clasificar en tres tipos: propósito genera l/
dispositivos de señal débil, dispositivos de alta potencia, dispositivos RF.
Capítulo 14 Transistor Bipolar
14.12
35
Preguntas
1. Los tres terminales de un transistor bipolar son (1) p-n-p, (2) n-p-n, (3)
salida, salida, tierra, (4) base, emisor, colector.
2. En transistores p-n-p, son (1) la base y el emisor, (2) base y colector, (3)
emisor y colector.
3. La corriente del emisor se siempre (1) más alta que la corriente de base,
(2) más baja que la corriente de colector, (3) más alta que la corriente de
colector, (4) respuestas (1) y (3) juntas.
4. La dc es (1) ganancia de corriente, (2) ganancia de tensión, (3)
ganancia de potencia, (4) resistencia interna.
5. Si IC es 50 veces mayor que IB, entonces dc es: (1) 0.02, (2) 100, (3) 50,
(4) 500.
6. Si dc es 100, entonces dc es: (1) 99, (2) 0.99, (3) 101, (4) 0.01
7. Si el BJT está bajo polarización directa, entonces la tensión en la unión
base – emisor es aproximadamente: (1) 0V, (2) 0.7V, (3) 0.3V, (4) VBB.
8. Cuando un transistor opera en la región de corte o de saturación, se
comporta como: (1) amplificador lineal, (2) interruptor, (3) capacitor
variable, (4) resistencia variable.
9. En situación de corte, VCE es: (1) 0V, 82) mínima, (3) Máxima, (4) igual a
VCC, (5) respuestas (1) y (2), (6) respuestas (3) y (4).
10. En condición de saturación, VCE es: (1) 0.7V, (2) igual a VCC, (3) mínima,
(4) máxima.
14.13 Problemas
1. ¿Cuáles son los portadores mayoritarios en la región de la base npn de
un transistor?
2. Explique las razón por la cual la base de un transistor se fabrica muy
delgada y con baja concentración de dopaje.
3. ¿Por qué en un transistor la corriente de base es más pequeña que la
corriente de colector?
4. En un circuito a transistores, la corriente de base es de 30 mA, y es 2%
la corriente del emisor. Determine la corriente del colector.
Capítulo 14 Transistor Bipolar
36
5. IE = 5.34 mA, IB = 475 A, ¿Cuál será IC?
6. IC = 8.32 mA, IE = 8.69 A, ¿Cuál será dc?
7. Un transistor tiene IC = 25 mA, IB = 200 A, ¿Cuál es dc?
8. dc = 0.96, entonces dc = ¿?
9. dc = 30, ¿cuál será el valor de dc?
10. dc = 0.96, ¿Cuál es el valor de IC cuando IE = 9.35 mA?
11. En la Fig. 14.29, IB = 50 A, la tensión RC es 5 V, determine dc.
Fig. 14.29
13. Determine la corriente de cada rama y dc en el circuito de la Fig. 14.30
Fig. 14.30
14. En el circuito de la Fig. 14.31, determine VCE, VBE y VCB.
15. Un transistor funciona con una corriente de colector de 50 mA. ¿Cuál es el
valor máximo de VCE si no puede exceder el PD(max) = 1.2 W.
16. El factor de disminución de un transistor es de 1 mW / ºC, P D(max) = 0.5 W
a 25 ºC. ¿Cuál es PD(max) a 100 ºC?
Capítulo 14 Transistor Bipolar
37
Fig. 14.31
17. En el circuito de la Fig. 14.32, determine IC(sat) del transistor. ¿Cuál es el
valor de IB en condición de saturación? ¿Cuál es la tensión mínima de
entrada Vin para saturación?
Fig. 14.32
Fig. 14.33
18. En el circuito de la Fig. 14.33, dc = 50. ¿Cuál es el valor de RB de
saturación cuando Vin = 5V? ¿Cuál es el valor Vin en estado de corte?
19. Identifique los terminales de los transistores en la Fig. 14.34, que
corresponde a las vistas del fondo.
20. ¿Cuáles serán los tipos más posibles de transistor de acuerdo con los
envases mostrados en la Fig. 14.35?
Capítulo 14 Transistor Bipolar
38
Fig. 14.35