Download Diapositiva 1 - Ing.Sistemas I Semestre

Document related concepts
no text concepts found
Transcript
(random access memory) memoria de acceso aleatorio
Es la memoria desde donde el procesador recibe
las instrucciones y guarda los resultados.
Es el área de trabajo para la mayor parte del software de
un computador.

Porque se denomino acceso aleatorio?

Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de núcleo magnético, desarrollada entre
1949 y 1952 y usada en muchos computadores hasta el desarrollo de circuitos integrados a finales de
los años 60 y principios de los 70.

En 1969 Intel lanzo las primeras memorias RAM basadas en semiconductores de silicio con el
integrado 3101 de 64 bits de memoria.

En 1970 se presento una memoria DRAM de 1 kilobit ref. 1103, la primera en ser comercializada con
éxito.; lo que significó el principio del fin para las memorias de núcleo magnético.

En 1973 se presentó una innovación que permitió otra miniaturización y se convirtió en estándar para
las memorias DRAM: la multiplexación en tiempo de la direcciones de memoria.

MOSTEK lanzó la referencia MK4096 de 4Kb en un empaque de 16 pines, mientras sus competidores
las fabricaban empaque DIP de 22 pines.

Para finales de los 70 los integrados eran usados en la mayoría de computadores nuevos.

entonces se idearon los primeros módulos de memoria como el SIPP, aprovechando las
ventajas de la construcción modular.

El formato SIMM fue una mejora al anterior, eliminando los pines metálicos y dejando unas
áreas de cobre en uno de los bordes del impreso, muy similares a los de las tarjetas de
expansión, de hecho los módulos SIPP y los primeros SIMM tienen la misma distribución de
pines.

A finales de los 80 dejaron rezagadas a las memorias DRAM con el esquema original
MOSTEK, de manera que se realizaron una serie de mejoras en el direccionamiento como
las siguientes:

FPM-RAM (Fast Page Mode RAM) . Se fabricaban con tiempos de acceso de 70 ó 60 ns y
fueron muy populares en sistemas basados en el 486 y los primeros Pentium. Velocidad
200 Mbps

EDO-RAM (Extended Data Output RAM) Lanzada en 1995 y con tiempos de accesos de 40
o 30ns suponía una mejora sobre su antecesora la FPM. Velocidad 320 mbps

BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM) Fue la evolución de la EDO RAM y
competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. 533 MB/s hasta 1066 MB/s
Las tecnologías de las memorias RAM se
dividen en dos grandes grupos:
Este tipo de memoria tienen la característica de
que deben ser "refrescadas" constantemente.
Esto significa que una vez escrita en ellas la
información, la pierden rápidamente. Por lo que
debe utilizarse un sistema (de refresco) que lea
el contenido y vuelva a escribirlo.
Este proceso se repite constante y
automáticamente durante el funcionamiento del
ordenador.
conservan su contenido
indefinidamente (mientras
se mantenga la
alimentación de energía),
por lo que solo deben ser
reescritas nuevamente
cuando se desee cambiar
su contenido.
SIMM o Single in-line Memory Module (módulo de memoria en línea simple)
Pequeña placa de circuito impreso con varios chips de memoria integrados,
chips de memoria independientes que se instalaban directamente sobre la placa
base. Los SIMM están diseñados de modo que se puedan insertar fácilmente en
la placa base de la computadora, y generalmente se utilizan para aumentar la
cantidad de memoria RAM.
capacidades (4Mb, 8Mb, 16Mb...) y con diferentes velocidades de acceso. En un
principio se construían con 30 contactos y luego aparecieron los de 72
contactos.
Fueron muy populares desde principios de los 80 hasta finales de los 90, el
formato fue estandarizado por JEDEC bajo el número JESD-21C.
- Tiene un voltaje de alimentacion de 5 V
1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál
están soldadas los componentes de la memoria.
2.-Chips: son módulos de memoria volátil.
3.- Conector (30 terminales): base de la
memoria que se inserta en la ranura especial
para memoria SIMM.
DIMM o de Dual In-line Memory Module, (módulo de memoria en línea doble).
Hace referencia a su sistema de comunicación con la placa base, que se gestiona
en grupos de datos de 64 bits, en contraposición con los módulos SIMM (Single Inline Memory Module, módulo de memoria en línea simple), que usan una vía simple
y sólo transfieren 32 bits de datos cada vez.
-168 contactos en sus conectores de anclaje con la placa base; también suele ser
habitual disponer de cuatro o más conectores, pudiendo utilizarse uno o varios de
ellos, mientras que los módulos SIMM deben ir por parejas, además de tener
anclajes incompatibles, que son de 30 o 72 contactos. Esto determina que la
mayoría de las placas base puedan utilizar módulos de uno u otro tipo, pero no
ambos.
-Capacidad de memoria: de 64, 128, 256 y 512 MB (megabytes) y de 1, 2 o más
gigabytes.
- 3.3 v
-Velocidades de bus: 66 MHz, 100 MHz, 133 MHz
Los módulos DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM)
Son comúnmente conocidas como DDR, similares a las anteriores pero tienen 184
contactos y mejores prestaciones. Las más comunes son:
 - DDR266 (PC2100): Frecuencia de trabajo de 266 MHz y transferencia de datos
de 2,1 GB/s.
 - DDR333 (PC2700): 333 MHz y 2,7 GB/s
 - DDR400 (PC3200): 400 MHz y 3,2 GB/s
 - DDR533 (PC4200): 533 MHz y 4,2 GB/s
(DOBLE TASA DE CAMBIO) Esto indica que la memoria es capaz de procesador el doble
de datos por cada ciclo de reloj. Por eso se dice que una memoria DDR con 133MHz
trabaja como si fuera a 266MHz, ahí se ve esa doble capacidad de trabajo.
- Tiene un voltaje de alimentacion de 2,2 v
Los módulos DDR2 son capaces de trabajar con 4 bits por ciclo, es decir 2
de ida y 2 de vuelta en un mismo ciclo mejorando sustancialmente el ancho
de banda potencial bajo la misma frecuencia de una DDR SDRAM tradicional
(si una DDR a 200 MHz reales entregaba 400 MHz nominales, la DDR2 por
esos mismos 200 MHz reales entrega 800 MHz nominales).
-240 contactos
-Velocidad de bus 533MHz, 800MHz, 1024MHz
- Tiene un voltaje de alimentacion de 1,8 v
Proviene de ("Dual Data Rate 3"), lo que traducido significa transmisión
doble de datos tercer generación: son el mas moderno estándar, un tipo
de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las
cuáles tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan
con un conector especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta
principal.
 Tiene un voltaje de alimentación de 1,5 V
L OS COMPONENTES SON VISIBLES , YA QUE NO CUENTA CON CUBIERTA
PROTECTORA ; SON BÁSICAMENTE LOS SIGUIENTES :
1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas los
componentes de la memoria.
2.-Chips: son módulos de memoria volátil.
3.- Conector (240 terminales): base de la memoria que se
inserta en la ranura especial para memoria DDR2.
4.- Muesca: indica la posición correcta dentro de la ranura de
memoria DDR3.
COMO DIFERENCIAR FISICAMENTE ENTRE DDR,DDR2 Y DDR3

Es la parte dónde se ejecutan los programas, los datos son leídos desde
el disco duro, es almacenado en la RAM y posteriormente procesado por
la CPU del ordenador.
¿Qué memoria tengo que instalar en mi ordenador si quiero ampliar?
Esto depende de las capacidades de la placa base. Lo ideal es
acudir al manual de la placa (un librito que nos debieron entregar
al comprar el ordenador) y verificar las características. Ahí
pondrá qué tipo de memorias se deben poner y de qué velocidad.
Es una memoria de sólo lectura que se programan mediante
máscaras. Es decir, el contenido de las celdas de memoria se
almacena durante el proceso de fabricación para mantenerse
después de forma irrevocable.

1. Alta densidad: la estructura de la celda básica es muy sencilla y
permite altas integraciones.

2. No volátiles: el contenido de la memoria permanece si se quita
la alimentación.

3. Coste: dado que la programación se realiza a nivel de máscaras
durante el proceso de fabricación, resultan baratas en grandes
tiradas, de modo que el coste de fabricación se reparte en muchas
unidades y el coste unitario es baja.

4. Sólo lectura: únicamente son programables a nivel de máscara
durante su fabricación.

Su contenido, una vez fabricada, no se puede modificar.
Se usa para almacenar información vital para el funcionamiento del
sistema: en la gestión del proceso de arranque, el chequeo inicial del
sistema, carga del sistema operativo y diversas rutinas de control
de dispositivos de entrada/salida suelen ser las tareas encargadas a
los programas grabados en ROM.
Estos programas forman la llamada BIOS (Basic Input Output System).
Junto a la BIOS se encuentra el chip de CMOS donde se almacenan
los valores que determinan la configuración hardware del sistema,
como tipos de unidades, parámetros de los discos duros, fecha y hora
del sistema... esta información no se pierde al apagar la computadora.
Estos valores se pueden modificar por medio del SETUP.
(programmable read only memories) Memoria de solo lectura programable.
Tipo de memoria que puede ser programada una sola vez a través de un
programador PROM. Están compuestas de fusibles (o antifusibles) que sólo
pueden ser quemados una vez.
Estas memorias son programables se entregan vírgenes al programador,
este mediante un dispositivo especial las programará grabando en ellas los
datos que considera de interés para su trabajo, o para su uso personal. El
proceso de programación es destructivo: una vez grabada, es como si fuese
una ROM normal, o sea, una vez que la memoria sea programada no podrá
ser alterada nuevamente.
Para conseguir que la información que se desea grabar sea inalterable, se
utilizan dos técnicas:
Por destrucción de fusible o por destrucción de unión.
L AS MEMORIAS PROM SE SUBDIVIDEN EN SÍ ,
EN EPROM Y RPROM.
Se trata de una memoria PROM, de la que se puede borrar la
información mediante rayos ultravioleta. Para esta operación es
necesario que el circuito integrado disponga de una ventana de
cuarzo transparente a los rayos ultravioleta. El tiempo de exposición
a los rayos ha de ser corto, pero variable según el constructor. Una
vez borrados los datos de la EPROM, se necesita disponer de un
grabador especial para introducir nuevos datos.
Estas memorias utilizan transistores MNOS (metal nitruro óxido
sílicio) por lo que se borran eléctricamente si se aplican a las
entradas unos valores de tensión oportunos. Para el borrado de las
memorias RPROM, como para la programación, se necesita un
programador especial.