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TESIS DOCTORAL APORTACIONES EN LA SUPRESIÓN DE INTERFERENCIAS CONDUCIDAS (EMI) EN LOS SISTEMAS DE POTENCIA LINEALES. Francisco Pérez Ridao Sevilla, Marzo de 2000 ii TESIS DOCTORAL APORTACIONES EN LA SUPRESIÓN DE INTERFERENCIAS CONDUCIDAS (EMI) EN LOS SISTEMAS DE POTENCIA LINEALES. por Francisco Pérez Ridao Ingeniero Industrial por la E.S. de Ingenieros de la Universidad de Sevilla Presentada en la Escuela Superior de Ingenieros de la Universidad de Sevilla para la obtención del Grado de Doctor Ingeniero Industrial Sevilla, Marzo de 2000 iv TESIS DOCTORAL APORTACIONES EN LA SUPRESIÓN DE INTERFERENCIAS CONDUCIDAS (EMI) EN LOS SISTEMAS DE POTENCIA LINEALES. Autor: Francisco Pérez Ridao Director: Juan Manuel Carrasco Solís vi A Mari Carmen y Álvaro. Agradecimientos Quiero expresar mi agradecimiento a todas aquellas personas (familiares, compañeros y amigos) que han colaborado, de una forma u otra, en el desarrollo de esta Tesis Doctoral: • A mi director de tesis, Dr. Juan Manuel Carrasco Solís, por toda la colaboración prestada. • Al Dr. Leopoldo García Franquelo, por el esfuerzo realizado en favor del, hoy numeroso y fértil, Departamento de Ingeniería Electrónica. • A los profesores Dr. Ramón González y Dr. Jon Tombs, por la ayuda en el entorno de trabajo UNIX y por la revisión de la memoria de tesis. • A los profesores Dr. Carlos Janer y Dr. Eduardo Galván por sus acertados comentarios como revisores de la memoria de tesis. • Al profesor Dr. Antonio Torralba Silgado, por el apoyo en la adquisición de la instrumentación utilizada. • A D. Andrés González, por su ayuda en la realización de prototipos. • A todos los profesores del Grupo de Tecnología Electrónica, que con su apoyo y noble amistad contribuyeron positivamente a la investigación realizada. • A mi familia, por el apoyo y paciencia mostrados. x Resumen de la Tesis En esta Tesis Doctoral se presentan los resultados de una nueva línea de investigación desarrollada por el Grupo de Tecnología Electrónica (GTE) del Departamento de Ingeniería Electrónica de la Universidad de Sevilla en el campo de las interferencias electromagnéticas de alta frecuencia (EMI) en los Sistemas Electrónicos de Potencia. La experiencia y resultados de otras líneas de investigación existentes en el GTE, como es la desarrollada en el campo de convertidores de potencia conmutados en alta frecuencia, tiene su prolongación natural en el estudio de las interferencias generadas por dichos sistemas. Sin embargo, por su interés práctico y por la escasez de publicaciones científicas específicas, se centra la investigación en los sistemas lineales de potencia. El objetivo general de esta tesis consiste en el planteamiento del problema EMI, o problema de interferencias de alta frecuencia, que afecta cada vez más al funcionamiento de los Sistemas de Potencia Lineales (SPL) abordados a lo largo de la tesis. Para ello, en cada elemento analizado del sistema, se sigue el siguiente proceso: • Determinación de las principales fuentes de interferencias, ya sean internas o externas al sistema analizado, justificando los principales mecanismos de acoplamiento de interferencias, y definiendo los circuitos que actúan de víctimas a estas interferencias. Así, a lo largo de los diferentes capítulos de la tesis se caracterizan, realizando numerosas medidas, cada una de las interferencias EMI que producen problemas en el sistema analizado. • Incorporación de soluciones originales a las interferencias de alta frecuencia, o soluciones EMI, detectadas en el primer punto. En primer lugar, se analizan los efectos de las soluciones a interferencias con métodos externos (filtrado y apantallado EMI), que se adaptan de forma especial a cada problema planteado. Por otra parte, se proponen y ensayan soluciones originales específicas a las interferencias detectadas, que afectan al diseño interno de circuitos y que, como se verá en los resultados experimentales, resultan sumamente eficaces. xii El estudio de las interferencias se centra en el caso particular de los Sistemas de Potencia Lineales para el procesado y amplificación de señales de baja frecuencia (audio), constituidos por una fuente de señal, amplificador lineal de potencia (con especial atención a su sistema de alimentación) y carga electroacústica. Así, a lo largo de la tesis se analizan los diferentes diseños eléctricos de los principales circuitos necerarios para la realización del sistema, su comportamiento en baja frecuencia y los problemas de interferencias de alta frecuencia que han sido investigados. La visión global del sistema es primordial para la justificación de las interferencias en alta frecuencia, tanto en su generación, como en los mecanismos de acoplamiento de interferencias. La complejidad del sistema analizado y la diversidad de problemas EMI detectados fijan la investigación en la caracterización y supresión de interferencias de forma experimental, tras analizar las causas y los mecanismos de acoplamiento de interferencias. Se han realizado numerosas medidas de interferencias, en diferentes sistemas y condiciones de trabajo de los mismos, de las que se extraen la información inicial que centra el objetivo de estudio posterior. Para limitar la extensión de la memoria de la tesis, se han seleccionado, entre los numerosos registros obtenidos, sólo las medidas más interesantes que evidencian la naturaleza del problema y la eficacia de las soluciones investigadas. La memoria de la Tesis se estructura en seis capítulos. El primero de ellos es una introducción general al problema EMI en los Sistemas de Potencia Lineales, en donde se define el sistema objeto de la investigación, la motivación inicial para la investigación del problema en el campo de las interferencias de alta frecuencia, estado de las investigaciones precedentes, y metodología general de trabajo. En el Capítulo 2 se muestran los métodos de medidas de interferencias conducidas que se han utilizado para la investigación. Se resalta el uso de las sondas de corriente de alta frecuencia en las medidas EMI y, por su utilidad práctica, se presentan tres prototipos originales diferentes de sondas de corriente que se han diseñado y caracterizado en las medidas de laboratorio. Estos prototipos se muestran muy interesantes cuando se comparan con sondas comerciales de corriente de costes mucho más elevados. En el mismo Capítulo 2 se repasa la normativa europea vigente sobre Compatibilidad Electromagnética (EMC), tanto las normas genéricas como las normas de producto aplicables a los sistemas analizados. Así, se muestran los límites de emisión y se comentan los requisitos de inmunidad, aunque el objetivo de supresión de interferencias planteado en esta tesis pretende el mejor diseño posible (máxima reducción de interferencias) y no sólo el mero cumplimiento de la normativa. xiii En el Capítulo 3 se investiga el problema de las interferencias en alta frecuencia presentes en los sistemas de alimentación básicos no regulados (sistemas ABNR) utilizados industrialmente en los diseños comerciales de amplificadores de potencia. Se investigan, en primer lugar, las interferencias externas presentes en la red eléctrica, sus características de variación y el mecanismo de acoplamiento con la carga alimentada, resaltando el problema asociado al transformador de red utilizado. Como solución original a estas interferencias externas, se diseñan filtros especiales de modo común y banda ancha que presentan notables ventajas frente a los filtros comerciales. A continuación, en el mismo Capítulo 3, se investigan las interferencias generadas internamente en el circuito de alimentación, comparando diferentes topologías de circuitos de alimentación simétricos no regulados, y se ensayan posibles soluciones a interferencias. Se determinan soluciones muy eficaces basadas en el uso de diodos rectificadores rápidos y modificaciones topológicas de los circuitos de rectificación que permiten la máxima supresión de EMI generado. Se cierra el capítulo resumiendo el conjunto de soluciones originales desarroladas para la supresión EMI en el sistema de alimentación analizado, que se aplican en un proyecto de colaboración industrial. En el Capítulo 4 se investigan las interferencias generadas por los sistemas de alimentación conmutados en alta frecuencia diseñados especialmente para amplificadores de potencia. Se diseñan y montan los prototipos de dos sistemas de alimentación conmutados diferentes, denominados SAD y SACAP, que disponen de circuitos de corrección de factor de potencia en la entrada y de regulación de las tensiones de salida. En estos sistemas se miden las interferencias internas generadas por cada convertidor de potencia en diferentes condiciones de trabajo. En el sistema SACAP se extienden las medidas de interferencias conducidas hasta 300 MHz, rango de frecuencias muy superior al fijado por las normas, y se investigan las causas de la generación de interferencias en los circuitos de conmutación. Se proponen diferentes soluciones originales, que son caracterizadas de forma independiente, y que resultan muy eficaces en la supresión de interferencias. Como conclusión, se llega a que el sistema SACAP, cuando incluye todas las soluciones a interferencias EMI investigadas y desarrolladas, puede ser utilizado en los amplificadores lineales de potencia de forma ventajosa respecto al sistema de alimentación ABNR. En el Capítulo 5 de la tesis se investigan los problemas de interferencias en el amplificador de potencia y su entorno real de funcionamiento. Para ello, en primer lugar, se analizan las posibles interferencias de alta frecuencia que se generan en las actuales fuentes (reproductores) de señal de audio, propo- xiv niendo soluciones originales muy eficaces en la supresión de las interferencias generadas internamente en la fuente de señal. En segundo lugar, en el mismo Capítulo 5, se diseñan y montan dos prototipos diferentes de amplificadores lineales de potencia, denominados APL1 y APL2, en donde se miden los efectos de las interferencias de alta frecuencia aplicadas en la entrada. Se caracteriza y compara el comportamiento de estos amplificadores frente a interferencias de entrada no moduladas y moduladas (en amplitud y frecuencia) de hasta 600 MHz y se proponen soluciones específicas para aumentar la inmunidad del amplificador. En tercer lugar, dentro del Capítulo 5, se caracteriza el efecto EMI de la carga electroacústica real conectada en la salida del amplificador. Para ello, se diseña y monta un prototipo especial de carga de altas prestaciones, denominado BF1, que se caracteriza tanto en baja como en alta frecuencia. Con los registros de las impedancias medidas hasta 100 MHz en cada uno de los diferentes componentes utilizados en la carga, y en el conjunto de la misma, se justifica el importante efecto que la carga conectada a la salida del amplificador provoca en la propagación de interferencias conducidas, tanto en modo común, como en modo diferencial. Por último, se completa el Capítulo 5 analizando el problema de conexionado de las diferentes masas en el amplificador de potencia, y se muestra el mecanismo de acoplamiento de interferencias de baja y alta frecuencia que denominamos como realimentación de masa. Con ello, se justifica el importante efecto en baja frecuencia, que puede ser utilizado para inclusión de realimentación mixta tensión-corriente, y se muestra cómo las interferencias EMI que afectan especialmente en esta situación pueden ser atenuadas con elementos de filtrado EMI en la conexión de la carga. En el Capítulo 6 se muestra un resumen de las Conclusiones Generales extraídas en la investigación realizada y se proponen las Futuras Líneas de Investigación, que el autor de la tesis considera muy interesantes. Los resultados de esta tesis van a tener una aplicación industrial inmediata en el diseño de un amplificador industrial especial denominado APLAIRE (Amplificador de Potencia Lineal de Alta Inmunidad al Ruido Eléctrico) cuyo diseño físico incluye gran parte de las soluciones a interferencias EMI investigadas previamente en esta tesis, junto con un seleccionado diseño interno de los circuitos de procesado y amplificación en baja frecuencia. Índice General 1 Introducción 1.1 Origen y Motivación de la Investigación. . 1.2 Conceptos y definiciones previas. . . . . . 1.3 Estado actual del problema EMI en SPL. 1.4 Objetivo y Planteamiento de la Tesis. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 Entorno de Medidas EMI 2.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2 Medidas con LISN de interferencias conducidas a red. . . . . . 2.3 Medidas de interferencias con sondas de corriente. . . . . . . . 2.3.1 Factor de conversión de las sondas ESH2-Z1 y ESV-Z1. . 2.3.2 Aportaciones originales en el diseño y caracterización de sondas de corriente de bajo coste. . . . . . . . . . . . . . . 2.3.3 Comparación de sondas en medidas EMI. . . . . . . . . . 2.4 Medida de interferencias con sondas de campo próximo. . . . . . 2.5 Aplicación de la Normativa Europea sobre EMC. . . . . . . . . . 2.5.1 Norma de emisión UNE-EN55013. . . . . . . . . . . . . . 2.5.2 Norma de inmunidad UNE-EN55020. . . . . . . . . . . . 2.6 Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Supresión EMI en la alimentación no regulada de amplificadores. 3.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2 Alimentación no regulada (ABNR) de amplificadores. . . . . . . 3.3 Supresión de interferencias externas. . . . . . . . . . . . . . . . 3.3.1 Interferencias captadas en los cables de red. . . . . . . . 3.3.2 Interferencias conducidas desde otras cargas. . . . . . . . 3.3.3 Interferencias en la toma de tierra. . . . . . . . . . . . . . 3.3.4 Acoplamiento EMI en el transformador de red. . . . . . 3.4 Supresión de Interferencias internas. . . . . . . . . . . . . . . . 3.4.1 Interferencias generadas con diodos de red. . . . . . . . . 3.4.2 Supresión de interferencias generadas con diodos rápidos. 3.4.3 Filtrado EMI en los condensadores de salida. . . . . . . . 3.5 Soluciones EMI incorporadas en APLAIRE. . . . . . . . . . . . . 1 3 7 11 14 19 21 21 24 25 26 31 32 36 37 39 41 43 45 46 48 51 53 58 60 64 64 70 77 77 xvi ÍNDICE GENERAL 3.6 Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84 4 Supresión EMI en la alimentación conmutada de amplificadores. 87 4.1 Introducción. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89 4.2 Descripción del sistema SAD. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90 4.2.1 Convertidor de entrada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91 4.2.2 Convertidor de salida. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93 4.2.3 Convertidor de tarjeta. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96 4.2.4 Consideraciones de diseño para bajo EMI. . . . . . . . . . 96 4.3 Medida de interferencias en SAD. . . . . . . . . . . . . . . . . . 97 4.3.1 EMI conducido a red por el circuito de control. . . . . . . 97 4.3.2 EMI conducido a red por el Convertidor de Entrada. . . 98 4.3.3 EMI conducido a red por el convertidor de salida. . . . . 98 4.3.4 EMI conducido a red en el funcionamiento conjunto del convertidor principal. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101 4.3.5 Conclusiones de las medidas EMI en SAD. . . . . . . . . 104 4.4 Descripción del sistema SACAP. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105 4.4.1 Especificaciones generales de SACAP. . . . . . . . . . . . 105 4.4.2 Descripción del funcionamiento de SACAP. . . . . . . . . 107 4.4.3 Comparación de características eléctricas en baja frecuencia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111 4.5 Medida de interferencias en SACAP. . . . . . . . . . . . . . . . . 115 4.5.1 Medidas con red LISN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115 4.5.2 Medida con sondas de corriente . . . . . . . . . . . . . . 116 4.6 Supresión de interferencias en SACAP . . . . . . . . . . . . . . 123 4.7 Conclusiones. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132 5 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. 135 5.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137 5.2 Interferencias EMI generadas por la fuente de señal. . . . . . . 138 5.2.1 Selección de la fuente de señal. . . . . . . . . . . . . . . . 139 5.2.2 Interferencias medidas con el osciloscopio. . . . . . . . . 140 5.2.3 Interferencias medidas con el analizador de espectros. . 143 5.2.4 Conclusiones y soluciones propuestas a las interferencias generadas por la fuente de señal. . . . . . . . . . . . . . . 150 5.3 Efectos de interferencias en el amplificador de potencia. . . . . . 155 5.3.1 Efectos de interferencias en el amplificador APL1. . . . 156 5.3.2 Efectos de interferencias en el amplificador APL2. . . . . 158 5.3.3 Conclusiones y soluciones propuestas a las interferencias en los amplificadores APL1 y APL2. . . . . . . . . . . 163 5.4 Caracterización de la carga en baja y alta frecuencia. . . . . . . 172 5.4.1 Caracterización de la carga en baja frecuencia. . . . . . . 173 ÍNDICE GENERAL xvii 5.4.2 Caracterización de la carga en alta frecuencia. . . . . . . 174 5.5 Interferencias en el amplificador producidas por la carga. . . . . 200 5.5.1 Interferencias de baja frecuencia en el amplificador producidas por la carga compleja. . . . . . . . . . . . . . . . . 201 5.5.2 Control de la carga compleja con realimentación de masa. 204 5.5.3 Interferencias de alta frecuencia en el amplificador producidas por la carga. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 208 5.6 Conclusiones. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 211 6 Conclusiones y Líneas Futuras 6.1 Conclusiones. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.1.1 Capítulo 1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.1.2 Capítulo 2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.1.3 Capítulo 3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.1.4 Capítulo 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.1.5 Capítulo 5. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.1.6 Publicaciones y Proyectos. . . . . . . . . . . . . . . . . 6.2 Líneas Futuras de Investigación. . . . . . . . . . . . . . . . . 6.2.1 Sistemas de Alimentación Conmutados de Bajo EMI. 6.2.2 Amplificadores Lineales de Alta Inmunidad. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 213 215 215 216 216 217 219 220 221 221 222 xviii ÍNDICE GENERAL Capítulo 1 Introducción Índice General 1.1 Origen y Motivación de la Investigación. . . . . . . . . . . 3 1.2 Conceptos y definiciones previas. . . . . . . . . . . . . . . 7 1.3 Estado actual del problema EMI en SPL. . . . . . . . . . . 11 1.4 Objetivo y Planteamiento de la Tesis. . . . . . . . . . . . . 14 2 Introducción 1.1 Origen y Motivación de la Investigación. 3 1.1 Origen y Motivación de la Investigación. Esta es la primera Tesis Doctoral que en el campo de la Compatibilidad Electromagnética y de los Sistemas de Potencia Lineales se realiza en el Departamento de Ingeniería Electrónica de la Universidad de Sevilla. Con ello, se abre formalmente una interesante línea de investigación cuyos orígenes y motivación se van a describir en este apartado. El primer contacto del autor de la investigación con los problemas asociados a las interferencias electromagnéticas en alta frecuencia proviene de la experiencia profesional adquirida en el Laboratorio de I+D de Fujitsu España (Málaga, 1989-92). Dedicado a la investigación y desarrollo de sistemas de alimentación conmutados en alta frecuencia para diferentes aplicaciones industriales, el problema de las interferencias electromagnéticas en alta frecuencia surgía inevitablemente. Por una parte se buscaba suprimir los efectos internos de interferencias, que llegaban a producir fallos de funcionamiento en los convertidores conmutados, y por otra parte garantizar que no se superaban los límites de emisión que fijaban las normas de producto [22]. Posteriormente, como profesor de la Universidad de Sevilla (1992-99), en el desarrollo de las tareas investigadoras y de proyectos de colaboración industrial en el Departamento de Ingeniería Electrónica, los problemas de interferencias surgen frecuentemente asociados con el diseño y puesta a punto de diferentes convertidores de potencia conmutados en alta frecuencia ([17], [18], [19], [20], [21], [23], [24]). Simultáneamente, el autor de la tesis se ha interesado durante más de una década por los problemas prácticos en el diseño de sistemas analógicos de altas prestaciones, en especial sistemas de procesado y amplificación de señales de baja frecuencia (audio): Sistemas de Potencia Lineales (SPL en adelante). En diferentes componentes del sistema SPL, especialmente en los amplificadores lineales de potencia, se observó que numerosos productos comerciales y diferentes prototipos especialmente realizados, presentaban una serie de problemas de comportamiento (distorsiones) en las instalaciones reales, que no se justificaban por el manejo de señales de baja frecuencia, ni se correspondía con las prestaciones esperadas de las características eléctricas especificadas por los fabricantes. Los problemas detectados en los equipos e instalaciones SPL presentaban los síntomas característicos de los efectos de interferencias electromagnéticas provocadas en los sistemas electrónicos por las altas frecuencias. Experimentalmente, se había observado que la distorsión de los sistemas SPL en la reproducción de la señal de audio dependía de, entre otros, los siguientes 4 Introducción factores: • Entorno de funcionamiento del sistema. Un mismo sistema SPL, trasladado de un entorno a otro, presentaba un comportamiento dinámico diferente. • Condiciones temporales. La calidad de un sistema fijo, trabajando en las mismas condiciones, dependía de factores temporales con unas constantes de tiempo, o tiempos característicos, no justificadas por las constantes de tiempo características de los circuitos electrónicos internos (calentamiento, envejecimiento de componentes, etc.). • Sistemas de alimentación. El diseño de los sistemas de alimentación (topologías y componentes utilizados) afectaba directamente en la calidad de la señal procesada. Por ejemplo, sustitución de transformadores de alimentación equivalentes con diferentes geometrías (núcleos E-E por núcleos tororidales) provocaban apreciables variaciones del resultado, no justificadas por consideraciones eléctricas en baja frecuencia. • Conexión a la red eléctrica y toma de tierra. De nuevo, se producían distorsiones dinámicas importantes en función de la forma de conexión a la red eléctrica, punto de conexión, conexión a tierra de red compartida por otras cargas o a picas de tierra independientes, etc. • Cables. Los cables utilizados para interconectar los diferentes elementos del sistema SPL determinaban importantes cambios en el resultado de su funcionamiento global, no justificados por la simple transmisión de señales de baja frecuencia. En la actualidad existe un mercado de cables especiales para audio, extremadamente caros, cuyo diseño interno no se justifica en baja frecuencia. • Componentes Pasivos. Los componentes pasivos utilizados en los circuitos del sistema SPL afectaban de forma directa al resultado de funcionamiento. Por ejemplo, la tecnología de fabricación de los condensadores utilizados en amplificadores (estructura interna y tipo de dieléctrico) determinaban diferentes resultados acústicos. • Componentes Activos. La tecnología y escala de integración de los componentes activos utilizados en el sistema determinaban diferentes resultados de funcionamiento. En especial, con los amplificadores operacionales se mostraba una especial degradación del resultado (los primeros prototipos de amplificadores desarrollados por el autor utilizaban, por su mejor resultado, válvulas de vacío). • Diseño de la placa de circuito impreso. El trazado de pistas y la disposición de componentes en la placa de circuito impreso, manteniendo 1.1 Origen y Motivación de la Investigación. 5 los componentes y la topología, producía resultados muy diferentes de funcionamiento. • Sinergia entre componentes. Componentes modulares del sistema SPL, que deberían proporcionar las mismas prestaciones funcionales independientemente de la configuración final del sistema, son muy críticos en cuanto a los elementos conectados en los que el funcionamiento global se optimiza. No se justifica por el funcionamiento especificado para baja frecuencia. Por tanto, se detectaban una serie de problemas en el comportamiento electroacústico final de los elementos que integran el sistema SPL, alta susceptibilidad asociada a factores de diseño físico interno y de entorno de funcionamiento del sistema, que limitaban de forma importante la calidad del resultado global, y que no se justificaban por el procesado básico de señales en baja frecuencia ni por la características eléctricas (en baja frecuencia) especificadas por los fabricantes. Tras analizar los síntomas del problema, el objetivo final que se planteó en la investigación era caracterizar eléctricamente los problemas más importantes que se detectaban en los sistemas electrónicos lineales diseñados para aplicaciones electroacústicas, en especial los asociados a los amplificadores lineales de potencia, que no quedaban justificados por el diseño básico en baja frecuencia. En segundo lugar, como consecuencia de las caracterización del problema, proponer soluciones electrónicas para mantener la calidad máxima posible de funcionamiento de los diseños, sin que afectáran los parámetros enumerados anteriormente. Por los síntomas del problema específico planteado y con la experiencia en el estudio de interferencias en otros sistemas electrónicos ([22], [17], [24]), el estudio se centró rápidamente en el campo de la Compatibilidad Electromagnética (EMC). Como veremos en el desarrollo de esta tesis, la existencia inevitable de componentes de alta frecuencia que generan interferencias electromagnéticas (EMI) en los circuitos analógicos pueden justificar todas estas anomalías de comportamiento descritas anteriormente. La búsqueda bibliográfica en el campo EMC aportó una interesante información referida a cuestiones generales de la Compatibilidad Electromagnética ([10], [108], [28], [29], [30], [90], [95]) y aplicaciones en sistemas electrónicos de elevada emisión de interferencias, en especial sistemas electrónicos digitales ([84], [96], [149]) y sistemas de potencia conmutados ([101], [122], [154]). Sin embargo, pocas publicaciones se han encontrado que definan o caractericen el problema EMI en los SPL y, en todo caso, muy genéricas ([53], [125], [52]). Es debido a que los bajos niveles de interferencias de alta frecuencia 6 Introducción generados por estos sistemas, respecto a otros sistemas más conflictivos, favorecen el funcinamiento básico (pero no óptimo) y el cumplimiento de la normativa EMC aplicable a estos productos electrónicos, por lo que se superan fácilmente los requisitos de emisión para su posterior comercialización. Como muestra de la necesidad de investigación de las interferencias en alta frecuencia en el campo de aplicación de los sistemas SPL, basta con analizar la estructura interna de los diferentes diseños industriales de amplificadores de potencia y procesadores de señal de audio. En ellos no se incluyen protecciones efectivas frente a las interferencias internas y externas de alta frecuencia, tanto en productos de coste limitado, como en productos de la gama alta, y como resultado presentan alta susceptibilidad frente a factores incontrolados (interferencias). Si consideramos el coste de ciertas propuestas topológicas y de los diseños físicos de amplificadores de gama alta, justificados por la obtención de mejores resultados eléctricos y acústicos, sorprende que muchas de las soluciones implementadas se justifican también por su mayor inmunidad a interferencias de alta frecuencia (por ejemplo, amplificadores con válvulas de vacío), aunque no se considere este factor como determinante del resultado en el diseño original. Otro factor importante que justifica la investigación y el control de interferencias en los SPL es la contaminación electromagnética progresiva del entorno ([78], [41], [72], [91]). La proliferación de nuevos, y cada vez más numerosos, sistemas electrónicos de alta emisión de interferencias hacen que los sistemas muy susceptibles (caso típico de los SPL) a esas interferencias presenten cada vez una mayor degradación de comportamiento. Cuanto mayor es el nivel de emisión electromagnética del entorno, mayor grado de inmunidad se debe garantizar en los sistemas que trabajen en ese entorno. Destacar, por último, que los resultados de la investigación obtenidos en los prototipos realizados en el laboratorio resultaron tan interesantes que una empresa del sector, con la que se ha realizado la última fase de la investigación, está desarrollando aplicaciones industriales directas en amplificadores de potencia lineales de alta gama, con muy alto nivel de inmunidad a las interferencias internas y de entorno. Por tanto, como conclusión de este apartado, se ha visto que existía un problema de interferencias, problema EMI, en las instalaciones de los SPL que estaba pendiente de investigar y que, a lo largo de esta tesis se ha caracterizado y solucionado aplicando, de forma original, técnicas específicas de la compatibilidad electromagnética. El objetivo básico es optimizar la calidad de funcionamiento de los sistemas lineales de potencia de baja frecuencia cuando 1.2 Conceptos y definiciones previas. 7 se suprimen los efectos nocivos de las interferencias de alta frecuencia. 1.2 Conceptos y definiciones previas. En esta sección introducimos, de forma muy resumida, algunas de las definiciones y conceptos generales más importantes en la Compatibilidad Electromagnética. Destacamos, extraídas de la norma UNE-21-302-92, las siguientes definiciones: • Compatibilidad electromagnética (electromagnetic compatibility, EMC). Capacidad de un equipo o de un sistema para funcionar en su ambiente electromagnético de forma satisfactoria y sin que produzca perturbaciones electromagnéticas intolerables para todo lo que se encuentra en ese ambiente. • Ambiente electromagnético (electromagnetic environment). Conjunto de fenómenos electromagnéticos que existen en un entorno dado. • Ambiente radioeléctrico (radio environment). Ambiente electromagnético en la banda de radiofrecuencias. Conjunto de los campos electromagnéticos producidos en un lugar dado por emisores radioeléctricos en funcionamiento. • Perturbación electromagnética (electromagnetic disturbance). Fenómeno electromagnético que puede degradar el funcionamiento de un dispositivo, equipo o sistema, o de afectar desfavorablemente la materia viva o la inerte. • Ruido electromagnético (electromagnetic noise). Fenómeno electromagnético variable que aparentemente no lleva información y que puede superponerse o combinarse con una señal útil. • Ruido natural (natural noise). Ruido electromagnético que tiene su origen en fenómenos naturales y no es producido por aparatos o instalaciones de fabricación humana. • Ruido artificial (man-made noise). Ruido electromagnético que tiene su fuente en aparatos o instalaciones de fabricación humana. • Emisión electromagnética (electromagnetic emission). Fenómeno por el que una fuente proporciona energía electromagnética hacia el exterior. 8 Introducción • Emisión de banda ancha (broadband emission). Emisión cuya anchura de banda es superior a la de un receptor o de un aparato de medida dado. • Emisión de banda estrecha (narrowband emission). Emisión cuya anchura de banda es inferior a la de un receptor o de un aparato de medida dado. • Nivel de emisión (emission level). Nivel máximo de una perturbación electromagnética de forma dada, emitida por un dispositivo, equipo o sistema particular y medida de forma especificada. • Interferencia electromagnética (electromagnetic interference, EMI). Degradación del funcionamiento de un equipo, canal de transmisión o sistema debida a una perturbación electromagnética. • Interferencia entre sistemas (inter-system interference). Interferencia electromagnética que se manifiesta en un sistema y es debida a una perturbación electromagnética producida por otro sistema. • Interferencia de origen interno (intra-system interference). Interferencia electromagnética que se manifiesta en un sistema dado y es debida a una perturbación electromagnética producida en el mismo sistema. • Susceptibilidad electromagnética (electromagnetic susceptibility, EMS). Inaptitud de un dispositivo, equipo o sistema para funcionar sin degradación de calidad en presencia de una perturbación electromagnética. • Inmunidad a una perturbación (immunity to a disturbance). Aptitud de un dispositivo, de un aparato o de un sistema para funcionar sin degradación de calidad en presencia de una perturbación electromagnética. • Nivel de inmunidad (immunity level). Nivel máximo de una perturbación electromagnética de forma dada que incide en un dispositivo, equipo o sistema particular, para el que éste permanece capaz de funcionar con la calidad deseada. • Tensión perturbadora (disturbance voltage). Tensión producida entre dos puntos de dos conductores distintos por una perturbación electromagnética, medida en condiciones especificadas. • Tensión en modo diferencial (differencial mode voltage). Tensión diferencial o tensión simétrica. Tensión entre dos conductores dados de una serie de conductores. 1.2 Conceptos y definiciones previas. 9 • Tensión en modo común (common mode voltage). Media de fasores que representan las tensiones entre cada conductor y una referencia especificada, generalmente la tierra o la masa. • Relación señal/ruido (signal-to-noise ratio). Relación entre nivel de una señal útil y el nivel de un ruido electromagnético, medida en condiciones especificadas. • Radiación electromagnética (electromagnetic radiation). Fenómeno por el que una fuente genera energía hacia el espacio exterior en forma de ondas electromagnéticas. Energía transportada en el espacio en forma de ondas electromagnéticas. • Pantalla electromagnética (electromagnetic screen). Pantalla conductora destinada a reducir la penetración de un campo en una zona determinada. Por tanto, con las definiciones anteriores, se puede introducir el problema de las interferencias electromagnéticas o problema EMI. La presencia de ruido electromagnético en un ambiente electromagnético dado, ya sea ruido natural, o bien ruido artificial, por ejemplo el ruido provocado por el ambiente radioeléctrico ([81], [119]), puede producir interferencias en los sistemas susceptibles que afecten a su compatibilidad electromagnética. Por ello, ruido electromagnético y perturbación electromagnética están directamente relacionados. En general, el problema de interferencias electromagnéticas, “problema EMI”, requiere la presencia de tres elementos básicos: una fuente o foco de interferencias (interna o externa), un medio de acoplamiento y una víctima susceptible a la perturbación electromagnética. Centraremos el estudio en los efectos de interferencias sobre los sistemas electrónicos causadas, a su vez, por sistemas electrónicos. Las interferencias pueden ser de origen interno, o bien de origen externo. En los sistemas electrónicos estudiados en esta tesis se determinan tanto fuentes de interferencias internas como externas, aunque, como es natural, esta clasificación depende directamente de los límites que determinan el sistema objeto de estudio donde ocurren las interferencias electromagnéticas. Cuando se amplían los límites del sistema de estudio EMI, incluyendo elementos próximos (estén o no conectados eléctricamente) interferencias inicialmente externas al sistema pueden ser consideradas después como interferencias internas del sistema. 10 Introducción Las interferencias entre las fuentes y las víctimas se pueden acoplar por tres modos generales: conducción, campo próximo y por radiación. El acoplamiento por conducción supone la unión directa entre fuente de interferencia y víctima a través de un conductor. Se denomina también acoplamiento por impedancia común, en el sentido que fuente y víctima comparten una impedancia común, que puede ser de un material conductor. El acoplamiento por campo próximo supone una interacción entre fuente de interferencia y víctima a través de un campo eléctrico o magnético que crea la fuente y alcanza a la víctima, sin llegar a radiación electromagnética. Se utiliza también los términos acoplamiento capacitivo y acoplamiento inductivo, porque es habitual suponer capacidades parásitas e inductancias acopladas parásitas, localizadas entre fuente y víctima, en el modelo eléctrico equivalente del acoplamiento (de naturaleza electromagnética). En el caso particular de acoplamiento por campo próximo entre conductores se utiliza también el término diafonía capacitiva e inductiva. El acoplamiento por radiación electromagnética supone la existencia de una onda electromagnética (campos eléctrico y magnéticos acoplados) generada por una fuente relativamente lejana y que se acopla a la víctima en alguna de sus componentes de campo (eléctrico o magnético). En el caso que la fuente de perturbación se sitúe a distancias superiores a λ/2π (λ es la longitud de onda) de la víctima se considera campo lejano y que el acoplamiento es por radiación electromagnética. Las corrientes creadas por las interferencias pueden ser conducidas en dos modos diferentes: modo diferencial y modo común. En el modo diferencial, o modo simétrico, las corrientes que circulan en sentido opuesto en dos conductores se originan por la diferencia de tensiones entre esos dos conductores dados de una serie de conductores. En el modo común, las corrientes que circulan en el mismo sentido por dos conductores dados, se deben a la presencia de otros conductores o medios de acoplamiento que posibilitan el retorno de la corriente. El problema principal de la compatibilidad electromagnética en las instalaciones de los sistemas electrónicos está originado por la presencia y propagación de corrientes en modo común, ya que éstas no son consideradas en el diseño eléctrico convencional de baja frecuencia ([29], [68], [145]). Las técnicas generales de supresión de interferencias, en equipos o sistemas electrónicos, son el filtrado EMI y el apantallado EMI. Con estas técnicas se busca reducir el acoplamiento entre fuentes y víctimas de interferencias, sin introducir ningún cambio significativo en los circuitos que generan EMI o en los circuitos susceptibles a interferencias. 1.3 Estado actual del problema EMI en SPL. 11 Mediante técnicas de filtrado en conducido, filtrado EMI, se atenúa el acoplamiento de interferencias conducidas entre fuente y víctima introduciendo un filtro pasivo adaptado a las características de atenuación deseadas. Este filtro EMI puede disponerse en el lado del emisor (fuente de interferencias) o del receptor (víctima de inmterferencias). Con el apantallado EMI se intercala una pantalla conductora (blindaje electromagnético) entre fuente y víctima destinada a reducir la penetración de un campo en una zona determinada. Todos los sistemas electrónicos están sometidos a perturbaciones electromagnéticas, pero no siempre se tiene un problema de interferencias. El problema EMI, globalmente, puede presentarse en dos formas diferentes: problema de funcionamiento de los sistemas con un cierto nivel de calidad y problema de cumplimiento de la normativa vigente sobre EMC [85]. En el primer caso, el resultado del funcionamiento del sistema electrónico estará ligado por una parte a los niveles de interferencias presentes en un entorno dado y, por otra parte, a la susceptibilidad de las víctimas. En el segundo caso, las diferentes normas sobre EMC fijan los métodos de medidas, tipos de ensayos, límites de emisión y niveles de inmunidad que deberán cumplir un determinado producto electrónico para poderse comercializar. En todo caso, el cumplimiento de las normas EMC que afecten a un producto no garantiza que éste no sufra un problema de interferencias en un entorno de funcionamiento dado. 1.3 Estado actual del problema EMI en SPL. En la actualidad, las técnicas EMC de análisis y supresión de interferencias se están aplicando preferentemente en sistemas con muy alto nivel de emisión de interferencias. Es el caso de los sistemas de potencia conmutados en alta frecuencia: fuentes de alimentación conmutadas ([158], [156], [169], [144]), inversores para control de velocidad de motores de alterna ([170], [145], [105], [61], [42]), sistemas electrónicos de filtrado activo ([82], [123], [163]), etc. En estos sistemas, debido al alto nivel de EMI generado, es necesario controlar y reducir el nivel de emisión de interferencias, para no superar los límites de emisión fijados por las normas internacionales sobre EMC. En los sistemas de potencia lineales abordados en esta tesis, los niveles de emisión electromagnética son mucho menores que en los sistemas conmutados de potencia. El cumplimiento de la normativa vigente sobre EMC, que lleva a controlar los niveles de emisión en cualquier sistema electrónico, obliga también a limitar la emisión en cualquier elemento del sistema SPL. Pero, por la forma de trabajo interna de los circuitos en regimen lineal, los niveles de emisión son muy reducidos y favorece el cumplimiento de las normas EMC. Por esta razón, los sistemas SPL no son foco de atención primaria en las in- 12 Introducción vestigaciones actuales sobre interferencias de alta frecuencia, por lo que esta tesis presenta un interés muy singular al plantear y resolver los principales problemas de interferencias en estos sistemas. En determinados casos especiales, con modificaciones topológicas y de la forma de funcionamiento interno en los circuitos de los sistemas SPL, se pueden elevar considerablemente el nivel de emisión de interferencias, obligando a un estudio y control de las mismas. Es el caso de la inclusión de fuentes de señal digitales ([60], [79]) inclusión de sistemas de alimentación conmutados o amplificadores de audio conmutados en alta frecuencia ([8], [53], [65]). En estos casos, el estricto cumplimiento de la normativa EMC es el criterio adoptado para la limitación de interferencias en alta frecuencia. La singularidad de esta tesis es que plantea el problema EMC en los SPL con unos criterios muy exigentes de limitación de interferencias, mucho más que lo exigido por las normas comerciales sobre EMC. Se trata de minimizar los efectos de las interferencias en los SPL, buscando la máxima calidad del producto desarrollado: hay que minimizar los niveles de emisión e incrementar todo lo posible la inmunidad de los circuitos activos en los SPL, para mejorar todo lo posible la relación señal/ruido en el procesado y amplificación de la señal de baja frecuencia. Desde este criterio personal, son muy pocas las investigaciones científicas documentadas que se han encontrado. No sorprende, en tanto que los desarrollos más evolucionados y costosos de la industria en este sector no consideran directamente la importancia del problema EMI que les afecta, aunque marginalmente se ofrecen algunos productos para reducción de interferencias adaptables externamente en estos sistemas de audio. En todo caso, se puede establecer una primera analogía con el estudio de interferencias en los sistemas de control de velocidad de motores de alterna. La estructura, en cierto modo, es similar si consideramos la analogía que se puede establecer entre amplificador de potencia e inversor y motor de alterna con carga electroacústica, junto con la importancia del cableado y de la conexión a la red eléctrica. Sin embargo, existen notables diferencias, como son la forma de onda de la señal procesada, su rango de frecuencias, circuitos de conmutación en inversores, elevada inmunidad a interferencias en el inversor, etc. Por todo ello, un sistema SPL requiere una investigación específica del problema de interferencias, que no puede ser derivada del estudio EMI en otros sistemas diferentes. En la posible analogía del análisis de interferencias anterior, es importante la similitud que se debe imponer sobre la metodología de estudio de las interferencias de alta frecuencia: es el sistema el que presenta y justifica el problema 1.3 Estado actual del problema EMI en SPL. 13 EMI, antes que cualquiera de sus circuitos o elementos modulares de forma aislada. Por ejemplo, en [109] se demuestra que la emisión de interferencias en un controlador de velocidad de un motor de alterna con inversor conmutado en alta frecuencia depende directamente de la carga conectada y su forma de conexión, más que del propio inversor. Continuando con la analogía, investigaciones recientes, centradas en la propagación de interferencias en modo común desde el inversor hacia el motor, proponen modelos específicos en alta frecuencia del motor ([55], [42], [105], [170]), soluciones a interferencias con circuitos de filtrado pasivos ([66], [143], [68], [124], [105]) y activos ([145], [59], [106], [54]). Aunque las soluciones no son directamente extrapolables y deben ser adaptadas a la problemática particular de los SPL, el problema de propagación de interferencias en modo común en los SPL, como se verá en esta tesis, es de primordial importancia, y no es considerado en el diseño convencional de baja frecuencia. Los efectos de interferencias en los sistemas SPL están justificados por los componentes que se utilizan en los circuitos, tanto activos como pasivos. Por ello, es necesario el conocimiento del comportamiento en alta frecuencia de los diferentes componentes pasivos utilizados (que dista mucho de ser el comportamiento considerado en baja frecuecia) y de los diferentes componentes activos (transistores y circuitos integrados). Respecto a los efectos de las interferencias de alta frecuencia en los dispositivos electrónicos elementales, se encuentran interesantes trabajos publicados ([48], [77], [125], [136]) donde se caracterizan y justifican el comportamiento de diodos y transistores en presencia de radiofrecuencias. En nuestro caso, es de interés señalar que el efecto más perjudicial se tiene cuando las señales de alta frecuencia se encuentran moduladas en amplitud o frecuencia, puesto que un desplazamiento de nivel (offset) de la polarización no produce señales audibles. Por otra parte, si se establece una analogía funcional entre el funcionamiento de un simple amplificador operacional y un amplificador de potencia lineal, se encuentran referencias bibliográficas ([52], [51]) donde se analizan los efectos de las interferencias en alta frecuencia sobre dichos componentes. En dichas publicaciones se destaca el efecto de los circuitos de entrada en los efectos de interferencias, así como los efectos asociados a las interferencias que se pueden aplicar desde las alimentaciones y desde la conexión de salida. A pesar de cierta similitud funcional, los amplificadores de potencia presentan una complejidad física mayor que favorece la aparición de problemas EMI ausentes en los circuitos integrados: manejo de tensiones y corrientes elevadas, elevado tamaño característico, rutado de pistas, selección y disposición de componentes en la placa de circuito impreso, etc. 14 Introducción 1.4 Objetivo y Planteamiento de la Tesis. Como se ha adelantado en secciones anteriores, los sistemas de potencia lineales que se estudian en esta tesis presentan unos problemas en sus instalaciones no justificables por el funcionamiento básico previsto con señales de baja frecuencia (audiofrecuencias). La naturaleza de los problemas se corresponde en sus síntomas con los problemas típicos asociados a las interferencias electromagnéticas (EMI) en sistemas electrónicos. La presencia y efecto de las interferencias se debe, como se verá en esta tesis, a que el diseño eléctrico convencional para los circuitos que manejan señales de baja frecuencia no contempla la existencia de componentes de alta y muy alta frecuencia (EMI), que se pueden acoplar por diferentes mecanismos y que producen apreciables distorsiones en el funcionamiento real de estos equipos. Se hace necesario, por tanto, caracterizar y solucionar los principales problemas EMI que aparecen en las instalaciones SPL, como se presenta en [126]. En general, el problema de interferencias puede ser planteado y resuelto con diferentes niveles de complejidad, por lo que, ante todo, se debe definir el sistema objeto de estudio. Así, se pueden analizar los posibles problemas de interferencias en circuitos elementales, placas de circuito impreso, elementos modulares aislados o en un sistema completo independiente. Cuanto mayor sea la complejidad estructural del sistema analizado, más complejo resulta el modelado preciso del mismo con vistas a un posterior análisis de interferencias. Por ello, en los sistemas complejos se suelen introducir una serie de simplificaciones habituales en el modelo de interferencias, para posibilitar su caracterización y resolución. Por el contrario, sistemas muy simples pueden ser analizados con mayor precisión, sin introducir simplificaciones importantes en su modelo físico. El objetivo general de la tesis es determinar las interferencias presentes en el sistema y mostrar la forma en que estas interferencias de alta frecuencia pueden afectar en el comportamiento final de los amplificadores de potencia lineales. Se requiere, en cada caso, realizar numerosas medidas que permitan caracterizar las interferencias presentes en el sistema, su origen, el mecanismo de propagación y la forma en que finalmente puede afectar al sistema amplificador. La visión del problema de interferencias en todo el sistema es fundamental. Las interferencias de alta frecuencia se justifican, tanto en su generación co- 1.4 Objetivo y Planteamiento de la Tesis. 15 mo en su propagación, en la globalidad del sistema y pueden desaparecer si se aisla alguno de sus componentes y no se considera la presencia del resto del sistema. Por ello, se estudia el problema EMI, en cada una de sus facetas, considerado en el sistema de potencia lineal, y no sólo en uno de sus componentes fundamentales: amplificador de potencia lineal. El sistema SPL, en general, puede configurarse de muy diferentes formas. Un problema importante en la definición preliminar del sistema objeto de estudio es su enorme diversidad de configuraciones reales posibles. El usuario final dispone de una amplia oferta de productos comerciales eléctricamente compatibles (diferentes elementos, fabricantes y modelos) que puede incluir y conectar libremente en su sistema modular SPL. A esto se une los factores de ubicación que afectan de forma importante en el problema de interferencias: red eléctrica, entorno de instalación, cableado y disposición relativa de elementos. Por la complejidad e imposibilidad de estudio EMI de un sistema SPL genérico, se selecciona un sistema básico representativo de las instalaciones actuales. Está constituido por una fuente digital de señal, amplificación estereofónica y cargas electroacústicas. En el caso del amplificador y las cargas, tras evaluar diferentes productos comerciales, se han diseñado y montado diferentes prototipos en el laboratorio en donde se estudian las interferencias. En el caso de la fuente de señal, tras evaluar (desde el punto de vista EMI) diferentes productos comerciales, se selecciona un determinado producto comercial representativo del problema EMI, donde se miden las interferencias y se aplican las soluciones investigadas. En los capítulos posteriores se definirán con detalle las características eléctricas de cada uno de los elementos diseñados y el entorno final donde se caracterizan las interferencias. Definido el sistema objeto de estudio, el siguiente paso consiste en definir los posibles problemas de interferencias a estudiar. En el caso particular de esta tesis, se han analizado previamente el comportamiento de diferentes sistemas comerciales SPL en diferentes entornos de trabajo, con vistas a seleccionar los problemas EMI reales que se hacen dominantes en las instalaciones reales. Esto es, no se pretende introducir un problema artificial, sino caracterizar y resolver aquellos problemas de interferencias que surgen en las instalaciones reales e impiden obtener de las mismas los resultados eléctricos previstos. Para esta tesis, tras una fase inicial de investigación genérica, se han seleccionado algunos de los problemas EMI que el autor considera, en el momento actual, más importantes y que serán vistos en los correspondientes apartados. Por su importancia práctica, las interferencias conducidas son, en primer lugar, un límite del estudio realizado. No se abordan directamente en esta tesis los problemas EMI asociados a radiación ni a interferencias por campo mag- 16 Introducción nético o eléctrico próximos. Sólo son mencionados, o medidos marginalmente, en la justificación de la generación externa o interna de algunas interferencias que pueden ser posteriormente conducidas por el sistema SPL. Dentro de las interferencias conducidas, se consideran las corrientes EMI en modo diferencial y en modo común, justificando en cada caso su contribución al problema EMI. En especial, por la estructura interna y forma de conexionado del sistema SPL, las corrientes conducidas en modo común son causa de la mayoría de interferencias imprevistas que aparecen el sistema. Para comprender los mecanismos de propagación de estas corrientes en modo común, se requiere un modelo específico del sistema en alta frecuencia, que no se contempla en el diseño eléctrico en baja frecuencia (audiofrecuencias). Aunque las diferentes normas sobre EMC imponen los métodos de medida, límites tolerados de emisión y rango medido de frecuencias en las interferencias, se ha considerado primordial extender y valorar ciertas medidas muy por encima de lo fijado por las normas, cuando se demostraba su repercusión en las características funcionales del sistema analizado. En el caso particular de los SPL, las normas sobre EMC son demasiado permisivas y no garantizan la inmunidad a interferencias (en el sentido “degradación de calidad apreciable”) del sistema SPL, por lo que se miden y consideran niveles de interferencia muy por debajo de los máximos que especifican las normas EMC y mayor rango de frecuencias medidas. La extensión de los requerimientos de supresión de interferencias en la investigación viene justificada por la naturaleza particular del sistema estudiado. Una característica esencial del sistema analizado que justifica el efecto especialmente grave de las interferencias es su función amplificadora básica. Las señales de baja frecuencia en los circuitos de entrada de los amplificadores pueden ser muy débiles y deben ser procesadas sin distorsión. Es decir, como la señal de entrada presenta un rango dinámico muy elevado (del orden de 100 dB) que debe ser linealmente amplificado, y como las corrientes o tensiones que se asocian a las interferencias habituales son, por lo general débiles, pero del mismo orden que las señales débiles a procesar, se producen interferencias que distorsionan las señales amplificadas a la salida. La investigación realizada, se ha organizado a lo largo de seis capítulos. En esta tesis se seleccionan sólo aquellos aspectos de la investigación realizada que se relacionan directamente con el problema de interferencias en alta frecuencia en los sistemas SPL. El desarrollo de los siguientes capítulos se puede resumir globalmente como se describe en los siguientes párrafos. En el capítulo 2 se describe la instrumentación y el entorno de medidas de interferencias EMI que se utiliza en los capítulos posteriores. Por su utili- 1.4 Objetivo y Planteamiento de la Tesis. 17 dad posterior, se destacan las medidas de interferencias conducidas con la red LISN y con las sondas de corriente de alta frecuencia, de forma que se desarrollan unos prototipos de sondas de corriente de fácil diseño que son comparadas con sondas comerciales de coste muy superior. En la parte final de este capítulo se hace un repaso rápido de la normativa vigente sobre compatibilidad electromagnética de carácter genérico y referida a los sistemas electrónicos tratados en la tesis. En el capítulo 3 se estudia el problema de interferencias asociado al sistema de alimentación básico no regulado utilizado en los diseños industriales de amplificadores de potencia. Se miden y caracterizan las diferentes interferencias, tanto externas como internas, que se acoplan con el amplificador y con la red desde el sistema de alimentación, se analizan los mecanismos de acoplamiento de interferencias y la influencia de los diferentes componentes internos. Por último se prononen soluciones muy eficaces que suprimen las interferencias generadas internamente y el acoplamiento de interferencias externas. En el capítulo 4 se estudia el problema de interferencias en alta frecuencia asociado a la incorporación del sistema de alimentación conmutado en alta frecuencia en la alimentación del amplificador de potencia. Se montan dos sistemas diferentes que adaptan la energía disponible en la red a las necesidades de la carga, que incluyen circuitos de correción del factor de potencia en la entrada y de regulación de tensión en la salida. Se investigan diferentes formas de atenuación de interferencias y se proponen soluciones muy eficaces que minimizan las interferencias generadas y conducidas en estos sistemas de alimentación conmutados para su incorporación en los amplificadores de potencia. En el capítulo 5 se caracterizan la generación, propagación y efectos de las interferencias en los amplificadores de lineales potencia que no se deben directamente a los sistemas de alimentación estudiados en los capítulos anteriores. En primer lugar, se caracterizan las interferencias de alta frecuencia que se pueden generar en las actuales fuentes digitales de señal, porponiendo soluciones internas muy eficaces. Posteriormente se caracteriza el comportamiento de varios prototipos de amplificadores frente a las diferentes interferencias de alta frecuencia aplicadas en su entrada. Posteriormente, se caracteriza el comportamiento en alta frecuencia de cargas electroacústicas reales, para justificar la propagación de interferencias hacia la carga en diferentes formas. Por último, se analizan los mecanismos internos de generación de interferencias en amplificadores, realzando el efecto de las interferencias sobre las pistas y conductores de masa. En el capítulo 6 se resumen, en primer lugar, las conclusiones principales de 18 Introducción la investigación desarrollada en los capítulos anteriores destacando, en cada caso, las principales aportaciones originales del autor. Por último, se plantean las futuras líneas de investigación. Por último, no se debe olvidar que las consideraciones acústicas (rendimiento, distorsión, respuesta en frecuencia, interferencias acústicas, resonancias parásitas, etc.), aunque no son objeto directo de esta tesis, son la razón de ser del sistema SPL, al que afectan directamente. Damos por resuelto inicialmente el problema de diseño y ajuste del sistema electroacústico, realizando sólo los planteamientos de carácter eléctrico y electromagnético que afectan al problema EMI. Capítulo 2 Entorno de Medidas EMI Índice General 2.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21 2.2 Medidas con LISN de interferencias conducidas a red. 21 2.3 Medidas de interferencias con sondas de corriente. . . 24 2.3.1 Factor de conversión de las sondas ESH2-Z1 y ESV-Z1. 25 2.3.2 Aportaciones originales en el diseño y caracterización de sondas de corriente de bajo coste. . . . . . . . . . . . 26 2.3.3 Comparación de sondas en medidas EMI. . . . . . . . . 31 2.4 Medida de interferencias con sondas de campo próximo. 32 2.5 Aplicación de la Normativa Europea sobre EMC. . . . . 36 2.5.1 Norma de emisión UNE-EN55013. . . . . . . . . . . . . 37 2.5.2 Norma de inmunidad UNE-EN55020. . . . . . . . . . . 39 Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41 2.6 20 Entorno de Medidas EMI 2.1 Introducción 21 2.1 Introducción En este capítulo se describen brevemente los elementos y métodos de medidas de interferencias de alta frecuencia, que serán utilizados en los capítulos siguientes de esta tesis. Se presta especial interés a los métodos de medida de interferencias conducidas, primero con la red LISN (Line Impedance Stabilizing Network) y posteriormente con las sondas de corriente de alta frecuencia. Se describe también el uso de sondas de campo próximo, que pueden medir y justificar el acoplamiento de interferencias por campo próximo, ya sea de tipo eléctrico o de tipo magnético. Se destaca la utilidad práctica de las sondas de corriente de alta frecuencia en la medida y caracterización del problema EMI en sistemas electrónicos. Por ello, como primera aportación original de esta tesis, se aborda el diseño de diferentes sondas de corriente de alta frecuencia y de muy bajo coste (frente a las sondas comerciales) que se caracterizan adecuadamente y que, finalmente, se aplican en las medidas de interferencias en un convertidor de potencia, para mostrar su validez. Se describen las diferentes sondas de campo próximo disponibles y utilizadas en la investigación. Esta sondas pueden ser de campo eléctrico o de campo magnético y, en cada caso, permiten medir el acoplamiento por campo de las interferencias a los circuitos donde, posteriormente, pueden ser conducidas. Por último, se hace un repaso rápido de la normativa EMC aplicable a los sistemas de potencia lineales tratados en esta tesis, tanto en lo concerniente a los límites de emisión como en los requerimientos de inmunidad. En particular, se destaca lo poco exigentes que son los límites de emisión EMC aplicables a los sistemas de potencia lineales frente a la elevada susceptibilidad que presentan (capítulo 5) frente a las interferencias de alta frecuencia. 2.2 Medidas con LISN de interferencias conducidas a red. Las normativa europea sobre EMC impone el uso de la red de estabilización de impedancias o red LISN en la medida de interferencias conducidas a la red eléctrica. El diseño interno de la red LISN obedece a las siguientes exigencias funcionales: • Actúa como carga para la corriente de interferencia generada por el dis- 22 Entorno de Medidas EMI positivo bajo ensayo. La carga suele ser de 50 Ω, para adaptarse al medidor EMI. • Conecta la entrada del medidor EMI al dispositivo bajo ensayo a efectos de medidas EMI en alta frecuencia. • Atenúa las tensiones de EMI procedentes de la red eléctrica, permitiendo el suministro de energía en baja frecuencia. Las normas suelen exigir que la atenuación sea mayor de 40 dB. La red LISN puede ser de tipo triángulo o de tipo V [10]. La primera se utiliza en la medida en líneas de señal, mientras que la segunda se utiliza para la medida en la red de alimentación. En la figura 2.1 se muestra el circuito equivalente y la característica de pérdidas de inserción suministrada por el fabricante para la red LISN de tipo V (3810/2 de EMCO), que se utilizará en esta tesis para medida de interferencias conducidas a red. El circuito de la red LISN mostrado la figura 2.1 permite la medida conjunta de interferencias respecto a tierra. Esto es, se miden las interferencias en modo común junto a las de modo diferencial, desde 9 kHz hasta 30 MHz. Se puede seleccionar la medida independiente en cada una de las líneas de entrada (fase o neutro en red de 220 V) mediante el conmutador S2, de forma que las dos líneas están simultáneamente cargadas con 50 Ω en alta frecuencia. El conmutador S1 permite insertar un choque de radiofrecuencia en la conexión de tierra para atenuar las interferencias que se propagan por este conductor. El filtro paso bajo de entrada (C1 a C4, L1 a L4) aisla las perturbaciones de alta frecuencia presentes en red de la medida, pero produce unas corrientes a tierra que, para evitar que se active la protección diferencial, se limitan en la instalación montada mediante un transformador de aislamiento de red (se ha preferido esta opción a la supresión del diferencial). El entorno de medida para la red LISN requiere, según la norma EMC que se aplique, una disposición especial de los diferentes elementos en la instalación de medida y un plano de tierra metálico normalizado. En la figura 2.2 se muestra el esquema del entorno de medida que se ha montado para las medidas de interferencias conducidas a red. Este plano de referencia de tierra es doble para que se adapte a UNE-EN55022, aunque según UNE-EN55013 bastaría con el plano de referencia en el suelo. El dispositivo bajo medida (E.U.T.) debe situarse a unas distancias mínimas de las superficies metálicas (plano de tierra) y se considera que los equipos medidos en esta tesis son diseñados para descansar sobre mesa y no en el suelo. Es importante minimizar las longitudes de las conexiones a la masa metálica de la red LISN y del receptor de medidas EMI. 2.2 Medidas con LISN de interferencias conducidas a red. L1 LINEA 1 23 L3 5 0 uH 2 5 0 uH C3 7 .5 u F RED N L R1 C1 39K 2 uF C5 4 7 0 nF R3 5 R5 39K S1 S2 MEDIDA C7 L5 PE 4 7 0 nF 1 .6 m H CARGA R6 R6 39K 5 R2 C2 39K 2 uF LINEA 2 C6 C4 7 .5 u F R7 50 R8 1K 4 7 0 nF L2 L4 2 5 0 uH 5 0 uH (A) (B) Figura 2.1: Red LISN 3810/2 de EMCO. (A) Circuito eléctrico. (B) Pérdidas de inserción medidas por el fabricante. 24 Entorno de Medidas EMI 2m 0 .8 m E.U.T. RED LISN 2m 0 .4 m RECEPTOR EMI PLANO DE TIERRA 2m Figura 2.2: Entorno montado para medidas con red LISN. Hay que destacar que la medida normalizada de interferencias conducidas a red requiere este entorno de medida que, naturalmente, difiere del entorno de funcionamiento posterior de los equipos. Esta diferencia implica que la propagación de interferencias en campo (equipo en su instalación definitiva) es diferente de los resultados de las medidas normalizadas de laboratorio. En este sentido, la red LISN supone una medida demasiado intrusiva (modifica el sistema para su medida) frente al uso de las sondas de corriente que se verán posteriormente. Aunque la medida normalizada de interferencias conducidas a red requiere sólo la medida conjunta de componentes en modo diferencial y en modo común, resulta útil separar dichas componentes para optimizar los elementos de filtrado EMI. En este sentido, existen diferentes propuestas de red LISN especiales documentadas en la bibliografía ([166], [58], [102], [99]). 2.3 Medidas de interferencias con sondas de corriente. En esta sección se introducen las ventajas del uso de las sondas de corriente de alta frecuencia en la medida y caracterización de interferencias. Se describe la estructura interna de las sondas y las posibles medidas de corrientes en modo común y en modo diferencial. Como aportación original, se propo- 2.3 Medidas de interferencias con sondas de corriente. 25 nen unas sondas de corriente de fácil diseño y muy bajo coste que pueden ser utilizadas para la caracterización de interferencias desde baja hasta muy alta frecuencia. Las sondas de corriente son, básicamente, transformadores de intensidad especialmente diseñados para la medida aislada de corrientes en circuitos eléctricos ([147], [70]). En particular, las sondas de corriente de alta frecuencia permiten la medida de corrientes de alta frecuencia, como es el caso de las corrientes asociadas a las interferencias EMI estudiadas en esta tesis. En la figura 2.3 se muestra la forma de medir separadamente las corrientes EMI que se conducen en modo común y en modo diferencial. Esta característica hace muy interesante el uso de las sondas de corriente frente a otros dispositivos de medida, como es el caso de la red LISN, que no pueden discriminar estas dos formas de propagación de interferencias. La caracterización del mecanismo de propagación de corrientes EMI facilita el diseño posterior de los elementos de filtrado EMI ([91], [132], [131]). Im ed = Im c Im ed = 2 * Im d Zm d Im d Im d Zm d ( A) Im c / 2 Zm c Im c / 2 Im c / 2 Im c / 2 Zm c ( B) Figura 2.3: Forma de medida de interferencias con sondas de corriente. (A) Medida de corrientes EMI propagadas en modo común. (B) Medida de corrientes EMI propagadas en modo diferencial. 2.3.1 Factor de conversión de las sondas ESH2-Z1 y ESVZ1. En el laboratorio se dispone de las sondas de corriente comerciales ESH2-Z1 y ESV-Z1 de Rhode&Schwarz. Presentan diferentes características en el rango de frecuencias medible y en su factor de conversión. Este último es la relación entre la tensión medida cuando la salida se carga con su impedancia nominal 26 Entorno de Medidas EMI de 50 Ω y la corriente que circula por su primario (conductor con una sóla vuelta). La sonda de radiofrecuencia ESH2-Z1 está caracterizada por el fabricante en el rango de frecuencias de 9 kHz hasta 30 MHz, aunque la medida es lineal sólo en el rango de 100 kHz hasta 30 MHz, con un factor de conversión nominal de 1mV /mA. La sonda de corriente de muy alta frecuencia ESV-Z1 tiene un rango de medida caracterizado por el fabricante entre 1 MHz y 300 MHz, aunque la medida sólo es lineal entre 10 MHz y 300 MHz, con un factor de conversión de 10mV /mA. Por tanto, esta segunda sonda es mucho más sensible que la primera cuando las medidas se realizan en un rango común de frecuencias con funcionamiento lineal (entre 10 y 30 MHz). En las figura 2.4 se muestra el factor de conversión de estas dos sondas que se ha medido experimentalmente utilizando el Analizador Vectorial ZVRL de Rhode&Schwarz, junto con las medidas suministrados por el fabricante. Se comprueba en esta comparación la validez del entorno de medida para la caracterización de las sondas que se realizarán en el siguiente apartado. En la tabla 2.1 se muestra el resumen de las características de estas dos sondas comerciales, que permiten de forma complementaria la medida lineal de interferencias desde unos 100 kHz hasta 300 MHz. El rango de medida lineal puede ser ampliado (9 kHz a 300 MHz) si se introduce el factor de corrección en el software de medida de interferencias S26EM12 de Tektronix. 2.3.2 Aportaciones originales en el diseño y caracterización de sondas de corriente de bajo coste. Del análisis de la estructura interna de las sondas de corriente comerciales, se deduce que sería relativamente fácil la construcción de sondas de corriente para alta frecuencia. Su utilidad es inmediata en la medida de interferencias, tanto asociadas a instrumentación específica (Analizador de Espectros o Receptor EMI), como en su posible incorporación en circuitos medidores de interferencias de muy bajo coste. Por ello, se abordó el diseño y la realización física de diferentes prototipos de sondas de corriente de muy bajo coste (unas cien veces menos, respecto a las sondas comerciales comparadas), cuyos resultados se muestran a continuación y fueron presentados en [133]. Tras varios diseños preliminares, las sondas más interesantes son las que se denominan P1RF, P2RF y P3RF, que se muestran en la figura 2.5. 2.3 Medidas de interferencias con sondas de corriente. 27 (A) Sonda ESH2-Z1. (B) Sonda ESV-Z1. Figura 2.4: Factores de conversión de las sondas ESH2-Z1 y ESV-Z1.(a) Medida experimental.(b) Datos del fabricante. 28 Entorno de Medidas EMI Figura 2.5: Prototipos de sondas de corriente realizadas. De izquierda a derecha: P1RF, P2RF y P3RF. Estas sondas se han caracterizado en el laboratorio, en el mismo entorno de medida que las sondas comerciales, obteniendo los factores de conversión mostrados en la figura 2.6. Por otra parte, en la tabla 2.1 se muestra el resumen de las características eléctricas y de diseño más importantes de estas sondas, junto con los obtenidos para las dos sondas comerciales. La sonda P1RF es idónea para la medida de interferencias de baja frecuencia (desde 3 kHz a 25 MHz), proporcionando una medida lineal con frecuencias más bajas que la sonda comercial de RF (desciende linealmente hasta 3 kHz, frente a 50 kHz en la sonda ESH2-Z1). La sonda P3RF es idónea para la medida de interferencias en alta frecuencia (18 MHz a 212 MHz) y presenta un comportamiento en frecuencia que se aproxima al de la sonda comercial de VHF ESV-Z1 (de coste mucho más elevado). Por último, con la sonda P2RF es posible la medida lineal desde 25 kHz hasta 250 MHz, por lo que resulta especialmente interesante para la medida rápida (sin cambiar de sonda) de interferencias en un rango muy amplio de frecuencias, por ejemplo en los sistemas de potencia conmutados en alta frecuencia. La construcción interna de cada sonda de corriente difiere según el rango de frecuencias para el que se diseña. Esto se debe a que los componentes parásitos internos asociados a la construcción física de cada sonda de corriente impiden obtener un diseño válido para un rango muy amplio de frecuencias. Así, los factores más importantes considerados para el diseño de las sondas de corriente de alta frecuencia son los siguientes: • Construcción del devanado secundario. El número de espiras en el secundario y su disposición relativa determinan el factor de conversión y el rango de frecuencias de medida. 2.3 Medidas de interferencias con sondas de corriente. 29 (A) Sonda P1RF. (B) Sonda P2RF. (C) Sonda P3RF. Figura 2.6: Factores de conversión medidos en las tres sondas de corriente diseñadas. 30 Entorno de Medidas EMI • Reducción de capacidades parásitas. Las capacidades parásitas entre las espiras del secundario distorsionan la medida para alta frecuencia [116]. Por ello, las sondas de corriente de baja frecuencia (número elevado de espiras) no pueden ser utilizadas para alta frecuencia (muy pocas espiras alejadas entre sí). • Pantalla EMI metálica. El secundario está apantallado respecto al primario con una lámina metálica adhesiva, conectada al 0V de medida. Así, se evita el acoplamiento de interferencias en alta frecuencia por campo eléctrico (pero no por campo magnético) entre el primario de medida y el secundario. La pantalla debe estar abierta (pequeña ranura periférica) para que no se cree una espira (secundario) en cortocircuito. • Selección del material magnético. El material magnético debe presentar bajas pérdidas y no saturar en el rango de frecuencias de medida [87]. • Selección de tipo de núcleo. Con el núcleo tororidal se favorece el acoplamiento magnético entre primario y secundario y se permite la medida en el conductor central que actúa de primario ([115], [162]). • Adaptación de impedancias. La impedancia interna de la sonda debe adaptarse a los 50 Ω del cable coaxial [153] y del medidor de corriente. En la tabla 2.1 se muestra el resumen de las características más importantes de los tres prototipos de sondas de corriente realizados, junto con las sondas comerciales descritas anteriormente. En esta tabla se muestra el rango de frecuencias medible linealmente (RFM), factor de conversión (K), tipo de núcleo, número de espiras en el secundario (N2) y la resistencia de carga (Rc) añadida internamente en la sonda. Sonda RFM (MHz) K (dB) K (mV/mA) Toroide Rc (Ω) N2 (espiras) P1RF 0.003-25 2.3 1.30 NTF36 50 18 P2RF 0.025-250 12.4 4.17 NTF36 50 5 P3RF 18-212 18.1 8.03 NTH39 — 2+2+2 ESH2-Z1 0.05-34 0.3 1.03 — 82 15+15 ESV-Z1 10-300 20.2 10.23 — — 2+2 Tabla 2.1: Comparación de características entre diferentes sondas de corriente: prototipos realizados (P1RF, P2RF, P3RF) y sondas comerciales (ESH2-Z1, ESZ-Z1). 2.3 Medidas de interferencias con sondas de corriente. 31 2.3.3 Comparación de sondas en medidas EMI. Las sondas de corriente, aunque no están contempladas como adaptador de las medidas de interferencias conducidas en las normas EMC comerciales, son muy útiles en la medida y caracterización de interferencias en sistemas electrónicos. Destacamos las siguientes ventajas prácticas: • Permiten la medida de corrientes EMI de alta frecuencia tanto en modo común, como en modo diferencial. En la figura 2.3 se muestra la forma de medida para registrar separadamente cada modo de propagación. • Pueden extender el rango de frecuencias medidas. Utilizando diferentes sondas de corriente, puede medirse corrientes de interferencias desde baja frecuencia hasta muy alta frecuencia. Por ejemplo, la red LISN permite sólo medidas de interferencias conducidas hasta 30 MHz, mientras que con la sonda de corriente ESV-Z1 podemos extender la medida hasta 300 MHz ([133], [130], [131]). • Alteran muy poco el sistema medido. La inserción de otros adaptadores de medida, como es el caso de la red LISN, modifica notablemente la configuración del sistema electrónico donde se miden las interferencias, por lo que la propagación de las mismas se altera de forma importante. Por tanto, la medida no registra las interferencias en el caso real (no normalizado) de una instalación. Resulta interesante comparar el resultado de la medida de interferencias entre las diferentes sondas disponibles. Para ello, como caso particular, se realizan las medidas de interferencias conducidas en modo común a la entrada del sistema conmutado SACAP mostrado de forma simplificada en la figura 2.7 (este sistema será analizado detalladamente en el capítulo 4 de la tesis). Este convertidor genera armónicos de corriente de alta frecuencia, asociadas a las conmutaciones rápidas de los transistores MOSFET’s, que se propagan en modo común hacia la red eléctrica. Las interferencias registradas son de banda ancha cuando se utilizan los anchos de banda en el medidor (analizador de espectros) indicados en los registros (120 kHz y 1 MHz). En la figura 2.8 se muestran la comparación de las medidas de interferencias propagadas en modo común entre las diferentes sondas de corriente. Para evitar la superposición de resultados, se desplaza -10dB los resultados de las medidas en P1RF y P3RF, como se indica en las correspondientes figuras. Como se observa en esta figura 2.8, la coincidencia de las medidas entre la sondas P1RF y ESH2-Z1 es muy buena para el rango de frecuencias registrado (de 100 kHz hasta 20 MHz). Por otra parte, cuando se comparan las medidas de las sondas P2RF y P3RF con la sonda comercial ESV-Z1, se observa que el perfil de interferencias registrado es muy similar para un rango 32 Entorno de Medidas EMI 100u - 3 u3 PR FB2 5 0 6 IRF6 4 0 C2 C3 4 u7 D2 C4 C5 4 u7 4700u CARGA P2 RESISTIVA DR1 BYW2 9 - 2 0 0 Q1 C1 DR2 + 2200u D1 P1 a l r ec ep t o r EMI 5 0 VS BYW2 9 - 2 0 0 L1 TRF 220/ 35+ 35 L2 Q3 IRF6 4 0 800u 0 VS Figura 2.7: Circuito de potencia simplificado para comparación de medidas EMI (modo común) con las diferentes sondas de corriente. de frecuencias medidas muy amplio (entre 20 MHz y 200 MHz), posibilitando una medida cualitativa de las corrientes EMI presentes en el circuito de potencia. La comparación de medidas se realiza montando simultáneamente las dos sondas a comparar en el mismo punto, de forma que la sonda que no se conecta al medidor se carga también con una resistencia de 50 Ω (impedancia de entrada del medidor). Con ello, se garantiza que la corriente EMI que circula en el primario de cada sonda es la misma. Como conclusión, las sondas de corriente resultan muy útiles en la caracterización de las interferencias en sistemas electrónicos, ya que alteran muy poco la configuración del sistema medido, pueden medir frecuencias muy elevadas y permiten discriminar corrientes en modo común y en modo diferencial. Además, como el problema EMI en la mayoría de los sistemas electrónicos (en particular los APL tratados en esta tesis) está asociado a la propagación de corrientes en modo común, el uso de las sondas de corriente para la medida de interferencias resulta imprescindible y, como se ha mostrado, es posible realizar sondas de corriente de bajo coste para la medida cualitativa de corrientes EMI de alta frecuencia. 2.4 Medida de interferencias con sondas de campo próximo. Cuando se miden interferencias que no son conducidas directamente, sino que se acoplan por campo, se debe distinguir entre dos situaciones diferentes: campo próximo y campo lejano. Cuando la separación a la fuente de interferencias es relativamente pequeña, separación menor que λ/2π (donde λ es la longitud de onda de la interferencia, 2.4 Medida de interferencias con sondas de campo próximo. 33 (A) Comparación de sondas P1RF (atenuada 10dB) y ESH2-Z1. (B) Comparación de sondas P2RF y ESV-Z1. (C) Comparación de sondas P3RF (atenuada 10 dB) y ESV-Z1. Figura 2.8: Comparación de medidas EMI experimentales entre diferentes sondas de corriente. 34 Entorno de Medidas EMI de valor superior a las dimensiones de la fuente EMI que la provoca), se tiene la condición para campo próximo. Según la naturaleza de la fuente de perturbación, predominará el campo eléctrico sobre el magnético (fuente EMI de alta impedancia) o el campo magnético sobre el eléctrico (fuente EMI de baja impedancia). Para cada situación, cuando se quiere caracterizar la naturaleza del foco EMI ([6], [103], [111]) se debe utilizar una sonda de medida diferente. Así, en la figura 2.9 se muestra la fotografía de las sondas de campo próximo utilizadas para la investigación. Las sondas de campo magnético son bucles sensibles al campo magnético y apantallados frente a campo eléctrico. En estas sondas, al variar su diámetro, se tienen diferentes sensibilidades y precisión en la ubicación del foco EMI [26]. En la figura 2.9 se muestran los factores de conversión de las tres sondas de campo magnético utilizadas. Por el contrario, las sondas de campo eléctrico son varillas o esferas que son especialmente sensibles al campo eléctrico y presentan alto rechazo al campo magnético. Utilizando adecuadamente cada sonda por debajo de su frecuencia de resonancia (Fres), es posible la caracterización de interferencias acopladas por campo hasta frecuencias por encima de 1 GHz, como se muestra en la tabla 2.2. Campo H H H E E Sonda bucle 6 cm bucle 3 cm bucle 1 cm esférica varilla Rechazo (dB) 41 (H/E) 29 (H/E) 11 (H/E) 30 (E/H) 30 (E/H) Fres (GHz) 0.79 1.50 2.30 >1 >3 Tabla 2.2: Características de sondas de campo próximo. La condición de campo lejano se tiene cuando la distancia de separación entre la fuente EMI y el punto de medida es mucho mayor que λ/2π. En este caso, las soluciones de las ecuaciones de Maxwell muestran que el campo eléctrico y magnético se presentan conjuntamente en forma de ondas de propagación, y su relación viene dada por la impedancia característica del medio (377 Ω en el caso del aire). En este caso, las normas EMC comerciales exigen sólo la medida de la intensidad de campo eléctrico mediante antenas calibradas. Para medidas de radiación en campo lejano se dispone de la antena de banda ancha ELPA 30102, que está calibrada para la medida de interferencias radiadas entre 30 MHz y 1GHz. Los factores de antena suministrados por el fabricante permiten convertir las tensiones medidas con el analizador de espectros (µV) en valores equivalentes de campo eléctrico (dBµV/m). En la figura 2.10 se muestran los factores de conversión de la antena de banda ELPA 2.4 Medida de interferencias con sondas de campo próximo. 35 (A) Sondas de campo próximo. (B) Factor de antena. Figura 2.9: Sondas de campo próximo. (A) Conjunto de diferentes sondas. (B) Factor de antena de las sondas de campo magnético. 36 Entorno de Medidas EMI 30102. Figura 2.10: Factor de conversión de la antena de banda ancha ELPA 30102. En la investigación realizada, el uso de las sondas de campo próximo y de la antena de banda ancha ha permitido caracterizar el origen de perturbaciones electromagnéticas que, posteriormente, pueden ser conducidas en el sistema analizado. Por ello, puede interesar mostrar las medidas directamente en magnitudes eléctricas (intensidad o tensión) inducidas por campo en los diferentes sensores, más que la propia magnitud del campo eléctrico o magnético que las origina. 2.5 Aplicación de la Normativa Europea sobre EMC. Las normas de la Unión Europea sobre EMC se desarrollan por el CENELEC (Comité Europeo de Normalización Electrotécnica) tras la Directiva sobre EMC 89/336/CEE. En estas normas se fijan el patrón de las que derivan las posteriores normas nacionales de obligado cumplimiento [85]. Uno de los principales objetivos de las normas sobre compatibilidad electromagnética es limitar el nivel de perturbaciones electromagnéticas generadas por los aparatos para que no produzcan interferencias en los sistemas de telecomunicación ([149], [141]): receptores de radio, televisión, equipos de radio móviles, etc. Por otra parte, las normas sobre inmunidad tratan de garantizar 2.5 Aplicación de la Normativa Europea sobre EMC. 37 el funcionamiento de los sistemas electrónicos frente a determinadas perturbaciones externas. En general, las normas EMC se aplican a todos los aparatos eléctricos y electrónicos, así como los equipos, sistemas e instalaciones que contengan componentes eléctricos y electrónicos. No se consideran los componentes elementales (circuitos integrados, tarjetas electrónicas, etc.) fabricados para formar parte de un aparato y que no tienen función intrínseca para ser utilizados por el usuario final. Es muy importante señalar que el incumplimiento de las normas EMC aplicables a un producto prohibe el marcado “CE” de conformidad y su libre comercialización en la Comunidad Europea, por lo que es primordial controlar el problema EMC desde las primeras fases de diseño en los sistemas electrónicos ([156], [161], [11], [75]). Las normas desarrolladas por CENELEC se clasifican en tres tipos: • Normas básicas. Son las normas que definen y describen el problema EMC, los instrumentos de medida, su principio de funcionamiento y los métodos de medida. • Normas genéricas. Son las normas asociadas a los dos posibles entornos electromagnéticos genéricos de trabajo de los equipos y sistemas: residencial (comercial, pequeña industria) o industrial. • Normas de producto. Se aplican a familias de productos y a productos especiales. Por su naturaleza, son las que mayor desarrollo experimentan en la actualidad. Los sistemas de potencia lineales analizados en esta tesis, disponen de normas de producto específicas referidas a emisión y a inmunidad, por lo que prevalecen sobre las normas genéricas. No obstante, se resumen algunas de las características más importantes de las normas de producto comparándolas con las normas genéricas aplicables en un entorno residencial. 2.5.1 Norma de emisión UNE-EN55013. La norma UNE-EN55013 (1996) fija los límites y métodos de medida de las características de perturbación radioeléctrica de los receptores de radiodifusión y equipos asociados. En esta norma se define un equipo asociado como “cualquier equipo concebido para ser conectado directamente a los receptores de radiodifusión sonora o televisión, sea para generar o reproducir información de audiofrecuencia o videofrecuencia (por ejemplo amplificadores de audiofrecuencia, dispositivos 38 Entorno de Medidas EMI activos para altavoces, tocadiscos, reproductores de discos compactos, aparatos de grabación y reproducción magnética, órganos electrónicos, etc)”. Por tanto, los sistemas de potencia lineales objeto de esta tesis, en donde se caracterizan las interferencias y sus efectos (amplificadores lineales de potencia, reproductores de señal, y carga electroacústica) se corresponden con los equipos asociados definidos en esta norma de producto. Las condiciones de ensayo requieren una señal de audiofrecuencia de 1 kHz para el caso de amplificadores de audiofrecuencia y reproductores de discos compactos, que debe aplicarse en la forma adecuada (generador de baja frecuencia y disco de prueba), y la potencia del amplificador se limita a 1/8 de la potencia máxima con carga resistiva nominal en la salida. Los límites de tensión perturbadora en bornes de alimentación, esto es, los límites de EMI conducido a red, fijados por esta norma se muestran en la tabla 2.3. Se deben medir con una red artificial (red LISN) con estructura en V (50 Ω/50 µH + 5Ω). Frecuencias 150 kHz - 500 kHz 150 kHz - 500 kHz 500 kHz - 5 MHz 500 kHz - 5 MHz 5 MHz - 30 MHz 5 MHz - 30 MHz Límites de emisión (dBµV) 66 a 56 56 a 46 56 46 60 50 Tipo de medida cuasicresta valor medio cuasicresta valor medio cuasicresta valor medio Tabla 2.3: Límites de EMI conducido a red (UNE-EN55013). Los límites de emisión desde 150 kHz hasta 500 kHz decrecen linealmente con el logaritmo de la frecuencia y los límites de emisión entre 9 kHz y 150 kHz se encuentran bajo consideración. Señalar que los límites de emisión de las perturbaciones conducidas a red coinciden con los de la norma genérica UNEEN 50081-1 (Compatibilidad electromagnética, Norma Genérica de Emisión, Parte 1: Residencial, comercial e industria ligera). Por tanto, no se considera restricción especial en los límites de emisión respecto a la norma genérica, a pesar de la elevada susceptibilidad del propio sistema. Por encima de 30 MHz se considera en las normas EMC que las perturbaciones son radiadas, especialmente a través de los cables. Para el caso de los equipos asociados, se fijan unos límites para la potencia perturbadora en los cables. Esta potencia debe ser medida desde 30 MHz hasta 300 MHz (los límites entre 300 MHz y 1 GHz están bajo consideración) mediante con una pinza absorbente definida en CISPR16. Aquí difiere de la norma genérica de emi- 2.5 Aplicación de la Normativa Europea sobre EMC. 39 sión, puesto que en ella se mide la intensidad de campo eléctrico (campo a 10 m en un entorno especial) con antenas calibradas y los límites están definidos desde 30 MHz hasta 1 GHz. En la tabla 2.4 se muestra una comparación entre el tipo de medida y los límites de emisión especificados en la norma genérica y de producto para frecuencias por encima de 30 MHz. Norma EN50081-1 EN50081-1 EN55013 EN55013 Frec. (MHz) 30-230 230-1000 30-300 300-1000 Límites (cuasicresta) 30 dBµV 37 dBµV 45 a 55 dB(pW) Bajo consideración Tipo de medida Campo E a 10m Campo E a 10m Potencia en cables Potencia en cables Tabla 2.4: Comparación de los límites de emisión por encima de 30 MHz para las normas genérica (EN50081-1) y de producto (EN55013). En la investigación realizada en esta tesis, donde se pretende caracterizar y suprimir las interferencias de alta frecuencia en sistemas de potencia lineales, se utilizan las sondas de corriente en las medidas de corrientes EMI en alta frecuencia. Como se ha visto anteriormente, las sondas de corriente pueden discriminar la forma de propagación de interferencias (modo común o modo diferencial), mientras que la pinza de absorción sólo registra la máxima potencia radiada por los cables (asociada a propagación en modo común). En las medidas de interferencias se debe utilizar un Receptor EMI conforme a CISPR16. El ancho de banda seleccionado en la medida (BWR) depende del rango de frecuencias que se esté registrando, conforme se muestra en la tabla 2.5. Estos valores de ancho de banda en el receptor EMI proceden de los valores utilizados en los primeros receptores de radio en AM (9 kHz) y FM (120 kHz). Por otra parte, en la medida de cuasicresta y de valor medio, se utilizan circuitos detectores que atenúan la medida en el caso de impulsos con frecuencias de repetición por debajo de 10 kHz, considerando que las interferencias afectan así menos en los receptores de comunicaciones ([141], [149]). En el caso de la investigación mostrada en esta tesis, en lugar del receptor EMI se utiliza el analizador de espectros que dispone de la configuración de medida normalizada (modelo 2712 de Tektronix) y se realizan medidas de cresta (suponen el peor caso respecto a las medidas de cuasicresta) porque incrementan notablemente la rapidez de las medidas. 2.5.2 Norma de inmunidad UNE-EN55020. La norma UNE-EN55020 (1996) establece los requerimientos de inmunidad electromagnética de los receptores de radiodifusión y equipos asociados. Esta 40 Entorno de Medidas EMI Rango de frecuencias 9 kHz a 150 kHz 150 kHz a 30 MHz 30 MHz a 1 GHz Ancho de banda (BWR) 200 Hz 9 kHz 120 kHz Tabla 2.5: Anchos de banda de medida normalizados (CISPR16). norma de producto contempla, nuevamente, como equipos asociados a los sistemas de potencia lineales abordados en esta tesis. Los criterios de aptitud aplicados en esta norma se definen en la norma genérica de inmunidad UNE-EN 50082-1 (Compatibilidad electromagnética. Norma genérica de inmunidad. Parte 1: Residencial, comercial e industria ligera). Se tienen tres criterios diferentes de aptitud: • Criterio A. El aparato debe continuar funcionando como estaba previsto. Ninguna degradación de funcionamiento o pérdida de la función está autorizada por debajo de los niveles de aptitud definidos por el fabricante cuando el aparato se utiliza como estaba previsto. • Criterio B. El aparato debe continuar funcionando como estaba previsto después del ensayo. Ninguna degradación de funcionamiento o pérdida de función está autorizada por debajo del nivel de aptitud definido por el fabricante, cuando se utiliza como estaba previsto. Durante el ensayo, una degradación de funcionamiento está permitida. • Criterio C. Una pérdida de función temporal es admisible, siempre que esta función sea autorrecuperable o pueda restablecerse mediante intervención en los controles. En el caso de de los sistemas de potencia lineales, la calidad de sonido se evalúa utilizando como criterio que la relación entre la señal deseada de sonido y la no deseada sea ≥ 40 dB, para un nivel de la señal de sonido deseada de 50 mW. En el caso de amplificadores de potencia se carga la salida con su resistencia nominal y se mide ésta con un voltímetro de frecuencia de sonido, mientras que en reproductores de discos compactos la prueba requiere un amplificador auxiliar de medida. En los ensayos de inmunidad, según el caso, se aplican perturbaciones externas normalizadas de diferentes tipos. Así, las pruebas de inmunidad afectan a descargas electrostáticas, transitorios rápidos, huecos e interrupciones de tensión, ondas de choque, campos de radiofrecuencia modulados, etc. Resulta sorprendente que, en el momento de redactar esta tesis, en esta reciente norma de 70 páginas, que sustituye a la anterior norma EN55020/1988 2.6 Conclusiones 41 de 51 páginas, todos los requisitos de inmunidad que afectan a los equipos asociados objeto de esta tesis están en estudio. Por ejemplo, están en estudio los requisistos de inmunidad que afectan a los conectores de salida de altavoces, de entrada y salida de señal de sonido, de alimentación de la red y a las entradas por envolvente. Sin embargo, se detallan los procedimientos de medidas (salvo transitorios eléctricos y descargas electrostáticas) y se especifican los diferentes elementos a utilizar en las medidas (filtros, redes de acoplamiento, etc.). Se confirma, por tanto, la utilidad de la investigación realizada sobre efectos de interferencias en alta frecuencia en los sistemas de potencia lineales. 2.6 Conclusiones En este capítulo se han introducido los elementos y los métodos de medidas de interferencias en alta frecuencia que serán utilizados en los capítulos posteriores de esta tesis. Se presta especial atención a los elementos y métodos utilizados para las medidas de interferencias conducidas. Así, en primer lugar, se ha descrito las medidas de interferencias conducidas mediante la red LISN. Se justifica la estructura interna de la LISN utilizada y el entorno de medida que se ha montado para la medida de interferencias conducidas a red. A continuación, se ha descrito la estructura interna y el método de medida con las sondas de de corriente de alta frecuencia. Se ha destacado su utilidad en la caracterización de las interferencias reales que pueden ser conducidas en un sistema electrónico, tanto en modo común, como en modo diferencial. En este punto se abordó el diseño físico y la caracterización eléctrica de tres sondas de corriente diferentes, que se han montado como prototipos de laboratorio. Se comparan las características de estos prototipos con sondas de corriente comerciales (de coste muy superior) y se demuestra que estas sondas construidas permiten las medidas de corrientes EMI conducidas en un rango de frecuencias muy amplio (desde 3 kHz hasta 300 MHz). Estos prototipos diseñados de sondas de corriente se consideran las aportaciones originales principales de este capítulo, que se presentaron en [133]. A continuación, se han introducido las sondas de campo próximo (campo eléctrico y magnético) junto con la antena de banda ancha. Estos elementos se han utilizado en la justificación de acoplamientos de interferencias por campo, que posteriormente pueden ser conducidas dentro del sistema electrónico. 42 Entorno de Medidas EMI Por último, en este capítulo se ha comentado de forma rápida la normativa europea sobre compatibilidad electromagnética aplicable a los sistemas de potencia lineales tratados en esta tesis. Se examinan los límites de emisión de interferencias, así como los criterios y pruebas de aptitud en las normas de inmunidad aplicables al producto. En todo caso, la investigación realizada en esta tesis, pretende medir, caracterizar y determinar los efectos de las principales interferencias que pueden afectar a los sistemas de potencia lineales para, en cada caso, proponer soluciones eficaces. Los requerimientos de las normas de emisión y de inmunidad consideradas son, en este sentido, demasiado permisivos ya que no se pretende el mero cumplimiento de la normativa EMC vigente, sino la supresión de los problemas EMI que puedan afectar a la calidad de funcionamiento del producto. Capítulo 3 Supresión EMI en la alimentación no regulada de amplificadores. Índice General 3.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45 3.2 Alimentación no regulada (ABNR) de amplificadores. . 46 3.3 Supresión de interferencias externas. . . . . . . . . . . . . 48 3.3.1 Interferencias captadas en los cables de red. . . . . . . 51 3.3.2 Interferencias conducidas desde otras cargas. . . . . . . 53 3.3.3 Interferencias en la toma de tierra. . . . . . . . . . . . . 58 3.3.4 Acoplamiento EMI en el transformador de red. . . . . 60 3.4 Supresión de Interferencias internas. . . . . . . . . . . . . 64 3.4.1 Interferencias generadas con diodos de red. . . . . . . . 64 3.4.2 Supresión de interferencias generadas con diodos rápidos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70 3.4.3 Filtrado EMI en los condensadores de salida. . . . . . . 77 3.5 Soluciones EMI incorporadas en APLAIRE. . . . . . . . . 77 3.6 Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84 44 Supresión EMI en la alimentación no regulada de amplificadores. 3.1 Introducción 45 3.1 Introducción Cuando se analizan los diseños industriales de amplificadores lineales de potencia para instalaciones fijas, se observa que los sistemas de alimentación en potencia se resuelven con circuitos extremadamente simples, incluso en el caso de los amplificadores más costosos y de complejo diseño electrónico. La característica común en los circuitos de alimentación para los circuitos de potencia de los amplificadores lineales es que no se incluyen reguladores de tensión ([130], [126], [128]). En esta tesis, denominaremos como ABNR a este sistema de alimentación básico no regulado, para distinguirlo de otras soluciones más complejas (sistemas conmutados en alta frecuencia) que se proponen y analizan en el capítulo 4. Cuando se incluyen reguladores de tensión en la alimentación de los APL, se utilizan exclusivamente reguladores lineales serie para fijar las tensiones en los circuitos de entrada de bajo consumo. Esto se debe a que el bajo rendimiento de los reguladores lineales de tensión les descarta como solución para la regulación de tensión en los circuitos de potencia (alimentaciones de los transistores finales de salida de elevado consumo). Por tanto, la única alternativa de regulación con alto rendimiento consiste en los reguladores conmutados en alta frecuencia que serán tratados en el capítulo siguiente de esta tesis. La justificación del sistema básico no regulado como solución industrial típica en los circuitos de alimentación de los amplificadores de potencia se puede encontrar en la facilidad de diseño y en su reducido coste. Pero, en sistemas de gama alta con elevadas prestaciones, donde el coste de los diseños pasa a segundo plano respecto a la calidad exigida al producto, tal decisión se justifica por los buenos resultados prácticos que estas sencillas soluciones proporcionan. Esta paradoja, "mejor sistema de alimentación puede causar peor funcionamiento final del sistema", es uno de los resultados experimentales de partida que se justificarán a lo largo de este capítulo y el siguiente, mediante el análisis de interferencias de alta frecuencia (EMI) en los diferentes sistemas de alimentación para APL. En este capítulo, se analizarán las interferencias típicas presentes en los sistemas de alimentación no regulados, para lo cual se montan dos sistemas amplificadores diferentes que incluyen como sistema de alimentación el clásico sistema industrial no regulado. Estos prototipos amplificadores, denominados APL1 y APL2, se han desarrollado dentro del proyecto industrial APLAIRE (Amplificador de Potencia Lineal de Alta Inmunidad al Ruido Eléctrico), que exigía como punto de partida el estudio de interferencias típicas en las instalaciones comerciales de amplificadores de potencia. Por tanto, con estos prototipos se medirán las interferencias en diferentes modos de funcionamiento y se verá que las interferencias generadas y conducidas, aún siendo de menor 46 Supresión EMI en la alimentación no regulada de amplificadores. magnitud que con reguladores conmutados (capítulo 4), no son nulas y afectan directamente al sistema alimentado. Finalmente, se extraen las conclusiones del estudio de los problemas EMI realizado en los sistemas de alimentación no regulados para APL, caracterizando las fuentes de interferencias externas e internas y su mecanismo de propagación. Se proponen diferentes soluciones originales, que se incorporan en los prototipos APL1 y APL2 desarrollados, y que incluyen técnicas de filtrado y apantallado EMI especiales, así como modificaciones originales en el diseño interno del sistema de alimentación básico no regulado que reducen al máximo las interferencias internas generadas. 3.2 Alimentación no regulada (ABNR) de amplificadores. Como se comentó en la introducción anterior, los circuitos de salida de los amplificadores de potencia se diseñan industrialmente con sistemas de alimentación no regulados. En la figura 3.1 se muestran diferentes alternativas para el sistema de alimentación simétrico no regulado para APL, junto con el circuito que más frecuentemente se utiliza en los diseños industriales, que denominaremos como ABNR (Alimentación Básica No Regulada). El circuito ABNR de la figura 3.1 consta de un transformador reductor conectado a la red de alterna, seguido de un puente rectificador de onda completa y de una batería de condensadores para filtrar la componente residual de 100 Hz. Los valores indicados en esta figura se corresponden con los valores típicos para amplificadores de potencia de 100 Wrms, que coincide con los prototipos desarrollados (APL1 y APL2, capítulo 5) para el proyecto industrial APLAIRE. En la figura 3.1, las resistencias RL1 y RL2 representan la carga, esto es, el amplificador de potencia alimentado. Por ello, se deben considerar como resistencias que varían dinámicamente y de forma asimétrica con el funcionamiento del amplificador. Estas variaciones de carga producen que la tensión real difiera de la tensión nominal (50 V) indicada en la figura. En la figura 3.2 se muestran las características eléctricas medidas para la regulación de carga y la tensión de rizado residual (100 Hz) en el sistema ABNR, cuando se utiliza un transformador toroidal de 300 VA (comparadas con el sistema conmutado SACAP del capítulo 4). Como se ve en esta figura, las variaciones de la tensión media a la salida del sistema no regulado son importantes y limitan la potencia nominal del amplificador alimentado (sobre su 3.2 Alimentación no regulada (ABNR) de amplificadores. D1 TRF * * VAC 220 S1 C1 RL1 VAC 220 0V S3 * C1 S1 * RL1 10m F S2 0V P2 C2 C2 RL2 * S4 P2 + 50V P1 10m F S2 D1 TRF + 50V P1 10m F RL2 220/ 35+ 35 10m F - 50V 220/ 35+ 35 47 - 50V D2 D2 ( A) Med ia o n d a sim et r ic o ( B) Med ia o n d a a sim et r ic o D1 TRF D1 TRF + 50V P1 * S1 * C1 * RL1 D2 VAC 220 0V S3 * D3 RL2 S4 RL1 10m F S2 0V S3 C2 - 50V 10m F D6 - 50V D7 220/ 35+ 35 D4 RL2 D5 S4 P2 10m F 220/ 35+ 35 C1 D4 * C2 P2 + 50V D3 S1 * VAC 220 10m F S2 D2 P1 D8 ( C) Pu en t e sim p le ( D) Pu en t e d o b le (A) F D1 SW S1 D2 VAC 220 S2 F 3A TP C1 C3 10m F 1 0 uF RL1 S3 D3 N + 50V P1 S4 P2 TRF 220/ 35+ 35 D4 0V C2 C4 10m F 1 0 uF RL2 - 50V (B) Figura 3.1: Circuitos de alimentación simétrica no regulada para APL. (A) Diferentes alternativas topológicas. (B) Diseño industrial más frecuente (ABNR). 48 Supresión EMI en la alimentación no regulada de amplificadores. carga nominal de 8 Ω). Además, el elevado rizado de tensión de 100 Hz obliga a seleccionar topologías amplificadoras con elevado rechazo a las variaciones de tensión de alimentación (elevado PSRR, Power Supply Rejection Ratio). En la figura 3.3 se muestra la forma de onda de la tensión y corriente en el secundario del transformador para el rectificador de media onda simétrico, con una corriente simétrica de salida de 1 y 2 A. Se observa que la corriente pulsante de carga de la capacidad de filtrado introduce una importante distorsión armónica en la corriente absorbida de la red, así como una importante variación de la tensión de salida. Se justifica, por tanto, las mejoras que aportan los circuitos de corrección de factor de potencia y de regulación de salida que se incluirán en los diseños de convertidores conmutados del capítulo 4 de esta tesis. 3.3 Supresión de interferencias externas. La red alterna de suministro eléctrico presenta, por lo general, un alto contenido de interferencias, tanto de baja como de alta frecuencia. En el caso particular de las interferencias de alta frecuencia estudiadas en esta tesis, la red eléctrica está sumamente contaminada por perturbaciones de alta frecuencia de diferente procedencia. Las causas principales que se han determinado para estas interferencias son: • Presencia de otras cargas próximas que comparten la red, y en la que inyectan corrientes EMI de alta frecuencia. Por ejemplo ordenadores personales, convertidores conmutados de potencia, motores, etc. • El propio y extenso cableado de la red de suministro eléctrico que, actuando como antena no selectiva, capta las interferencias externas presentes en el entorno. Por ejemplo, las corrientes EMI inducidas en conductores por las emisiones de comunicaciones (radio y televisión comercial, radioaficionados, etc.). • La toma de tierra de la red que, en alta frecuencia, supone una fuente de interferencias más que un sumidero de las mismas. Se debe a que está compartida por otras cargas, y a que su impedancia interna es importante en alta frecuencia. En la figura 3.4 se muestra una representación simplificada de las posibles perturbaciones presentes en la red de suministro eléctrico y que pueden acoplarse a la carga (amplificador de potencia) a través del sistema de alimentación básico no regulado. En esta figura, las fuentes EMI se modelan como fuentes de intensidad que acoplan las interferencias en modo diferencial 3.3 Supresión de interferencias externas. 49 55 54 53 52 SACAP Vo (V) 51 50 49 48 47 ABNR 46 45 44 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 2,2 2,4 2,6 2,8 3 Io (A) (A) 2,5 ABNR 2 Vor (V) 1,5 1 SACAP 0,5 0 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 2,2 2,4 2,6 2,8 3 Io (A) (B) Figura 3.2: Características eléctricas del sistema de alimentación básico no regulado (ABNR) frente al sistema conmutado SACAP (capítulo 4). (A) Regulación de carga. (B) Tensión residual de rizado. 50 Supresión EMI en la alimentación no regulada de amplificadores. (A) Io = 1+1 A. (B) Io = 2+2 A. Figura 3.3: Corriente y tensión de rizado en la capacidad de salida (+50 V) del rectificador de media onda simétrico. (A) Carga resistiva simétrica de 1 A. (B) Carga resistiva simétrica de 2 A. 3.3 Supresión de interferencias externas. 51 (IF N j) o en modo común (IT j, se muestran sólo para el conductor de tierra), entre distintos puntos de la red eléctrica (separados por impedancias ZF j, ZN j y ZT j). Las capacidades parásitas, algunas de las cuales se muestran en la figura, cierran el camino de propagación de corrientes EMI de alta frecuencia y modo común hacia tierra. r ed c o m p a r t id a F SW TRF 220/ 35+ 35 D1 + 50V S2 IFN2 ZN2 ZN3 N F S4 P2 3A ZT1 CP ZT2 IT1 ZT3 IT2 TP c o n exio n a r ed d e APL 1 0 uF D3 ZN1 carga 0V CP2 S3 C2 220 D2 IFN1 C3 VAC C1 S1 1 0 uF P1 10m F ZF3 C4 ZF2 10m F ZF1 IRF2 - 50V D4 IRF c h a sis m et a lic o CP1 IRF1 Figura 3.4: Representación simple de posibles perturbaciones EMI en red que pueden acoplarse a la carga (APL) con el sistema de alimentación no regulado. En esta sección se realizan diferentes medidas de la contaminación EMI presente en la red eléctrica, con el objetivo de mostrar la presencia de diferentes perturbaciones de alta frecuencia en la red que pueden producir interferencias en el sistema alimentado. Naturalmente, dado su origen externo, las interferencias medidas pueden variar de forma importante con el tiempo y con el entorno de medida. No obstante, aunque las medidas registradas no son generalizables, se evidencia el problema EMI, los órdenes de magnitud y la distribución espectral de las interferencias registradas. La importancia de estas medidas radica en que no se diseñan los sistemas APL industriales con elementos de protección interna frente a estas perturbaciones externas, por lo que los efectos de interferencias serán inevitables. 3.3.1 Interferencias captadas en los cables de red. Los diferentes cables conductores conectados a un sistema electrónico actúan como antenas en alta frecuencia ([29], [10], [9]). El acoplamiento del campo electromagnético externo de alta frecuencia debido, por ejemplo, a las diferentes emisoras de radiodifusión, crea corrientes EMI inducidas en los conductores. Estas corrientes son conducidas, normalmente en modo común, hacia el 52 Supresión EMI en la alimentación no regulada de amplificadores. interior de los sistemas electrónicos, provocando interferencias internas. En el caso particular de los sistemas APL, los diferentes conductores externos conectados al amplificador inyectarán corrientes de alta frecuencia en los circuitos internos que provocan interferencias (capítulo 5). La característica que diferencia la conexión a red respecto a otros conductores es su mayor longitud y, con ello, se tiene una antena eficaz para frecuencias menores que con los otros conductores conectados al amplificador (cableado de señal y salida en potencia). Por tanto, aunque las dimensiones características aparentes del sistema APL sean reducidas (algunos metros), se tienen longitudes características mucho mayores a través de la conexión a la red eléctrica. Como ejemplo simple que muestra el problema, en la figura 3.5 se registra la tensión de interferencia medida con el analizador de espectros Tektronix 2712, cuando se le conecta en la entrada un cable conductor desplegado de 1, 3 y 5 metros, en el entorno de medida del laboratorio, realizando estas medidas de forma consecutiva. Por otra parte, en la figura 3.6 se realizan otras tres medidas para el cable de 5 metros, pero espaciadas en días diferentes. Estas tensiones EMI están provocadas principalmente por el acoplamiento de campo (eléctrico) a cable, que induce corrientes EMI de alta frecuencia. Como se observa en estas figuras, las dimensiones del conductor y el instante de medida afectan de forma importante en el perfil de interferencias registradas. Los niveles más altos de las interferencias registradas en estas dos figuras corresponden a las emisiones comerciales en frecuencia modulada (FM). Además, se observa que los niveles registrados de contaminación electromagnética en los cables en un entorno urbano son, en determinado rango de frecuencias, mayores que los creados por muchos sistemas electrónicos, en particular la alimentación no regulada de un APL. Por tanto, en los cables de la red eléctrica se tienen, en determinado rango de frecuencias, niveles de interferencias más elevados que en el interior del sistema y, aunque el sistema no genere elevadas interferencias, debe ser protegido, mediante técnicas de filtrado EMI, frente a las posibles interferencias captadas por los conductores externos y acopladas al amplificador a través de su sistema de alimentación. Como se ha registrado en las medidas anteriores, debido al origen de las interferencias externas, los niveles medidos de inteferencias dependerán del entorno de medida, dimensiones y orientación de los conductores, condiciones climatológicas y temporales de propagación de ondas ([81], [119]). Es decir, para un mismo entorno de trabajo del sistema APL instalado, los niveles de interferencia externas presentarán unas variaciones con unos tiempos característicos mayores que los asociados a los circuitos internos del sistema, por ejemplo el calentamiento interno de dispositivos activos. Además, el entorno concreto de instalación del sistema afectará de forma importante a su funcio- 3.3 Supresión de interferencias externas. 53 namiento cuando es susceptible a interferencias externas. Cuando se conecta el sistema de alimentación básico no regulado (ABNR) a la red eléctrica, las interferencias captadas por el cableado de red se acoplan al circuito alimentado a través de las capacidades parásitas del transformador de alimentación. Así, en la figura 3.7 se registran las tensiones EMI medidas en el secundario del transformador (0 V) cuando no se le conecta carga (no hay generación EMI interna), medidas con el analizador de espectros para tres días diferentes. De estas medidas se deduce que la variaciones en la contaminación EMI de los cables de red pasan al sistema alimentado sin aislamiento en alta frecuencia. En resumen, se requieren filtros EMI en todas las conexiones al exterior del amplificador de potencia. El peor caso y, por tanto, el filtro EMI más exigente (más voluminoso), corresponde a la conexión a red, porque presenta una mayor longitud característica (captación de frecuencias más bajas). Otras interferencias presentes en la red, no captadas por radiación, agravarán aún más el problema de interferencias. 3.3.2 Interferencias conducidas desde otras cargas. En este punto se trata de introducir otras interferencias, diferentes a las captadas directamente por radiación, que estén presentes en la red de alterna. Son debidas a otras cargas eléctricas o electrónicas que se conectan a la red de forma próxima, en donde inyectan interferencias que pueden ser conducidas al sistema APL compartiendo la misma red eléctrica. Como en el apartado anterior se han medido las interferencias captadas directamente por radiación en los cables, hemos de restar estas componentes a la medida de interferencias conducidas desde la red alterna al sistema APL alimentado, para obtener una medida cualitativa de las interferencias en red creadas por otras cargas. Estas interferencias dependerán directamente del conjunto de cargas que comparten de forma próxima la red de suministro, por lo que también vienen determinadas por el entorno de conexión a red del sistema y el instante de medida. A lo largo de esta tesis se han medido en distintas ocasiones las interferencias inyectadas en la red por diferentes sistemas electrónicos. Como ejemplo, en la figura 3.8 se anticipan las medidas de interferencias conducidas a la red eléctrica, realizadas con la red LISN (desde 9 kHz hasta 30 MHz), en diferentes sistemas de alimentación en potencia (sistema no regulado y sistemas conmutados) que son ampliamente estudiados en esta tesis (antes de incluir elementos de supresión de interferencias). 54 Supresión EMI en la alimentación no regulada de amplificadores. (A) Cable de 1 metro. (B) Cable de 3 metros. (C) Cable de 5 metros. Figura 3.5: Tensiones EMI medidas en el analizador de espectros al conectarle en su entrada un cable conductor de diferentes longitudes (para el mismo instante). 3.3 Supresión de interferencias externas. 55 (A) (B) (C) Figura 3.6: Tensiones EMI medidas con el analizador de espectros en diferentes días al conectarle en su entrada un cable de 5 metros en una misma configuración geométrica. 56 Supresión EMI en la alimentación no regulada de amplificadores. (A) (B) (C) Figura 3.7: Tensiones EMI medidas en el terminal de 0V del circuito ABNR trabajando sin carga y conectado a toma de red compartida. Las medidas se realizan en tres días diferentes. 3.3 Supresión de interferencias externas. 57 (A) (B) (C) Figura 3.8: Medida con LISN del EMI conducido a red en tres sistemas de alimentación en potencia diferentes: (A) sistema no regulado; (B) y (C) sistemas conmutados en alta frecuencia. 58 Supresión EMI en la alimentación no regulada de amplificadores. 3.3.3 Interferencias en la toma de tierra. No todos los amplificadores comerciales utilizan la toma de tierra de la conexión a red, ya que un elevado número de éstos se conectan sólo a dos hilos (fase, neutro). Esto es así porque el transformador reductor de red garantiza el aislamiento galvánico en baja frecuencia necesario como medida de protección frente a accidentes eléctricos [97]. Los equipos que no se conectan a tierra tienen su masa flotante. Esto no es adecuado desde el punto de vista EMC, porque el potencial de la referencia de tensión (0 V) de los circuitos amplificadores alimentados respecto al potencial de la tierra local (entorno de ubicación del sistema) queda sólo determinado por los acoplamientos parásitos en el transformador y en las superficies metálicas conectadas [29]. Fases F-N N-F P1 214 2 P2 2 214 S1 46 151 S2 81 116 S3 47 153 S4 82 118 Tabla 3.1: Tensiones eficaces medidas en modo común respecto a tierra en los terminales del transformador toroidal conectado a red para las dos posiciones del selector de fase. Así, en la tabla 3.1 se muestran las tensiones alternas de baja frecuencia inducidas en cada terminal del secundario del transformador del sistema ABNR, que se han medido en un determinado instante respecto a tierra, con el voltímetro en la forma indicada en la figura 3.9. La capacidad parásita total entre primario y el terminal del secundario del transformador donde se realiza la medida, junto con la resistencia interna del voltímetro (o el osciloscopio donde se observa la forma de onda) proporciona un divisor de tensión que justifica la tensión medida. Cuando no se conecta el voltímetro, las tensiones inducidas en el secundario respecto a tierra serán mayores, porque en este caso sólo interviene la pequeña capacidad parásita a tierra del circuito conectado en el secundario (y no la resistencia interna del medidor). Como también se registra en la tabla 3.1, la polaridad de la conexión a red (fase-neutro o neutro-fase) determina tensiones inducidas muy diferentes, justificadas por las asimetrías en la construcción física del transformador, de forma que el segundo caso de conexión a red mostrado en la tabla 3.1 es claramente peor que el primero. Estas tensiones acopladas en modo común afectan en el funcionamiento del amplificador alimentado por la diferente amplificación en modo común de componentes de baja frecuencia 3.3 Supresión de interferencias externas. 59 TRF 220/ 35+ 35 F Selec t o r d e Fa se P1 * * S1 Vo lt im et r o AC VAC S2 * - + S3 N TP P2 1M S4 RM VAC 220 ( Tier r a d e r ed ) Figura 3.9: Circuito de medida de tensiones modo común inducidas capacitivamente en el secundario del transformador de red. [69]. Por otra parte, en el caso de los amplificadores que disponen de toma de tierra en su conexión a red, ésta se conecta internamente al chasis metálico del amplificador, al que se refiere también la masa de los circuitos alimentados (0 V de referencia en la amplificación). En este caso, con la toma de tierra de red conectada directamente a la referencia de tensión de los circuitos amplificadores, se puede agravar el problema EMI de interferencias externas, por las mismas razones que se han descrito en las conexiones principales (fase, neutro) de la red: • Conexión a tierra compartida por otras cargas que inyectan interferencias y contaminan con corrientes EMI la toma de tierra ([78], [139], [126]). • Conexión a tierra con cables de extensión indeterminada hasta el sistema de picas de tierra. La elevada impedancia en alta frecuencia de este conductor propicia los acoplamientos parásitos de interferencias entre sistemas electrónicos próximos que comparten la toma de tierra [41]. • Captación directa de interferencias por radiación en el cable de tierra. De nuevo, su elevada longitud favorece la captación de interferencias acopladas por campo [164]. • Variación imprevisible de las características particulares de la conexión a tierra con el tiempo y la ubicación. Por ejemplo, la conexión a red de cargas de elevada emisión de interferencias modifican temporalmente la contaminación EMI de la toma de tierra [91]. 60 Supresión EMI en la alimentación no regulada de amplificadores. Con la toma de tierra conectada directamente al sistema alimentado en su referencia de tensión (y chasis metálico), se conducen también las interferencias de baja frecuencia presentes en dicha conexión aunque, en esta tesis, sólo se aborda el problema de interferencias en alta frecuencia en alta frecuencia. 3.3.4 Acoplamiento EMI en el transformador de red. El sistema de alimentación no regulado para APL se conecta a la red a través de un transformador reductor. Este transformador, necesario para adaptar los niveles de la tensión de red a los utilizados por la carga, proporciona el aislamiento galvánico requerido por motivos de seguridad en baja frecuencia [97]. Como se ha registrado en la figura 3.7, el transformador de red básico utilizado para la alimentación de los APL no puede considerarse como elemento de aislamiento en alta frecuencia ([46], [162]). El acoplamiento por campo eléctrico (capacitivo) entre primario y secundario del transformador proporciona un camino de baja impedancia en alta frecuencia para todas las interferencias presentes en la red alterna o en el equipo alimentado. Por ello, todas las perturbaciones de alta frecuencia presentes en la red eléctrica descritas en el apartado anterior pueden acoplarse con el sistema alimentado y producir interferencias. La construcción física del transformador, dimensiones características, tipo de núcleo, disposición relativa de los devanados y forma de montaje en el chasis del APL, contribuye directamente al grado de acoplamiento de interferencias entre primario (red) y secundario (carga alimentada). De ahí, la dependencia observada sobre efectos de interferencias en el equipo alimentado respecto al tipo de transformador utilizado en su sistema de alimentación. La tendencia actual en los sistemas APL de mejores prestaciones consiste en utilizar transformadores de potencia con núcleos toroidales (más caros) en lugar de transformadores con núcleos convencionales (núcleos E-E de chapa apilada). En baja frecuencia, el núcleo toroidal presenta mejor acoplamiento magnético entre primario y secundario, con lo que se reduce el campo magnético disperso de baja frecuencia y las interferencias de baja frecuencia que produce en el amplificador (situado de forma próxima). Así, en la figura 3.10 se muestran las formas de ondas de las tensiones registradas con una sonda de campo magnético de baja frecuencia en diferentes transformadores. Las medidas se realizan en el rectificador simétrico de media onda con diferentes diodos (rápido y lento) en cada salida (se justificará despúes, en las medidas de interferencias internas, el pulso parásito asociado 3.3 Supresión de interferencias externas. 61 al diodo lento). La sonda pasiva utilizada para la medida se ha construido con una bobina de hilo de cobre esmaltado de 0.2 mm, que se ha apantallado frente a campo eléctrico, y que proporciona una medida cualitativa del problema en baja frecuencia. Como se observa en estas medidas, el núcleo toroidal induce tensiones de baja frecuencia mucho menores que el núcleo E-E, cuando la sonda se sitúa a igual distancia de separación del cuerpo del transformador. Por tanto, de las medidas anteriores se concluye que el transformador con núcleo toroidal resulta claramente ventajoso en baja frecuencia en el caso de los APL. Núcleo Frecuencia (kHz) Cps (pF) Cpt (pF) E-E 1 140 183 E-E 10 124 159 Toroide 1 882 60 Toroide 10 792 52 Tabla 3.2: Capacidades parásitas medidas en diferentes transformadores de la mismas características eléctricas entre primario y secundario (Cps) y entre primario y chasis externo (Cpt). Cuando se analiza el comportamiento de los diferentes transformadores en alta frecuencia, los resultados son diferentes. Cuando se incrementa la frecuencia, deben considerarse los acoplamientos capacitivos globales presentes entre primario, secundario y el núcleo metálico (chasis) del transformador de red. Así, por ejemplo, en la tabla 3.2 se registran las medidas de las capacidades parásitas globales en dos tipos diferentes de transformadores de red de las mismas características eléctricas utilizados para el amplificador lineal de potencia. Estas capacidades se registran con el medidor RCL Topward 5030 entre el primario (red), el secundario (toma media) y el chasis metálico del transformador para dos frecuencias diferentes (1 y 10 kHz). La reducción de la capacidad medida con la frecuencia se debe a las no linealidades de estas capacidades y al efecto de otros componentes parásitos secundarios [116]. En la figura 3.11 se muestran las impedancias, medidas con el Analizador Vectorial ZVRL de Rhode&Schwarz, en los dos tipos de transformadores analizados, de similares características eléctricas (220/35+35V y 300 VA). Como se observa en esta figura, el comportamiento capacitivo es válido sólo hasta unos 20 MHz en el transformador E-E y hasta unos 2 MHz en el transformador toroidal, de forma que por encima de estas frecuencias el comportamiento del dispositivo es mucho más complejo (efectos inductivos secundarios y diferentes resonancias parásitas estructurales). En la figura 3.12 se muestra la 62 Supresión EMI en la alimentación no regulada de amplificadores. (A) Transformador toroidal. (B) Transformador E-E. Figura 3.10: Corriente y tensiones (captadas por sonda de campo magnético de baja frecuencia) en diferentes transformadores de las mismas características eléctricas (medido en el rectificador de media onda simétrico con diodos rectificadores diferentes en cada salida). 3.3 Supresión de interferencias externas. 63 (A) Impedancia primario a chasis en transformador E-E. (B) Impedancia primario a secundario en transformador E-E. (C) Impedancia primario a secundario en transformador toroidal. Figura 3.11: Impedancias medidas en diferentes tipos de transformadores de la misma potencia y tensión nominal. 64 Supresión EMI en la alimentación no regulada de amplificadores. estructura interna de los diferentes transformadores, justificando las principales capacidades parásitas internas. Como se concluye de todas estas medidas, el transformador de red no aisla en alta frecuencia, de forma que el transformador toroidal presenta mayor acoplamiento (capacitivo) entre primario y secundario, con el inconveniente añadido que el núcleo es interno y, por tanto, no se conecta eléctricamente al chasis metálico del amplificador (en este caso, la capacidad Cpt se mide con la placa de montaje externa). Es decir, el núcleo básico E-E, no sólo presenta menor acoplamiento (menor capacidad) parásito entre primario y secundario, sino que conduce al chasis las interferencias acopladas con su núcleo metálico, por lo que en el circuito alimentado (amplificador) se inyectan menos interferencias procedentes de la red eléctrica. Desde este punto de vista, comportamiento en alta frecuencia, el núcleo E-E protege más a la carga alimentada, actuando de forma inesperada como elemento de filtrado EMI en alta frecuencia. 3.4 Supresión de Interferencias internas. 3.4.1 Interferencias generadas con diodos de red. Como se mostró en la figura 3.3, la corriente de entrada en el sistema de alimentación no regulado son pulsos de intensidad sincronizados con las crestas de la tensión alterna. Cuando la tensión alterna rectificada es mayor que la tensión continua de salida, los diodos conducen y cargan la capacidad de salida; cuando la tensión alterna rectificada es menor que la tensión del condensador, la corriente decrece rápidamente hasta que el diodo se corta. A continuación, veremos los efectos EMI que producen los diferentes circuitos rectificadores que utilizan diodos de red. En el caso particular de sistemas de alimentación no regulados para amplificadores, se ha observado que el circuito rectificador utilizado afecta de forma importante en las interferencias generadas. Para analizar las causas de esta dependencia, se han medido las interferencias conducidas a la red eléctrica utilizando el analizador de espectros Tektronix 2712 y la red LISN monofásica EMCO 3810/2, en la configuración normalizada descrita en el capítulo 2. Recordar, en este punto, que la estructura interna de la red LISN permite, en su rango de medida, la medida independiente de interferencias generadas por el dispositivo bajo prueba, ya que uno de los elementos constitutivos más importantes es el filtro paso-bajo de entrada, que atenúa las interferencias externas. 3.4 Supresión de Interferencias internas. 65 CP1 CP2 Nu c leo E- E P1 P1 S1 S3 S1 S2 S3 S4 P2 0V CP5 CP3 N N CP4 P2 CP6 S2 S4 S3 - S4 S1 - S2 P1 - P2 P1 S1 Nu c leo P1 - P2 S1 - S2 S3 - S4 S2 S3 S4 0V Nu c leo t o r o id a l ( sec t o r ) P2 CP7 Figura 3.12: Comparación de la estructura interna y las capacidades parásitas internas simplificadas de los transformadores de red con núcleo toroidal y con núcleo E-E. 66 Supresión EMI en la alimentación no regulada de amplificadores. En primer lugar, se miden las interferencias conducidas a red en el sistema de alimentación simétrico no regulado (ABNR de la figura 3.1) que utiliza un puente rectificador de red integrado (FB2506). En la figura 3.13 se miden las interferencias conducidas en vacío, y con carga resistiva simétrica de 1 y 2 A. Se observa en esta figura que las interferencias inyectadas en red están asociadas a la corriente de carga (la medida en vacío corresponde al ruido de fondo de la propia medida) y que se tienen niveles importantes de corrientes EMI (medidas como tensiones sobre 50 Ω) hasta frecuencias de unos 3 MHz. Las interferencias registradas por encima de 10 MHz no son generadas por los diodos, ya que corresponden al ruido eléctrico externo captado por el tramo de cable que va de la alimentación a la LISN (plegado, unos 40 cm). Para facilitar las medidas, se registra sólo el valor de pico, que está por encima de la medida de cuasipico cuyo límite normalizado (UNE-EN 55013) se marca en la figuras. Por tanto, las interferencias generadas por los diodos facilitan el cumplimiento de los límites de emisión conducida a red que imponen las normas EMC aplicables al producto. Es decir, con este sistema de alimentación no regulado se facilita el cumplimiento de los límites de emisión conducida a red (al contrario que con los sistema de alimentación conmutados que se verán en el capítulo 4). Se ha investigado la influencia del cambio de topología sobre las interferencias generadas en el sistema de alimentación simétrico no regulado. Así, en la figura 3.14 se registran y comparan las interferencias generadas con el circuito rectificador de puente doble, media onda simétrico y media onda asimétrico, cuando se utilizan diodos rectificadores de red y se carga la salida con una corriente simétrica de 2 A. Como se observa en esta figura, cuando se utilizan diodos rectificadores de red, el cambio de topología rectificadora no afecta apenas en las interferencias generadas por los diodos. Por tanto, resulta más interesante mantener el rectificador en puente completo (ABNR), para mantener el mayor rendimiento en la rectificación ([39], [118]), y ensayar otras soluciones para reducir interferencias. En la figura 3.15 se registran las corrientes EMI propagadas en modo diferencial y en modo común en la entrada y en la salida del circuito ABNR (medidas con la sonda ESH2-Z1). De estas medidas se concluye que las interferencias medidas con la red LISN se corresponden con las corrientes EMI propagadas en modo diferencial, ya que las corrientes en modo común son muy reducidas. Por ello, como las interferencias generadas en los diodos están asociadas a la rectificación de corriente, se ensayan primeramente las modificaciones mostradas en la figura 3.16 para el circuito rectificador simétrico de media onda. Estas modificaciones del circuito rectificador afectan de forma directa a a la forma de la corriente pulsante que carga la capacidad de salida, por lo que pueden reducir las interferencias generadas [121]. 3.4 Supresión de Interferencias internas. 67 (A) Vacío (B) Io = 1 + 1 A (C) Io = 2 + 2 A Figura 3.13: Comparación de EMI conducido a red para diferentes corrientes de carga en el circuito rectificador básico (ABNR) con puente rectificador de red (FB2506). 68 Supresión EMI en la alimentación no regulada de amplificadores. (A) Rectificador de puente doble (2xFB2506). (B) Rectificador media onda simétrico. (C) Rectificador media onda asimétrico. Figura 3.14: Comparación de EMI conducido a red en diferentes topologías rectificadoras de doble salida simétrica (Io = 2+2 A). 3.4 Supresión de Interferencias internas. 69 (A) Corrientes EMI de entrada en modo diferencial. (B) Corrientes EMI de entrada en modo común. (C) Corrientes EMI de salida en modo diferencial. Figura 3.15: Medidas de corrientes EMI a la entrada y salida del circuito de alimentación ABNR con puente rectificador de red (Io = 2+2 A). 70 Supresión EMI en la alimentación no regulada de amplificadores. D1 TRF * * VAC 220 S1 0V C2 D2 * VAC 220 P2 * 10m F 0V C2 * S4 P2 RL2 1 0 nF 10m F - 50V D2 ( B) Co n c o n d en sa d o r es f ilt r a d o ( C3 ,C4 ) D1 TRF + 50V S1 RL1 1 0 nF C4 D1 P1 C1 C3 S3 220/ 35+ 35 ( A) Med ia o n d a sim et r ic o b a sic o TRF S2 10m F - 50V 220/ 35+ 35 * VAC 220 S1 RL2 * S4 P2 * RL1 10m F S3 + 50V P1 C1 S2 D1 TRF + 50V P1 + 50V P1 * C1 * S1 C1 RL1 RL1 S2 S3 R 1 ohm 10m F 0V VAC 220 S3 P2 10m F 1 0 0 uH D2 ( C) Co n r esist en c ia lim it a d o r a ( R) 0V C2 RL2 * S4 10m F - 50V - 50V 220/ 35+ 35 10m F L C2 RL2 * S4 S2 220/ 35+ 35 D2 ( D) Co n in d u c t a n c ia lim it a d o r a ( L) Figura 3.16: Modificaciones ensayadas en el circuito rectificador simétrico de media onda para la posible reducción de interferencias. Las medidas de interferencias para cada caso de la figura 3.16 se muestran en la figura 3.17. Estas medidas corresponden, nuevamente, a una corriente de carga simétrica de 2 A. Como se observa en esta figura, los condensadores de filtrado EMI y la inductancia limitadora tienen un efecto negativo en la reducción de interferencias, mientras que la resistencia limitadora reduce interferencias, a costa de un peor rendimiento. 3.4.2 Supresión de interferencias generadas con diodos rápidos. En el apartado anterior se ha comprobado experimentalmente que el cambio de topología y la inserción de determinados componentes en el circuito rectificador no reducen apreciablemente las interferencias generadas e inyectadas en la red eléctrica. En todas aquellas medidas se utilizaban diodos rectificadores lentos, diodos de red, puesto que la rectificación se corresponde con la frecuencia de la red eléctrica. Como se verá en las siguientes medidas, cuando se sustituyen los diodos rectificadores de red por diodos rectificadores rápidos, del mismo tipo que se uti- 3.4 Supresión de Interferencias internas. 71 (A) Condensadores de filtrado EMI (C3, C4). (B) Resistencia limitadora (R). (C) Inductancia limitadora (L). Figura 3.17: Efectos EMI de los cambios en el circuito rectificador simétrico de media onda (Io = 2+2 A). 72 Supresión EMI en la alimentación no regulada de amplificadores. lizan en la rectificación de los convertidores conmutados en alta frecuencia, los resultados en la reducción de interferencias son realmente sorprendentes. En la figura 3.18 se muestran algunos de los circuitos rectificadores de muy bajo EMI, con diodos rápidos, cuyas interferencias se van a caracterizar en la rectificación de baja frecuencia. * + 50V * VAC 220 D1 TRF D1 TRF P1 S1 C1 S2 10m F * + 50V * RL1 VAC 220 0V S3 S1 C1 S2 10m F RL1 0V S3 C2 C2 RL2 * S4 P2 D2 P1 10m F RL2 * S4 P2 10m F - 50V - 50V 220/ 35+ 35 D2 220/ 35+ 35 D1 TRF * + 50V S1 D2 VAC 220 S2 RL1 0V S3 * * 10m F D3 S4 D5 + 50V S1 C1 * D2 VAC 220 S2 RL1 10m F 0V S3 * C2 D3 RL2 S4 10m F P2 D1 TRF P1 C1 * D4 ( B) Med ia o n d a sim et r ic o 4 d io d o s ( 4 * BYW2 9 - 2 0 0 ) ( A) Med ia o n d a sim et r ic o ( 2 xBYW2 9 - 2 0 0 ) P1 D3 C2 RL2 10m F P2 - 50V 220/ 35+ 35 D4 ( C) Pu en t e r a p id o sim p le ( 4 xBYW2 9 - 2 0 0 ) - 50V 220/ 35+ 35 D4 D6 ( D) Pu en t e r a p id o 6 d io d o s ( 6 xBYW2 9 - 2 0 0 ) Figura 3.18: Rectificadores de muy bajo EMI propuestos para APL. Así, en primer lugar, en la figura 3.19 se observa la importante reducción (hasta 30 dB) en las interferencias generadas en el circuito rectificador en puente completo cuando se utilizan cuatro diodos rápidos (BYW29-200) en lugar del puente rectificador de red (FB2506). La reducción de EMI es aún mayor (otros 20 dB más) cuando se incluyen dos diodos rectificadores rápidos más sobre el caso anterior, en lo que se denomina en esta tesis como puente rápido de 6 diodos. Con ello, el EMI generado es despreciable por encima de 150 kHz (prácticamente el ruido de fondo de la medida) y puede ser mejorado aún más si se incluyen más diodos rápidos en serie. Por otra parte, en la figura 3.20 se muestra el efecto de la inclusión de diferente número de diodos rectificadores rápidos (por rama) en el rectificador simétrico de media onda. Se observa en esta figura que al aumentar el número de diodos serie se reduce progresivamente las interferencias generadas. A partir de tres diodos serie, el efecto se hace notar en el ruido registrado por 3.4 Supresión de Interferencias internas. 73 (A) Puente rectificador de red (FB2506). (B) Puente rectificador rápido de 4 diodos (4xBYW29-200). (C) Puente rectificador rápido de 6 diodos (6xBYW29-200) Figura 3.19: Comparación de EMI conducido a red en ABNR con diferentes puentes rectificadores de onda completa (Io = 2+2 A). 74 Supresión EMI en la alimentación no regulada de amplificadores. debajo de 150 kHz. Se debe destacar que la reducción de EMI conducido a red con la inclusión de diodos rápidos en serie se puede realizar en el sistema de alimentación simétrica para APL sin que afecte de forma importante en el rendimiento de la rectificación. Esto se debe a que la tensión de salida es relativamente alta (+50 V) frente a la caida de tensión en los diodos (del orden de 0.7 V), y no sería así en el caso de tensiones de salida reducidas, por ejemplo en sistemas de alimentación de circuitos digitales. Además, el objetivo principal de reducción de interferencias en los sistemas de alimentación para APL permite implementar soluciones que no optimizan el rendimiento. Para justificar el importante efecto de reducción de interferencias que proporciona el uso de rectificadores rápidos en la rectificación de red, en la figura 3.21 se mide la tensión proporcionada por la red LISN (sobre la resistencia de entrada de 50 Ω del osciloscopio digital utilizado), junto con la corriente del secundario del transformador. En esta figura, se selecciona el rectificador simétrico de media onda, de forma que los diodos rectificadores son diferentes: D1 diodo de red y D2 diodo rápido. Se observa que el bloqueo del diodo lento proporciona un importante pulso de tensión EMI asociado a la recuperación inversa que no aparece en el caso del diodo rápido [142]. Los armónicos de este impulso son registrados en el dominio de la frecuencia (analizador de espectros) como la tensión EMI medida con la LISN. Es importante señalar que estos impulsos de corriente producen que el transformador reductor de red utilizado en la entrada, que suministra esta corriente, genere impulsos de campo magnético que se pueden acoplar fácilmente con el circuito amplificador alimentado, produciendo interferencias. Así, la comparación de la tensión medida con la sonda de campo magnético de baja frecuencia de la figura 3.10 registraba la diferencia de diodos rectificadores, como un importante impulso de tensión asociado al diodo rectificador lento. Se demostrará, en el apartado siguiente que éste es el mecanismo de acoplamiento de las interferencias con la carga (amplificador). Por tanto, en este apartado se propone el uso sistemático de diodos rápidos en lugar de diodos rectificadores de red para los circuitos de alimentación no regulados de los amplificadores de potencia. En particular, de forma original, se propone el puente rectificador rápido de seis diodos como la solución idónea para supresión de interferencias internas en el circuito de alimentación no regulado de amplificadores de potencia sin merma apreciable del rendimiento. 3.4 Supresión de Interferencias internas. 75 (A) Un sólo diodo rápido. (B) Dos diodos rápidos en serie. (C) Tres diodos rápidos en serie. Figura 3.20: Comparación de EMI conducido a red en el rectificador simétrico de media onda con diferente número de diodos rápidos (BYW29-200) en serie (Io = 2+2 A). 76 Supresión EMI en la alimentación no regulada de amplificadores. (A) (B) (C) Figura 3.21: Tensiones EMI medidas por la LISN y corriente en diodos del rectificador de media onda simétrico (Io = 2+2 A). (A) Diferentes diodos rectificadores: D1 lento y D2 rápido. (B) Detalle del bloqueo de D1. (C) Detalle del bloqueo de D2. 3.5 Soluciones EMI incorporadas en APLAIRE. 77 3.4.3 Filtrado EMI en los condensadores de salida. La elevada capacidad (mayor de 10.000 µF) requerida para filtrar la componente rectificada de 100 Hz sólo se puede obtener en un reducido tamaño mediante condensadores electrolíticos. El comportamiento en frecuencia de estos condensadores depende de los valores nominales de capacidad y tensión, de su construcción interna, de la temperatura y de su envejecimiento [132]. En general, para condensadores electrolíticos de elevada capacidad, el comportamiento es capacitivo sólo hasta algunos kHz y por encima de estas frecuencias el comportamiento es inductivo. Por tanto, los condensadores electrolíticos de filtrado para baja frecuencia no actúan adecuadamente en alta frecuencia y necesitan ser compensados con condensadores en paralelo que presenten buen comportamiento en alta frecuencia: capacidades de bajo valor de tipo plástico o cerámico. En suma, el correcto filtrado en modo diferencial en baja y alta frecuencia para la salida del alimentador no regulado requiere utilizar diferentes tipos de condensadores conectados en paralelo para compensar las limitaciones debidas a su construcción física ([64], [67], [113]). En la figura 3.22 se muestran las medidas de las tensiones EMI en modo diferencial en las dos salidas del circuito básico no regulado (ABNR) con puente rectificador de red. En estas medidas se utilizan condensadores de filtrado de salida compensados en frecuencia, esto es, condensadores electrolíticos de 10.000 µF en paralelo con condensadores de plástico (MKP) de 10 µF . De estas medidas se concluye que el EMI en modo diferencial es filtrado eficazmente por los condensadores de salida (las medidas corresponden al ruido de fondo de la medida). Por otra parte, la medida de la corriente propagada en modo común en la salida que se muestra en la figura 3.22, realizada con la sonda de alta frecuencia ESH2-Z1, muestra que el filtrado de salida impide que las interferencias generadas en los diodos sean conducidas hacia la carga alimentada (pueden afectar de otro modo, por ejemplo, como se ha visto anteriormente, por acoplamiento por campo magnético próximo desde el transformador al amplificador). 3.5 Soluciones EMI incorporadas en APLAIRE. En las secciones anteriores se han investigado y determinado las diferentes interferencias que pueden afectar a la carga (amplificador de potencia lineal) desde el sistema de alimentación básico no regulado (ABNR) utilizado en los sistemas de amplificadores comerciales. 78 Supresión EMI en la alimentación no regulada de amplificadores. (A) Tensión EMI diferencial en +50V. (B) Tensión EMI diferencial en -50V. (C) Corriente EMI modo común a la salida. Figura 3.22: Tensiones (modo diferencial) y corrientes EMI (modo común) a la salida del ABNR con puente rectificador de red (FB2506) y filtrado compensado con diferentes tipos de condensadores (Io = 2+2 A). 3.5 Soluciones EMI incorporadas en APLAIRE. 79 Se ha visto que uno de los principales problemas en el sistema de alimentación básico no regulado está asociado a la propagación de interferencias externas hacia el sistema alimentado. Esta interferencias se acoplan principalmente desde la red eléctrica, por la presencia de otras cargas conectadas y por la captación de interferencias por campo en los diferentes cables de red. Como se ha visto, en este acoplamiento de interferencias desde la red, el transformador de alimentación utilizado es determinante del resultado. Por otra parte, se ha determinado que la generación de interferencias internas en el sistema ABNR está asociada a los diodos rectificadores. El bloqueo de los diodos produce interferencias de alta frecuencia que se propagan a la red y al sistema alimentado. Se requiere, por tanto, incorporar soluciones específicas frente a estas interferencias, que serán descritas en esta sección. Estas soluciones EMI se han incorporado en los sistemas de alimentación no regulados de los prototipos amplificadores APL1 y APL2 (serán analizados en el capítulo 5) desarrollados para el proyecto APLAIRE. El proyecto de colaboración industrial APLAIRE (Amplificador de Potencia de Alta Inmunidad al Ruido Eléctrico) consiste en el desarrollo de un amplificador de potencia lineal de audio especial donde se incluyen todas las soluciones a interferencias investigadas previamente en esta tesis. Módulo de alimentación apantallado. Las técnicas de filtrado EMI de las interferencias conducidas son poco eficaces si se acoplan las interferencias por campo eléctrico o magnético. Para reducir el problema a EMI conducido en alta frecuencia, se monta el sistema de alimentación ABNR de APLAIRE en un recinto (chasis) especialmente apantallado. Así, como se muestra en las fotografías de la figura 3.23, los prototipos APL1 y APL2 montados disponen de un chasis metálico especial, realizado en cobre y totalmente cerrado, ya que los radiadores de calor para las etapas lineales de potencia van situados en el exterior. Este chasis se divide internamente en dos recintos independientes apantallados entre sí: módulo de alimentación y módulo amplificador. Con ello, se tiene garantía de que las interferencias de alta frecuencia propagadas desde el sistema de alimentación al amplificador sólo pueden ser conducidas y se podrán atenuar mediante técnicas de filtrado EMI ([91], [83]). Frente a esta solución, los amplificadores comerciales utilizan un chasis compartido por el sistema de alimentación y la carga (amplificador), por lo que se pueden acoplar por campo próximo las interferencias de uno a otro sistema. 80 Supresión EMI en la alimentación no regulada de amplificadores. Figura 3.23: Prototipos amplificadores APL1 y APL2 desarrollados en chasis metálico especial de cobre doblemente apantallado. 3.5 Soluciones EMI incorporadas en APLAIRE. 81 Además, los sistemas comerciales suelen incluir los radiadores de calor de las etapas de potencia en el interior del sistema, necesitando añadir ranuras de ventilación en el chasis metálico que anulan la eficacia del blindaje electromagnético en alta frecuencia [117]. Transformador toroidal. El blindaje especial de cobre incorporado en APL1 y APL2 es eficaz sólo para las componentes de campo de alta frecuencia. Si, además, se requiere apantallar las componentes de campo magnético de baja frecuencia, debidas al propio transformador de alimentación, se deben utilizar en el chasis materiales magnéticos especiales ([161], [10]). Para evitar esta complejidad adicional en el diseño del chasis, se montan transformadores toroidales que, como se ha registrado anteriormente, minimizan el campo magnético disperso de baja frecuencia. Las ventajas en alta frecuencia debidas al filtrado EMI parásito que proporcionaba el núcleo del transformador E-E (cuando se fija al chasis metálico) serán compensadas con la incorporación de filtros EMI especiales en el módulo de alimentación, que serán descritos posteriormente. Diodos rectificadores rápidos. Como se determinó anteriormente, el uso de diodos rápidos en la rectificación de red (baja frecuencia) produce una importante atenuación de las interferencias de alta frecuencia generadas en el circuito rectificador. Esto resulta especialmente interesante en el caso de la alimentación ABNR para los prototipos APL1 y APL2, porque reduce las exigencias de filtrado EMI en la conexión del sistema de alimentación a la red eléctrica. El sistema de alimentación seleccionado en este caso de aplicación industrial corresponde al que incorpora puente rectificador rápido de 6 diodos, porque proporciona una importante reducción de las interferencias generadas en alta frecuencia sin perjudicar el funcionamiento en baja frecuencia. Filtrado EMI especial. En el caso particular del sistema de alimentación no regulada para APL, los requerimientos de filtrado EMI en conducido del sistema alimentado son especiales. Se deben atenuar las interferencias externas de alta frecuencia procedentes de red y las interferencias internas generadas por los diodos rectificadores. Por otra parte, se requiere un filtrado especial de las interferencias 82 Supresión EMI en la alimentación no regulada de amplificadores. propagadas en modo común, ya que los condensadores de filtrado en la salida de la alimentación actúan como elementos de filtrado EMI en modo diferencial. Los filtros EMI de red comerciales suelen incluir, en un encapsulado metálico, los elementos básicos para filtrado de interferencias en modo diferencial y en modo común. Así, en la figura 3.24 se muestra el circuito eléctrico de un filtro EMI comercial, en donde LM C - CY son los elementos para filtrado en modo común, y LM D - CX2 son los elementos para filtrado en modo diferencial (R es la resistencia de descarga de CX2). Estos filtros EMI comerciales, pese a su facilidad de montaje, no son la solución óptima para los sistemas amplificadores, pudiendo agravar ciertos problemas. En la investigación realizada, se han observado los siguientes problemas prácticos: • Las características de atenuación suministrada por el fabricante son medidas para unas impedancias nominales de entrada y salida de 50 Ω. No son directamente aplicables en el entorno real de trabajo del APL, donde ni la impedancia de red ni la de la carga toman ese valor. Por tanto, la eficacia del filtro EMI comercial debe ser comprobada una vez instalado [14]. • En el punto de instalación del filtro EMI, se inyectan corrientes EMI en el chasis del APL a través de los condensadores CY de filtrado en modo común. Estas corrientes EMI en el chasis anulan la equipotencialidad necesaria para un correcto blindaje de los circuitos de amplificación. • Los choques en modo común (LM C) que incluyen los filtros EMI comerciales sólo son eficaces hasta algunos MHz [104]. A partir de esas frecuencias intervienen en el filtrado en modo común los condensadores CY , que se han criticado en el punto anterior. Por los problemas descritos en los puntos anteriores, se prescinde de los filtros EMI comerciales. En su lugar, se incluyen elementos de filtrado EMI especialmente diseñados para los prototipos amplificadores APL1 y APL2, cuyas características son: • No se utilizan condensadores de filtrado en modo común referidos a tierra (CY ), porque contaminan el chasis con corrientes de alta frecuencia, que afectan al correcto blindaje del amplificador. • Se construyen filtros EMI para modo común especiales de banda ancha. Este filtro, que aparece en la figura 3.24, consta de dos choques para modo común (bobinas acopladas) con diferentes núcleos y devanados conectados en serie, que se optimizan para rangos de frecuencias 3.5 Soluciones EMI incorporadas en APLAIRE. LMC 3 .6 m H LMC2 1 7 uH 1M CY 2 .2 n F 4 7 uH * TP N * ** * ** * ** ** 4 7 0 nF Sep a r a d o r a isla n t e LMD c h a sis m et a lic o ( A) Filt r o d e r ed c o m er c ia l CARGA R TP CARGA ** * F 4 7 uH CY 2 .2 n F N LMC1 1 .6 m H LMD CX2 F 83 <- - c h a sis m et a lic o ( B) Filt r o esp ec ia l d e b a n d a a n c h a (A) Comparación de estructura interna. (B) Impedancia serie de filtro modo común comercial. (C) Impedancia serie de filtro modo común especial. Figura 3.24: Comparación de la estructura interna de filtro EMI de red comercial, filtro modo común comercial (P3216-A) y filtro especial de modo común y banda ancha para APL. 84 Supresión EMI en la alimentación no regulada de amplificadores. complementarios ([50], [87]). Cuando el choque modo común de menor frecuencia (LMC1) comienza a comportarse inadecuadamente (de forma capacitiva), el choque adicional de mayor frecuencia (LMC2) actúa de forma correcta. Esto requiere una forma constructiva especial, de mayor tamaño característico para minimizar las capacidades parásitas entre las espiras del inductor, por lo que no se puede integrar en los filtros comerciales (compactos). En la misma figura 3.24 se muestra una comparación de la impedancia serie medida en el filtro especial para modo común frente a un filtro modo común comercial (P3216-A de Coilcraft). • Los filtros en modo común se disponen en todas las entradas y salidas del chasis. Cualquier conductor que penetre en el chasis sin ser filtrado produce el problema de interferencias en modo común [28]. Además, se sitúan alejados del chasis metálico, con separadores aislantes, para evitar el acoplamiento capacitivo por el chasis. Toma de tierra filtrada. Los prototipos amplificadores APL1 y APL2 se conectan a la tierra de red para evitar los problemas de potenciales flotantes y los acoplamientos capacitivos en el transformador de red estudiados anteriormente. Para evitar que las interferencias de alta frecuencia en la conexión de tierra de red afecten al sistema alimentado, se filtra internamente dicha entrada, de idéntica forma que los conductores principales de red, como se muestra en la figura 3.24. Por ello, en los prototipos diseñados, se filtra adicionalmente la conexión de tierra, mediante choques de banda ancha para los tres conductores de entrada: fase, neutro y tierra de protección. 3.6 Conclusiones En este capítulo se han caracterizado las interferencias externas e internas asociadas a los sistemas de alimentación no regulados que industrialmente se suelen incorporar en los amplificadores lineales de potencia. Para ello, se han montado dos prototipos amplificadores diferentes (prototipos APL1 y APL2 del proyecto APLAIRE, descritos en capítulo 5), junto con su sistema de alimentación no regulado donde se miden las interferencias presentes en el sistema y se incluyen las soluciones EMI investigadas. Como conclusiones importantes de este capítulo, se tienen las siguientes aportaciones originales: • Introducción del problema EMI, problema en alta frecuencia, asociado al sistema de alimentación básico incorporado industrialmente en los 3.6 Conclusiones 85 APL. Se comprueba experimentalmente que el circuito y los componentes utilizados favorecen determinadas interferencias, para las que no se incluyen protecciones en los diseños comerciales. • Se han caracterizado las interferencias externas de alta frecuencia que pueden ser conducidas desde la red eléctrica hacia el sistema alimentado: captadas directamente por los cables de red (efecto antena) y conducidas desde otras cargas próximas que comparten la red alterna. • Se ha registrado las variaciones de las interferencias externas con el tiempo y el entorno de conexión del sistema. • Se ha estudiado el problema EMI debido a la toma de tierra, que no sólo no debe ser considerada como sumidero de perturbaciones, sino que puede inyectar interferencias en el sistema alimentado. • Se ha estudiado la influencia del transformador de red en la propagación de interferencias, comparando diferentes soluciones. • Se ha estudiado los efectos de los diferentes circuitos de rectificación de red y de los diodos utilizados en la generación de interferencias internas. En especial, se proponen modificaciones de los circuitos rectificadores clásicos con montaje de diodos rápidos en serie que generan muy pocas interferencias. • Se ha comprobado que los condensadores de filtrado de la salida son ineficaces para las interferencias externas propagadas en modo común. • Se ha diseñado e incluido un filtrado EMI especialmente eficaz en alta frecuencia para las interferencias propagadas en modo común, que corrige las limitaciones de los filtros comerciales. • Se ha justificado la necesidad de un recinto doblemente apantallado para el sistema de alimentación, sin el que es imposible obtener un filtrado eficaz de las interferencias conducidas en alta frecuencia. • Los resultados de la investigación de este capítulo se han presentado en [126], [128], [132], y [130]. Como resumen general, no sólo se introduce y caracteriza el problema EMI asociado al sistema de alimentación industrial no regulado para APL, sino que se proponen y caracterizan un conjunto de soluciones originales que resultan muy eficaces en la supresión de interferencias. Estas soluciones se incluyen en los sistemas de alimentación no regulados de los amplificadores APL1 y APL2 desarrollados para el proyecto industrial APLAIRE. 86 Supresión EMI en la alimentación no regulada de amplificadores. Capítulo 4 Supresión EMI en la alimentación conmutada de amplificadores. Índice General 4.1 Introducción. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89 4.2 Descripción del sistema SAD. . . . . . . . . . . . . . . . . . 90 4.2.1 4.3 4.4 Convertidor de entrada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91 4.2.2 Convertidor de salida. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93 4.2.3 Convertidor de tarjeta. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96 4.2.4 Consideraciones de diseño para bajo EMI. . . . . . . . . 96 Medida de interferencias en SAD. . . . . . . . . . . . . . . 97 4.3.1 EMI conducido a red por el circuito de control. . . . . . 97 4.3.2 EMI conducido a red por el Convertidor de Entrada. . 98 4.3.3 EMI conducido a red por el convertidor de salida. . . . 98 4.3.4 EMI conducido a red en el funcionamiento conjunto del convertidor principal. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101 4.3.5 Conclusiones de las medidas EMI en SAD. . . . . . . . 104 Descripción del sistema SACAP. . . . . . . . . . . . . . . . 105 4.4.1 Especificaciones generales de SACAP. . . . . . . . . . . 105 4.4.2 Descripción del funcionamiento de SACAP. . . . . . . . 107 4.4.3 Comparación de características eléctricas en baja frecuencia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111 4.5 Medida de interferencias en SACAP. . . . . . . . . . . . . . 115 4.5.1 Medidas con red LISN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115 88 Supresión EMI en la alimentación conmutada de amplificadores. 4.5.2 4.6 Medida con sondas de corriente . . . . . . . . . . . . . 116 Supresión de interferencias en SACAP . . . . . . . . . . . 123 4.7 Conclusiones. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132 4.1 Introducción. 4.1 89 Introducción. En este capítulo se introduce y caracteriza el problema de las interferencias en alta frecuencia (problema EMI) asociadas a la inclusión de un sistema de alimentación conmutado en alta frecuencia para la alimentación de amplificadores de potencia lineales (APL). Para ello, se diseñan y montan dos sistemas de alimentación diferentes, que se describen a lo largo del capítulo, en donde se realizan las medidas de las interferencias conducidas en distintas condiciones de funcionamiento interno. El estudio de interferencias conducidas se desarrolló primeramente sobre el denominado Sistema SAD (Sistema de Alimentación Distribuido), que fué diseñado como resultado de un proyecto subvencionado de colaboración con el Instituto Superior Técnico de Lisboa (Acción Integrada Hispano-Lusa, 1995). Este proyecto consistía en la realización de un convertidor CA-CC utilizando técnicas PWM de conmutación suave en alta frecuencia para aplicación en alimentación distribuida. El sistema está constituido por una fuente de alimentación principal con corrección del factor de potencia y regulador de tensión de salida, con aislamiento galvánico en alta frecuencia, que suministraba una tensión continua regulada de 48V en la salida. En dicha salida se pueden conectar diferentes convertidores de tarjeta, que adaptaban estas tensiones a los valores utilizados internamente por los circuitos digitales (5V, 3.3V, etc.). Por ello, el trabajo incluía tanto el diseño del convertidor principal como el diseño del convertidor de tarjeta. Posteriormente, centrada la investigación presentada en esta tesis en las interferencias de los sistemas de potencia lineales, la salida regulada y ajustable de 48V representa la tensión de alimentación principal de los circuitos de potencia del amplificador lineal (alimentación asimétrica). En este caso, los convertidores de tarjeta no representan las cargas del convertidor principal, aunque tienen su equivalencia en los circuitos adaptadores de tensiones auxiliares necesarias para el funcionamiento del amplificador de potencia, (que se obtienen con reguladores lineales de tensión, dado su bajo consumo). Por tanto, el interés de las medidas de interferencias en SAD, presentadas en [127], radica en que fueron las primeras aportaciones originales en la caracterización de las interferencias de alta frecuencia asociadas a los sistemas de alimentación conmutados, eléctricamente compatibles con los sistemas lineales de potencia tratados en esta tesis. El trabajo estaba centrado en la caracterización de las interferencias conducidas a red medidas con red LISN, bajo diferentes condiciones de funcionamiento interno. En la segunda parte de este capítulo, se aborda directamente y con mayor profundidad el diseño de un sistema de alimentación conmutado especial pa- 90 Supresión EMI en la alimentación conmutada de amplificadores. ra alimentar con muy bajo nivel de interferencias a un amplificador de potencia lineal. Este trabajo de investigación, cuyos resultados se presentaron en [129], [132], [130] y [131], se aplican posteriormente en el proyecto de colaboración industrial APLAIRE (Amplificador de Potencia de Alta Inmunidad al Ruido Eléctrico), en el diseño de su sistema de alimentación conmutado SACAP (Sistema de Alimentación Conmutado para Amplificador de Potencia). En este caso, se incluyen en la alimentación dos convertidores modulares idénticos con corrección del factor de potencia en la entrada y regulador de la tensión de salida. Se extienden las medidas de interferencias conducidas hasta frecuencias de 300 MHz, tanto en la conexión a red como en la conexión hacia la carga. Aplicando diferentes técnicas de supresión de interferencias se consigue reducir los niveles de interferencias medidos hasta valores comparables a los de los sistemas de alimentación no regulados estudiados en el capítulo anterior. 4.2 Descripción del sistema SAD. El Sistema de Alimentación Distribuido (SAD) se diseña para 500 W (1 kW con ventilación forzada) y está constituido por un convertidor principal conectado a la red eléctrica de 220 V, que alimenta un conjunto de convertidores de tarjeta (hasta un máximo de diez) en su salida. El convertidor principal incluye un convertidor de entrada actuando como corrector de factor de potencia, junto con un convertidor reductor de salida que regula y proporciona aislamiento en su salida de 48 V. En la figura 4.1 se muestra el circuito de potencia simplificado del convertidor principal. L1 D1 VPFC M3 + D2 BR1 G3 M5 G5 L3 D4 TRFP D6 L4 48V L2 D7 - C2 M1 G1 M2 G2 C.ENTRADA ( PFC- ZVT) C1 2 2 0 VAC D3 G4 M4 M6 G6 D5 0V C. SALIDA FB- ZVS Figura 4.1: Circuito de potencia simplificado del convertidor principal del sistema SAD. 4.2 Descripción del sistema SAD. 91 En la salida del convertidor principal se pueden conectar los convertidores de tarjeta diseñados, que proporcionan tensiones a los circuitos digitales. En cada uno de los convertidores se incluyen distintos circuitos de conmutación suave (soft switching) que aumentan el rendimiento de la conversión de potencia y tratan de reducir las interferencias en alta frecuencia. En la figura 4.2 se muestran las fotografías de los prototipos desarrollados: convertidor principal y convertidor de tarjeta. Como se observa en la figura, en el convertidor principal, los circuitos de control de los dos convertidores se sitúan en una tarjeta de circuito impreso insertable, de forma que pueden compararse el efecto de diferentes circuitos de control sobre el mismo sistema de potencia. 4.2.1 Convertidor de entrada. El convertidor de entrada debe corregir el factor de potencia y reducir el contenido de armónicos de corriente a la entrada, proporcionando una tensión continua de salida de unos 350V. Se conecta directamente a la red alterna de 220V, ya que el aislamiento galvánico se sitúa en el regulador de salida. Como se muestra en la figura 4.3, el convertidor de entrada se realiza con un convertidor elevador (topología Boost) que incluye un circuito auxiliar de conmutación suave ZVT (Zero Voltage Transition, transición por tensión cero) con el objetivo de reducir las pérdidas de conmutación y la generación de EMI ([62], [82], [89], [123], [157], [167]). Para el control del convertidor de entrada, se utiliza el controlador integrado UC3854 de Unitrode, basado en el control de la corriente media (average current control) para modular la anchura de los pulsos de disparo del MOSFET principal, y la frecuencia de trabajo se fija en 300 kHz. El circuito de conmutación suave ZVT se realiza con el MOSFET auxiliar M 2, disparado tras una red lógica de retardo, y un circuito resonante que utiliza la capacidad parásita (Cds ) en la salida del transistor M 1. Este circuito ZVT puede ser anulado, suprimiendo los pulsos de disparo en el transistor auxiliar, para medir su efecto sobre las interferencias EMI generadas. Así, en la figura 4.4 se muestran las formas de onda de las tensiones de disparo (Vgs ) y de salida (Vds ) en los transistores del convertidor principal principal cuando funciona el circuito auxiliar ZVT y cuando se anula su funcionamiento, comprobándose cómo, en el caso de conmutación ZVT, la tensión de salida de M 1 se anula antes de que se dispare y conduzca el transistor. 92 Supresión EMI en la alimentación conmutada de amplificadores. (A) (B) (C) Figura 4.2: Sistema de alimentación distribuido SAD.(A) Convertidor principal. (B) Placa de control insertable.(C) Convertidor de tarjeta. 4.2 Descripción del sistema SAD. 1 uF 47K C4 R9 C3 11 7 10 8 9 75K 4 K7 1 uF C1 2 2 5 U1 :A 3 U1 :B 7 4 AS1 3 6 10K 1 N2 9 7 6 D6 1 uF 1K 1K + 5V 6 S2 C1 0 R1 7 R1 6 1 0 K 1 R1 2 1 nF 12 4 R1 8 13 6 R1 3 1 uF C9 5 4 7 0 pF R1 4 1 8 0 4 1K 27K C7 C8 1 N4 1 4 8 D5 14 D4 1 N4 1 4 8 15 3 470 16 2 R1 5 1 2 2 0 nF 680p 2 R8 A 1 uF C6 C2 56K 1 uF 5 K6 4 K7 7407 K + 18V 100p R1 1 4 7 0 K C1 3 R2 6 K8 R6 GS1 R2 0 2 2 BC4 6 1 Q2 C1 0 4 7 0 nF 22K R1 0 1K R7 Q1 BC4 4 1 2 R2 1 IRF8 3 0 C5 10K R4 1K R2 6 IRFP4 5 0 UC3 8 5 4 R1 R3 R5 U2 :A S1 1 + 15V GND CONTROL PFC- ZVT VAC VPS GS2 67m IAC DRV1 R1 9 50K 2 2 0 nF C1 1 M2 VPFC R2 5 1M MUR1 5 6 0 1 0 uH C1 22K R2 4 R2 2 L2 M1 GS1 IAC D3 D2 R2 3 BYT3 0 PT1 0 0 0 VAC GS2 DRV2 2 2 0 uF 2 0 0 uH - S2 D1 MUR1 5 6 0 330K KBCP1 0 0 0 BR1 2 2 0 VAC POTENCIA PFC- ZVT L1 + 93 9 U1 :C 10 8 S1 7 4 AS1 3 6 PULSOS- ZVT + 5V VPS Figura 4.3: Circuito detallado del Convertidor de Entrada de SAD. 4.2.2 Convertidor de salida. El convertidor de salida, cuyo esquema eléctrico detallado aparece en la figura 4.5, se realiza con un convertidor en puente completo (full bridge converter) con transformador reductor de alta frecuencia (ferrita N27 de Siemens), que proporciona el aislamiento galvánico de la red alterna. La tensión de entrada nominal corresponde a la tensión nominal de salida en el convertidor de entrada (350 V), y la tensión se regula en la salida para 48 V de continua. Para reducir pérdidas de conmutación y reducir la generación de EMI, se incluye un circuito de conmutación suave del tipo ZVS (Zero Voltage Switching, conmutación por tensión cero) que utiliza la inductancia L1 y la capacidad parásita de salida de los MOSFET ([43], [150]). Este circuito puede ser desconectado para medir su contribución en la reducción de pérdidas y de las interferencias EMI generadas. En la figura 4.4 se muestra la forma de onda de las tensiones Vgs y Vds en el MOSFET M 4, confirmándose la conmutación a tensión cero (la tensión se anula antes de empezar a conducir corriente el transistor). El control se resuelve mediante el controlador integrado UC3875 de Unitrode, que funciona por desplazamiento de fase a una frecuencia constante de 50 kHz. 94 Supresión EMI en la alimentación conmutada de amplificadores. (A) (B) (C) Figura 4.4: Conmutación suave en MOSFETs de SAD. (A) Conmutación brúsca en M 1 del convertidor de entrada. (B) Conmutación suave (ZVT) en M 1 del convertidor de entrada. (C) Conmutación suave (ZVS) en M 4 del convertidor de salida. 4.2 Descripción del sistema SAD. 95 Sj VPFC GSj DRV1 C1 7 C1 8 TRS 7407 Q2 BC4 6 1 G1 D5 4 7 0 nF DZ1 5 V 2 10K 1 D6 Q1 BC4 4 1 S1 0V IS2 IS1 + 15V 1 uF 1K R1 4 4 u7 C4 + 48v 6 8 uF D4 TI DRV2 3 4 R1 6 M4 IRF8 3 0 D2 C2 BYW2 9 - 2 0 0 L2 1 8 0 u H D3 6 0 uH G4 M2 IRF8 3 0 TRFP C3 L1 G2 D1 M3 IRF8 3 0 M1 IRF8 3 0 S1 C1 MUR1 5 6 0 G3 G1 MUR1 5 6 0 2 2 0 uF 2 x2 2 0 n F POTENCIA FB- ZVS S1 R1 5 2 2 EVO 16 R3 10K 1 n5 33K S3 R1 5 K 20K C1 2 14 8 S1 1 uF 13 9 12 10 11 S4 C1 4 1 0 n F C1 3 1 u F 4 X1 N4 1 4 8 1 uF 3 K3 2 K2 1K 15 7 S2 4 N2 5 + 18V 8 2 - 5532 3 7 EVO + 4 R2 3 - 18 + 18 10K MEDIDA VO 0V CONTROL FB- ZVS 50K + 18 R2 1 2 0 K R2 0 R1 1 R1 2 6 1 0 nF R2 2 C1 9 C1 5 + 18 1K R4 17 R1 9 18 C2 0 1 nF 3 4 C1 4 3 3 0 p F 19 D5 2 5 1 uF C1 0 3 3 0 pF C1 6 R1 7 20 R1 8 C9 47 1 uF C1 1 1 0 nF 2 K2 470 IS2 IS1 R7 R1 3 48V 1 C6 UC3 8 7 5 1 nF 33K 2 K2 R6 C7 R1 0 C8 4 7 0 n F R5 C5 10K R8 4 K7 10K 1 nF R9 (A) Convertidor de Salida. 1 uF + 48V L1 C5 D3 S2 0 VS M1 M3 G1 IRF6 4 0 R2 RS 10 DZ1 5 V POTENCIA FAC 0 .2 5 0V 4 u7 C4 2 2 0 u F D4 5 0 SQ0 6 0 C3 D1 2 u2 2 xSMP6 0 N0 3 M4 R1 10 5 0 SQ0 6 0 3 .3 VS TRFP M2 IRF6 4 0 C2 4 7 uF C1 G2 4 7 uH 1 0 0 nF DZ1 5 V 11 7 10 8 9 IS R3 10 TRS 1K DZ1 5 V 1 0 0 uF 12 6 1K 1K 6 8 pF C9 C1 3 1 0 0 n F 13 R1 2 C8 470 + 15V 10 R1 8 4 5 R1 1 2 K2 R6 R5 14 R4 + 48V D1 1 D1 2 3 D1 3 15 C1 4 16 2 D1 0 68K 10K 1 6 8 pF 1 n5 DZ1 5 V C7 C1 5 1 0 0 nF R1 0 C1 0 1 nF C1 1 3 3 0 p F C5 C1 2 0 VS 1K 10K R9 LM4 3 1 R1 3 3 K3 4 N2 5 R8 1K 1 uF R1 7 100 R7 C6 R1 6 R1 4 100 R1 5 1 0 0 + 15V UC3 8 2 5 3 .3 VS 1 0 0 nF IS G2 S2 G1 CONTROL FAC (B) Convertidor de Tarjeta. Figura 4.5: Circuito detallado del Convertidor de Salida (A) y del convertidor de tarjeta (B) de SAD. 96 Supresión EMI en la alimentación conmutada de amplificadores. 4.2.3 Convertidor de tarjeta. En la figura 4.5 se muestra el circuito detallado del convertidor de tarjeta realizado. La carga real en el sistema de alimentación distribuido estaría constituida por un conjunto máximo de diez convertidores de tarjeta similares, de 50W cada uno, que se alimentan desde el bus de 48V en continua. El prototipo de convertidor de tarjeta, cuyo esquema simplificado aparece en la figura 4.5, es un convertidor directo con enclavamiento activo (FAC) de 50 W, que suministra una tensión de salida aislada y regulada de 3.3 V (15 A), e incluye rectificación síncrona en la salida ([31], [168]) para aumentar el rendimiento de la rectificación (utilizando cuatro MOSFET SMP60N03-10L de muy baja resistencia interna). El controlador utilizado es el UC3825 (Unitrode) y la frecuencia de conmutación se fija en 500 kHz, para reducir el tamaño de los componentes magnéticos. La breve descripción de este convertidor de tarjeta se incluye porque fue realizado para la tesis y considerado inicialmente como prototipo de carga distribuida, aunque, como se comentó antes, la carga finalmente considerada sea el sistema de potencia lineal APL alimentado desde la salida de 48 V del convertidor principal. 4.2.4 Consideraciones de diseño para bajo EMI. En cada uno de los convertidores del sistema SAD se ha cuidado especialmente el diseño físico de los prototipos para reducir los efectos de las interferencias en alta frecuencia: • Selección adecuada de topologías básicas e incorporación de los circuitos auxiliares para conmutación suave y reducción de EMI (ZVS y ZVT). • Ubicación de dispositivos de potencia muy próxima a los radiadores de calor, minimizando la longitud, resistividad y el área de los bucles en las pistas de potencia. • Disipadores de calor independientes, eléctricamente aislados y separados del chasis, de forma que se reducen las capacidades parásitas y las corrientes EMI en modo común. • Tres condensadores MKP de desacoplo en alta frecuencia en el bus intermedio de 350V, situados muy cerca de cada MOSFET para reducir el área de los bucles de corriente pulsante. • Construcción especial de componentes magnéticos para reducir el flujo magnético disperso: inductores toroidales y transformadores multicapa. 4.3 Medida de interferencias en SAD. 97 • Doble aislamiento galvánico en alta frecuencia con transformadores de ferrita en el convertidor principal y en cada convertidor de tarjeta. 4.3 Medida de interferencias en SAD. A continuación se realizan las medidas de las interferencias conducidas a la red eléctrica por el sistema de alimentación SAD descrito en el apartado anterior, en distintas condiciones de trabajo. La medida se realiza, como se describe en el capítulo 2 de la tesis, utilizando la red LISN monofásica (EMCO 3810/2) y el analizador de espectros Tektronix 2712, controlado GPIB con el software S26EM12 de Tektronix. El sistema se aisla de la red con un transformador especial de aislamiento de 2 kVA, para evitar que las corrientes a tierra en la LISN disparen la protección diferencial de 30 mA. En el entorno normalizado, se utiliza un plano de tierra metálico, y se miden las interferencias globales (modo común junto con modo diferencial) entre fase y tierra en la red de 220 V (la medida entre neutro y tierra, muy similar, no se incluye). Aunque las normas EMC imponen una medida cuasipico en el receptor EMI, para acelerar el proceso se registran las medidas de pico, que suponen el peor caso. Por otra parte, se amplía el rango de frecuencias medidas respecto a las exigidas por las normas sobre EMC conducido a red descritas en el capítulo 2, ya que se registran las medidas desde 9 kHz hasta 30 MHz, con el ancho de banda de medida fijado en 200 Hz (desde 9 kHz hasta 150 kHz) y en 9 kHz (desde 150 kHz hasta 30 MHz). Se representan las medidas de forma lineal con la frecuencia para aumentar la resolución de la medida de interferencias en alta frecuencia. 4.3.1 EMI conducido a red por el circuito de control. En estas medidas se desconecta el circuito principal de potencia y se alimenta exclusivamente los circuitos de control. En la figura 4.6 se muestra la medida de interferencias conducidas a red cuando funcionan los circuitos de control y se desactivan los circuitos de disparo de transistores de potencia (drivers). Se observa que, aún siendo muy pequeño y por debajo del límite de norma marcado, el perfil de interferencias se incrementa a partir de unos 15 MHz respecto al ruido de fondo de la medida, por el simple funcionamiento de estos controladores (incluyen osciladores internos de señal cuadrada de 100 kHz y 300 kHz). En la figura 4.6 se muestra la medida de interferencias conducidas a red cuando se activan los circuitos de disparo de los transistores (drivers), sin tensión en el circuito de potencia. Se observa que el efecto de activar estos amplifica- 98 Supresión EMI en la alimentación conmutada de amplificadores. dores de intensidad es incrementar notablemente el perfil de interferencias, tanto en baja como en alta frecuencia, debido a la amplificación y al tamaño característico de los bucles de corriente ([174], [173], [33]). Se requiere, en este caso, introducir un filtrado EMI que permita cumplir CISPR-B. En la figura 4.6, se muestra el efecto del filtro EMI incorporado en la placa para el caso anterior, que permite cumplir dicho límite normalizado. 4.3.2 EMI conducido a red por el Convertidor de Entrada. En estas medidas se activa el convertidor de entrada, corrector de factor de potencia, junto con el circuito de control. El convertidor de salida se desactiva, y la carga resistiva de 250 W se conecta directamente al condensador de salida del circuito PFC. En la figura 4.7 se muestra la medida de interferencias conducidas a red cuando funciona el circuito auxiliar de conmutación suave (ZVT), junto con la medida para el caso de conmutación brusca (hard switching, HS) desconectando el circuito auxiliar ZVT. Se observa que el circuito ZVT produce una pequeña reducción de la emisión, de 5 a 10 dB, que depende del rango de frecuencias considerado. Es interesante comparar los resultados anteriores con la medida de interferencias para el caso de rectificación de entrada sin corrección del factor de potencia de la figura 4.7. Se utiliza el puente rectificador de entrada conectado al condensador de salida y una carga resistiva de 250 W. Aquí, la reducción de interferencias en alta frecuencia es muy importante, aunque claro está, el funcionamiento en baja frecuencia es peor, ya que no se corrige el factor de potencia ni los armónicos de corriente en la entrada. Por tanto, el cumplimiento de las normas EMC en baja frecuencia (factor de potencia y armónicos) origina graves problemas para el cumplimiento de las normas EMC en alta frecuencia (EMI), que no pueden ser compensadas por la simple introducción de técnicas de conmutación suave (circuito ZVT). 4.3.3 EMI conducido a red por el convertidor de salida. En estas medidas se activa el circuito de control y el convertidor de salida, pero se desactiva el convertidor de entrada (rectificación básica con diodos en la entrada). En la figura 4.8 se muestran la interferencias conducidas a red para una carga resistiva de 250 W cuando se activa el circuito auxiliar de conmutación suave (ZVS), mientras que en la figura 4.8 se realiza la medida 4.3 Medida de interferencias en SAD. 99 (A) (B) (C) Figura 4.6: EMI conducido a red originado por el circuito de control. (A) Sólo circuitos de control. (B) Circuitos de control y driver. (C) Efecto de filtrado EMI incluido en placa. 100 Supresión EMI en la alimentación conmutada de amplificadores. (A) (B) (C) Figura 4.7: Efectos EMI del convertidor de entrada con carga de 250W. (A) Rectificación clásica con puente de diodos. (B) EMI conducido a red con PFCHS. (C) EMI conducido a red con PFC-ZVT. 4.3 Medida de interferencias en SAD. 101 para una carga reducida a 125 W. Por último, en la figura 4.8, se desactiva el circuito ZVS con una carga de 125 W. Por tanto, de estas medidas se deduce que, en general, un incremento de carga al doble en el circuito ZVS produce un aumento de la emisión inferior al que se tendría si se utiliza para la misma carga el circuito básico de conmutación brusca. Por otra parte, el perfil de interferencias es más uniforme y con niveles máximos más reducidos que en el caso del convertidor de entrada analizado en el apartado anterior, por lo que se reducen los requerimientos para el filtro EMI de entrada. De nuevo, se observa en las medidas anteriores que la reducción de EMI conducido a red es relativamente pequeña (5 a 10 dB) cuando se incluyen técnicas de conmutación suave (circuito ZVS). 4.3.4 EMI conducido a red en el funcionamiento conjunto del convertidor principal. En este caso se realizan las medidas de interferencias conducidas a red cuando funciona tanto el convertidor de entrada como el de salida en el convertidor principal junto con, naturalmente, sus circuitos de control. En la figura 4.9 se muestra la medida para una carga resistiva de 250 W en la salida y en la figura 4.9 el efecto al incluir un convertidor de tarjeta sobre la carga anterior. Se observa que, si se comparan estas medidas con las anteriores, los efectos no son acumulativos, o sea, no se tiene superposición lineal de las interferencias características de cada convertidor. Así, el incremento de las interferencias en las frecuencias más bajas se debe al convertidor de entrada y en la zona intermedia de las frecuencias medidas se produce una reducción de interferencias, respecto a las registradas en el funcionamiento aislado del convertidor de entrada, cuando se incorpora el convertidor de salida. Por último, en la figura 4.9 también se muestra la medida de interferencias cuando se incluye a la entrada del convertidor principal el filtro EMI previsto en placa, que era la única solución a interferencias EMI prevista en el diseño de SAD: el objetivo era, como de comentó inicialmente, caracterizar los efectos EMI en red de cada modo de funcionamiento interno en distintas condiciones de trabajo. 102 Supresión EMI en la alimentación conmutada de amplificadores. (A) (B) (C) Figura 4.8: Efectos EMI del convertidor de salida FB-ZVS. (A) Circuito ZVS activo y carga de 250 W. (B) Circuito ZVS activo y carga de 125 W. (C) Circuito ZVS desactivado y carga de 125 W. 4.3 Medida de interferencias en SAD. 103 (A) (B) (C) Figura 4.9: EMI conducido a red en funcionamiento conjunto de SAD (PFCZVT+FB-ZVS). (A) Carga resistiva de 250 W. (B) Carga resistiva de 250 W y convertidor de tarjeta de 50 W. (C) Atenuación con filtro EMI. 104 Supresión EMI en la alimentación conmutada de amplificadores. 4.3.5 Conclusiones de las medidas EMI en SAD. Las medidas de interferencias anteriores permiten unas conclusiones generales de carácter cualitativo, que serán útiles para el diseño posterior de un sistema de alimentación conmutado específico para APL de muy bajo EMI: • Cada convertidor conmutado, presenta un perfil de interferencias singular que depende de la topología seleccionada, realización física y condiciones de funcionamiento. • La superposición de convertidores no produce superposición lineal de interferencias. En determinados rangos de frecuencias se producen incluso niveles de emisión menores que con un sólo convertidor. • El nivel de interferencias conducidas a red es tan elevado que obliga a incorporar un filtrado EMI en la conexión a red para no superar los límites de las normas (la emisión de interferencias a la red sigue presente con nivel más bajo). • Las técnicas de conmutación suave ensayadas producen una reducción de interferencias relativamente pequeña, menor de lo esperado. La inclusión de estos circuitos auxiliares se justifica mejor por el incremento de rendimiento en la conversión de potencia [76]. • Existen interferencias conducidas a red por encima de 30 MHz, límite de medida impuesto por las normas y la red LISN. El perfil no puede ser registrado en este entorno de medida. En resumen, la incorporación de un sistema de alimentación conmutado en alta frecuencia para APL genera importantes interferencias que pueden ser conducidas a red. En particular, si la carga es un sistema de elevada susceptibilidad a interferencias, como es el caso del APL, es de esperar la aparición de problemas EMI asociados a estas perturbaciones de alta frecuencia, ya que pueden ser conducidas también al propio sistema alimentado. Por otra parte, la inclusión de circuitos de ayuda a la conmutación, técnicas de conmutación suave, no proporciona la suficiente atenuación de interferencias, ya que el sistema alimentado es muy susceptible frente a las mismas. Se requiere, por tanto, analizar las causas internas de generación de las interferencias e introducir técnicas específicas EMI para contrarestarlas. Esto se realiza en lo que sigue del presente capítulo. 4.4 Descripción del sistema SACAP. 4.4 105 Descripción del sistema SACAP. En esta sección se describen las características eléctricas del sistema de alimentación conmutado en alta frecuencia denominado SACAP (Sistema de Alimentación Conmutado para Amplificador de Potencia), cuyo principal objetivo de diseño es la reducción máxima de interferencias de alta frecuencia. Este sistema se ha diseñado especialmente para el suministro de potencia a un amplificador lineal de potencia, incluido dentro del proyecto industrial APLAIRE (Amplificador de Potencia Lineal con Alta Inmunidad al Ruido Eléctrico). Los requisitos de la carga, amplificador de potencia lineal, de alta susceptibilidad a interferencias, obligan a un diseño especial del sistema de alimentación con el objetivo de reducir la generación y propagación de interferencias EMI tanto como sea posible. Por ello, se extiende el rango de medidas de interferencias conducidas muy por encima del fijado por las normas EMC aplicables al producto, ya que se pretende diseñar un sistema de alimentación conmutado “electromagnéticamente limpio”, y no el mero cumplimiento de la normativa vigente (que fué comentada en el capítulo 2). 4.4.1 Especificaciones generales de SACAP. Con el sistema de alimentación conmutado en alta frecuencia SACAP, especialmente diseñado para APL, se pretende obtener un suministro de potencia con unas mejores características eléctricas respecto al sistema de alimentación básico no regulado (ABNR) analizado en el capítulo 3, pero con la máxima supresión de interferencias de alta frecuencia. Destacamos las siguientes características eléctricas generales: • Corrección del factor de potencia en la entrada. • Reducción de armónicos de corriente de entrada. • Regulación independiente de las dos tensiones de salida. • Protección de sobrecarga y cortocircuito en la salida. • Rápida respuesta transitoria. • Alto rendimiento. • Arranque suave. • Muy bajo nivel de interferencias conducidas. • Muy bajo nivel de interferencias acopladas por campo. 106 Supresión EMI en la alimentación conmutada de amplificadores. • Elevada reserva energética. • Aislamiento galvánico respecto a la red. • Máxima simetría en la alimentación positiva y negativa. La solución topológica adoptada para el sistema de alimentación conmutado es relativamente sencilla y el circuito de potencia simplificado de SACAP se muestra en la figura 4.10. Por otra parte, en la figura 4.11 se muestra la fotografía del prototipo realizado de SACAP. BYW2 9 - 2 0 0 L1 TRF 220/ 35+ 35 5 0 VS 100u Q1 C1 DR1 - 3 u3 PR FB2 5 0 6 IRF6 4 0 C2 C3 4 u7 DR2 + P2 BYW2 9 - 2 0 0 P1 2200u D1 D2 C5 4700u C4 4 u7 L2 Q3 IRF6 4 0 REGULADOR DE ENTRADA ( BOOST) 800u 0 VS REGULADOR DE SALIDA ( BUCK) Figura 4.10: Circuito de potencia simplificado de SACAP. Figura 4.11: Prototipo montado de SACAP. 4.4 Descripción del sistema SACAP. 107 Como se observa en la figura 4.10, se proporciona aislamiento galvánico con el mismo transformador reductor de red (220/35+35 V, 300 VA, 50 Hz, toroidal) utilizado en el sistema ABNR. Su justificación en la investigación realizada se basa en los siguientes aspectos: • Compatibilidad eléctrica de la alimentación conmutada propuesta con el transformador de aislamiento utilizado en la alimentación básica no regulada (ABNR) de los APL. El sistema SACAP es, en este sentido, una opción de mejora para una versión superior del amplificador APLAIRE compatible con la instalación existente: sólo se requiere reservar el espacio adecuado para los convertidores conmutados de SACAP. • Comparación de las características eléctricas en baja frecuencia de este sistema de alimentación regulado frente a las características eléctricas del sistema básico no regulado. • Caracterización y comparación de interferencias en alta frecuencia introducidas por el sistema de alimentación conmutado SACAP frente a las interferencias propias del sistema de alimentación básico no regulado que fueron analizadas en el capítulo 3. Las ventajas eléctricas del aislamiento galvánico con transformador de alta frecuencia, que ya fue utilizado en el sistema de alimentación distribuido SAD, son evidentes por la elevada reducción de tamaño y peso del transformador de aislamiento y, por tanto, del sistema de alimentación. Pero, se debe investigar detenidamente la forma en que la selección de la topología y la forma de construcción física del transformador contribuye a la posible reducción de las interferencias de alta frecuencia acopladas entre primario y secundario. Por su interés y complejidad, se propone como línea futura de investigación. 4.4.2 Descripción del funcionamiento de SACAP. El sistema de alimentación conmutado SACAP consta de dos módulos idénticos conectados en serie en la salida para proporcionar dos tensiones simétricas de 50V. Se pretende, de esta forma, que puedan ser reguladas y ajustadas de forma independiente tanto la tensión positiva como la negativa, y que las inevitables interferencias generadas en la alimentación positiva y negativa sean lo más parecidas posibles y, por tanto, afecten de forma simétrica al sistema alimentado. En la figura 4.12 se muestra los esquemas eléctricos simplificado y en detalle de SACAP para uno de sus módulos. Consta de un convertidor de entrada, que corrige el factor de potencia de entrada y reduce el contenido de armónicos de corriente, y de un convertidor de salida que regula la tensión de salida frente a variaciones de la carga y de la tensión de entrada. 108 Supresión EMI en la alimentación conmutada de amplificadores. D1 5 0 VS DR1 S2 PR FB2 5 0 6 - TRF 220/ 35+ 35 C3 3 u3 P2 DR2 Q2 IRF6 4 0 VDC DR3 R5 0V IS1 0V VAC 8 7 IS1 6 VDC 4 5 3 IS2 DR1 2 IS2 0V + 15V 1 8 7 1 1 1 2 VO 6 ICA 1 0 800u Q3 IRF6 4 0 DR2 4 5 3 2 1 1 4 1 5 1 6 0 VS DR3 ICB UC3 8 2 5 UC3 8 5 4 9 Vo R9 L2 O.2 2 + 15V R8 27K 3K R4 R1 45m D2 Q1 IRF6 4 0 R3 C1 + 20K S1 4700u 2200u P1 C5 BYW2 9 - 2 0 0 BYW2 9 - 2 0 0 100u 56K L1 VAC 1 3 1 4 1 5 1 6 9 CONTROL PFC 1 0 1 1 1 2 1 3 CONTROL Vo REGULADOR Vo REGULADOR PFC (A) D1 50V BZX1 5 3 2 1 2 n2 R2 7 8 K2 7 6 4 5 5 n6 27 + 15V IC3 4 N2 7 R3 6 2 K2 3 2 1 R3 2 5 K6 + 15V C1 5 100u R2 3 1K R2 8 R3 4 47K 10n 2B 51 9 DS1 C2 1 1n 1 N5 8 1 9 1 0 1 1 1 2 1 3 1 4 1 5 22 1 6 22K C2 4 DR3 R3 0 1 5 R2 9 1 4 IC3 4 N2 7 4700u C2 6 R3 4 ICB UC3 8 2 5 C1 6 4 n 7 1 3 C1 7 1 0 0 n 15A 1 2 R2 4 2 K2 C1 8 1u R2 5 22K 18K 12K R3 3 8 100p DR1 1 1 R3 5 C2 5 C2 0 4 u7 22 4 6A 1 0 0V 680p 6 K8 C1 9 ICA 9 C2 7 270p C1 4 5 UC3 8 5 4 R2 6 Q3 IRF6 4 0 1 K5 R2 1 680p C1 3 6 n8 1 K5 6 BZX1 5 10K R2 0 RS TL4 3 1 L2 800u 9A R2 2 3K + 15V 7 R1 9 1K R7 C8 220p 3K DZ3 DR2 8 180 R1 7 R1 4 100K R1 8 C1 2 R1 6 C1 1 75K 1u 5 K6 R1 5 R1 3 10K 11A C1 0 470n R5 DR3 R1 2 R1 0 1K R9 IRF6 4 0 O.2 2 VAC 920K Q2 BZX1 5 DZ1 R1 45m 10n 20K R2 1K DZ2 R4 PR FB2 5 0 6 - TRF 220/ 35+ 35 4 u7 C3 3 u3 R1 1 3 K3 R8 27K C5 11A S2 P2 C9 1K 4 u7 R6 C4 C2 D2 DR1 DR2 C1 2200u Q1 IRF6 4 0 S1 BYW2 9 - 2 0 0 BYW2 9 - 2 0 0 P1 + 56K 100u R3 L1 VAC 1 6 C2 2 1u C2 3 1u R3 1 6 K8 (B) Figura 4.12: Sistema de Alimentación SACAP. (A) Circuito simplificado. (B) Circuito completo. 4.4 Descripción del sistema SACAP. 109 Convertidor de entrada. El convertidor de entrada se realiza mediante un circuito elevador (topología Boost) conmutado a 80 kHz y gobernado por el controlador de factor de potencia UC3854 de Unitrode. La corriente rectificada de entrada que circula por la inductancia L1 es controlada por la conmutación del transistor MOSFET Q1 para que sea proporcional a la tensión rectificada VAC en la entrada del convertidor. Si la tensión VAC se mantiene constante durante el periodo T de conmutación del transistor, éste presenta dos intervalos diferentes de funcionamiento (T = Ton + Tof f ). Durante el intervalo de conducción (Ton ) de Q1, la corriente por L1 − Q1 crece linealmente con pendiente VAC /L1. Durante el intervalo de corte (Tof f ) de Q1, la corriente circula por L1−D1−C3, decreciendo linealmente con pendiente negativa (VAC − VDC )/L1 y cargando la capacidad de salida C3. Controlando el ciclo de trabajo del transistor (Ton /T ), se consigue que la corriente de entrada sea proporcional a la tensión rectificada y que la tensión media de salida VDC en C3 se mantenga casi constante. Por tanto, se corrige el factor de potencia y se reduce el contenido de armónicos de la corriente de entrada. El controlador UC3854 necesita la medida adaptada de la intensidad de entrada (medida con R1), la tensión rectificada de entrada VAC y la tensión de salia VDC . Los pulsos de disparo generados por el control permiten gobernar directamente la puerta de Q1. La disposición de componentes y el trazado de pistas, especialmente las de masa de referencia, se ha cuidado especialmente para evitar que las interferencias afecten al circuito de control. Convertidor de salida. El convertidor de salida se realiza mediante un circuito reductor (topología Buck) conmutado a 80 kHz y gobernado por el controlador UC3825 de Unitrode. La tensión media de salida VS es controlada por la conmutación de los transistores MOSFET Q2 y Q3 para que se mantenga constante en el valor medio deseado de 50 V. Si la tensión VDC del convertidor de entrada se mantiene constante durante el periodo de conmutación, el funcionamiento del convertidor de salida tiene dos intervalos diferentes en el modo de funcionamiento continuo (la corriente en L2 no se anula). Durante el intervalo T2on donde Q2 conduce, la corriente por Q2 − L2 − C5 crece linealmente con pendiente (VDC − VS )/L2 y se carga la capacidad de salida C5. Durante el intervalo T2of f , Q2 está cortado y el diodo de libre circulación D2 conduce disminuyendo la corriente de carga de C5 con pendiente negativa (−VS /L2). Controlando adecuadamente los intervalos 110 Supresión EMI en la alimentación conmutada de amplificadores. de conducción y de corte de Q2 y Q3 (necesario porque el controlador utilizado proporciona dos salidas complementarias), se mantiene constante el valor medio de la tensión de salida VS en 50V. Particularidades de diseño en SACAP. El circuito completo del sistema de alimentación SACAP, mostrado en la figura 4.12, presenta las siguientes singularidades: • Se utilizan dos transistores en paralelo, Q2 y Q3, para adaptar los dos pulsos de disparo complementarios del regulador U C3825. Se consigue adicionalmente una reducción de pérdidas en cada transistor (trabajan un 50% del ciclo de trabajo), menor dimensionado (reducción de la corriente media nominal) y un aumento de la fiabilidad. • En el convertidor de salida, se trasladan los transistores Q2 y Q3 de la rama positiva a la rama de retorno de corriente. Se consigue atacar directamente las puertas de los dos transistores desde las salidas del controlador, sin necesidad de circuitos externos de adaptación de niveles. Como consecuencia, se aisla (optoacoplador IC3) la medida de la tensión de salida para su regulación. Aislar la medida de tensión es más adecuado que aislar los pulsos de disparo de puerta, puesto que se transfiere sólo la señal y en menor frecuencia. • La inductancia L2 se sitúa en la rama de retorno de corriente. En baja frecuencia, el efecto es nulo, pero en alta frecuencia se ha observado problemas en la ubicación en la rama superior debido a las interferencias que se acoplan por campo eléctrico entre la salida y el circuito de control. En la disposición mostrada para L2, las tensiones de salida VS , están referidas a la masa del circuito de control a través del condensador de filtrado intermedio C3, mientras que en el caso de situar L2 en la rama positiva, las tensiones de salida presentan variaciones bruscas de potencial (elevado dV /dt, campo eléctrico) respecto a la masa de referencia de los circuitos de control cuando conmutan los transistores Q2 y Q3. Esto provoca inyección de corrientes parásitas de alta frecuencia en el controlador que inestabilizan su funcionamiento. • Se utilizan exclusivamente inductores con geometría toroidal devanados de forma simétrica. Con ello, se reducen las interferencias creadas por el campo magnético disperso y que pueden afectar a la carga. • La capacidad de salida C5 se ha sobredimensionado para aumentar la reserva de energía disponible en el caso de microcortes en la tensión de red. Además, se mejora la respuesta dinámica de la tensión de salida frente a variaciones de carga con un coste muy reducido. 4.4 Descripción del sistema SACAP. 111 • Todos los dispositivos electrónicos de potencia se sitúan en un mismo lateral de la placa de circuito impreso, adosados a un mismo radiador de calor (aislados eléctricamente con micas). El objetivo final es utilizar el chasis metálico del sistema alimentado como disipador térmico del sistema de alimentación conmutado SACAP, reduciendo de esta forma el tamaño final del sistema. • La disposición de componentes y el trazado de pistas en la placa de circuito impreso se ha realizado de forma que se reducen todo lo posible el área de los bucles de conmutación (para mimimizar la inductancia de dispersión) y se conectan las masas adecuadamente evitando errores de referencia ([56], [92], [94]). Es importante señalar que, en el caso particular del sistema de alimentación SACAP, no se presentan las típicas limitaciones de coste, tamaño y peso de los sistemas de alimentación conmutados de otras aplicaciones, por ejemplo ordenadores personales. En las aplicaciones investigadas, sistema APL de gama alta, las exigencias son funcionales: obtención de las mejores características posibles. De hecho, la tendencia actual en los mejores diseños de APL consiste en sobredimensionar los sistemas de alimentación no regulados con voluminosos transformadores de red y elevadas capacidades de filtrado (del orden de 100.000 µF). Frente a esto, el sistema de alimentación conmutado diseñado presenta menor tamaño y peso cuando se utiliza el chasis del APL como radiador de calor. 4.4.3 Comparación de características eléctricas en baja frecuencia. En la figura 4.13 se muestran la comparación de las formas de onda de la tensión y corriente de entrada rectificadas en el convertidor de entrada de SACAP y en el circuito ABNR con 10.000 µF de capacidad de filtrado. La medida se realiza en el alimentador conmutado de la tensión positiva, ya que para la tensión negativa se tienen los mismos resultados. Las medidas se realizan para la tensión nominal de red (220 V) y máxima carga resistiva (3 A) en la salida. Por tanto, se comprueba el correcto funcionamiento del convertidor de entrada en la corrección del factor de potencia y reducción de armónicos de entrada para carga máxima en la salida. La reducción de la corriente máxima en el transformador permite elevar la potencia suministrada a la carga [72]. El convertidor de salida se ajusta para su tensión nominal de 50V. Las medidas de la regulación de tensión de salida se realizan en el convertidor conjunto, esto es, conectado a la salida del regulador PFC de entrada. Por ello, las 112 Supresión EMI en la alimentación conmutada de amplificadores. (A) (B) Figura 4.13: Comparación de corrientes y tensiones rectificadas para 3A de corriente de salida (150W). (A) Rectificación en ABNR. (B) Rectificación en SACAP. 4.4 Descripción del sistema SACAP. 113 medidas representan el caso real de funcionamiento, en donde hay variaciones simultáneas en la tensión de entrada y en la carga, (regulación conjunta de carga y de línea). En la figura 4.14 se muestra la comparación de las tensiones de salida para diferentes corrientes de carga en los dos sistemas de alimentación. Se observa cómo la tensión no regulada del alimentador ABNR presenta variaciones importantes desde vacío (53.9 V) hasta plena carga (47.6 V), frente a unos 200 mV de variación en el alimentador regulado (con carga mínima superior a 100 mA garantizada por el funcionamiento en clase AB de los amplificadores alimentados). Esto implica, en el caso del sistema ABNR, una reducción importante de la potencia máxima del amplificador alimentado, y una distorsión añadida por las variaciones de la tensión de alimentación. Por otra parte, en la misma figura 4.14 se muestra la comparación de las tensiones de rizado a la salida en los dos sistemas de alimentación. La alimentación básica presenta tensiones de rizado de unos 2 V a plena carga, frente a 150 mV en el caso del alimentador conmutado. Aunque la reducción es muy importante, hay que señalar que las frecuencias de estas tensiones son muy diferentes: 100 Hz en el sistema básico no regulado y 100 kHz en el sistema SACAP, por lo que las interferencias provocadas en la carga alimentada afectarán de forma muy diferente en uno y otro caso, como se verá en la sección siguiente. Como resultado de la comparación de características eléctricas en baja frecuencia de los dos sistemas de alimentación, se puede concluir que el sistema de alimentación SACAP diseñado es muy ventajoso respecto al sistema básico no regulado: la regulación de la tensión de salida permite incrementar la potencia nominal del sistema amplificador alimentado y, manteniendo el transformador de alimentación, se aumenta la potencia suministrada con el convertidor PFC de entrada. Como contrapartida, el diseño eléctrico es más complejo, el espacio necesario se incrementa y encarece el producto. En sistemas de amplificación de gama alta, donde se optimiza el diseño eléctrico, el sistema de alimentación propuesto debería incluirse porque presenta el mejor funcionamiento eléctrico. Para ello, se requiere suprimir las interferencias de alta frecuencia que se originan en el sistema SACAP. 114 Supresión EMI en la alimentación conmutada de amplificadores. 55 54 53 52 SACAP Vo (V) 51 50 49 48 47 ABNR 46 45 44 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 2,2 2,4 2,6 2,8 3 Io (A) (A) 2,5 ABNR 2 Vor (V) 1,5 1 SACAP 0,5 0 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 2,2 2,4 2,6 2,8 3 Io (A) (B) Figura 4.14: Comparación de características eléctricas entre sistema de alimentación ABNR y SACAP. (A) Comparación de regulación de carga. (B) Comparación de tensiones de rizado. 4.5 Medida de interferencias en SACAP. 115 4.5 Medida de interferencias en SACAP. En esta sección se verá que el funcionamiento interno de los circuitos de conmutación del sistema de alimentación SACAP produce un elevado nivel de interferencias en alta frecuencia. Estas interferencias pueden ser conducidas a red, pero el peor caso ocurre cuando son conducidas o se acoplan por campo con la carga alimentada (APL), porque producen distorsiones sobre ella (los efectos de interferencias en APL se estudian en el capítulo 5). Las medidas de interferencias conducidas a red, en distintas condiciones de funcionamiento interno, se realizan con la red LISN (desde 9 kHz hasta 30 MHz) en el entorno normalizado descrito en el capítulo 2. Esta medida se realiza en el primario del transformador reductor de entrada, para representar el caso real de propagaciones EMI conducidas a red. Para extender las medidas hasta 300 MHz, se utilizan posteriormente las sondas de corriente descritas en el capítulo 2 de esta tesis, con lo que se pueden medir de forma independiente la propagación de interferencias conducidas en modo diferencial y en modo común (suelen ser el problema de fondo en estos sistemas). La medida de interferencias conducidas hacia la carga, en distintas condiciones de funcionamiento interno, se realiza con las sondas de corriente exclusivamente. Esto es así porque el sistema alimentado está situado muy cerca del sistema de alimentación SACAP, con lo que le llegan interferencias conducidas de muy alta frecuencia (por encima de 30 MHz). Esta medida representa el problema EMI principal que se produce en los sistemas APL cuando se alimentan desde convertidores conmutados en alta frecuencia. La medida se centra en las interferencias de salida conducidas en modo común, ya que, como se vió en el capítulo 3, los condensadores de salida de los reguladores pueden filtrar de forma importante las interferencias conducidas en modo diferencial. Por último, se realizan medidas de interferencias acopladas por campo próximo, campo eléctrico y campo magnético próximos, en distintas condiciones de funcionamiento interno. De esta forma se justifica la necesidad de incluir una pantalla electromagnética eficaz que blinde el sistema de alimentación SACAP respecto al sistema APL alimentado. 4.5.1 Medidas con red LISN. Como en casos anteriores de esta tesis, las medidas normalizadas de interferencias conducidas a red se realizan con la red LISN. El sistema SACAP se conecta a la red eléctrica a través de la red LISN, en el entorno normalizado descrito en el capítulo 2, y se miden las interferencias totales (modo común 116 Supresión EMI en la alimentación conmutada de amplificadores. junto con modo diferencial) que se inyectan en red. El aislamiento de la red se mantiene con el transformador de entrada incluido en el diseño de SACAP. En primer lugar, en la figura 4.15, se miden las interferencias conducidas a red para diferentes cargas simétricas de tipo resistivo conectadas en la salida de SACAP. Esta carga se realiza con un conjunto agrupado de resistencias de potencia que pueden ser conectadas entre sí de diferentes formas, y que se conectan con cables muy cortos a la salida de SACAP. Las interferencias son originadas por los circuitos de conmutación y presentan un alto contenido de armónicos de alta frecuencia (se observa el fundamental de 80 kHz), se modulan y crecen con la carga, especialmente en las frecuencias más elevadas registradas. Se tiene, por tanto, un importante problema EMI, no sólo si se compara con las reducidas interferencias generadas por el sistema ABNR del capítulo 3, sino para el mero cumplimiento de los límites de emisión normalizados señalados en los registros. Las medidas anteriores se registran con carga simétrica. En el caso real de funcionamiento del sistema de alimentación SACAP, el amplificador (carga) presenta en cada instante diferentes consumos en la rama positiva y negativa, por lo que conviene registrar el efecto de carga asimétrica en el peor caso, esto es con elevada carga en una rama y vacío en la otra. Esto se muestra en la figura 4.16, en donde se comparan las interferencias provocadas por dos cargas asimétricas y una simétrica de la misma potencia total. Así, se puede observar que el hecho de duplicar todos los circuitos de conmutación de la forma más simétrica posible en la alimentación positiva y negativa favorece la simetría en los perfiles de interferencias registrados. Con ello se garantiza que los efectos de interferencias en la carga (amplificador) serán también simétricos. 4.5.2 Medida con sondas de corriente Para discriminar el tipo de corrientes EMI que produden las interferencias medidas anteriormente se utilizan las sondas de corriente de RF (ESH2-Z1) y de VHF (ESV-Z1) descritas en el capítulo 2. Así, en la figura 4.17 se mide la corrientes EMI propagadas en modo común en la entrada y salida de SACAP para una carga simétrica de 2 A. En esta figura se observa que las interferencias registradas con LISN por encima de algunos MHz se deben a corrientes en modo común y que estas corrientes también se propagan hacia la carga (perjudica directamente al amplificador), de forma que al extender el conexionado de carga con cables conectados en el 0 V (representa el cableado de carga posterior) se incrementan las interferencias propagadas a la carga. Las medidas con la sonda de RF de las corrientes EMI propagadas en modo común hacia la red y hacia la carga muestran un elevado nivel de interferencias 4.5 Medida de interferencias en SACAP. 117 (A) Vacío (B) Io = 1+1 A (C) Io = 2+2 A Figura 4.15: Efectos de la variación de carga sobre las interferencias conducidas a red por SACAP (medidas con LISN). 118 Supresión EMI en la alimentación conmutada de amplificadores. (A) Carga simétrica, Io = 1+1 A. (B) Carga asimétrica, Io = 2 A (+50V) + 0 A (-50V). (C) Carga asimétrica, Io = 0 A (+50V) + 2 A (-50V). Figura 4.16: Efectos de la carga asimétrica sobre las interferencias conducidas a red por SACAP (medidas con LISN). 4.5 Medida de interferencias en SACAP. 119 (A) Medida en la entrada a LISN. (B) Medida en la carga. (C) Medida en la carga con cable de 5 metros en 0V. Figura 4.17: Medida en SACAP de corrientes EMI en modo común, con la sonda de corriente de RF ESH2-Z1 (Io = 2+2 A). 120 Supresión EMI en la alimentación conmutada de amplificadores. en el límite superior de la medida (30 MHz). Para medir las interferencias por encima de esta frecuencia se utiliza la sonda de VHF (ESV-Z1), con lo que se registran las corrientes EMI hasta 300 MHz (se selecciona BWR de medida de 120 kHz). Así, en la figura 4.18 se miden las corrientes EMI en modo común a la entrada (primario y secundario del transformador) y salida (carga resisitiva) de SACAP, para una corriente de salida simétrica de 2 A. En esta figura se muestra el nivel del ruido de fondo de la medida de corrientes EMI en los cables, con SACAP apagado, provocadas principalmente por las emisiones externas en FM. De estas medidas se concluye que las interferencias generadas por SACAP se extienden hasta frecuencias muy elevadas, del orden de 300 MHz, que afectan por igual a la red y a la carga, y que el transformador de red, como se determinó en el capítulo anterior, no aisla en alta frecuencia. En al figura 4.19 se muestran los efectos sobre la medida de corrientes EMI en la salida de SACAP cuando se utiliza carga resistiva próxima, se le conecta un cable de 5 metros en el terminal de 0 V y cuando se varía la carga simétrica de 0.5 a 2 A. De estas medidas se deduce que, para frecuencias muy elevadas, apenas se modifica el perfil de interferencias conducidas a la carga al prolongar los cables de salida, y que la variación de la carga modula apreciablemente el perfil de interferencias registrado (en el capítulo 5 se determina el efecto negativo de interferencias moduladas sobre el amplificador de potencia). Como resumen de las medidas realizadas en esta sección sobre interferencias en el sistema de alimentación SACAP, se tienen las siguientes conclusiones: • El sistema de alimentación conmutado en general, y SACAP como caso particular, genera elevados niveles de interferencias en alta frecuencia, muy por encima del sistema básico no regulado estudiado en el capítulo 3. Con este sistema conmutado se tiene un importante problema EMI: incumplimiento de límites normalizados de emisión a red e inyección de interferencias en el amplificador de elevada susceptibilidad. • Cada convertidor conmutado incluido en SACAP contribuye de forma no lineal al perfil final de interferencias. Incluso el circuito de control genera emisiones de interferencias apreciables. • Las medidas de interferencias conducidas con la red LISN no registran todas las interferencias conducidas desde los circuitos de conmutación hacia la red eléctrica. La frecuencia máxima que las normas fijan para la medida con red LISN (30 MHz) resulta baja cuando se incluye el sistema conmutado (SACAP) en la alimentación del amplificador. La conexión en red de elementos próximos del sistema SPL favorece los acoplamientos de las interferencias originadas desde el sistema conmutado descrito. 4.5 Medida de interferencias en SACAP. 121 (A) Medida en primario del transformador. (B) Medida en secundario del transformador. (C) Medida en la carga. Figura 4.18: Medida en SACAP de corrientes EMI en modo común, con la sonda de VHF ESV-Z1 (Io = 2+2 A, BWR = 120 kHz). 122 Supresión EMI en la alimentación conmutada de amplificadores. (A) Carga próxima a SACAP (Io = 2+2 A). (B) Carga con cable de 5 metros en 0V (Io= 2+2 A). (C) Variación de carga simétrica de 0.5 A a 2 A. Figura 4.19: Efectos de prolongación del cable de masa y de la variación de carga en la corriente modo común en la salida de SACAP, medida con la sonda de VHF ESV-Z1. 4.6 Supresión de interferencias en SACAP 123 • Se confirma, de nuevo, que el transformador de red no aisla las interferencias conducidas en alta frecuencia desde SACAP. De igual forma, puede conducir interferencias procedentes de red hacia el amplificador conectado. • La medida de interferencias conducidas utilizando sondas de corriente de alta frecuencia permite ampliar los límites de medida muy por encima de 30 MHz (se registran medidas hasta 300 MHz), y la medida separada de las interferencias conducidas en modo común y en modo diferencial (que permitirá optimizar el diseño de filtros EMI especiales). • Las variaciones de carga modifican el perfil de interferencias registrado. Es especialmente grave en el caso de que la carga conectada sea un amplificador, porque se produce una modulación de las interferencias creadas con el propio funcionamiento del sistema amplificador (se estudiará detalladamente el efecto en el capítulo 5). • Además de las interferencias conducidas, se generan interferencias que se pueden acoplar por campo magnético o campo eléctrico próximos con el circuito alimentado. Por ello, es muy importante incluir blindaje electromagnético eficaz en alta frecuencia en el módulo de alimentación conmutado. En resumen, se ha visto que con el sistema SACAP se tiene un problema EMI importante, que se debe solucionar si se quiere incorporar dicha alimentación en el suministro de energía a un amplificador lineal de potencia. Las ventajas en baja frecuencia del alimentador conmutado, impulsan a buscar soluciones eficaces para el problema de interferencias en alta frecuencia. Los resultados de la investigación en la supresión de interferencias en SACAP se muestran en la siguiente sección. 4.6 Supresión de interferencias en SACAP Las soluciones a interferencias desarrolladas a continuación parten del respeto a la solución topológica básica adoptada en la estructura interna de SACAP. Esto es así por lo visto anteriormente en el sistema SAD, en donde, por ejemplo, la inclusión de técnicas de conmutación suave producían sólo una pequeña reducción de interferencias (5 a 10 dB) en alta frecuencia. Por el contrario, Las soluciones a interferencias que se han investigado y que se incluyen finalmente en SACAP, suponen una importante atenuación de interferencias en alta frecuencia. Las soluciones a interferencias son de tipo externo (blindaje especial y filtrado EMI de banda ancha) y de tipo interno 124 Supresión EMI en la alimentación conmutada de amplificadores. (modificaciones EMI en los circuitos de conmutación) y se representan de forma esquemática en la figura 4.20. Serán discutidas a continuación. BYW2 9 - 2 0 0 L1 * FB1 Q1 P2 PR FB2 5 0 6 1 0 uF IRF6 4 0 A1 C3 2 2 0 0 u DR1 C7 4 u7 C1 1 0 0 nF C2 C6 1 0 0 nF + S2 5 0 VS 47 FB4 1 0 0 nF RF1 S1 - ** LF1 A2 DR2 FB3 C5 4700u D2 BYW2 9 - 2 0 0 * LF1 , LF2 : c h o q u e m ixt o m o d o c o m u n IRF6 4 0 C4 4 u7 L2 Q3 * No t a s: RF2 47 C8 D1 LF1 P1 TRF 220/ 35+ 35 LF2 FB2 100u LF2 ** 800u 0 VS * FB1 , FB2 , FB3 , FB4 : c h o q u es f er r it a VK2 0 0 * A1 , A2 : b u c les d e m in im a a r ea Figura 4.20: Esquema de soluciones EMI originales desarrolladas en el circuito de potencia de SACAP para reducción de interferencias. Apantallado especial de SACAP. La atenuación de interferencias conducidas que se verá posteriormente necesitan complementarse con la atenuación de interferencias acopladas por campo, principalmente campo próximo ([37], [165]). En las medidas de campo próximo se ve que desde el sistema conmutado SACAP se generan importantes emisiones que se podían acoplar por campo eléctrico y magnético, produciendo tensiones de interferencia en los circuitos próximos. Esto es especialmente grave en la aplicación práctica de SACAP, ya que el sistema amplificador alimentado es muy susceptible a interferencias. La solución adoptada en los prototipos APL1 y APL2 desarrollados para el proyecto APLAIRE, en donde se incluye el sistema SACAP, consiste en la realización de chasis metálicos especiales, que se han mostrado en las correspondiente fotografías en el capítulo anterior. Este chasis es de cobre, totalmente cerrado, y con los disipadores térmicos el exterior: con ello se evita la reducción de eficacia en el blindaje por el efecto de las ranuras de ventilación. Internamente, este chasis está dividido en dos subrecintos apantallados entre sí, de forma que uno contiene el sistema de alimentación y el otro el amplificador. Condensadores de filtrado EMI. Las corrientes EMI de alta frecuencia conducidas en modo diferencial en la entrada y salida de SACAP se deben a los circuitos de conmutación. Para reducir la circulación externa de corrientes de alta frecuencia, se incluyeron en 4.6 Supresión de interferencias en SACAP 125 el diseño inicial de SACAP condensadores de pequeña capacidad de tipo plástico (100 nF, MKP) en paralelo con los condensadores electrolíticos de elevada capacidad. Las medidas EMI de la sección anterior mostraban que estos condensadores eran insuficientes, por lo que se ensayaron otras soluciones que se muestran a continuación. En la figura 4.21 se muestran el efecto progresivo de atenuación de interferencias con condensadores de filtrado EMI. Así, al incluir capacidades en la entrada de SACAP (10 µF, MKP), se reduce la circulación de corrientes de entrada en el convertidor PFC, y se atenúan de forma importante las interferencias medidas con la LISN por debajo de unos 2 MHz (armónicos superiores de la frecuencia de conmutación básica). En la misma figura, se muestra el efecto adicional de pequeñas capacidades de filtrado EMI (100 nF, MKP) situadas en la placa de circuito impreso acortando al máximo los bucles de conmutación: se reducen las interferencias por encima de unos 10 MHz. Por último, al añadir una pequeña capacidad de filtrado EMI (100 nF, MKP) en el primario del transformador se reducen aún más las interferencias medidas por debajo de unos 10 MHz. Por tanto, las medidas finales de la figura 4.21 muestran que la principal medida para cumplir el límite de emisión a red consiste en la inclusión de diferentes condensadores de filtrado EMI, de pequeña capacidad, buen dieléctrico y estudiada ubicación. Con esto se reducen de forma muy importante el fundamental y armónicos superiores de la corriente de conmutación desde la red eléctrica hacia los convertidores de potencia. Pero, el objetivo de diseño en SACAP es minimizar todo tipo de interferencias que puedan afectar a la carga alimentada, no sólo el cumplimiento de los límites de emisión. Por ello, se requieren medidas adicionales. Para ello, en la figura 4.22 se registran nuevamente las corrientes EMI en modo común propagadas a la red y a la carga. Se observa en esta figura que se mantiene un elevado nivel de interferencias de alta frecuencia (hasta 300 MHz) que se propagan en modo común hacia la red y hacia la carga. Por tanto, el objetivo de diseño EMI en lo que sigue será reducir todo lo posible estas corrientes propagadas en modo común. Ferritas de absorción. La inclusión de ferritas de absorción en los circuitos de conmutación se ha mostrado muy útil en la reducción de las corrientes EMI de muy alta frecuencia propagadas en modo común. En las medidas siguientes se mantienen todos los condensadores de filtrado EMI que se incluyeron en el apartado anterior. 126 Supresión EMI en la alimentación conmutada de amplificadores. (A) Capacidades de entrada (C=10uF). (B) Capacidades en bucles de conmutación (C=100nF). (C) Capacidad en primario del transformador (C=100nF). Figura 4.21: Efecto progresivo de la inclusión de diferentes condensadores de filtrado EMI en SACAP en la medida de interferencias conducidas a red con LISN (Io = 2+2 A). 4.6 Supresión de interferencias en SACAP 127 (A) Corrientes en primario con sonda ESH2-Z1. (B) Corrientes en primario con sonda ESV-Z1. (C) Corrientes en la carga con sonda ESV-Z1. Figura 4.22: Efecto de todos los condensadores de filtrado EMI sobre las corrientes EMI modo común medidas en SACAP (Io = 2+2 A). 128 Supresión EMI en la alimentación conmutada de amplificadores. En la figura 4.23 se muestra el efecto de la inclusión de ferritas de absorción (VK200) en serie con las puertas de los transistores MOSFETs. En esta figura se miden las interferencias conducidas a red con la LISN, y las conducidas a red y carga con la sonda de corriente de VHF, mostrándose una pequeña reducción de corrientes EMI en modo común por encima de unos 180 MHz. Estas ferritas limitan las corrientes EMI y estabilizan la tensión en el circuito de puerta de los MOSFET. La reducción adicional de interferencias en modo común más importante se obtiene cuando se sitúan las ferritas de absorción (junto con pequeñas resistencias) en los bucles de potencia de los circuitos de conmutación. Esto se muestra en los registros de la figura 4.24, en donde se observa una drástica reducción de interferencias por encima de unos 20 MHz, que se reducen al ruido de fondo de la medida en unos 150 MHz. Este efecto se debe a que limitan la corriente EMI de muy alta frecuencia asociada al tiempo de recuperación inversa de los diodos rápidos. Filtrado modo común de banda ancha. Por último, se incluyen filtros externos en modo común de banda ancha como solución adicional para reducir las interferencias conducidas en modo común. Estos filtros son especialmente diseñados para cubrir un rango amplio de frecuencias (no ocurre así con los filtros modo común comerciales), de forma que se construyen con dos choques diferentes en serie, como se describió en el capítulo 3 de esta tesis. En la figura 4.25 se muestran las medidas finales de interferencias conducidas en SACAP, cuando se incorporan estos filtros modo común en la entrada y en la salida (juntos con todas las soluciones EMI anteriores). Se observa en esta figura que no sólo se verifica el cumplimiento de los límites de interferencias conducidas a red, sino que se han reducido de forma muy importante todas las interferencias conducidas de muy alta frecuencia (medidas hasta 300 MHz). En todo caso, con los métodos originales de supresión de interferencias analizados en los puntos anteriores, se pueden incorporar elementos de filtrado adicionales, del tipo descrito en los puntos anteriores, para obtener una mayor supresión de las interferencias conducidas. En general, la susceptibilidad de la carga, coste y tamaño permitidos en el diseño, etc., definirán el límite final en el grado de supresión de interferencias incluidas en el alimentador conmutado. 4.6 Supresión de interferencias en SACAP 129 (A) EMI conducido a red (LISN). (B) Corrientes modo común en el primario. (C) Corrientes modo común en la carga. Figura 4.23: Efecto de la inclusión de ferritas de absorción EMI en puertas de MOSFETs (Io = 2+2 A). 130 Supresión EMI en la alimentación conmutada de amplificadores. (A) EMI conducido a red (LISN). (B) Corrientes modo común en el primario. (C) Corrientes modo común en la carga. Figura 4.24: Efecto de la inclusión de ferritas de absorción EMI en serie con los diodos de conmutación (Io = 2+2 A). 4.6 Supresión de interferencias en SACAP 131 (A) EMI conducido a red (LISN). (B) Corrientes modo común en primario. (C) Corrientes modo común en la carga. Figura 4.25: Medidas EMI con la inclusión adicional de choques mixtos de modo común y banda ancha en la entrada y salida del prototipo final de SACAP. 132 Supresión EMI en la alimentación conmutada de amplificadores. 4.7 Conclusiones. Como resumen de este capítulo, se presentan las conclusiones generales y se destacan las aportaciones originales de la investigación realizada sobre supresión EMI en los sistemas de alimentación conmutados para amplificadores lineales de potencia. Las conclusiones detalladas se incluyen en las secciones correspondientes de cada estudio de los dos sistemas de alimentación conmutados analizados en este capítulo: sistema SAD y sistema SACAP. Estos sistemas están vinculados a diferentes proyectos de colaboración externa realizados en el Departamento de Ingeniería Electrónica: Acción Integrada Hispano-Lusa (1995) y proyecto industrial APLAIRE. En cada uno de estos sistemas se ha diseñado y montado un sistema de alimentación conmutado en alta frecuencia que adapta la tensión de red a los niveles requeridos por los sistemas lineales de amplificación en potencia que serán estudiados en el capítulo 5. En común, los sistemas SAD y SACAP incluyen convertidores conmutados de entrada y salida que efectúan la corrección del factor de potencia (y reducción de armónicos) en la entrada y la regulación de las tensiones de salida. Se ajusta y caracteriza el comportamiento en baja frecuencia de cada uno de estos sistemas, que han sido montados como prototipos de laboratorio. En el sistema SAD se obtuvieron las primeras medidas y conclusiones sobre los efectos de interferencias en alta frecuencia provocados por los circuitos de conmutación internos. Se estudió el efecto EMI en las interferencias conducidas a red y medidas con LISN (hasta 30 MHz) de cada uno de los convertidores internos, bajo diferentes condiciones de funcionamiento interno. Se concluyó que se generaba un importante problema EMI respecto al cumplimiento de los límites normalizados de emisión a red, respecto al sistema básico no regulado estudiado en el capítulo 3 de esta tesis, que no era resuelto por los circuitos auxiliares de conmutación suave. En las especificaciones de diseño del sistema SACAP se imponía una drástica atenuación de interferencias de alta frecuencia. Se diseñó expresamente un sistema conmutado que, cumpliendo las especificaciones de funcionamiento eléctrico en baja frecuencia, minimizara todas las interferencias de alta frecuencia que pudieran afectar al sistema amplificador alimentado. De nuevo, se investigó y caracterizó el comportamiento de SACAP en baja y alta frecuencia (en este caso hasta 300 MHz) y se determinaron un conjunto de soluciones originales específicas a las interferencias EMI generadas, que se incluyen en su diseño definitivo. Se incluyen tanto soluciones externas a interferencias (blindaje y filtrado EMI especiales), como soluciones internas basadas en el 4.7 Conclusiones. 133 rediseño de los circuitos de conmutación. En los dos sistemas se ha demostrado que el problema de interferencias en alta frecuencia, problema EMI, generado por los circuitos de conmutación, es la principal razón por la que no se puede incluir directamente como solución para los amplificadores de potencia. Las interferencias procedentes del sistema de alimentación conmutado se acoplan en conducido (modo común y modo diferencial) en el amplificador alimentado y se producen distorsiones (se verá en el capítulo 5). Sin embargo, con el desarrollo de las soluciones EMI originales que se han incorporado en el sistema de alimentación conmutado SACAP, es posible una alimentación "electromagnéticamente limpia", que elimine el problema de interferencias en alta frecuencia en el sistema amplificador alimentado con un incremento en el coste de diseño muy reducido. Los resultados de la investigación realizada en este capítulo se han presentado en [127], [129], [132], [130] y [131]. 134 Supresión EMI en la alimentación conmutada de amplificadores. Capítulo 5 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. Índice General 5.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137 5.2 Interferencias EMI generadas por la fuente de señal. . 138 5.2.1 Selección de la fuente de señal. . . . . . . . . . . . . . . 139 5.2.2 Interferencias medidas con el osciloscopio. . . . . . . . 140 5.2.3 Interferencias medidas con el analizador de espectros. 143 5.2.4 Conclusiones y soluciones propuestas a las interferencias generadas por la fuente de señal. . . . . . . . . . . 150 5.3 Efectos de interferencias en el amplificador de potencia.155 5.3.1 Efectos de interferencias en el amplificador APL1. . . 156 5.3.2 Efectos de interferencias en el amplificador APL2. . . . 158 5.3.3 5.4 Conclusiones y soluciones propuestas a las interferencias en los amplificadores APL1 y APL2. . . . . . . . . . 163 Caracterización de la carga en baja y alta frecuencia. . 172 5.4.1 Caracterización de la carga en baja frecuencia. . . . . . 173 5.4.2 Caracterización de la carga en alta frecuencia. . . . . . 174 5.5 Interferencias en el amplificador producidas por la carga. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200 5.5.1 Interferencias de baja frecuencia en el amplificador producidas por la carga compleja. . . . . . . . . . . . . . . . 201 5.5.2 Control de la carga compleja con realimentación de masa. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 204 5.5.3 Interferencias de alta frecuencia en el amplificador producidas por la carga. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 208 5.6 Conclusiones. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 211 136 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. 5.1 Introducción 137 5.1 Introducción En el capítulo tres y cuatro de esta tesis se investigó la forma en que los sistemas de alimentación contribuyen a la generación y propagación de interferencias hacia el amplificador de potencia. Se caracterizaron las posibles interferencias de alta frecuencia y se propusieron soluciones originales para la supresión de éstas en cada uno de los posibles sistemas de alimentación, clásico no regulado y conmutado en alta frecuencia. Con ello, se atenúa de forma muy importante el problema EMI asociado a la alimentación, pero no se garantiza la eliminación de otras posibles fuentes de interferencias en el amplificador. En este capítulo se analizan las interferencias de alta frecuencia, no provocadas por los sistemas de alimentación, que se producen en el amplificador y contribuyen de forma importante al problema EMI en estos sistemas. Se considera, por tanto, que el objetivo prioritario de la investigación realizada sobre interferencias en los amplificadores debe ser la supresión global de interferencias de alta frecuencia (EMI) en el sistema y no sólo determinado tipo de interferencias. Por ello, en este capítulo se considera las interferencias asociadas procesado y amplificación de señal, desde la fuente de señal hasta la carga real conectadas. En primer lugar, se miden las interferencias típicas de alta frecuencia que se pueden generar en la fuente de señal, considerando como caso particular representativo al reproductor de disco compacto, por ser la fuente de señal más utilizada. Con ello, se caracterizan los niveles y frecuencias de las interferencias que son generadas en la fuente de señal y pueden ser conducidas al amplificador de potencia donde producen interferencias. En segundo lugar, se analizan los posibles efectos de interferencias de alta frecuencia en el amplificador lineal. Para ello, se aplican diferentes señales de alta frecuencia en la entrada de señal del amplificador de potencia lineal (no moduladas y moduladas en amplitud y frecuencia), y se caracteriza su efecto en la salida. Estas medidas se realizan sobre dos amplificadores diferentes, APL1 y APL2, que han sido desarrollados como prototipos de laboratorio para el proyecto industrial APLAIRE (Amplificador de Potencia Lineal de Alta Inmunidad al Ruido Eléctrico). En tercer lugar, se analizan los efectos sobre propagación de interferencias de la carga real conectada en la salida del amplificador. Para ello, se diseña y monta un prototipo representativo de carga real de altas prestaciones denominado BF1, que también ha sido desarrollado para el proyecto APLAIRE, que se caracteriza tanto en baja como en alta frecuencia. El comportamiento de carga medido permite justificar los diferentes mecanismos de propagación 138 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. de interferencias hacia la carga: conducidas en modo común, conducidas en modo diferencial y acopladas por campo. Por último, se analiza la forma en que las corrientes EMI conducidas hacia la carga son vistas por los circuitos de amplificación, generando interferencias internas en el amplificador. Se estudia el acoplamiento de interferencias por realimentación de masa de salida, que es un mecanismo de generación de importantes distorsiones tanto en alta frecuencia como en baja frecuencia. Se propone una forma original de control de carga compleja basada en uso del error de masa para la inclusión de realimentación mixta tensión-corriente. En cada uno de los puntos anteriores, tras caracterizar las interferencias presentes en cada caso y su mecanismo de propagación, se estudia la forma de atenuación de las interferencias detectadas, proponiendo soluciones originales a EMI que elevan considerablemente la inmunidad a interferencias de los respectivos diseños con un coste muy reducido. 5.2 Interferencias EMI generadas por la fuente de señal. El objetivo de esta sección es caracterizar las interferencias de alta frecuencia que se originan en las actuales fuentes de señal utilizadas en los sistemas de potencia lineales desarrollados en esta tesis. Los efectos de estas interferencias, junto con las que se aplican desde los sistemas de alimentación (analizados en los capítulos tres y cuatro de esta tesis), serán investigados en la sección siguiente. En la actualidad, la fuente de señal de audio comercial de referencia más utilizada en los sistemas SPL es el reproductor de disco compacto (o lector CD). La tendencia industrial en este mercado de la electrónica de consumo es la sustitución progresiva de las fuentes de señal analógicas por fuentes de señal (reproductores) de tipo digital de alta definición ([60], [79]). Para la caracterización de las interferencias generadas en la fuente de señal, se considera un lector CD integrado monobloque. Los lectores CD de coste más elevado disponen de chasis independientes para la mecánica de transporte y su control, y para la conversión digital-analógica, por lo que la propagación de interferencias es diferente. El formato actual del lector CD, tecnológicamente obsoleto, será sustituido en breve por fuentes digitales de muy alta definición, donde existen en la actualidad dos propuestas industriales independientes enfrentadas: SACD y DVD-Audio. Con estos formatos se pasará de señales de audio codificadas en 5.2 Interferencias EMI generadas por la fuente de señal. 139 16 bits y muestreadas a 44.1 kHz, a señales codificadas en 24 bits y frecuencias de muestreo de 192 kHz (el formato definitivo está siendo discutido en la actualidad). En las medidas de interferencias posteriores se verá que en los diseños industriales de los lectores CD se presenta un importante problema de interferencias en alta frecuencia, problema EMI, que impide alcanzar la máxima resolución disponible con 16 bits. Por tanto, este problema será mucho más grave en los futuros formatos de 24 bits donde, para el mismo nivel de señal nominal en la salida (2 Vrms), se requieren niveles de ruido eléctrico mucho más reducidos (mejorados en unos 48 dB). 5.2.1 Selección de la fuente de señal. Cada lector de CD que ha sido medido presenta un perfil de interferencias diferente, que depende de su diseño interno. Los diferentes diseños de circuitos digitales y analógicos, componentes utilizados, disposición en la placa de circuito impreso, tipo de chasis, etc., definen el perfil de interferencias. Por tanto, el estudio y medida de interferencias generadas en un aparato concreto permite sólo un análisis cualitativo de las posibles interferencias generadas por los lectores de CD, pero que es muy útil para justificar la existencia de determinado tipo de interferencias conducidas en alta frecuencia que pueden ser aplicadas a la entrada del amplificador. Con anterioridad a la medida de interferencias que se incluyen en este capítulo, se realizaron medidas de interferencias conducidas en alta frecuencia sobre diferentes lectores de CD comerciales (diversos fabricantes y modelos). Con ello, se determinó que, aunque cada aparato presenta un perfil diferente de interferencias, el problema EMI en alta frecuencia era generalizable a otros lectores de CD comerciales diferentes del que, finalmente, se selecciona como prototipo representativo (los resultados de estas otras medidas no se incluyen para limitar la memoria de la investigación realizada). En particular, tras evaluar diferentes reproductores de CD, se ha considerado el caso particular de un reproductor de CD comercial (CD-63 de Marantz) que será adoptado como representativo del problema EMI por los siguientes motivos: • Es un lector de CD integrado (un chasis) representativo en calidad de diseño de circuitos, chasis y coste del tipo de fuente digital más extendida. • Ha recibido en dos versiones diferentes (1995 y 1997), el premio EISA (European Imaging and Sound Association) al mejor reproductor de su gama. 140 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. • Presenta un perfil de interferencias típico, del mismo tipo que se ha observado en otros lectores CD comerciales diferentes. • El cuidado diseño interno de los circuitos digitales y analógicos permite registrar las mejoras obtenidas cuando se suprimen interferencias de alta frecuencia. Es importante destacar que el circuito analógico de salida de la fuente de señal (figura 5.8) puede ser considerado como parte del circuito de entrada del amplificador de potencia en el caso que se conecte sólo esta fuente de señal (caso usual en una mayoría de instalaciones reales). La separación física de los circuitos de preamplificación en aparatos diferentes, como se verá con las medidas posteriores de interferencias, produce importantes problemas EMI. Las interferencias generadas por el lector de CD seleccionado se medirán en distintos modos y condiciones de trabajo: conducidas a red, conducidas en señal, y los acoplamientos por campo próximo. Se realizan inicialmente las medidas con el osciloscopio para determinar la importancia relativa de las interferencias respecto a la señal procesada y se prosigue con las medidas realizadas con el analizador de espectros para determinar la distribución espectral de interferencias en alta frecuencia (“perfil de interferencias”). 5.2.2 Interferencias medidas con el osciloscopio. La fuente de señal seleccionada, lector de CD, conduce las interferencias generadas internamente hacia la red eléctrica y hacia la entrada de señal del amplificador de potencia. El segundo caso es mucho más grave, ya que el cable coaxial de señal puede conducir directamente las interferencias de alta frecuencia hacia la etapa de potencia donde produce distorsiones. Es importante señalar que los circuitos de salida de los lectores CD incluyen circuitos internos de anulación de salida ("mute") que se activan en determinados modos de funcionamiento (por ejemplo, en el modo de pausa) [60]. Para que la medida de interferencias sea real, se realizan las medidas más significativas en el modo de funcionamiento normal (“play”). Para la medida de interferencias con el osciloscopio digital (Lecroy 9410, 150 MHz), se ha grabado especialmente de forma exclusivamente digital un CD con diferentes señales de referencia. Estas señales son rectangulares escalonadas en tres niveles, con diferentes opciones en frecuencia (50, 500 y 5000 Hz) y en amplitud (esta depende de la ganancia final del circuito de salida). Cuando estas señales de test son reproducidas por el lector de CD, permiten registrar con osciloscopio el comportamiento transitorio para pequeña y gran 5.2 Interferencias EMI generadas por la fuente de señal. 141 señal, las distorsiones en la señal y la relación señal/ruido. (A) (B) Figura 5.1: Respuesta transitoria del lector CD para señales de test de alto nivel (máximo digital). (A) Señal de 500 Hz. (B) Señal de 5 kHz. En la figura 5.1 se mide el comportamiento transitorio para las señales de más alto nivel (máximo digital grabado). Se observa que la señal reproducida de 5 kHz presenta elevada distorsión debido a que se dispone de pocas muestras por periodo para esa señal muestreada a 44.1 kHz, mientras que la señal de 500 Hz se corresponde mejor con la señal originalmente grabada (salvo pequeñas oscilaciones transitorias originadas por los circuitos de sobremuestreo digital). Los efectos de interferencias no son observables con estos niveles tan altos de señal. En la figura 5.2 se mide el comportamiento transitorio para señales de 500 Hz de muy bajo nivel. Se observa en esta figura que las señales de muy bajo nivel son muy afectadas por el ruido digital de alta frecuencia (que también es de bajo nivel) generado en el reproductor y conducido en su salida junto a la señal de baja frecuencia. Además, este ruido no afecta de igual forma en cada 142 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. (A) (B) Figura 5.2: Respuesta transitoria del lector de CD para señales de test de 500 Hz y muy bajo nivel. (A) Medida en canal R. (B) Medida simultánea en canal L y R. 5.2 Interferencias EMI generadas por la fuente de señal. 143 una de las salidas, de forma que el canal R está más contaminado por interferencias de alta frecuencia, por lo que se favorecen posteriores asimetrías en los efectos de interferencias (perjudica a la reproducción estereofónica equilibrada). Aunque en los siguientes apartados se desarrollan medidas complementarias en alta frecuencia con el analizador de espectros, es importante destacar que, como resultado de las medidas de la figuras 5.1 y 5.2, los efectos de las interferencias internas en el reproductor CD pueden ser registrados simplemente con el osciloscopio observando la reproducción de señales débiles en su salida. La relación señal/ruido medida de esta forma queda reducida notablemente frente a la relación señal/ruido especificada por el fabricante, ya que en las medidas normalizadas para baja frecuencia de dicha relación se incluye una drástica limitación del ancho de banda (20 Hz a 20 kHz) junto con curvas de ponderación de ruido. El problema EMI ligado a la presencia de interferencias de muy alta frecuencia, que surge en las instalaciones posteriores, queda enmascarado por el método normalizado de medida de la relación señal/ruido utilizado por la industria [88]. 5.2.3 Interferencias medidas con el analizador de espectros. Las medidas con el analizador de espectros permiten caracterizar el perfil de interferencias en alta frecuencia, pero impiden observar la señal de baja frecuencia (frecuencia mínima de medida de 9 kHz en Tektronix 2712). Las medidas de las interferencias conducidas a red se realizan con la red LISN y el analizador de espectros. En este caso, la medida normalizada se limita hasta frecuencias de 30 MHz y se miden conjuntamente las interferencias conducidas en modo común y modo diferencial. En la figura 5.3 se muestran las medidas de interferencias conducidas a red cuando el lector está funcionando en paro (stop) y en marcha (play). Como se observa en esta figura, las interferencias conducidas a red son muy reducidas y posibilitan el cumplimiento de los límites de emisión a red (CISPR B), y afecta muy poco el modo de funcionamiento en el espectro de emisión (incremento de 5 a 10 dB). La medida de las interferencias de alta frecuencia que son conducidas en la salida de señal son más interesantes, ya que registran interferencias de frecuencia muy elevada, considerablemente superior a la máxima frecuencia reproducible (20 kHz). Esta medida se realiza conectando cada una de las salidas del lector CD a la entrada del analizador de espectros mediante un cable coaxial de un metro de longitud. Las interferencias se registran desde 100 kHz hasta 300 MHz con un ancho de banda de resolución de 30 kHz. Este límite en la frecuencia superior, muy superior al de emisión a red, se corres- 144 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. (A) (B) Figura 5.3: EMI conducido a red medido con LISN en el lector de CD. (A) Modo paro. (B) Modo normal de marcha. 5.2 Interferencias EMI generadas por la fuente de señal. 145 ponde con las principales interferencias que pueden ser conducidas desde la salida por el cable coaxial. Por otra parte, la reducida resistencia de entrada del analizador de espectros (50 Ω), muy por debajo de la resistencia típica de entrada en los amplificadores de potencia (10 kΩ), supone el peor caso para la propagación de corrientes EMI en modo diferencial. (A) (B) Figura 5.4: EMI conducido en la salida de señal del lector CD en el modo de paro. (A) Medida en canal L. (B) Medida en canal R. En la figura 5.4 se muestran las medidas de interferencias conducidas en cada una de las salidas de señal (canales L y R) del lector CD en el modo paro y en la figura 5.5 para el modo marcha. Como se observa en estas medidas, existen interferencias de nivel relativamente elevado y muy alta frecuencia (hasta 300 MHz) que son conducidas junto con la señal de baja frecuencia. Esta interferencias son superiores a las conducidas a red y muy perjudiciales, 146 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. ya que se aplican directamente en la entrada del amplificador de potencia. Las interferencias registradas en la figura 5.4 se generan cuando el aparato está funcionando en modo paro, sin reproducir señal de baja frecuencia, por lo que definen su origen en el acoplamiento desde los circuitos digitales. Así, el funcionamieno en modo marcha de la figura 5.5 modifica, pero no crea, el perfil registrado de interferencias de alta frecuencia. Por otra parte, como también se vió en las medidas con el osciloscopio, las interferencias son mayores en el canal R que en el canal L, con lo que las distorsiones que provocan rompen el equilibrio del sistema estereofónico. Este resultado se justifica por la asimetría relativa observada en alta frecuencia, respecto a las fuentes digitales de interferencias en la disposición relativa de los componentes del circuito analógico de salida para cada uno de los canales de reproducción de señal. La medida de interferencias en el interior del lector de CD utilizando sondas de campo próximo de alta frecuencia (que fueron descritas en el capítulo 2), permite justificar acoplamientos de interferencias por campo cercano, campos magnético y eléctrico, entre los circuitos digitales de alta emisión y los circuitos analógicos de elevada susceptibilidad que procesan señales débiles. En la figura 5.6 se mide la tensión captada con la sonda de campo magnético próximo (sonda de bucle de 3 cm) situada encima de los amplificadores operacionales mostrados en la figura 5.8. Por otra parte, en la figura 5.7 se mide la tensión captada con la sonda de campo eléctrico próximo (sonda esférica) ubicada de la misma forma. En los dos casos, las medidas se realizan con las sondas dentro del lector CD y con la tapa de este cerrada, para atenuar todo lo posible las interferencias que proceden del exterior: cada medida va precedida del ruido de fondo (externo) que se capta con el aparato apagado. No obstante, queda registrado el perfil de las interferencias externas que provocan las emisiones radiofónicas en frecuencia modulada (88 a 108 MHz). Como se observa en las medidas anteriores de interferencias captadas por campo próximo, las interferencias de frecuencias más elevadas que proceden de los circuitos digitales pueden acoplarse fácilmente a los circuitos analógicos, bien en los bucles de masa (acoplamiento de campos magnéticos) o bien en circuitos de alta impedancia (acoplamiento de campos eléctricos). Por ello, en el perfil de interferencias conducidas en la salida de señal, que ha sido registrado anteriormente, se registraban componentes espectrales que coinciden con las medidas de campo próximo. 5.2 Interferencias EMI generadas por la fuente de señal. 147 (A) (B) Figura 5.5: EMI conducido en la salida de señal del lector CD en el modo de marcha. (A) Medida en canal L. (B) Medida en canal R. 148 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. (A) (B) Figura 5.6: Tensiones de las interferencias captadas con la sonda de campo magnético próximo en el circuito analógico del lector CD. (A) Con el aparato desconectado. (B) Funcionando en modo reproducción. 5.2 Interferencias EMI generadas por la fuente de señal. 149 (A) (B) Figura 5.7: Tensiones de las interferencias captadas con la sonda de campo eléctrico próximo en el circuito analógico de salida del lector CD. (A) Con el aparato desconectado. (B) Funcionando en modo reproducción. 150 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. 5.2.4 Conclusiones y soluciones propuestas a las interferencias generadas por la fuente de señal. Se presenta como aportación original en esta tesis la caracterización realizada sobre las interferencias de muy alta frecuencia originadas en la fuente digital de señal de baja frecuencia (reproductor de CD). Las interferencias asociadas a este soporte restan rango dinámico útil en la reproducción de señal de baja frecuencia ya que, como se ha visto, las señales más débiles son enmascaradas y distorsionadas por las interferencias de procedencia digital. Precisamente, la fiel reproducción de las señales de bajo nivel (“microinformaciones”) es el objetivo de diseño que justifica el elevado coste de los lectores CD de gama alta, en los que también se han registrado importantes niveles de interferencias de alta frecuencia en la salida de señal que limitan el resultado. Esto indica que, incluso en los reproductores de CD más caros, no hay un claro planteamiento del problema de fondo: problema EMI. Las especificaciones técnicas de los lectores de CD, resultantes de medidas normalizadas, no reflejan el problema EMI, ya que acotan el rango de medida con filtros muy selectivos en el rango de audiofrecuencias (20 Hz a 20 kHz) y alteran la medida con filtros de ponderación de ruido [88]. Por ejemplo, para el lector CD analizado se especifica un rango dinámico superior a 96 dB y una relación señal/ruido superior a 104 dB, que no se corresponden con las medidas de interferencias realizadas en una rango de frecuencias muy superior (150 MHz con el osciloscopio, 300 MHz con el analizador de espectros). El origen de las interferencias está en los circuitos digitales, como muestran los registros de interferencias anteriores. Las elevadas frecuencias registradas en las interferencias se corresponden con los armónicos superiores de las diferentes conmutaciones en circuitos digitales (la frecuencia de reloj se establece en unos 19.6 MHz). En estas condiciones, los acoplamientos de interferencias desde los circuitos digitales a los susceptibles circuitos analógicos se favorecen en distintos modos: acoplamientos por conducción (impedancias compartidas, especialmente conductores de masa [94]), por campo eléctrico y por campo magnético próximos [6]. Para atenuar las interferencias, se deben suprimir los posibles modos de acoplamientos de interferencias. El primer método consistiría en alejar todo lo posible los circuitos analógicos de los circuitos digitales: esto no siempre es posible, dadas las dimensiones normalizadas de estos productos. Por ello, como se deduce de las medidas de interferencias acopladas por campo próximo, se debe incluir un blindaje electromagnético en los circuitos analógicos que atenúe los acoplamientos por campo próximo. En este sentido, el blindaje global que proporciona un sólo chasis metálico es insuficiente [117], sólo permite el cumplimiento de los límites de emisión radiada. 5.2 Interferencias EMI generadas por la fuente de señal. 151 En segundo lugar, se debe actuar introduciendo elementos internos de filtrado EMI en los circuitos analógicos que sean eficaces frente a las interferencias conducidas de alta frecuencia que fueron detectadas en las medidas. El filtrado propio del circuito analógico de salida, diseñado para baja frecuencia, presenta problemas en alta frecuencia: longitudes de pistas excesivas, bucles y referencias de masa inapropiados y acoplamientos de interferencias en las alimentaciones ([52], [51]). Aunque no era objetivo del análisis original de interferencias en la fuente de señal, se han ensayado una serie de soluciones internas a las interferencias de alta frecuencia que resultan muy efectivas. Así, por ejemplo, en la figura 5.8 se muestra las modificaciones introducidas en el circuito analógico de salida que afectan de forma importante en la supresión de interferencias de alta frecuencia. Todas estas modificaciones mejoran el comportamiento transitorio en baja frecuencia y la relación señal/ruido, como se puede ver en los registros de la figura 5.9, donde se observa un incremento muy importante en la resolución de señales de bajo nivel (compárese con los registros anteriores de la figura 5.2). Por último, en la figura 5.10 se muestra el efecto final de todas las soluciones aportadas en la reducción de interferencias registradas con el analizador de espectros en cada una de las salidas de señal, donde la importante reducción de interferencias internas deja como residuo observable las interferencias externas provocadas por las emisiones en FM. La conclusión final de las medidas realizadas es la existencia de interferencias de muy alta frecuencia (hasta 300 MHz) asociadas a las fuentes de señal de baja frecuencia que utilizan circuitos digitales. Este tipo de fuentes de señal debe ser considerado como fuente de elevada contaminación electromagnética interna (“fuente EMI”) respecto a otros reproductores de señal que no utilicen circuitos digitales conmutando en alta frecuencia. Cuando no se incluyen elementos de supresión de interferencias en el lector de CD, la señal transmitida desde éste al amplificador de potencia incorpora elevadas interferencias de alta frecuencia que, como se verá en el apartado siguiente, generan distorsión en el amplificador. Por otra parte, como se ha comentado anteriormente, en el caso de que la instalación SPL disponga como única fuente de señal el reproductor CD, los circuitos analógicos de salida de éste pueden ser considerados como circuitos de entrada del amplificador (preamplificación de tensión), dispuestos de forma remota en otro chasis, y con elevado nivel de interferencias internas de alta frecuencia. 152 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. 120p C4 VIN1 R1 R3 10K 10K R6 10K C1 2 120p R2 R4 10K 10K C2 120p 1 R7 100p R8 10K + 6 2 1 1 4 :B 5 L1 220u C3 120p - 18K C5 1n 4 R5 27K C7 8 - 2 1 1 4 :A 3 VIN2 R1 9 27K 7 R2 1 VO 470 + R2 0 22K ( A) 120p C4 VIN1 R1 R3 10K 5 K6 R6 R1 9 27K 10K C1 750p 2 2 1 1 4 :A 3 VIN2 R2 10K R4 + 1 R7 R8 10K 18K 4 100p 6 - 2 1 1 4 :B 5 5 K6 R5 27K C7 8 - 7 + R2 2 R2 1 VO 3 K3 470 R2 3 C3 120p R2 0 22K 82K C8 680p ( B) (C) Figura 5.8: Efecto de modificaciones efectuadas en el circuito de salida para reducción de interferencias. (A) Circuito analógico de salida. (B) Circuito modificado para reducción de interferencias. (C) Efecto en la respuesta transitoria con señales débiles: canal L sin modificar y canal R modificado. 5.2 Interferencias EMI generadas por la fuente de señal. 153 (A) (B) Figura 5.9: Respuesta transitoria del lector CD con todas las mejoras introducidas para reducción de interferencias. (A) Respuesta en gran señal (máximo nivel digital). (B) Respuesta en pequeña señal. 154 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. (A) (B) Figura 5.10: EMI medido en la salida del lector de CD con todas las mejoras introducidas para reducción de interferencias. (A) Medido en canal L. (B) Medido en canal R. (Nota: el residuo mayor de interferencias está provocado por emisiones externas en FM). 5.3 Efectos de interferencias en el amplificador de potencia. 155 5.3 Efectos de interferencias en el amplificador de potencia. En la sección anterior se ha visto que las actuales fuentes digitales de señal de audio inyectan interferencias de muy alta frecuencia en la entrada del amplificador lineal de potencia. Estas interferencias cubren una amplia zona del espectro, hasta más de 300 MHz, y pueden ser moduladas de forma compleja por el funcionamiento interno de la fuente de señal. Por otra parte, en los capítulos 3 y 4 se determinaron las interferencias externas e internas que se pueden acoplar al amplificador desde la alimentación, registrándose componentes EMI hasta 300 MHz. En este apartado se caracterizan los efectos de las interferencias aplicadas en la entrada de diferentes amplificadores de potencia. Para ello, se sustituye la fuente de señal de audio (lector de CD) por un generador de señal de radiofrecuencia, que puede ser modulada en amplitud y frecuencia. Con ello, se pueden determinar qué interferencias generadas por las fuentes de señal son más perjudiciales (crean más distorsión) en el amplificador lineal. Los reproductores de señal de audiofrecuencia actuales generan señales útiles hasta 20 kHz, por lo que las componentes de frecuencia muy superior a 20 kHz deben ser consideradas como ruido electromagnético que debería suprimirse. Sin embargo, los amplificadores de potencia actuales presentan anchos de banda muy superiores, que pueden superar incluso el MHz [4]. Se tiene, en principio, dos zonas de comportamiento diferentes en el amplificador para las componentes de frecuencias no audibles (señales perturbadoras por encima de 20 kHz): zona lineal de amplificación y zona de funcionamiento no lineal (caracterizada por una atenuación progresiva con la frecuencia). Como en el caso de la fuente de señal, es necesario seleccionar un sistema amplificador concreto donde investigar y caracterizar los efectos de las interferencias de alta frecuencia. Estas medida de interferencias son muy necesarias, ya que no se consideran en el diseño industrial y caracterización de los amplificadores de baja frecuencia [88]. Tras un análisis previo donde se confirmó el efecto negativo de las interferencias sobre diferentes amplificadores comerciales, se diseñan y montan dos prototipos de laboratorio diferentes, denominados APL1 y APL2 (asociados al proyecto APLAIRE), donde se realizan las medidas de efectos de interferencias. Cada prototipo incorpora una topología diferente que representa una opción típica en los diseños industriales de amplificadores de estado sólido ([4], [16], [40]). Como se verá, el efecto de interferencias es diferente en cada diseño. La medida del comportamiento frente a interferencias de cada amplificador 156 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. se realiza conectando su carga resistiva nominal (8 Ω) en la salida y registrando ésta con el osciloscopio digital LeCroy 9410. La señal de entrada de alta frecuencia se aplica desde el generador de radiofrecuencia SMY01 de Rhode&Schwarz, que se conecta a la entrada de cada amplificador mediante cable coaxial de un metro de longitud. Se fija el nivel de la señal generada en 400 mVrms (en vacío) y se varía la frecuencia desde 10 kHz hasta 600 MHz (en el peor de los casos) para registrar los efectos de interferencias provocados por señales no moduladas, moduladas en amplitud (con índice de modulación del 75% y una señal moduladora de 5 kHz) y moduladas en frecuencia (con desplazamiento de frecuencia de 1 MHz modulado a 5 kHz). 5.3.1 Efectos de interferencias en el amplificador APL1. El esquema eléctrico y la fotografía del prototipo monontado del amplificador estereofónico de 100 Wrms denominado APL1 (amplificador APL1 completo, APL1c) se muestra en la figura 5.11. Como se observa en esta misma figura, el amplificador consta de una etapa de adaptación de entrada y control de ganancia realizada con el amplificador operacional 5532P (en APL1d se suprime este circuito de entrada), que es seguida por el amplificador de potencia realizado con componentes discretos seleccionados (amplificador APL1 discreto, APL1d). En este, Q1 a Q5 constituyen el diferencial de entrada, que es seguido por el amplificador de tensión Q7 y el desplazador de nivel Q6 - Q8 . En la salida se utilizan transistores IGBT’s complementarios de muy alta linealidad de Toshiba, especiales para audio (pueden sustituirse por MOSFET’s, reajustando R11 )). Los transistores han sido seleccionadas por su linealidad con el trazador de curvas (HM6042 de Hameg) para igualar los efectos de interferencias en los dos canales de amplificación. La respuesta en las frecuencias más bajas (hasta 1 MHz) medida en el amplificador APL1 se muestra en la figura 5.12, junto con la del amplificador APL2. En los tres casos, el nivel de salida se ajusta para 11 Vpp en baja frecuencia. Como se observa en esta figura, el ancho de banda (-3 dB) en esta condición de medida se extiende hasta unos 150 kHz, muy superior al requerido por la fuente de señal (20 kHz). Por ello, las tensiones parásitas de frecuencia alta, hasta unos 700 kHz, presentes en la entrada del amplificador son amplificadas en la salida, con ganancia mayor que la unidad, en el rango de funcionamiento no lineal. Por encima de unos 700 kHz, las tensiones de entrada son atenuadas en la salida, como se muestra en los registros de la figura 5.13, sin producir efectos observables sobre la señal en baja frecuencia. Cuando se eleva la frecuencia de las interferencias y se modulan en amplitud o en frecuencia, los efectos de las mismas son observables en la salida del amplificador como una señal parásita que se demodula en baja frecuencia. 5.3 Efectos de interferencias en el amplificador de potencia. + 5 OV R1 3 R2 0 157 + 15 220u m4 R2 4 Vin C1 8 4 u7 R2 2 Q3 3 R9 6 K8 + m4 C3 POT C1 7 22u R2 5 680 C1 3 100u + m1 4 u7 D3 BZX1 5 m4 C1 8 100n R1 5 R8 1K 1K Q7 MJE1 5 0 3 0 m4 R2 1 - 15V 0 .1 5 C6 2 SC2 5 4 7 R7 R1 8 1K m2 C1 6 12 R1 2 100p Q5 2 SC2 5 4 7 R2 7 BD1 3 9 Q4 m 11 Vo u t Q8 15K R2 1K 100p 7 R2 4 560 C1 5 L1 - 5 5 3 2 :B 5 R3 2 SA9 7 0 C2 39p 22u 2 SA9 7 0 R1 10K R1 7 0 .1 5 Q2 Q1 10K m4 R1 1 4 K7 4 m 11 6 Q6 MJE1 5 0 3 1 1 - 15 220u m4 - 27K Q9 GT2 0 / D1 0 1 100 2 SA9 7 0 8 2 4 u7 R1 4 + 15 3 K3 R1 0 100 1u 1000u D1 LED- R C9 680 5 5 3 2 :A R2 3 R4 1K 220 C5 C4 C1 0 4 u7 2 K7 D2 BZX1 5 2200u C1 3 C7 C8 1u 1000u 100 4 .7 u R1 6 220 2 K7 GT2 0 / D2 0 1 C1 1 R1 9 100 m3 Q1 0 C1 2 2 2 0 0 u C1 4 m4 - 50V (A) (B) Figura 5.11: Prototipo amplificador APL1. (A) Circuito eléctrico. (B) Prototipo montado. 158 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. 12 APL2 APL1c APL1d 10 Vopp (V) 8 6 4 2 950 1000 900 850 800 750 700 650 600 550 500 450 400 350 300 250 200 150 90 100 80 70 60 50 40 30 20 10 0 f (kHz) Figura 5.12: Comparación de respuestas en frecuencia de los prototipos amplificadores APL1c, APL1d y APL2. Para el amplificador APL1c, las interferencias se demodulan en la salida por encima del MHz, extendiéndose el efecto demodulador hasta frecuencias muy elevadas (hasta unos 600 MHz). Así, en las figuras 5.14 y 5.15 se registran estos efectos progresivos de demodulación parásita en diferentes frecuencias (0.5, 1, 2 y 100 MHz), cuando se aplica como interferencias de entrada señales moduladas en amplitud. En la figura 5.16 se muestra el efecto demodulador frente a interferencias moduladas en frecuencia para 2 y 5 MHz. Se registran sólo las frecuencias más bajas (peor caso), ya que se comprueba en las medidas realizadas que los efectos de demodulación parasita son mucho menores que en el caso de interferencias moduladas en amplitud. Por encima de unos 10 MHz, el efecto es despreciable frente al caso de señales moduladas en amplitud. 5.3.2 Efectos de interferencias en el amplificador APL2. El esquema eléctrico del prototipo amplificador estéreo de 100W denominado APL2 es mostrado en la figura 5.17. En este caso, los transistores Q1 a Q5 forman el diferencial de entrada, que es seguido por el amplificador cascodo Q6 a Q10 , desplazador de nivel Q11 a Q13 y, por último, la etapa de salida realizada con transistores bipolares (Sanken) de elevada linealidad Q14 a Q19 . Los transistores han sido seleccionadas por su linealidad con el trazador de cur- 5.3 Efectos de interferencias en el amplificador de potencia. 159 (A) 1 MHz/SM (B) 10 MHz/SM Figura 5.13: Efectos en la salida (chan 2) de interferencias no moduladas aplicadas en la entrada (chan 1) del amplificador APL1c. (A) 1 MHz. (B) 10 MHz. 160 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. (A) 500 kHz/AM (B) 1 MHz/AM Figura 5.14: Efectos en la salida (chan 2) de interferencias moduladas en amplitud aplicadas en la entrada (chan 1) del amplificador APL1c. (A) 500 kHz. (B) 1MHz. 5.3 Efectos de interferencias en el amplificador de potencia. 161 (A) 2 MHz/AM (B) 100 MHz/AM Figura 5.15: Efectos en la salida (chan 2) de interferencias moduladas en amplitud aplicadas en la entrada (chan 1) del amplificador APL1c. (A) 2 MHz. (B) 100 MHz. 162 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. (A) 2 MHz/FM (B) 5 MHz/FM Figura 5.16: Efectos en la salida (chan 2) de interferencias moduladas en frecuencia aplicadas en la entrada (chan 1) del amplificador APL1c. (A) 2 MHz. (B) 5 MHz. 5.3 Efectos de interferencias en el amplificador de potencia. 163 vas HM6042 de Hameg. La medida de la respuesta en frecuencia hasta 1 MHz del amplificador APL2 se muestra en la figura 5.12, para las mismas tensiones de salida que el amplificador APL1 (11 Vpp). En estas condiciones, el ancho de banda (-3dB) se extiende hasta unos 350 kHz, superior al del amplificador APL1, y muy superior al requerido por la fuente de señal, por lo que también son amplificadas componentes parásitas de alta frecuencia presentes en la entrada (amplifica en tensión por encima del MHz). Para no extender aún más la exposición de las medidas realizadas, se selecciona sólamente los registros de las figuras 5.18 y 5.19. En el primer caso se registran los efectos de interferencias moduladas en amplitud (10 y 75 MHz), mientras que en el segundo caso se registran los efectos de interferencias moduladas en frecuencia (2 y 5 MHz). 5.3.3 Conclusiones y soluciones propuestas a las interferencias en los amplificadores APL1 y APL2. En los dos apartados anteriores se han registrado los efectos de diferentes tipos de interferencias aplicadas en la entrada de dos amplificadores de potencia diferentes, APL1 y APL2. Aunque se pueden realizar medidas sobre otros amplificadores diferentes, se considera que las siguientes conclusiones generales extraídas de las medidas anteriores clarifican el problema de las interferencias, problema EMI, de los amplificadores: • La respuesta en frecuencia del amplificador supera los requerimientos de las actuales fuentes de señal de audio. El exceso en el ancho de banda del amplificador favorece la amplificación de las componentes no audibles de alta frecuencia, incrementando la susceptibilidad a interferencias. • En la región donde el amplificador eleva en la salida el nivel de tensión de las interferencias presentes en la entrada, junto con la reducida impedancia de carga, la ganancia en corriente propicia acoplamientos por impedancia común y por campo magnético próximo de las interferencias amplificadas sobre los circuitos más suceptibles. • Las señales de radiofrecuencia moduladas en amplitud o en frecuencia producen una amplificación parásita de la componente demodulada en baja frecuencia. tanto mayor cuanto mayor es la modulación de amplitud. Por tanto, se producen interferencias (distorsión) en baja frecuencia, ya que las componentes demoduladas son amplificadas en la banda de paso del amplificador. 164 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. + 5 OV R3 7 D S R1 1K m1 R1 0 47K R7 68 R6 68 R2 82 R3 B R3 A 2 K7 4 2 K C4 3 .3 u F R1 7 47K R1 4 150K m2 m1 D1 1 N4 1 4 8 R9 56 R2 1 R1 6 56K Q1 2 2 SC3 1 1 6 R4 0 2 K2 m 1 1M m2 R8 1K Q5 2 SC2 9 1 0 D2 1 N4 1 4 8 R2 0 1M G G R1 1 5 K6 C1 100P R1 9 39K Q4 BF2 4 5 A S Q1 0 2 SC2 9 1 0 D3 1 N4 1 4 8 R2 2 220 R1 5 120K C2 1 uF C3 1 uF R2 3 220 R3 0 470 R3 3 0 .3 3 L1 1 0 uH Vo u t R3 6 10 R3 4 0 .3 3 C6 4 7 nF R3 2 15 R2 4 68 m3 Q1 9 2 SA1 4 9 2 Q1 8 2 SA1 2 4 8 Q1 7 2 SA1 2 4 8 R3 8 220 R3 5 10 R2 9 470 R2 8 1K m4 C1 2 1 0 0 0 uF m2 R2 5 100 m4 Q1 6 2 SC3 8 5 6 C1 0 DZ3 DZ1 0 V C7 100n 8 2 0 0 uF Vi 1 uF D R2 7 1K Q9 2 SA9 7 0 4 .7 u F Q8 2 SA9 7 0 C1 4 Q3 BF2 4 5 A C5 1 0 pF R3 1 15 C1 6 Q2 2 SC2 9 0 9 Q1 2 SC2 9 0 9 Q7 2 SA9 7 0 C1 5 1 uF C1 3 1 n F Q6 2 SA9 7 0 Q1 3 2 SA1 2 4 8 1 K5 Q1 5 2 SC3 1 1 6 R2 6 68 100n D3 LED C8 8 2 0 0 uF m4 DZ2 DZ2 0 V R4 15K Q1 1 2 SC2 9 1 0 R1 2 1 K5 DZ2 0 V Q1 4 2 SC3 1 1 6 C9 R1 8 1K R5 DZ1 220 C1 1 1 0 0 0 uF m4 - 50V (A) (B) Figura 5.17: Prototipo amplificador APL2. (A) Circuito eléctrico. (B) Prototipo montado. 5.3 Efectos de interferencias en el amplificador de potencia. 165 (A) 10 MHz/AM (B) 75 MHz/AM Figura 5.18: Efectos en la salida (chan 2) de interferencias moduladas en amplitud aplicadas en la entrada (chan 1) del amplificador APL2. (A) 10 MHz. (B) 75 MHz. 166 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. (A) 2 MHz/FM (B) 5 MHz/FM Figura 5.19: Efectos en la salida (chan 2) de interferencias moduladas en frecuencia aplicadas en la entrada (chan 1) del amplificador APL2. (A) 2 MHz. (B) 5 MHz. 5.3 Efectos de interferencias en el amplificador de potencia. 167 • Cada topología amplificadora concreta presenta un comportamiento diferente frente a interferencias en la entrada. Los componentes utilizados y su forma de montaje determinan diferentes comportamientos. • Los efectos parásitos de demodulación de la señal de radiofrecuencia se favorecen cuando se utilizan circuitos integrados en la entrada (amplificadores operacionales), como es el caso del APL1. En este caso, cada amplificador operacional, dependiendo del modelo y fabricante, presenta su propia característica demoduladora de radiofrecuencia. Con dispositivos discretos se incrementa la inmunidad a interferencias y esto puede justificar el mejor comportamiento de los amplificadores que utilizan sólo elementos activos discretos ([52], [51]). Los dos últimos puntos se pueden confirmar de forma gráfica en los registros de la figura 5.20, en donde se comparan los efectos de interferencias moduladas en amplitud sobre los amplificadores APL1 en las versiones completa (APL1c) y reducida (APL1d). En esta misma figura se representa una comparación de efectos de interferencias por el simple cambio de fabricante en un mismo dispositivo integrado (amplificador operacional 5532P). Por último, en la misma figura, se muestra cómo el efecto demodulador de interferencias se extiende hasta más de 600 MHz en el caso de utilizar el amplificador operacional como adaptador de entrada en APL1. Con la caracterización anterior de los efectos de diferentes interferencias de alta frecuencia aplicadas en la entrada de los amplificadores de potencia, quedan justificadas las siguientes propuestas de diseño para elevar la inmunidad a estas interferencias: • Limitar el ancho de banda de los amplificadores en frecuencias no muy superiores a la máxima frecuencia audible (20 kHz) para que no se amplifiquen interferencias de alta frecuencia que se apliquen en la entrada de señal. • Utilizar dispositivos activos discretos frente a circuitos integrados en el procesado de la señal de bajo nivel (circuitos de entrada). El uso de amplificadores operacionales favorece la demodulación parásita de interferencias y requiere seleccionarlos entre los de mayor inmunidad a interferencias. • Incluir elementos de filtrado EMI (redes R-C) en los circuitos más suceptibles de entrada de señal que atenúen las interferencias de alta frecuencia presentes de forma parásita en la señal transmitida. • Apantallado EMI del amplificador que sea eficaz en alta frecuencia (evitando las aperturas y ranuras de ventilación), para que atenúe los posibles acoplamientos por campo eléctrico y magnético de las interferencias 168 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. 4000 APL2 APL1c1 APL1d APL1c2 3500 3000 Vde (mV) 2500 2000 1500 1000 500 70 74 78 82 86 74 78 82 86 98 66 70 94 62 66 90 58 62 54 58 50 46 42 38 34 30 26 22 18 14 6 10 2 0 f (MHz) (A) 4000 APL1c1 APL1c2 3500 3000 Vde (mV) 2500 2000 1500 1000 500 98 94 90 54 50 46 42 38 34 30 26 22 18 14 10 6 2 0 f (MHz) (B) 1600 APL1c1 1400 1200 Vde (mV) 1000 800 600 400 200 595 575 555 535 515 495 475 455 435 415 395 375 355 335 315 295 275 255 235 210 190 170 150 130 90 110 60 40 2 20 0 f (MHz) (C) Figura 5.20: Comparación de tensiones de salida demoduladas en baja frecuencia (Vde) para interferencias de entrada moduladas en amplitud. (A) Comparación entre APL2 y diferentes versiones de APL1: circuito completo (APL1c), amplificador discreto (APL1d). (B) Efecto del cambio de fabricante en el operacional de entrada del amplificador APL1: 5532P de Philips (APL1c1), 5532P de Texas (APL1c2). (C) Medida extendida hasta 600 MHz en 5.3 Efectos de interferencias en el amplificador de potencia. 169 externas. En particular, es deseable un blindaje interno de los circuitos de entrada, que son los más suceptibles a interferencias. Es importante señalar que los efectos parásitos de demodulación de interferencias están ligados a los circuitos de entrada del amplificador y que una vez demodulada la señal es tratada como una señal parásita de baja frecuencia en la banda de paso del amplificador. Por eso, los efectos de interferencias moduladas en muy alta frecuencia (hasta 600 MHz) se pueden registrar con un osciloscopio de ancho de banda más reducido: se observa la demodulación parásita en baja frecuencia (5 kHz en las medidas anteriores). Por ejemplo, en al prototipo APL1 se puede montar el circuito completo (APL1c) o bien suprimir el adaptador de entrada (APL1d). En cada caso, la supresión de efectos de las interferencias de entrada viene dada por la inclusión de elementos de filtrado EMI (redes R-C) en los circuitos de entrada correspondientes: amplificador operacional (APL1c) o par diferencial (APL1d). Así, en las figuras 5.21 y 5.22 se registran el efecto de filtrado de interferencias con redes R-C situadas en la entrada de los amplificadores APL1c y APL1d para el correspondiente peor caso de interferencias de entrada moduladas en amplitud (75 MHz y 6 MHz). En los amplificadores APL1 y APL2, prototipos preliminares de amplificadores realizados para el proyecto APLAIRE, se incluyen estas soluciones internas para elevar el nivel de inmunidad a interferencias. Por ejemplo, el chasis metálico es de cobre y totalmente cerrado (disipadores de calor externos), y con el sistema de alimentación ubicado en un subrecinto apantallado (por lo visto en el capítulo tres y cuatro). Internamente, se incluyen los elementos de filtrado EMI que atenúan los efectos de posibles interferencias. 170 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. (A) (B) Figura 5.21: Efectos del circuito de filtrado EMI frente a interferencias moduladas en amplitud en APL1c. (A) En el circuito básico no protegido. (B) Con circuito protegido en la entrada (operacional 5532P) con R=2k7 y C=150 pF. 5.3 Efectos de interferencias en el amplificador de potencia. 171 (A) (B) Figura 5.22: Efectos del circuito de filtrado EMI frente a interferencias moduladas en amplitud en APL1d. (A) En el circuito básico no protegido. (B) Con circuito protegido en la entrada (par diferencial) con R=1k C=1nF. 172 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. 5.4 Caracterización de la carga en baja y alta frecuencia. La medida de las características eléctricas en baja frecuencia (audiofrecuencias) de los amplificadores lineales de potencia se realiza con carga resistiva nominal (4 y 8 Ω) conectada directamente en la salida, con la mínima longitud de conexión [88]. Esto permite una comparación directa de propiedades eléctricas entre diferentes sistemas de amplificación con la misma carga nominal. Sin embargo, el sistema amplificador se utiliza para gobernar un sistema de transductores electroacústicos, cuyo comportamiento eléctrico es mucho más complejo y no se corresponde con una simple resistencia de carga. Por tanto, en primer lugar, se requiere un modelo en baja frecuencia de la carga utilizada que se corresponda con la realidad, para justificar el comportamiento del amplificador en baja frecuencia (respuesta dinámica en la amplificación de corriente). El problema surge por la gran diversidad de cargas electroacústicas diferentes conectables a la salida del amplificador. La carga puede ser elegida por el usuario final en función de diferentes parámetros: tamaño, número de vías, respuesta acústica en frecuencia, coste, etc., entre diferentes modelos y fabricantes. Esto impide disponer de un modelo de carga generalizado que se ajuste a la realidad posterior: cada opción comercial representa un comportamiento y modelo eléctrico diferente en baja frecuencia y ninguno de ellos es resistivo en todo el rango de audiofrecuencias. En la práctica, la justificación de diseños independientes para la etapa de potencia y la carga radica en la forma de controlar la salida. Los amplificadores comerciales de audiofrecuencias se diseñan para controlar linealmente la tensión de salida, o sea, son amplificadores tensión-tensión; mientras que las cargas electroacústicas se diseñan para la obtención de equilibrio acústico cuando se mantiene constante el nivel de tensión de entrada en todo el espectro audible. Por tanto, no se considera la corriente de salida, es decir, la impedancia de carga, salvo en el valor nominal de impedancia especificado a 1 kHz, y que la impedancia no baje de un mínimo valor en todo el rango de frecuencias reproducidas (para no sobrecargar la etapa de potencia). Este compromiso de diseño se adopta por la industria para obtener máxima versatilidad del sistema de amplificación electroacústico, esto es, que cualquier amplificador de potencia pueda, teóricamente, ser conectado y gobernar adecuadamente cualquier carga electroacústica. La caracterización del comportamiento de la carga en baja y alta frecuencia se realiza sobre un prototipo de carga electroacústica de altas prestaciones, de- 5.4 Caracterización de la carga en baja y alta frecuencia. 173 nominado BF1, que ha sido diseñado y montado para el proyecto APLAIRE. La estructura general de esta carga representa a una mayoría de cargas electroacústicas comerciales, por lo que las conclusiones extraídas en esta sección se pueden generalizar a una gran mayoría de instalaciones reales. Las medidas en baja frecuencia del comportamiento de BF1 se realizan en el rango de frecuencias audibles, esto es, desde 20 Hz hasta 20 kHz. Se caracterizan los elementos del filtro divisor, los altavoces utilizados y el cable de conexión. Finalmente, se propone un modelo sencillo que representa el comportamiento real en baja frecuencia de BF1. En la segunda parte de esta sección se caracteriza el comportamiento en alta frecuencia de la carga electroacústica de referencia BF1. Para ello, se mide el comportamiento de las impedancias de los diferentes dispositivos utilizados en la carga: cable de conexión en la entrada, elementos pasivos del filtro divisor y cada uno de los altavoces. Se termina midiendo el comportamiento global de la impedancia de carga y la influencia que tienen los elementos más importantes. Con todo ello, se caracteriza el comportamiento en alta frecuencia de la carga de referencia BF1 conectada, tanto en modo diferencial como en modo común, y se comprueba que difiere de forma muy importante del comportamiento medido para baja frecuencia. Finalmente, la propagación de interferencias de alta frecuencia desde el amplificador hacia la carga vendrá determinada por el comportamiento de la misma en alta frecuencia, tanto en modo diferencial, como en modo común (acoplamiento a tierra). 5.4.1 Caracterización de la carga en baja frecuencia. En la introducción anterior, se ha comentado que no existe un esquema común de la carga real conectada en la salida del amplificador de audio. Para modelar la carga en baja frecuencia (audio) y alta frecuencia (EMI), es necesario seleccionar un prototipo de carga concreto que represente significativamente una mayoría de instalaciones. Así, en la figura 5.23 se muestra el esquema eléctrico simplificado de la carga electroacústica prototipo BF1, y la fotografía del prototipo realizado, que se ha diseñado para el proyecto APLAIRE. Sobre este diseño se caracteriza el comportamiento en baja y alta frecuencia y el análisis posterior de interferencias. Como se muestra en la figura 5.23, el prototipo de carga de referencia BF1 es un sistema de tres vías, donde la reproducción del espectro audible se reparte en tres rangos de frecuencias complementarios que se adaptan a los diferentes altavoces electrodinámicos utilizados: graves (Zg, bajas frecuencias), medios (Zm, frecuencias intermedias) y agudos (Za, frecuencias más altas). Con este sistema de altavoces es posible reproducir todo el espectro audible, desde 20 Hz a 20 kHz. Los altavoces electrostáticos que cubren todo el rango audible son poco frecuentes, dado su dificultad de diseño y elevado coste, por lo que no se consideran representativos de la carga. 174 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. En el caso particular de la carga BF1 diseñada, los diferentes altavoces se han seleccionado por su elevada calidad acústica y se han montado sobre un recinto acústico común (bafle) especialmente realizado para la supresión de resonancias estructurales indeseadas ([40], [73]). El filtro divisor de frecuencias se ha adaptado a los altavoces empleados, realizando su diseño eléctrico con simulaciones PSPICE (considerando el modelo eléctrico equivalente de los altavoces) y con diferentes medidas acústicas. En el ajuste final del circuito de filtrado se considera además del rango de frecuencias recomendado por el fabricante para cada uno de los altavoces, el diferente rendimiento acústico de los altavoces, especialmente en el caso de medios y agudos. En la misma figura 5.24 se muestra las medidas experimentales de las impedancias de cada uno de los altavoces de BF1 para todo el rango audible, así como la impedancia global que presenta la carga BF1 en su entrada. Como se observa en estas figuras, las diferentes impedancias medidas presentan variaciones importantes con la frecuencia y sólo en la frecuencia de medida de 1 kHz responden al valor nominal especificado. Los diferentes picos de resonancia eléctrica son resultado de las resonancias mecánicas de los dispositivos utilizados y del recinto donde se sitúan y suponen un incremento importante de la impedancia de los dispositivos y de la carga BF1. En la figura 5.34 se muestra el modelo eléctrico equivalente en baja frecuencia en cada altavoz, que puede extraerse de los datos suministrados por el fabricante [73]. Básicamente, en este modelo se contempla la resonancia mecánica del dispositivo en su frecuencia más baja dada por Lp y Cp (amortiguada por la resistencia de pérdidas Rp), junto con la resistencia (Rs) e inductancia (Ls) serie de la bobina excitadora. La ubicación en recintos acústicos de altavoces no herméticos (graves, por ejemplo) modifica su comportamiento mecánico y el modelo eléctrico asociado. Con todo ello, es posible ajustar un modelo eléctrico aproximado de la carga electroacústica, como se muestra en la figura 5.34 para la primera versión montada de la carga BF1. Como sólo afecta al comportamiento en baja frecuencia, no se considera prioritario ajustar este modelo para baja frecuencia a los resultados experimentales medidos en la figura 5.24 para la versión definitiva de BF1 (supone un cambio de altavoces), que es la que se analiza en adelante. 5.4.2 Caracterización de la carga en alta frecuencia. En alta frecuencia, muy por encima de 20 kHz, el comportamiento de la carga difiere de forma muy importante del comportamiento registrado en el apartado anterior para baja frecuencia. Se requiere caracterizar el comportamiento de la carga en alta frecuencia de forma que se pueda justificar la propagación 5.4 Caracterización de la carga en baja y alta frecuencia. 175 C3 R1 2 u F/ 1 0 0 V 1 8 R/ 1 5 W ZA CP1 0 - B VIN( + ) VIN( - ) L2 C2 0 .6 2 m H 3 0 u F/ 1 0 0 V ZM L1 3 .2 5 m H C1 1 0 u F/ 1 0 0 V MD1 0 0 - KV ZG SPH2 5 0 KE- M (A) (B) Figura 5.23: Prototipo de carga electroacústica BF1.(A) Esquema eléctrico. (B) Prototipo montado. 176 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. Z 30 Za (CP-10m) Zm (KV-m) 25 Zg(10" Mon.) 20 15 10 5 7000 8000 7000 8000 20000 6000 6000 20000 5000 5000 9000 4000 4000 10000 3000 3000 10000 2000 2000 f 9000 900 1000 1000 800 Z-bafle 900 700 800 600 700 500 400 300 200 90 100 80 70 60 50 40 30 20 0 f (A) Z 30 Z-BF1 25 20 15 10 5 600 500 400 300 200 100 90 80 70 60 50 40 30 20 0 (B) Figura 5.24: Impedancias medidas (baja frecuencia) en prototipo de carga electroacústica BF1.(A) Impedancias medidas en altavoces de BF1. (B) Impedancia total medida para la carga BF1. 5.4 Caracterización de la carga en baja y alta frecuencia. A A 177 LS RS Zx = = R1 C3 18 2 uF LP CP RP B B Za ( B) a lt a vo c es Filt r o d iviso r VIN( + ) C2 VIN( - ) 3 0 uF L2 0 .6 2 m H Zm R1 C3 RSA LSA 18 2 uF 6 .3 0 .1 5 m H LPA 1 .2 m H c a b le L1 3 .2 5 m H Zg VIN( + ) C1 1 0 uF RCU 0 .1 VIN( - ) LCU 3 uH CCU 5 0 0 pF ( A) L2 C2 3 0 uF 0 .6 2 m H 0 .3 RSM LSM 6 .2 0 .7 5 m H LPM 55m H RL1 0 .7 L1 3 .2 5 m H ( C) RL2 C1 1 0 uF RSG LSG 6 .2 0 .8 m H LPG 96m H CPA 3 8 uF CPM 2 4 7 uF CPG 4 4 1 uF Figura 5.25: Modelo eléctrico equivalente simplificado de la carga BF1 (en su primera versión) para baja frecuencia. (A) Esquema eléctrico simplificado. (B) Modelo eléctrico simple de altavoz electrodinámico. (C) Modelo eléctrico simple de la carga BF1. 178 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. de interferencias en alta frecuencia. En este apartado, consideramos alta frecuencia a todas aquellas componentes de frecuencia ultrasónica que no suponen información, o sea, frecuencias muy superiores a 20 kHz. Hay que señalar que, por cuestiones mecánicas (peso e inercia de las membranas de los altavoces empleados para audiofrecuencias), las señales de frecuencia superior a unos 20 kHz no producen desplazamiento de las bobinas excitadoras de los altavoces y no generan señales acústicas. La ausencia de movimiento en alta frecuencia hace que en el modelo simple de alta frecuencia que se verá posteriormente no aparezcan las componentes electrodinámicas que fueron descritas para el modelo de baja frecuencia. Sin embargo, no hay que olvidar que el funcionamiento en baja frecuencia produce simultáneamente desplazamientos mecánicos en los altavoces que, como se verá, pueden afectar a la propagación de interferencias en alta frecuencia. En el comportamiento de alta frecuencia de la carga es muy importante definir cada uno de los componentes físicos utilizados (altavoces, elementos del filtro divisor, cables) y la forma de su montaje. Se justifica, por tanto, la elección del prototipo concreto de carga representativo BF1 que se ha realizado en el apartado anterior como punto de partida para su análisis de comportamiento en alta frecuencia. Las longitudes características de los cables de conexión, la construcción del filtro divisor de frecuencias, y la estructura interna de los altavoces justifican que las interferencias de alta frecuencia puedan ser conducidas (modo común y modo diferencial), o acopladas por campo (campo próximo o radiación). No se estudian posibles interferencias en audiofrecuencias que también se producen en la carga, por ejemplo por la proximidad de los diferentes inductores en el filtro de salida (efecto de la inductancia mutua). Comportamiento en alta frecuencia del altavoz electrodinámico. Los diferentes altavoces electrodinámicos utilizados en BF1 presentan, en una primera aproximación, una estructura electromecánica similar con diferentes dimensiones características. La estructura interna básica se observa claramente en el transductor de graves, cuyo corte transversal se muestra en la figura 5.26. En este altavoz electrodinámico, una bobina eléctrica de terminales A y B se sitúa en el entrehierro de un imán permanente y se desplaza por efecto de la corriente que le atraviesa. La bobina se fija a una membrana móvil de diferentes tamaños (inercia y rendimientos) que impulsa el aire y provoca las ondas de presión que, a cierta distancia, podemos percibir. Las diferencias estructurales más significativas (materiales, tamaños y geometrías) sirven para optimizar el comportamiento mecánico en diferentes rangos de 5.4 Caracterización de la carga en baja y alta frecuencia. 179 frecuencia en cada uno de los altavoces. Los componentes parásitos de naturaleza eléctrica, que determinan el comportamiento en alta frecuencia, pueden justificarse con la estructura interna de los componentes eléctricos y mecánicos utilizados. Para modelar, de forma muy simple, el altavoz electrodinámico en alta frecuencia, vamos a introducir las siguientes consideraciones sobre su realización física: • Si sólo se aplican corrientes de muy alta frecuencia en un altavoz, la bobina eléctrica situada en el entrehierro permanece inmóvil: la elevada inercia y peso de la membrana impide su movimiento. • La bobina en el entrehierro actúa como un inductor con núcleo magnético interno y externo. Parte de la bobina puede estar fuera del entrehierro (caso del altavoz de graves que debe permitir elevados desplazamientos) y equivale a un inductor serie con núcleo de aire. • El material magnético usado en el cuerpo del altavoz presenta alta permeabilidad sólo en baja frecuencia, ya que debe concentrar el flujo magnético creado por el imán permanente. Cuando se incrementa la frecuencia, la permeabilidad del núcleo magnético disminuye progresivamente. • La resistencia interna de la bobina crece con la frecuencia por el efecto pelicular y de proximidad. En muy alta frecuencia, la resistencia es muy superior al valor medido en contínua. • Se debe considerar las capacidades parásitas entre espiras próximas, tanto sucesivas como de capas diferentes (es usual disponer el devanado en dos capas). • La bobina está apantallada de forma asimétrica por efecto del cuerpo del imán en el que se inserta. La zona sumergida en el entrehierro presenta mayor blindaje que la zona frontal descubierta. • El cuerpo metálico (chasis) del altavoz introduce capacidades parásitas entre la bobina excitadora y tierra. Por tanto, en un primer modelo de alta frecuencia para el altavoz electrodinámico, representado en la figura 5.26, hay que considerar una inductancia serie decreciente con la frecuencia (Ls), una resistencia interna que aumenta con la frecuencia (Rs), capacidades parásitas entre espiras (Cd) y capacidad parásita a tierra (Ct). Una simplificación adicional del modelo se obtiene si, en un rango de frecuencias reducido, todos los componentes parásitos no presentan grandes variaciones y pueden ser considerados como elementos discretos constantes. 180 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. A B S Ct RS CD = = N LS A A Zx B Ct CT B GND GND Ci ( B) ( A) A1 R A2 A1 R LR A2 B1 C B2 B1 C LC B2 RC C1 L C2 C1 L RL C2 CL ( C) Figura 5.26: Modelo simple en alta frecuencia de los componentes de la carga BF1. (A) Estructura interna del altavoz electrodinámico y capacidades parásitas. (B) Modelo equivalente simple del altavoz para alta frecuencia. (C) Modelo equivalente simple en alta frecuencia de componentes pasivos del filtro divisor. 5.4 Caracterización de la carga en baja y alta frecuencia. 181 Para medir el comportamiento en alta frecuencia de cada uno de los altavoces utilizados en el prototipo BF1, se emplea el Analizador Vectorial ZVRL de Rhode-Schwarz, que permite la medida de la impedancia de transferencia y determina el modelo eléctrico equivalente (R-C, R-L) en los puntos seleccionados con el marcador. La medida se extiende desde 20 kHz hasta 100 MHz, y se mide la impedancia entre los dos terminales de conexión del altavoz (impedancia en modo diferencial) y entre estos y chasis (impedancia de modo común a tierra). Se supone en esta última medida que, en el peor de los casos, el chasis metálico del altavoz está unido a tierra o presenta un buen acoplamiento a tierra con baja impedancia. Señalar que las medidas en las frecuencias más elevadas deben ser valoradas cualitativamente por la información útil que proporcionan del comportamiento del dispositivo, aunque el sistema de carga completo BF1 presenta un comportamiento complejo en estas frecuencias, que será caracterizado más adelante. Así, en las frecuencias más elevadas no es correcto considerar parámetros concentrados en el modelo del dispositivo, ya que se comporta como línea de transmisión no adaptada en sus extremos. En las figuras 5.27, 5.28 y 5.29 se muestran las impedancias medidas para los tres altavoces utilizados en el prototipo BF1. Las impedancias en modo diferencial se miden entre los dos terminales de conexión del altavoz, mientras que las impedancias en modo común se miden entre estos y el chasis metálico. De las medidas anteriores se pueden extraer las siguientes conclusiones: • Cada altavoz utilizado en BF1 presenta una curva de impedancia diferente, tanto en modo diferencial, como en modo común. Se han realizado medidas sobre otros altavoces y se confirma la dependencia de la curva de impedancia registrada con el dispositivo físico caracterizado. • Las medidas en modo común confirman el comportamiento básicamente capacitivo (Ct) de los diferentes altavoces hasta frecuencias muy elevadas (unos 40 MHz en el caso de altavoces de agudos y medios). Por encima de esta frecuencia las inductancias parásitas internas se hacen dominantes. • Las medidas en modo diferencial se ven muy afectadas por el tipo de altavoz. Para las frecuencias más bajas, el comportamiento es inductivo (Ls) hasta la frecuencia de resonancia (amortiguada por Rs) determinada por la capacidad parásita (Cd). El rango de validez más amplio lo presenta Zg, mientras que Za y Zm presentan resonancias secundarias a partir de unos 20 MHz. • Las impedancias medidas en alta frecuencia son muy superiores a las que se midieron para baja frecuencia, muy por encima del valor nomi- 182 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. (A) Zaf (B) Zat Figura 5.27: Impedancia medida en alta frecuencia para el altavoz de agudos de BF1. (A) Impedancia en modo diferencial. (B) Impedancia en modo común a chasis. 5.4 Caracterización de la carga en baja y alta frecuencia. 183 (A) Zmd (B) Zmt Figura 5.28: Impedancia medida en alta frecuencia para el altavoz de medios de BF1. (A) Impedancia en modo diferencial. (B) Impedancia en modo común a chasis. 184 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. (A) Zgd (B) Zgt Figura 5.29: Impedancia medida en alta frecuencia para el altavoz de graves de BF1. (A) Impedancia en modo diferencial. (B) Impedancia en modo común a chasis. 5.4 Caracterización de la carga en baja y alta frecuencia. 185 nal. Esto es, en un rango muy amplio de frecuencias, los altavoces se parecen más a un circuito abierto que a un cortocircuito (4 u 8 Ω de carga nominal). • Los marcadores permiten una medida de parámetros equivalentes en los puntos señalados, que aparece en el margen superior derecha de los registros. Con ello, puede determinarse los parámetros dominantes en un rango de frecuencias acotado, eliminando la necesidad de un modelo eléctrico complejo para toda la banda medida. En el caso normal de funcionamiento con señales de baja frecuencia, se tiene además un movimiento de la bobina en el entrehierro. Esto produce que las impedancias medidas y los componentes parásitos asociados del modelo de alta frecuencia presenten una variación en función de la posición de la bobina respecto al entrehierro. Por tanto, la señal amplificada de baja frecuencia puede modular el comportamiento de la carga en alta frecuencia, con lo que se agrava el efecto de las interferencias de alta frecuencia sobre el sistema amplificador. Además, las interferencias emitidas por campo magnético desde el frontal de la bobina serán también moduladas, ya que se modifica dinámicamente el blindaje electromagnético relativo del cuerpo del imán hacia la bobina excitadora. Como resumen, con las características físicas descritas y las medidas realizadas, se justifica el modelo cualitativo propuesto para el altavoz electrodinámico, obteniéndose los valores de componentes equivalentes y el rango de validez en frecuencias con las medidas experimentales realizadas con el Analizador Vectorial para los altavoces utilizados en el prototipo BF1. En todo caso, la medida directa de impedancias define el comportamiento en alta frecuencia de cada altavoz, sin necesidad de justificar internamente el modelo preciso de cada dispositivo. Comportamiento en alta frecuencia del filtro divisor. El circuito eléctrico simplificado del filtro divisor de frecuencias diseñado se muestra en la figura 5.23. Cada uno de los componentes pasivos que incluye presenta un comportamiento en alta frecuencia muy diferente al de baja frecuencia. El comportamiento y modelo eléctrico para alta frecuencia del filtro divisor se puede obtener modelando en alta frecuencia cada uno de los componentes pasivos que utiliza. La resistencia de potencia R1 presenta un comportamiento resistivo puro sólo en baja frecuencia. En muy alta frecuencia, la inductancia asociada a la resistencia metálica bobinada es importante y determina la impedancia final del componente. Así, el modelo general para alta frecuencia de la resistencia 186 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. se muestra en la figura 5.26, en el que podemos despreciar Cr y Lr para baja frecuencia. La medida en alta frecuencia de la impedancia de R1 mostrada en la figura 5.30 confirma su comportamiento resistivo-inductivo hasta frecuencias de 100 MHz. Los condensadores para filtros divisores deben ser de tipo no polarizado. En los filtros comerciales suelen utilizarse tanto condensadores electrolíticos bipolares como de tipo plástico (dieléctricos MKT, MKP, etc.). En el filtro divisor de BF1 se utilizan exclusivamente condensadores plásticos de buen dieléctrico (MKP), por su mejor comportamiento en frecuencia y reducidas pérdidas. En frecuencias muy elevadas, su modelo eléctrico debe incluir la inductancia (Lc) y resistencia (Rc) parásitas, derivadas de su construcción física, como se indica en el modelo de la figura 5.26. La medida en alta frecuencia de la impedancia de la capacidad C2 del filtro divisor, mostrada en la figura 5.30, confirma su comportamiento resistivo-inductivo para las frecuencias más altas. Las inductancias utilizadas en filtros divisores comerciales se realizan con núcleo magnético (normalmente ferrita) o están bobinadas al aire (sin núcleo magnético). En la carga BF1 se utilizan dos inductores diferentes bobinados al aire para optimizar su comportamiento dinámico. Se construyen con devanados de tres hilos de cobre esmaltado de 0.8mm para reducir las pérdidas resistivas en alterna por efecto proximidad. En el modelo genérico para alta frecuencia de la inductancia hay que considerar la presencia de resistencia (Rl) y capacidad (Cl) parásitas en el bobinado de las mismas, como se muestra en la figura 5.26. En la figura 5.31 se muestran las medidas en alta frecuencia de las impedancias de los dos inductores utilizados en la carga BF1. Como se observa en estas medidas, el comportamiento en alta frecuencia viene definido por la capacidad parásita de estos inductores desde frecuencias relativamente bajas. Con las medidas anteriores y los modelos que justifican el comportamiento en los diferentes componentes pasivos del filtro divisor se puede ajustar el modelo simple para alta frecuencia del filtro divisor mostrado en la figura 5.34. Los valores de los componentes parásitos y el rango de validez en frecuencias se pueden extraer con las medidas de impedancias. En este modelo no se incluyen los acoplamientos capacitivos a tierra de los elementos del filtro divisor, que son despreciados frente a los asociados a los altavoces (masas metálicas de dimensiones características mucho mayores). 5.4 Caracterización de la carga en baja y alta frecuencia. 187 (A) (B) Figura 5.30: Impedancias medidas en alta frecuencia en los componentes del filtro divisor de BF1. (A) Resistencia de potencia 18Ω y 15W. (B) Condensador plástico (MKP) de 30µF y 100V. 188 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. (A) (B) Figura 5.31: Impedancias medidas en alta frecuencia para los inductores de potencia en el filtro divisor de BF1. (A) Inductor de 0.62 mH. (B) Inductor de 3.25 mH. 5.4 Caracterización de la carga en baja y alta frecuencia. 189 Comportamiento en alta frecuencia del cable de carga. Para completar el estudio de la carga en alta frecuencia se requiere determinar el efecto del cable de conexión entre el amplificador de potencia y el bafle BF1. Se pueden analizar también los efectos de los cables entre el filtro divisor y cada uno de los altavoces, aunque la longitud característica es mucho menor que en el caso anterior y, en primera aproximación, puede ser despreciado (o bien ser incluido como parte de los componentes serie del modelo de altavoces en alta frecuencia). Una característica importante del cable de conexión de la carga al amplificador es que puede ser seleccionado, entre muy diversos tipos, por el usuario final en función de las longitudes necesarias en la instalación. Por otra parte, la reducción de pérdidas resistivas en baja frecuencia exige seleccionar un cable de elevado grosor. Por ello, las medidas siguientes se realizan con cable OFC (cobre libre de oxígeno) especial para audio de 2x4 mm2 de Graf West, de 2 y 6 metros de longitud, con lo que se representan dos instalaciones de diferentes longitudes características. Las elevadas longitudes características del cable hacen que para las frecuencias más elevadas deba ser tratado como una línea de transmisión, con la singularidad de no estar adaptada en sus extremos a su impedancia característica. Por ello, surgen reflexiones en el cable y, por no estar apantallado (no es cable coaxial) radiación electromagnética para longitudes de onda del orden de la longitud del cable. Para las frecuencias más bajas, se puede modelar el cable con los parámetros medibles de los componentes parásitos discretos: resistencia serie en alterna (Rcu), inductancia serie (Lcu), y capacidad entre cables paralelos (Ccu), como se indica en la figura 5.34. Para confirmar el rango de validez de este modelo simple se realizan las medidas de impedancias del cable en alta frecuencia indicadas en las figuras 5.32 (cable de 2 metros) y 5.33 (cable de 6 metros). Cada medida se realiza para cable terminado en resistencia nominal (8Ω) y vacío (las impedancias que fueron medidas en los altavoces en alta frecuencia pueden ser muy elevadas). Como resultado de las medidas de impedancias de cables, se pueden extraer las siguientes conclusiones: • La longitud del cable determina de forma muy importante el perfil de la impedancia medida en alta frecuencia, tanto en vacío como con carga resistiva nominal y difiere bastante del comportamiento en baja frecuencia. • Se confirma el comportamiento resistivo-inductivo (Rcu-Lcu) del cable, 190 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. (A) (B) Figura 5.32: Impedancias medidas para cable de conexión a la carga de 2 metros. (A) Acabado en resistencia nominal de 8Ω. (B) Terminación en vacío. 5.4 Caracterización de la carga en baja y alta frecuencia. 191 (A) (B) Figura 5.33: Impedancias medidas para cable de conexión a la carga de 6 metros. (A) Acabado en resistencia nominal de 8Ω. (B) Terminación en vacío. 192 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. cargado con resistencia nominal, hasta la primera frecuencia de resonancia, a partir de la que la capacidad parásita (Ccu) reduce progresivamente la impedancia medida. • En vacío, la capacidad parásita entre conductores (Ccu) reduce progresivamente con la frecuencia la impedancia medida. • El modelo con componentes discretos es válido sólo hasta frecuencias de unos 31 MHz (cable de 2 metros) o de 13 MHz (cable de 6 metros), esto es, para longitud del cable del orden de un cuarto de longitud de onda. • Los parámetros del modelo simple del cable (Rcu, Lcu, Ccu) son medidos directamente con los marcadores y aparecen en los registros anteriores. Comportamiento en alta frecuencia de la carga BF1 conectada. Con las medidas anteriores y los modelos básicos que justifican cualitativamente el comportamiento para cada uno de los componentes de la carga BF1 es posible modelar el conjunto de la misma de una forma simplificada, como aparece en la figura 5.34. En este modelo cualitativo simple de la carga, los valores de componentes parásitos y el rango de validez en frecuencias viene determinado por las medidas realizadas. Esto es, para un rango acotado de frecuencias donde se analiza la propagación de interferencias, se miden los componentes parásitos determinantes de la impedancia final del elemento y se sustituyen en el circuito del modelo equivalente de la carga. Con ello, se pueden justificar todas las interferencias propagadas hacia la carga, ya sean por conducción en modo diferencial o en modo común. Para las frecuencias más elevadas se debe considerar los problemas añadidos por radiación en los cables de conexión de la carga BF1. Para caracterizar finalmente el comportamiento de la carga, incluyendo su cable de conexión, se realizan las medidas de impedancias indicadas en las figuras 5.35 y 5.36 (carga BF1 conectada con cable de 2 y 6 metros respectivamente), tanto para modo diferencial, como para modo común. Las medidas en modo común se realizan interconectando todas las masas metálicas (chasis) de altavoces, suponiendo que es el peor caso para propagación de interferencias a tierra. De las medidas relizadas en este apartado, se extraen las siguientes conclusiones generales sobre el comportamiento de la carga BF1 en alta frecuencia (incluyendo su cable de conexión): • Para las frecuencias más elevadas registradas, la longitud del cable es determinante de la impedancia global de carga en modo diferencial y en modo común. Esto justifica la dependencia desmesurada del cable de 5.4 Caracterización de la carga en baja y alta frecuencia. LR1 193 LC3 C3 RSA LSA CDA CTA R1 GND RCU LCU C2 LC2 L2 RL2 RSM VIN( + ) CL2 CCU CDM LSM CTM VIN( - ) GND L1 RL1 RSG C1 CL1 CDG LC1 LSG CTG GND Figura 5.34: Modelo cualitativo simple para alta frecuencia de la carga electroacústica prototipo BF1. 194 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. conexión en el resultado final de instalaciones electroacústicas contaminadas con interferencias de alta frecuencia, que no está justificado por el comportamiento del cable en baja frecuencia. • La medida de impedancias en alta frecuencia varia entre unos 50 y 600Ω, presentando diferentes resonancias asociadas a la relación entre la longitud de onda y la del cable. En todo caso, dicha impedancia está muy por encima del valor convencional supuesto para baja frecuencia (entre 4 y 8Ω). • La inclusión de resistencias en los terminales del cable, como se indica en la figura 5.37 (se ha medido el efecto para resistencias de 220 Ω), pueden adaptar la impedancia del conjunto de carga (en torno a unos 100 Ω), impidiendo variaciones importantes. • Para frecuencias por encima de algunos MHz queda justificada la propagación de interferencias tanto en modo diferencial, como en modo común. • Las medidas realizadas dependen fuertemente de los dispositivos utilizados. Un cambio en el dispositivo físico utilizado modifica notablemente la medida de la impedancia en alta frecuencia. Por ejemplo, en la figura 5.38 se registra el efecto de cambio en la forma de realizar el inductor L1 (con núcleo de ferrita) o el cambio en el altavoz de medios. Es importante señalar que las instalaciones estereofónicas duplican los sistemas analizados, tanto en los circuitos electrónicos como en la carga. En particular, la separación física de las dos cargas aumenta la longitud característica del sistema y favorece las asimetrías en la propagación de interferencias. En este caso, el efecto de interferencias será mayor en uno de los dos canales de reproducción y, afectará finalmente a la reproducción estereofónica (diferente distorsión en cada canal). En resumen, con el comportamiento global de la carga BF1 que se ha medido para alta frecuencia es posible justificar la propagación de interferencias conducidas desde el amplificador de potencia hacia la carga en diferentes modos: conducido en modo común, conducido en modo diferencial. Para las frecuencias más altas medidas se tienen adicionalmente acoplamientos por campo próximo (magnético o eléctrico) y por radiación. También se pueden justificar la captación de interferencias externas desde la conexión a la carga hacia el interior de la etapa de potencia donde se produce el problema EMI. Estas interferencias no se pueden justificar si no se considera la carga real conectada en la salida del amplificador, por ejemplo con el supuesto ideal de carga resistiva. 5.4 Caracterización de la carga en baja y alta frecuencia. 195 (A) (B) Figura 5.35: Impedancias medidas en alta frecuencia para el conjunto de la carga BF1 conectada con 2 metros de cable. (A) Impedancia en modo diferencial. (B) Impedancia en modo común a tierra. 196 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. (A) (B) Figura 5.36: Impedancias medidas en alta frecuencia para el conjunto de la carga BF1 conectada con 6 metros de cable. (A) Impedancia en modo diferencial. (B) Impedancia en modo común a tierra. 5.4 Caracterización de la carga en baja y alta frecuencia. 197 (A) (B) Figura 5.37: Impedancias medidas en alta frecuencia para el conjunto de la carga BF1 con cable adaptado con resistencias de 220Ω. (A) Carga BF1 con cable de 2 metros. (B) carga BF1 con cable de 6 metros. 198 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. (A) (B) Figura 5.38: Efecto del cambio de componentes en la impedancia medida en alta frecuencia para el prototipo BF1. (A) Inductor de 3.25mH con núcleo de ferrita N27. (B) Altavoz de medios SPH135KE. 5.4 Caracterización de la carga en baja y alta frecuencia. 199 Por tanto, el diseño físico de la carga en cada uno de sus componentes y la forma de montaje en la instalación del sistema de potencia lineal afectará directamente al modo de propagación de las interferencias de alta frecuencia desde el amplificador de potencia y a las distorsiones que, finalmente, estas interferencias provocarán en su funcionamiento. 200 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. 5.5 Interferencias en el amplificador producidas por la carga. En la sección anterior se han estudiado las características en baja y alta frecuencia de la carga real que se conecta en la salida del amplificador lineal de potencia, particularizadas para el caso del prototipo BF1. Se comprobó que, con el comportamiento en alta frecuencia de la carga, se puede justificar la propagación de interferencias conducidas hacia la salida tanto en modo común como en modo diferencial y posteriores mecanismos de acoplamiento de interferencias por campo próximo y radiación. El amplificador de potencia está situado entre fuentes de interferencias (fuentes digitales de señal, sistemas de alimentación conmutados, red eléctrica, etc) y el camino de propagación al exterior que proporciona la carga conectada, por lo que es atravesado por corrientes EMI de alta frecuencia que pueden producir interferencias internas. En esta sección se trata de caracterizar el mecanismo de generación de interferencias en la etapa amplificadora de potencia debido a estas corrientes de alta frecuencia. En primer lugar, se analizará la forma en que las corrientes amplificadas de baja frecuencia pueden producir interferencias en el circuito amplificador produciendo distorsión sobre la señal procesada. El efecto está asociado al trazado de pistas de circuito impreso y a la naturaleza compleja de la carga conectada (estudiada en la sección anterior). Se presenta el problema de las referencias de masa en estos sistemas y se propone una forma original de introducir realimentación de la corriente de carga en el amplificador (“realimentación de masa”) que facilite su control. En la segunda parte de esta sección se amplía el estudio de la realimentación de masa (esté contemplada o no en diseño) con los los efectos EMI que las corrientes de muy alta frecuencia, tanto en modo común como en modo diferencial, producen en el amplificador. Se propone una forma de realimentación de masa que, con técnicas específicas de filtrado EMI, suprime los efectos negativos de estas interferencias. En resumen, como aportación importante de esta tesis, no sólo se verá la forma en que las corrientes EMI producen interferencias en el amplificador, sino que se muestra un mecanismo de interferencias por impedancia común (errores de referencia en las masas) que afecta directamente a la señal procesada de baja frecuencia y se propone una forma original de uso del error de referencia en el control de cargas complejas. 5.5 Interferencias en el amplificador producidas por la carga. 201 5.5.1 Interferencias de baja frecuencia en el amplificador producidas por la carga compleja. Aunque el objetivo general de esta tesis es la investigación sobre interferencias en alta frecuencia, dado el interés práctico del resultado de la investigación, se muestra en este apartado la justificación del mecanismo de generación de interferencias en baja frecuencia en el amplificador de potencia asociadas a la conexión de carga compleja en la salida y al error en el trazado de pistas de masa. Para mostrar con mayor claridad el mecanismo de generación de interferencias en baja frecuencia debidas a la conexión a la carga compleja, se centra el estudio en el caso del prototipo amplificador APL1 y la carga BF1, aunque es aplicable a cualquier amplificador y carga compleja. En la figura 5.39 se muestra el circuito del amplificador APL1 en su estructura básica (APL1d, sin adaptación de entradas), ya que permite describir de forma sencilla el problema de los errores de referencia en las masas. Se verá, en primer lugar, las interferencias de baja frecuencia (audiofrecuencias) originadas por la forma de construcción física del amplificador. En el esquema eléctrico del amplificador APL1, los conductores se suponen ideales, con impedancia nula. En el montaje físico esto es imposible, todo conductor presenta una impedancia compleja. Por ejemplo, en la tabla 5.1 se muestra las impedancias de diferentes pistas de circuito impreso en función de la frecuencia [10]. En esta tabla se observa que la impedancia en baja frecuencia se mantiene prácticamente constante en la región de audiofrecuencias, correspondiendo a un comportamiento resistivo en el que la anchura de pista determina el valor de la impedancia. Para frecuencias más elevadas, como es el caso de las interferencias EMI, el valor de la impedancia crece de forma importante, justificado por la inductancia parásita del conductor, de forma que la anchura de pista afecta relativamente poco en la impedancia total. En el diseño físico del amplificador se pueden utilizar diferentes longitudes de pistas. Las pistas de los circuitos de potencia, que conducen elevadas corrientes, serán de mayor ancho. La impedancia de pistas junto con la corriente conducida produce diferencias de tensión entre puntos que, teóricamente, deberían ser equipotenciales. Cuanto mayor sea la corriente (circuitos de salida) o su frecuencia (corrientes EMI), mayor será el error de tensión entre dos puntos concretos. Estas diferencias de potencial suponen errores de tensión que, dada la función primaria del circuito, son amplificados posteriormente si son vistos en la entrada del circuito amplificador, produciendo distorsión. Los errores de tensión que más afectan están asociados a las distintas masas 202 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. Frec. 10Hz 100 Hz 1 kHz 10 kHz 100 kHz 1 MHz 10 MHz 100 MHz w=1mm 0.057 0.057 0.057 0.058 0.092 0.727 7.25 72.50 w=3mm 0.019 0.019 0.019 0.020 0.062 0.590 5.89 58.90 w=10mm 0.006 0.006 0.006 0.007 0.044 0.440 4.40 44.00 Tabla 5.1: Variación de la impedancia (en mΩ) de pista de circuito impreso con la frecuencia. Caso particular de pista de 10 cm de longitud, 0.03 mm de espesor y ancho de 1, 3 y 10 mm. del circuito, puesto que cada circuito amplificador amplifica la señal presente en su entrada respecto a la masa de referencia. Por ello, en la figura 5.39 se señalan las diferentes masas del amplificador APL1: • m1 : masa de la entrada no inversora (entrada de señal). • m2 : masa de la entrada inversora (realimentación de la salida). • m3 : masa del retorno de la corriente de carga (Z0 ). • m4 : masa de la alimentación (filtrado y desacoplo local). Hay otras masas que no se indican por no afectar directamente al mecanismo de amplificación de errores de referencia en baja frecuencia, como es el caso de la masa de la pantalla electromagnética formada por el chasis metálico del amplificador. Estas diferentes masas se señalan en el esquema eléctrico del amplificador APL1 mostrado en la figura 5.39. En esta figura también se muestra una representación simplificada del amplificador APL1 utilizando el símbolo del amplificador operacional en montaje no inversor para el amplificador lineal de potencia. Aunque las diferencias entre un amplificador operacional y un amplificador de potencia son notables (manejo de elevadas corrientes y tensiones, elementos discretos, gran tamaño, etc.), la simplicidad del esquema y la similitud del funcionamiento global permiten explicar fácilmente la amplificación de los errores de referencia en las masas. Para circuitos de baja frecuencia (f < 1 MHz), se suele recomendar el conexionado de las masas en estrella, o masas centralizadas en un punto, para reducir el efecto de las interferencias [92]. Su aplicación en amplificadores 5.5 Interferencias en el amplificador producidas por la carga. R1 3 R4 R1 0 100 1u 1000u + 5 OV 220 C5 C4 D1 LED- R 1K C9 4 u7 C1 0 4700u R1 4 Q3 m4 Q9 GT2 0 / D1 0 1 100 2 SA9 7 0 Q6 MJE1 5 0 3 1 m4 R9 6 K8 R6 330 R5 330 VIN m4 R1 7 0 .1 5 R1 1 4 K7 C3 39p V( - ) V( + ) 47u C2 R3 15K Q2 2 SA9 7 0 Q1 2 SA9 7 0 R1 10K 100p BD1 3 7 R1 2 1K C1 3 100u Vo u t Q8 R2 1K m1 m3 R1 8 0 .1 5 C6 100p m2 Q4 R1 5 2 SC2 5 4 7 R7 R8 1K 1K Q1 0 Q7 Q5 2 SC2 5 4 7 MJE1 5 0 3 0 1u 100 C8 C7 m4 GT2 0 / D2 0 1 1000u C1 1 R1 9 100 4 .7 u R1 6 C1 2 4 7 0 0 u C1 203 m4 - 50V 220 (A) + 50V VIN + 50V CP R1 - 50V m4 ZO m1 R2 R3 CN m3 - 50V m2 (B) Figura 5.39: Discriminación de diferentes masas en el amplificador APL1. (A) Circuito básico de APL1. (B) Representación simplificada de APL1 como amplificador operacional en montaje no inversor. 204 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. de potencia es complicada, ya que el tamaño de componentes y las longitudes características de las pistas son elevadas y provocan problemas secundarios: complejidad en el trazado de pistas, incremento de área en los bucles de circuitos amplificadores (mayor susceptibilidad a interferencias captadas por campo magnético), junto con problemas frente a interferencias de alta frecuencia. Por ello, a pesar de la recomendación teórica general, el trazado físico de pistas y la disposición relativa de componentes en los montajes industriales de amplificadores de potencia suele obedecer al criterio de proximidad (conexión preferente de los componentes próximos). En este caso, se generan problemas por la amplificación de errores de referencia que serán caracterizados a continuación. Si consideramos la amplificación en potencia de audiofrecuencias, los conductores de masa más perturbados son las pistas de los circuitos de potencia en las salidas, m3 y m4 , porque conducen las corrientes más elevadas, como resultado de la amplificación en tensión y la reducida impedancia de carga. Las masas de entrada, m1 y m2 , conducen corrientes muy reducidas, ya que la impedancia en la entrada (R1) y en la red de realimentación (R3-R2) son elevadas y bajo el nivel de señal procesada en la entrada. Por tanto, una primera condición de diseño para evitar amplificación de errores de referencia sería no mezclar de forma incontrolada las masas de los circuitos de señal (m1 , m2 ) con la masas de los circuitos de potencia (m3 , m4 ). Esto se cumple con la conexión centralizada de las diferentes masas en un sólo punto , mc , o conexión en estrella de la figura 5.40. En resumen, si consideramos que el amplificador de potencia debe operar como amplificador ideal de tensión, la unión centralizada de todas las masas en un único punto de la figura 5.40 es la mejor opción porque evita la amplificación de los errores de referencia provocados por las corrientes de salida. Además, de esta forma, se evitan que las corrientes EMI de alta frecuencia, que circulan preferentemente por los conductores de masa, produzcan interferencias. 5.5.2 Control de la carga compleja con realimentación de masa. En la descripción del comportamiento de la carga real, particularizada para la carga prototipo BF1, quedó claro que el comportamiento en baja frecuencia de las cargas electroacústicas reales es complejo, presentando zonas de comportamiento inductivo, capacitivo, y diferentes resonancias. Por otra parte, los amplificadores de audiofrecuencias industriales (y los prototipos APL1 y APL2 desarrollados en esta tesis) se diseñan como amplifica- 5.5 Interferencias en el amplificador producidas por la carga. + 50V VIN + 50V 205 + 50V VIN( + ) + 50V CP CP R1 - 50V - 50V ZO R1 m4 R2 R3 Io CN m1 R2 RI( - ) VIN( - ) - 50V m1 ( A) ( C) + 50V + 50V VIN( + ) + 50V + 50V VIN( + ) Io CN ZA m3 m4 Io - 50V m2 ZO R3 CP CP R1 R1 - 50V R3 R2 VIN( - ) - 50V ZO RI( + ) CN ZA ZO m4 R2 Io R3 VIN( - ) CN - 50V - 50V mc ( B) m1 ( D) Figura 5.40: Diferentes conexionados de masas en el amplificador APL1. (A) Discriminación de diferentes masas. (B) Conexión centralizada (en estrella) de las masas. (C) Conexión de masas con realimentación negativa de intensidad. (D) Conexión de masas con realimentación positiva de intensidad. 206 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. dores de tensión: la tensión de salida es proporcional a la tensión de entrada para todo el ancho de banda en potencia que se especifica con carga resistiva nominal conectada en la salida. De esta forma los diseños de amplificadores de potencia superan fácilmente el ancho de banda de frecuencias audibles (20 Hz - 20 kHz) con una distorsión armónica y de intermodulación mínimas. Sin embargo, en la mayoría de los casos, cuando se analiza acústicamente el comportamiento dinámico de un amplificador comercial conectado a una carga electroacústica real (por tanto, compleja) presenta deficiencias (distorsiones) notables no justificables por los resultados de las medidas especificadas. Se puede justificar el problema anterior con la descripción de la carga real. En los altavoces electrodinámicos, como se comentó en la sección 5.4, el movimiento de la membrana del altavoz es debido a la corriente eléctrica que circula por su bobina de excitación y no a la tensión que se le aplica. Sin embargo, no hay control directo sobre la corriente de salida en el amplificador de potencia, salvo en los circuitos de protección de sobrecargas. Por tanto, en el caso común de utilizar altavoces electrodinámicos en la carga, el amplificador de potencia asociado debería ser un amplificador de transconductancia (amplificador tensión-corriente) y el circuito de realimentación debería sensar la corriente de salida para linealizar el comportamiento en frecuencia sobre la corriente de carga. Este tipo de amplificador en corriente no es compatible con la mayoría de las cargas comerciales, ya que se generarían sobretensiones en las zonas de comportamiento inductivo de la carga. A continuación, se propone una solución original para controlar simultáneamente la tensión y corriente de salida (de forma ponderada) que se basa en el uso controlado del error de referencia de las masas. Para ello, se requiere una forma especial de conexión de las masas de referencia que se muestra en la figura 5.40c. La impedancia Za representa la impedancia parásita introducida por el conductor de masa (pista de circuito impreso) que une m1 con m2 , o bien una pequeña impedancia (resistencia) de sensado introducida de forma discreta en el caso necesario. La corriente de retorno de la carga, I0 , se hace pasar por esta impedancia y produce un error de tensión, Va = I0 .Za , que se aplica en la realimentación negativa de la entrada inversora del amplificador. Para estimar el valor requerido de Za para introducir realimentación de corriente significativa, consideramos los siguientes supuestos: • No hay consumo de intensidad en las entradas inversora y no inversora del amplificador. Es decir, se desprecian las corrientes de entrada frente a las de salida. • La entrada inversora y no inversora presentan la misma tensión. • La ganancia del amplificador en bucle abierto es muy elevada. 5.5 Interferencias en el amplificador producidas por la carga. 207 Resolviendo el circuito de la figura 5.40c, con los supuestos anteriores, tenemos: Za + R 2 .Vo + Za .Io (5.1) R2 + R3 . donde se observa que, junto con la realimentación negativa de la tensión de la carga, (V0 = I0 .Z0 ), se introduce una realimentación negativa de la intensidad de carga determinada por la impedancia de error Za . Para el caso de carga resistiva pura, la impedancia de carga es constante (Z0 = R0 ) y la realimentación mixta propuesta equivale a una realimentación de tensión de salida. Vin = V− = Por tanto, en el caso general, se tiene una realimentación mixta ponderada (los pesos pueden ser seleccionados por diseño) de tensión-corriente de carga que permite control adicional sobre la corriente que excita la carga. Si diseñamos la realimentación mixta de forma que asignamos igual peso al valor de realimentación de intensidad que de tensión, y considerando la baja impedancia de carga, R2 + R3 >> Z0 , obtenemos: R2 .Zo (5.2) R2 + R3 Por ejemplo, en el caso concreto de los prototipos de amplificadores APL1 y APL2 que fueron desarrollados en este mismo capítulo, obtenemos: Za = • APL1: con R3 = 15K, R2 = 1K, Zo = 8, obtenemos que Za = 0.5Ω • APL2: con R3 = 12K, R2 = 82, Zo = 8 , obtenemos que Za = 0.054Ω Con los valores obtenidos de la impedancia de sensado de corriente y observando la tabla 5.1 de impedancias de pistas de circuito impreso, se deduce que, si se quiere introducir realimentación lineal de corriente en el caso del amplificador APL1, hay que añadir una resistencia discreta de bajo valor, mientras que en el caso del amplificador APL2 la resistencia puede coincidir en orden de magnitud con la impedancia típica de las pistas de circuito impreso en el rango de audiofrecuencias. Por tanto, una primera conclusión práctica es que los amplificadores de potencia de elevada ganancia son muy críticos en cuanto al cuidado en el trazado de las pistas de circuito impreso asociadas a las diferentes masas. Esto se confirma en la experiencia de diseño físico de los amplificadores mostrados en esta tesis, en donde pequeños desplazamientos en la conexión de masas suponían un importante cambio en el funcionamiento con cargas complejas. El bajo valor requerido para Za proviene de que la impedancia de carga Zo es de bajo valor, esto es, el caso típico de un amplificador de potencia de audio. Si la impedancia de carga es alta, caso de una etapa preamplificadora de señal, se requiere una resistencia Za de valor proporcionalmente más elevado y, por 208 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. tanto, el error de referencia en las pistas de circuito impreso no afecta de forma tan importante (salvo si la ganancia en tensión es muy elevada). Desarrollado un análisis similar para el circuito de la figura 5.40d, es fácil comprobar que si el retorno de la corriente de carga se refiere a la masa de la entrada no inversora (m1 ), se genera una realimentación positiva que puede producir efectos perjudiciales. La corriente de salida presenta mayor distorsión y, en el caso extremo de elevadas realimentaciones positivas de corriente (no compensadas por la realimentación negativa de tensión), oscilaciones en la salida. Esto puede ocurrir si se descuida el conexionado de las referencias de masas en circuitos amplificadores de elevada ganancia. 5.5.3 Interferencias de alta frecuencia en el amplificador producidas por la carga. En la justificación de las interferencias en baja frecuencia del apartado anterior se introdujo la impedancia de pistas, Za , que justificaba la amplificación del error de referencia en las masas. También se mostró que la impedancia de pistas era de naturaleza resistiva solamente para bajas frecuencias. Por ello, se tomaba un valor resistivo en los cálculos de Za para la introducción de realimentación de corriente en baja frecuencia en los amplificadores APL1 y APL2. Como se mostró en la tabla 5.1, cuando la frecuencia se incrementa progresivamente, la componente inductiva parásita de la impedancia de pistas de circuito impreso crece y se hace dominante, determinando la impedancia final de las mismas. En este caso, Za debe ser considerada como una impedancia compleja resultante de una resistencia y una inductancia parásitas en serie (Za = Ra + jωLa ) y la realimentación de corriente crece de forma importante con la frecuencia. Así, si el amplificador presenta un elevado ancho de banda, la corriente de interferencia presente en la pista de masa Za es amplificada más cuanto mayor sea su frecuencia. Por último, para las frecuencias más elevadas, el error de tensión Va crece con la frecuencia (incremento de Za ) pero el amplificador atenúa progresivamente la perturbación porque se ha superado la región de funcionamiento lineal. El efecto global de las corrientes EMI presentes en el conductor de masa de la carga, que se realimenta mediante Za al circuito amplificador, puede ser asimilado al efecto de interferencias aplicadas en la entrada del amplificador (la realimentación de masa es una modificación del circuito de entrada), que ya fué estudiado en este mismo capítulo. Por tanto, no se considera necesario repetir dichas medidas y se consideran válidas las conclusiones generales que se formularon. 5.5 Interferencias en el amplificador producidas por la carga. 209 Por lo tanto, si se introduce realimentación de corriente con los errores de referencia en las masas, de forma intencionada o parásita, la inevitable presencia de corrientes EMI de alta frecuencia (muy superior a 20 kHz) produce una realimentación creciente con la frecuencia que ocasiona interferencias en el funcionamiento del amplificador. En este caso, se hace necesario introducir soluciones a las interferencias de alta frecuencia mediante técnicas de filtrado EMI: • Choques de radiofrecuencia de modo común en la salida hacia la carga que atenúen las corrientes que tienden a propagarse hacia (o desde) la carga en modo común por la línea de masa. • Condensadores de filtrado EMI, en paralelo con Za , que cortocircuiten las componentes de alta frecuencia para que no afecten en la red de realimentación de corriente. • Cuidado en el trazado de las diferentes pistas de masa (dimensiones y conexionado relativo), evitando la generación de errores de referencia. Se logra mediante la conexión centralizada en estrella de las masas (salvo la masa de retorno de la carga que implemente realimentación en corriente). Así en la figura 5.41 se muestran los elementos de filtrado EMI Lf o (choque modo común de banda ancha) y Cf a (condensador cerámico de 1 nF) que protegen la realimentación de masa introducida en los prototipos APL1 y APL2 de las corrientes EMI en modo común en la carga. En resumen, en esta sección se ha investigado la forma en que las corrientes de baja (audio) y alta frecuencia (EMI) presentes en las líneas de masa y asociadas a la conexión a la carga producen interferencias en el amplificador de potencia. También se ha investigado la realimentación adicional de corriente que se puede utilizar para mejorar el comportamiento dinámico del amplificador con cargas reales complejas y las protecciones EMI que debe incluir. 210 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. + 50V VIN( + ) + 50V CP R1 - 50V m4 ZO R2 VIN( - ) R3 CN ZA - 50V m1 ( A) VIN( + ) + 50V + 50V CP R1 - 50V * LFO Vo CFA VIN( - ) m1 R2 R3 * ZA VA m4 ZO CN Io - 50V ( B) Figura 5.41: Protección con filtrado EMI en la realimentación de masa. (A) Circuito básico sin filtrado. (B) Circuito con filtrado en el retorno de masa de la carga. 5.6 Conclusiones. 211 5.6 Conclusiones. En este capítulo se han investigado las interferencias de alta frecuencia en el sistema de potencia lineal que se producen por efecto de la fuente de señal, por la carga electroacústica conectada en la salida y los efectos de las diferentes interferencias de alta frecuencia aplicadas en la entrada del amplificador de potencia lineal. Aunque las conclusiones particulares se detallan al final de la investigación mostrada en cada sección, destacamos como conclusiones generales de este capítulo las siguientes aportaciones originales: • En primer lugar se han caracterizado, de forma original, las interferencias de alta frecuencia que se originan en las actuales fuentes de señal y pueden ser conducidas, junto con la señal de baja frecuencia, a la entrada del amplificador. Como caso particular representativo del problema EMI en la fuente de señal, se han caracterizado las interferencias de alta frecuencia generadas en los actuales reproductores CD, se ha demostrado que afectan en la reproducción de las señales de muy bajo nivel, y se han obtenido soluciones originales muy eficaces con la inclusión de elementos de filtrado EMI interno en el circuito analógico de salida del reproductor CD seleccionado. Este circuito analógico de salida en la fuente de señal debe ser considerado, en el caso de fuente única de señal, como el primer circuito de la entrada del amplificador de potencia lineal (ubicado de forma remota), con lo que estas interferencias son contempladas como internas al amplificador. • En segundo lugar, se han medido los efectos de interferencias de hasta 600 MHz aplicadas en la entrada de dos amplificadores diferentes, que han sido montados como prototipos de laboratorio. Se ha demostrado que los efectos más graves de interferencias están producidos por señales de alta frecuencia moduladas en amplitud y en frecuencia, ya que se produce una demodulación y amplificación parásitas de la señal moduladora de baja frecuencia, que distorsiona la señal obtenida en la salida. Este mecanismo de generación de interferencias en baja frecuencia en el amplificador es clave para la supresión de las interferencias de alta frecuencia realizada a lo largo de esta tesis en los diferentes elementos del sistema de potencia lineal. • En tercer lugar, se ha caracterizado el comportamiento en alta frecuencia de la carga electroacústica, particularizada para el caso representativo de la carga BF1, que ha sido montada como prototipo de laboratorio. Se han medido las impedancias de cada uno de sus componentes y 212 Supresión de interferencias EMI en el amplificador de potencia. del conjunto de la carga ,incluyendo diferentes cables de conexión, hasta frecuencias de 100 MHz. Con las medidas realizadas se justifica la posibilidad de diferentes mecanismos de propagación de interferencias hacia la carga: conducidas en modo diferencial, en modo común y posibles efectos de interferencias acopladas por campo próximo y radiación. Estas interferencias no se justifican con la carga resistiva idealizada. • En cuarto lugar, se ha investigado de forma original (presentado en [134]) el mecanismo de acoplamiento de interferencias por errores en las referencias de masas en el amplificador de potencia. Se han justificado los principales problemas detectados en las conexiones de diferentes masas del amplificador: amplificación de errores de referencia en baja frecuencia (provocados por corrientes de audiofrecuencias) y alta frecuencia (provocados por corrientes EMI). Se ha demostrado que los errores de referencia pueden ser utilizados para la inclusión de realimentación mixta tensión-corriente que se activa en el caso de conectar en la salida cargas complejas (caso de cargas electroacústicas reales). Capítulo 6 Conclusiones y Líneas Futuras Índice General 6.1 Conclusiones. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 215 6.1.1 Capítulo 1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 215 6.1.2 Capítulo 2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 216 6.1.3 Capítulo 3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 216 6.1.4 Capítulo 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 217 6.1.5 Capítulo 5. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 219 6.1.6 Publicaciones y Proyectos. . . . . . . . . . . . . . . . . . 220 6.2 Líneas Futuras de Investigación. . . . . . . . . . . . . . . . 221 6.2.1 Sistemas de Alimentación Conmutados de Bajo EMI. . 221 6.2.2 Amplificadores Lineales de Alta Inmunidad. . . . . . . 222 214 Conclusiones y Líneas Futuras 6.1 Conclusiones. 215 6.1 Conclusiones. En esta tesis se ha mostrado de forma directa los problemas de las interferencias de alta frecuencia, problemas EMI, que afectan de forma muy importante a los sistemas de potencia lineales. Desde la experiencia anterior (más de diez años) que dispone el autor de la investigación en el campo de la electrónica de potencia, tanto en aplicaciones de conmutación en alta frecuencia, como en aplicaciones lineales de baja frecuencia, se ha tratado de plantear y resolver el problema EMI en los sistemas electrónicos de amplificación de señales de baja frecuencia. Los resultados de la investigación han sido posibles gracias a la instrumentación específica con la que se ha equipado el Laboratorio de Investigación del Departamento de Ingeniería Electrónica en los últimos años. Destaquemos, por ejemplo, el analizador de espectros, generador de seguimiento, generador de radiofrecuencia, analizador vectorial, osciloscopio digital, sondas de corriente de alta frecuencia, red LISN, sondas de campo próximo, antena de banda ancha, etc. Con la nueva instrumentación es de esperar que la investigación se extienda y profundice en cada una de las líneas que se han comenzado con esta tesis. En cada uno de los capítulos anteriores se incluía como punto final las conclusiones detalladas de la investigación realizada. Por ello, en este capítulo sólo vamos a resumir las principales conclusiones de cada uno de los capítulos, destacando en cada caso las aportaciones originales del autor. Debido a la diversidad de aspectos tratados a lo largo de la investigación, vamos a ordenar por capítulos las principales conclusiones y aportaciones originales del autor. 6.1.1 Capítulo 1. En este capítulo introductorio se ha definido el sistema objeto de la investigación realizada, mostrando los problemas generales observados que motivaron la investigación, centrándola en el problema de interferencias de alta frecuencia. Se ha analizado de forma general el estado actual de las investigaciones en el campo de la Compatibilidad Electromagnética, comentando las referencias encontradas en la bibliografía más próximas al campo investigado. 216 Conclusiones y Líneas Futuras 6.1.2 Capítulo 2. En este capítulo se ha descrito el entorno de medidas de interferencias EMI que se utiliza en los capítulos posteriores y se hace un repaso rápido de la normativa sobre EMC aplicable a los sitemas electrónicos objeto de la tesis. Así, se describe el entorno montado para medida con LISN de interferencias conducidas a la red eléctrica, la medida con sondas de corriente de alta frecuencia, con sondas de campo próximo (campo eléctrico y campo magnético) y la medida de interferencias radiadas con la antena de banda ancha. En la parte final de este capítulo se analiza la normativa vigente sobre compatibilidad electromagnética de caracter genérico y la referida a los sistemas electrónicos tratados en la tesis, tanto en los límites de emisión como en los requerimientos de inmunidad. Se critica los límites permisivos en emisión y las lagunas normativas en requerimientos de inmunidad. La aportación original de este capítulo consiste en el diseño, construcción física y caracterización de tres sondas diferentes de corriente de alta frecuencia. Estas sondas han sido comparadas con sondas comerciales de coste mucho más elevado demostrando su utilidad en la medida de interferencias. Además, con estas sondas realizadas se permite extender el rango de frecuencia en la medida de interferencias conducidas (más elevado que con las sondas comerciales que se dispone). 6.1.3 Capítulo 3. En este capítulo se han caracterizado las interferencias que pueden afectar al sistema lineal de potencia desde el sistema de alimentación básico no regulado incluido en los amplificadores de potencia comerciales. Se han registrado las diferentes interferencias externas que proceden de la red eléctrica, justificando los posibles mecanismos de acoplamiento de estas interferencias con el amplificador. Se ha estudiado la forma en que cada uno de los componentes utilizados en el sistema de alimentación puede afectar a la propagación. En especial, se ha estudiado el efecto del transformador de red en el acoplamiento de interferencias entre primario (red) y secundario (carga). Como caso particular, se ha registrado el perfil de interferencias que se tiene en el entorno de laboratorio donde se ha realizado la investigación, así como la variación temporal de las interferencias externas. En este mismo capítulo se han analizado las interferencias internas generadas por el sistema de alimentación básico no regulado. Se ha demostrado que 6.1 Conclusiones. 217 las interferencias son generadas en el corte de los diodos rectificadores de red que son utilizados en estas aplicaciones. Se ha mostrado que el cambio de topología rectificadora no afecta sensiblemente a la reducción de corrientes EMI y que algunas de las soluciones clásicas son poco eficaces, incluso perjudiciales. Por el contrario, se ha demostrado que el uso de diodos rápidos en topologías clásicas modificadas permite la supresión de interferencias de alta frecuencia inyectadas en red. Como aportaciones principales de este capítulo, destacamos las siguientes: • Introducción del problema EMI asociado a la alimentación clásica no regulada. En los diseños comerciales de amplificadores lineales de potencia de baja frecuencia no se considera la presencia de interferencias de alta frecuencia que se pueden acoplar desde la red eléctrica. • Caracterización de interferencias externas que se pueden acoplar desde la red eléctrica. Medida de perfiles de interferencias externas en un entorno real de trabajo, evolución temporal, y dependencia con el tipo de instalación. • Caracterización de las interferencias internas en diferentes topologías rectificadoras en sistemas de alimentación simétricos no regulados para amplificadores de potencia lineales. Efectos de cada uno de los componentes internos y ensayo de soluciones convencionales. • Supresión de interferencias internas con modificaciones de topologías rectificadoras clásicas utilizando diodos rápidos en serie. Se propone el puente rectificador de seis diodos rápidos como solución eficaz en la supresión de interferencias internas. • Crítica de los filtros EMI comerciales en su aplicación para amplificadores de potencia. Diseño y realización de filtros EMI especiales de banda ancha para atenuación de interferencias propagadas en modo común. Paralelamente, justificación y diseño de un chasis doblemente apantallado para los amplificadores de potencia. • Aplicación de todas las aportaciones anteriores en los prototipos amplificadores APL1 y APL2, desarrollados para el proyecto de colaboración industrial APLAIRE. 6.1.4 Capítulo 4. En este capítulo se ha analizado el problema EMI de los sistemas de alimentación conmutados en alta frecuencia especialmente diseñados para la alimentación de un amplificador de potencia lineal. 218 Conclusiones y Líneas Futuras Para esta investigación, se han montado dos sistemas diferentes conmutados en alta frecuencia, denominados SAD (Sistema de Alimentación Distribuido) y SACAP (Sistema de Alimentación Conmutado para Amplificador de Potencia), cuyo comportamiento se ha caracterizado en baja y alta frecuencia (EMI). Con el sistema SAD se determinó las contribución de los principales bloques funcionales internos en las interferencias inyectadas en red y medidas con red LISN. Se ha determinado que al introducir el sistema de alimentación conmutado se tiene un problema EMI muy importante (se superan los límites de emisión permitidos) que resulta especialmente difícil de suprimir. En especial, se ha visto que las técnicas de conmutación suave ensayadas son poco eficaces en la supresión de interferencias EMI respecto a la complejidad adicional de su diseño eléctrico. También se ha visto que el circuito de conmutación corrector de factor de potencia, necesario para la reducción de armónicos de corriente en baja frecuencia, crea un importante problema EMI en alta frecuencia. Por otra parte, el sistema SACAP se ha diseñado especialmente, dentro del proyecto industrial APLAIRE, para atenuar las interferencias de alta frecuencia generadas en la alimentación conmutada de amplificadores de potencia. Con este objetivo, se ha extendido el rango de frecuencias medidas en las interferencias conducidas a la red y a la carga, muy por encima del límite fijado por las normas EMC. En este sistema SACAP se han incluido diferentes métodos para reducción de la generación y acoplamiento de las interferencias de alta frecuencia que resultan especialmente eficaces. Así, con estas técnicas de supresión de interferencias, se puede incluir el sistema desarrollado como alternativa en la alimentación de amplificadores, sin producir problemas por las interferencias de alta frecuencia. Como aportaciones principales de este capítulo, destacamos las siguientes: • Diseño, realización física y caracterización del comportamiento eléctrico de los sistemas SAD y SACAP. • Medida y caracterización de interferencias de alta frecuencia en los sistemas SAD y SACAP. Efectos EMI de cada uno de los bloques funcionales internos y de la forma de funcionamiento interno. • Evaluación de efectos de reducción de interferencias de dos circuitos auxiliares diferentes de conmutación suave. • Soluciones de diseño interno en los diferentes circuitos de conmutación de SACAP que reducen de forma importante la generación y propagación de interferencias de alta frecuencia. 6.1 Conclusiones. 219 • Técnicas de filtrado y apantallado EMI externos especiales que reducen de forma importante el acoplamiento de interferencias hacia la red y la carga. • Aplicación industrial en el proyecto APLAIRE de todas las aportaciones originales investigadas a lo largo de este capítulo. 6.1.5 Capítulo 5. En este capítulo se han caracterizado la generación y propagación de interferencias en los sistemas de amplificadores lineales de potencia que no se deben directamente a los sistemas de alimentación (tratados en el capítulo 3 y 4) y se han medido los efectos de interferencias en dos amplificadores diferentes. En primer lugar se han medido las interferencias EMI que se generan por los actuales reproductores digitales de señal de baja frecuencia (reproductor de CD). Se ha caracterizado el origen de las interferencias en la fuente digital de señal, su forma de acoplamiento con el exterior, y la distribución espectral típica. Se justifica con estas medidas la presencia de interferencias conducidas de muy alta frecuencia que pueden ser aplicadas directamente en la entrada del amplificador de potencia. Aunque no es objeto inicial de la investigación, se proponen soluciones a estas interferencias que se muestran muy eficaces cuando se incluyen en un reproductor de CD comercial seleccionado. A continuación, se ha caracterizado el comportamiento frente a interferencias de alta frecuencia aplicadas en la entrada de dos prototipos diferentes de amplificadores, APL1 y APL2, que se han construido especialmente para el proyecto APLAIRE. Se ha determinado que las interferencias en la entrada de estos sistemas son especialmente perjudiciales cuando se modulan en amplitud o en frecuencia. Se ha registrado la forma en que aparecen componentes parásitas demoduladas de baja frecuencia en la salida de estos amplificadores, que producen distorsión directa sobre la señal de baja frecuencia procesada. En tercer lugar, se ha montado y caracterizado el comportamiento eléctrico en baja y alta frecuencia de una carga electroacústica real de muy alta definición. Se ha determinado con las medidas realizadas que la carga real posibilita la propagación de interferencias de alta frecuencia en diferentes modos, y que el comportamiento en alta frecuencia difiere de forma muy importante del comportamiento medido en baja frecuencia. Se ha propuesto un modelo simple para alta frecuencia de la carga electroacústica montada, determinando con las medidas su rango de validez. Por último, se han analizado los efectos de la realimentación de masa en los circuitos amplificadores. Se ha visto que estos sistemas son especialmente 220 Conclusiones y Líneas Futuras susceptibles a los errores de referencia en las pistas de masa, tanto en baja como en alta frecuencia. Se ha propuesto una forma original donde puede ser utilizado el error de referencia en la masa de retorno de carga para el control de cargas complejas. Por último, se incluyen elementos de filtrado EMI en la conexión de la carga para que las interferencias de salida no afecten en la entrada del amplificador. En resumen, como aportaciones originales de este capítulo, se destacan las siguientes: • Caracterización y supresión de interferencias de alta frecuencia generadas en reproductores digitales de señal (reproductor de CD). • Caracterización de efectos EMI de señales de radiofrecuencia, moduladas de diferente forma, aplicadas en la entrada de diferentes amplificadores de potencia que han sido construidos como prototipos de laboratorio. • Construcción de carga electroacústica real en la que se ha medido y modelado el comportamiento eléctrico en baja y alta frecuencia, tanto global como de cada uno de sus componentes internos. • Análisis del problema de errores de masas en los amplificadores de potencia. Efectos en baja y alta frecuencia de la realimentación de masa. • Propuesta de realimentación mixta, utilizando el error de masa, para el control de amplificadores de potencia excitando cargas complejas. • Inclusión de filtrado EMI especial en la conexión de la carga. 6.1.6 Publicaciones y Proyectos. En el transcurso de la investigación que se presenta en esta tesis, se han realizado las siguientes publicaciones y proyectos de colaboración: • Una publicación en revista internacional ([21]. • Once presentaciones en congresos internacionales ([17], [19], [20], [22], [23], [24], [127], [132], [133], [130], [131]). • Cinco presentaciones en congresos nacionales ([134], [129], [128], [126], [18]). • Dos proyectos de colaboración industrial. • Un proyecto de investigación subvencionado. Así mismo, directamente vinculados a la investigación realizada, se han dirigido ocho proyectos final de carrera. 6.2 Líneas Futuras de Investigación. 221 6.2 Líneas Futuras de Investigación. La complejidad y extensión de la investigación experimental realizada aporta una base fundamental sobre la que desarrollar la investigación futura, en la que el autor está muy interesado y ve diferentes posibilidades. La proliferación de diferentes sistemas electrónicos conmutando en alta frecuencia (convertidores de potencia, ordenadores personales, sistemas de telecomunicación, etc.) incrementa continuamente el nivel de contaminación electromagnética ambiental en entornos urbanos desarrollados. Por otra parte, las nuevas tecnologías de los sistemas electrónicos (circuitos de mayor escala de integración, menor tensión de alimentación, circuitos mixtos digitalanalógico, etc.) elevan la susceptibilidad a interferencias, especialmente en los circuitos analógicos que procesan señales débiles. Se requiere, por tanto, avanzar en las técnicas de supresión de interferencias que permitan el correcto funcionamiento de los diferentes sistemas y el cumplimiento de las, cada vez más extensas y exigentes, normas EMC. Como resultado de la investigación presentada en esta tesis, se abren las siguientes líneas de futura investigación: 6.2.1 Sistemas de Alimentación Conmutados de Bajo EMI. En esta línea de investigación, el criterio de máximo rendimiento en la conversión de potencia debe ser supeditado al de bajo nivel de interferencias para su aplicación en sistemas muy susceptibles a interferencias. Dentro de esta línea de investigación, se pueden plantear las siguientes posibilidades: • Inclusión de técnicas de supresión de interferencias en topologías clásicas de convertidores conmutados de potencia. Por ejemplo, construcción especial de transformadores de alta frecuencia para reducción de acoplamiento EMI entre primario y secundario. • Investigación de nuevas topologías que reduzcan el nivel de interferencias internas generadas sin penalizar el rendimiento de la conversión de potencia. • Investigación de nuevas estrategias de control que reduzcan las interferencias generadas en los circuitos de potencia. • Investigación de los efectos de interferencias internas en el circuito de control provocadas por las conmutaciones en el circuito de potencia. 222 6.2.2 Conclusiones y Líneas Futuras Amplificadores Lineales de Alta Inmunidad. En esta tesis se ha demostrado la enorme influencia de las interferencias de alta frecuencia en el comportamiento eléctrico de sistemas electrónicos que se diseñan exclusivamente para procesar y amplificar señales de baja frecuencia. Esto hace que, en la práctica, la calidad de funcionamiento de estos sistemas venga determinado por el problema EMI presente en la instalación: generación y acoplamiento de interferencias sobre elementos susceptibles a las mismas. Dentro de esta línea de investigación, se pueden plantear las siguientes posibilidades: • Investigación de susceptibilidad a interferencias de diferentes topologías de amplificadores lineales de señal y de potencia. • Investigación de técnicas internas de supresión de interferencias de alta frecuencia en amplificadores lineales. • Investigación de amplificadores conmutados de potencia con muy bajo nivel de interferencias generadas. • Investigación de supresión de interferencias en los nuevos reproductores digitales de señal de audio de muy alta definición (SACD y DVD-Audio). Bibliografía [1] "MOSPOWER Applications handbook". Siliconix, 1984. [2] "Semiconductor Databook and Application Notes". 1989. Unitrode, [3] "Ferrites and Accessories". Siemens, 1991. 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