Download Sección de Electrónica del Estado Sólido

SECCIÓN DE ELECTRÓNICA
DEL ESTADO SÓLIDO
Personal académico y temas de investigación
Mario Alfredo Reyes Barranca. Investigador Titular y Jefe de la Sección.
Doctor en Ciencias (1998) Cinvestav.
Temas de investigación: Memorias MOS de compuerta flotante para
redes neuronales artificiales. Diseño de circuitos integrados analógicos.
Lógica difusa.
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René Asomoza Palacio. Investigador Titular. Doctorado de Estado (Física
del Estado Sólido, 1980) Universidad de París, Orsay, Francia.
Temas de investigación: Difracción de rayos X. Propiedades de transporte
eléctrico de semiconductores. Semiconductores no cristalinos. Espectrometría
de masas de iones secundarios.
[email protected]
Alejandro Ávila García. Investigador Titular. Doctor en Ciencias (1997)
Cinvestav.
Temas de investigación: Silicio amorfo hidrogenado, producción de películas
y su caracterización óptica y eléctrica. Caracterización en general de
semiconductores. Niveles profundos en semiconductores y su caracterización
por DLTS.
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Antonio Cerdeira Altuzarra. Investigador Titular. Doctor en Ciencias Técnicas (1977) Instituto Politécnico Noroccidental de Leningrado, Rusia.
Temas de investigación: Desarrollo y estudio de dispositivos semiconductores
y circuitos integrados. Desarrollo y caracterización de sensores semiconductores
de radiación y presión. Transistores TFT.
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Arturo Escobosa Echavarría. Investigador Titular y Jefe del Departamento
de Ingeniería Eléctrica (hasta abril de 2003). Doctor en Ingeniería (1983) Escuela Técnica Superior de Renania Westfalia, Aachen, Alemania.
Temas de investigación: Crecimiento epitaxial de compuestos III-V. Caracterización de semiconductores, dispositivos optoelectrónicos.
[email protected]
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Magali Estrada del Cueto. Investigadora Titular. Doctora en Ciencias (1977) Instituto Politécnico Noroccidental
de Leningrado, Rusia.
Temas de investigación: Diseño y tecnología de dispositivos semiconductores de silicio y circuitos integrados.
Métodos de obtención y caracterización de capas dieléctricas y semiconductoras y de estructuras en base a ellas.
Obtención, caracterización y aplicación de detectores de radiación en base a silicio. Transistores TFT.
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Felipe Gómez Castañeda. Investigador Titular. Doctor en Ciencias (1996) Cinvestav.
Temas de investigación: Diseño analógico VLSI. Redes neuronales artificiales.
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Yuriy Alekseevich Kudriavtsev. Investigador Titular. Doctor en Física Electrónica (1998) Leningrad Politechnical
Institute, Leningrado, Rusia.
Temas de investigación: Fenómeno de pulverización (sputtering). Emisión de moléculas. Pulverización preferencial. Modificación de la composición superficial. Análisis de cuerpos sólidos por SIMS. Cuantificación de impurezas. Estructuras en capas. Razón isotópica.
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Arturo Maldonado Álvarez. Investigador Titular. Doctor en Ciencias (1997) Cinvestav.
Tema de investigación: Óxidos semiconductores obtenidos por rocío químico.
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Yasuhiro Matsumoto Kuwabara. Investigador Titular. Doctor en Ciencias (1990) Universidad de Osaka,
Japón.
Temas de investigación: Celdas solares de películas delgadas a base de silicio amorfo hidrogenados. Transistores de películas delgadas.
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Jaime Mimila Arroyo. Investigador Titular. Doctor en Ciencias (1978) Université Pierre et Marie Curie, París,
Francia.
Temas de investigación: Epitaxia de películas delgadas de materiales semiconductores GaAs, InP, GaN, BN.
Crecimiento de semiconductores en cristal masivo. Caracterización de propiedades ópticas y eléctricas de materiales semiconductores. Diodos emisores de luz, transistores, MES-FET, celdas solares.
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Arturo Morales Acevedo. Investigador Titular. Doctor en Ciencias (1987) Cinvestav.
Temas de investigación: Celdas solares. Física de dispositivos. Semiconductores. Sistemas fotovoltaicos. Instrumentación electrónica.
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José Antonio Moreno Cadenas. Investigador Titular. Doctor en Ingeniería (1976) Institut National Politechnique
du Grenoble, Francia.
Temas de investigación: Diseño de sistemas VLSI. Lógica difusa. Redes neuronales artificiales.
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Ma. de la Luz Olvera Amador. Investigadora Titular. Doctora en Ciencias (1998) Cinvestav.
Temas de investigación: Películas delgadas de óxidos semiconductores. Sensores de gases. Celdas solares.
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ELECTRÓNICA DEL ESTADO SÓLIDO
Mauricio Ortega López. Investigador Adjunto. Doctor en Ciencias (1999) Cinvestav.
Temas de investigación: Síntesis de materiales semiconductores por métodos químicos. Desarrollo de celdas
solares fotovoltaicas. Investigación básica en celdas solares.
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Ramón Peña Sierra. Investigador Titular. Doctor en Ciencias (Ingeniería Eléctrica, 1990) Cinvestav.
Temas de investigación: Crecimiento y caracterización de películas epitaxiales semiconductoras de la familia IIIV por MOCVD. Dispositivos optoelectrónicos. Diodos emisores de luz de GaAs-GaAlAs. Láseres de semiconductor.
[email protected]
Rodolfo Quintero Romo. Investigador Auxiliar. Maestro en Ciencias (1978) Universidad del Noreste, Sendai,
Japón.
Temas de investigación: Simulación de dispositivos con semiconductores. Prospección tecnológica.
[email protected]
Gabriel Romero Paredes Rubio. Investigador Titular. Doctor Ingeniero (1984) Instituto de Semiconductores de
la Escuela Superior Técnica de Renania Westfalia, Aachen, Alemania.
Temas de investigación: Dispositivos semiconductores de silicio y silicio poroso. Caracterización de semiconductores. Procesos tecnológicos de circuitos integrados de silicio.
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Víctor Manuel Sánchez Reséndiz. Investigador Adjunto. Maestro en Ciencias (1979) Cinvestav.
Temas de investigación: Crecimiento de cristales masivos por la técnica Czochralski. Crecimiento de películas
epitaxiales por la técnica MOCVD.
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Elyukhin Vyacheslav Aleksandrovitch. Investigador Titular. Doctor en Física y Matemáticas (1995) Academia
de Ciencias de Rusia A. F. Ioffe, San Petersburgo, Rusia.
Temas de investigación: Crecimiento de películas delgadas de semiconductores compuestos con aplicaciones en
optoelectrónica. Estudio de la termodinámica del depósito de películas delgadas. Dispositivos optoelectrónicos a
base de compuestos III-V.
[email protected]
Programas de estudio
La Sección de Electrónica del Estado Sólido participa en los programas de estudios de Maestría en Ciencias y de
Doctorado en Ciencias en la especialidad de Ingeniería Eléctrica, los cuales están registrados como posgrados de
Alto Nivel en el Padrón Nacional de Posgrado.
Maestría
Inicio: Primer lunes de septiembre.
Duración: 6 cuatrimestres.
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Objetivo: Este programa tiene por objeto la formación de recursos humanos de alto nivel en el área de la Electrónica del Estado Sólido, donde los estudiantes adquieran una visión amplia, una formación sólida y sean capaces de
resolver problemas de ingeniería en el campo de los materiales semiconductores, dispositivos electrónicos, diseño de
circuitos integrados, sistemas asociados a éstos, aplicaciones y áreas afines.
Requisitos de admisión
• Estar titulado o ser pasante de una licenciatura en algunas de las ramas de la ingeniería o ciencias físicomatemáticas o demostrar haber cursado estudios equivalentes en México o en el extranjero.
• Dirigir a la Coordinación Académica de la sección, una solicitud de admisión donde exprese sus deseos y
motivaciones para realizar su maestría.
• Entregar los siguientes documentos a la Coordinación Académica:
-Curriculum vitae (con una copia fotostática de los documentos que acrediten la información).
-Dos cartas de recomendación académica.
-Cuatro fotografías tamaño infantil.
-Aprobar los cursos propedéuticos o realizar directamente los exámenes de ingreso en: circuitos
eléctricos y electrónicos, matemáticas y física moderna.
-Sostener una reunión con el Comité de Admisión de la sección.
Cursos propedéuticos y exámenes de admisión
El objetivo de estos cursos es el de proporcionar al estudiante los elementos teóricos mínimos iniciales necesarios
para obtener un buen desempeño en el programa de la maestría. Los cursos que se ofrecen son: matemáticas, física
moderna, circuitos eléctricos y electrónicos. Los temarios se entregarán a solicitud.
Estos cursos se imparten durante un mes entre junio y julio, una semana después se realizan los exámenes de
admisión.
Becas: EL Cinvestav apoya el trámite de beca ante Conacyt o alguna otra institución otorgante de todos los
candidatos admitidos a la maestría. Los requisitos corresponden a los de las instituciones otorgantes.
Programa de estudios
Los estudios están organizados en seis cuatrimestres. Se requiere cumplir como mínimo un total de doce asignaturas-créditos y cuatro proyectos de tesis, programados de la siguiente manera:
Primer cuatrimestre (4 asignaturas)
•
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•
•
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Física de semiconductores
Tecnología de semiconductores 1
Dispositivos semiconductores 1
Circuitos lógicos
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Segundo cuatrimestre (4 asignaturas)
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Microelectrónica
Simulación electrónica
Tecnología de semiconductores 2*
Dispositivos semiconductores 2*
Sistemas neurodifusos 1*
Proyecto de Tesis 1
Tercer cuatrimestre (4 cursos optativos + 1 proyecto de tesis)
•
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•
Diseño de circuitos integrados 1*
Propiedades ópticas de los semiconductores *
Sistemas neurodifusos 2*
Superficies e interfaces*
Celdas solares*
Dispositivos optoelectrónicos*
Películas delgadas*
Diseño de circuitos integrados 2*
Sistemas neurodifusos 3*
Proyecto de tesis 2
Cuarto cuatrimestre
• Proyecto de tesis 3
Quinto cuatrimestre
• Proyecto de tesis 4
Sexto cuatrimestre
• Proyecto de tesis 5
(*) Materias optativas, se seleccionan con el asesor de acuerdo con el área de trabajo elegida por el estudiante.
Los programas se podrán complementar con cursos que ofrecen otras secciones o departamentos del Cinvestav u
otras instituciones, siempre y cuando estén reconocidas para nivel de posgrado.
Proyectos de tesis: Al final del primer cuatrimestre los estudiantes eligen el proyecto de tesis, de entre los temas
que ofrecen los diferentes grupos de investigación. Previamente los estudiantes podrán conocer las diferentes
áreas y a los especialistas.
El trabajo de tesis tendrá una duración mínima de cinco cuatrimestres. La maestría concluye con la escritura de una
tesis que debe ser aprobada en examen abierto ante un jurado especialmente designado por el Colegio de Profesores de la Sección de Electrónica del Estado Sólido.
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Áreas de investigación
1. Materiales semiconductores: Síntesis y Caracterización.
• Síntesis de películas semiconductoras por las técnicas:
• Depósito químico en fase vapor simple (CVD), auxiliado
por plasma (PECVD), con metal-orgánicos (MOCVD)
y por erosión catódica (sputtering).
• Depósito de rocío químico.
• En fase vapor a corta distancia (CSVT).
• Obtención de capas epitaxiales y estructuras nanométricas para dispositos
electroluminiscentes.
• Estudio de propiedades eléctricas y ópticas en semiconductores y óxidos
semiconductores.
• Estudio de nuevos materiales: silicio poroso y semiconductores compuestos para
celdas solares.
2. Dispositivos semiconductores: diseño, fabricación, caracterización y modelación.
• Uniones P-N, transistores y heterouniones.
• Dispositivos electroluminiscentes: diodos emisores de luz
y diodos Laser.
• Celdas solares.
• Dispositivos de efecto de campo: MESFET.
• Transistores de películas delgada: TFT.
• Sensores de radiación con silicio cristalino y amorfo.
• Sensores químicos de gases.
3. Diseño de circuitos integrados VLSI. Concepción, diseño, caracterización y evaluación de circuitos
integrados.
• Diseño de sistemas digitales, empleando PLD’S y FPGA’s (VLSI).
• Aplicaciones de lógica difusa.
• Diseño de redes neuronales artificiales.
• Reconocimiento de patrones, sistemas autónomos y codificación.
• Diseño de circuitos neurodifusos.
Escala de calificaciones: Los cursos se evaluarán con una escala numérica que va del 0 al 10. La calificación
mínima aprobatoria será de 7. Una calificación reprobatoria será causa de baja definitiva como estudiantes de la
maestría.
Requisitos de permanencia
Es responsabilidad del estudiante solicitar la inscripción al inicio de cada período escolar, de acuerdo con el manual
de procedimientos.
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ELECTRÓNICA DEL ESTADO SÓLIDO
Un estudiante podrá estar inscrito hasta por 12 meses adicionales a la duración establecida en el programa de
estudios correspondiente. En caso de excederse de este período, causará baja temporal del programa respectivo. Después solamente se podrán realizar los trámites necesarios para presentar el examen de grado, de
conformidad con lo establecido en el capítulo XIII del Reglamento General de Estudios de Posgrado del
Cinvestav.
Para obtener el grado, el tiempo mínimo de permanencia del estudiante en el Centro dentro de un programa es de 12
meses.
Requisitos para la obtención del grado académico
• Poseer el título profesional de licenciado o pasante.
• Aprobar los cursos del programa con un promedio no inferior a 8.
• Preparar los resultados obtenidos en forma de tesis.
• Aprobar el examen de grado oral sobre la tesis.
Período de solicitud para la admisión
El período de solicitud de admisión al programa de maestría está abierto hasta el mes de abril.
Cursos propedéuticos y exámenes de admisión
Inicio: primera semana de mayo
El objetivo de estos cursos es el de proporcionar al estudiante los elementos teóricos mínimos necesarios para
obtener un buen desempeño en el programa de maestría. Los cursos que se ofrecen son:
•
•
•
•
Matemáticas.
Física moderna.
Circuitos eléctricos y electrónicos.
Teoría electromagnética.
Los temarios de estos cursos se entregarán a solicitud del interesado y se les pueden enviar por correo, fax o correo
electrónico.
Fecha de aplicación del examen global: segunda semana de julio.
Doctorado directo. Los alumnos de maestría con rendimiento sobresaliente, después de un año pueden optar por
el programa de doctorado directo.
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Doctorado
Se ofrece en dos modalidades: programa regular y programa de doctorado directo.
Requisitos de admisión
• Tener el grado de maestría en ingeniería eléctrica o algun área afín con promedio mínimo de 8 (programa
regular) o
• Haber cursado el 100% de los cursos de maestría de la SEES habiendo obtenido un promedio mínimo de 9
(Doctorado directo).
• Presentar propuesta de investigación avalada por un investigador miembro del Colegio de Profesores de la
sección.
Tiempo de residencia: Los estudiantes son admitidos en calidad de estudiantes de tiempo completo. El período
mínimo de residencia es de un año y el máximo no deberá exceder a los cuatro años.
Avance del trabajo de tesis
El estudiante deberá:
• Entregar un reporte semestral de su trabajo de tesis. Este reporte deberá estar avalado por escrito por su
asesor y ser aprobado por el Comité de Doctorado. Todos los reportes pasarán al expediente de progreso
académico del estudiante. Cuando el estudiante no entregue dos reportes consecutivos, será dado de baja del
programa de doctorado.
• Presentar anualmente un seminario abierto sobre su trabajo de investigación.
Requisitos de permanencia
Es responsabilidad del estudiante solicitar la inscripción al inicio de cada período escolar, de acuerdo con el manual
de procedimientos.
Un estudiante podrá estar inscrito hasta por 12 meses adicionales a la duración establecida en el programa de
estudios correspondiente. En caso de excederse de este período, causará baja temporal del programa respectivo.
Después solamente se podrán realizar los trámites necesarios para presentar el examen de grado, de conformidad
con lo establecido en el capítulo XIII del Reglamento General de Estudios de Posgrado del Cinvestav.
Para obtener el grado, el tiempo mínimo de permanencia del estudiante en el Centro dentro de un programa es de 12
meses.
Requisitos para obtener el grado académico
• Aprobar, con un promedio mínimo de 8, los cursos de su programa de estudios.
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ELECTRÓNICA DEL ESTADO SÓLIDO
• Demostrar dominio del idioma inglés.
• En base a su trabajo de investigación, redactar y presentar una tesis escrita. El trabajo de investigación
deberá ameritar su publicación a nivel internacional.
• Defender oralmente su tesis ante un jurado, el cual estará integrado por el Comité de Doctorado, un profesor
del departamento y un profesor invitado externo al departamento.
Doctorados interdisciplinarios
El estudiante podrá tener un asesor externo, siempre que su trabajo experimental lo realice principalmente en el
Departamento de Ingeniería Eléctrica.
Estudiantes especiales
• Son estudiantes externos al departamento y podrán tomar los cursos de doctorado que aquí se imparten.
Los estudiantes que hayan cubierto sus créditos académicos en otras instituciones podrán, a juicio del Colegio de
Profesores, realizar una tesis y obtener el grado de doctor en ciencias. La residencia mínima deberá ser de un año
a tiempo completo.
Publicaciones de los investigadores
Artículos publicados en extenso en revistas de prestigio internacional, con arbitraje
estricto
Águilar-Hernández, J., Contreras-Puente, G., Morales-Acevedo, A., Vigil-Galán, O., Cruz-Gandarilla,
F., Vidal-Larramendi, J., Escamilla-Esquivel, A., Hernández-Contreras, H., Hesiquio-Garduño, M., AriasCarbajal, A., Chavarría-Castañeda, M. y Arriaga-Mejía, G. Photoluminescence and structural properties of
CdS thin films grown by different techniques. Semiconductor Science and Technology (2003) 18(2): 111.
Albor Aguilera, M.L., Ortega-López, M., Sánchez Reséndiz, V.M., Aguilar Hernández, J. y González
Trujillo, M.A. Some physical properties of chalcopyrite and orthorhombic AgInS2 thin films prepared by spray
pyrolysis. Materials Science and Engineering (2003) B102: 380.
Alexandrov, O.V., Yu, A., Nikolaev, N., Sobolev, A., Asomoza, R., Yu, K., Villegas, A. y Godínes, A.
Redistribution of yterbium and oxygen during annealing of silicon layer amorphized by implantation. Semiconductors
(2003) 37( I.12): 1363.
Ávila, G., Carvajal F., A., Tiburcio, S., Barrera, E. y Andrade, I. a-Fe2O3 films grown by the spin-on sol-gel
deposition method. Revista Mexicana de Física (2003) 49(3): 219.
Barrera, E., Ávila, A., Mena, J., Lara, V.H., Ruiz, M. y Méndez-Vivar, J. Synthesis of cobalt-silicon oxide
thin films. Solar Energy Materials and Solar Cells (2003) 76: 387.
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Cruz-Gandarilla, F., Morales-Acevedo, A., Vigil, O., Hesiquio-Garduño, M., Vaillant, L. y ContrerasPuente, G. Micro-structural characterization of annealed cadmium-zinc oxide thin films obtained by spray pyrolysis.
Materials Chemistry and Physics (2003) 78(3): 840.
Elyukhin, V.A., García-Salgado, G., Peña-Sierra, R. y Nikishin, S.A. Thermodynamic model of low temperature
molecular beam epitaxy GaN with hydrazine. J. Appl. Phys. (2003) 93: 5185.
Elyukhin, V.A., Nikishin, S.A. y Temkin, H. Energy of antisite defects in chalcopyrites. Crystal Growth &
Design (2003) 3(5): 773.
Elyukhin, V.A., Sorokina, L.P. y Rodríguez de Santiago, M. Spinodal decomposition range of AlxGa1-xNyAs1-y
alloys. J. Appl. Phys. (2003) 94: 6346.
Estrada, M., Afzalian, A., Flandre, D., Cerdeira, A., Baez, H. y De Luca, A. FD MOS SOI circuit to
enhance the ratio of illuminated to dark current of a co-integrated a-Si:H photodiode. Microelectronic
Reliability (2003) 43: 189.
García, R., Estrada, M. y Cerdeira, A. Effects of impurity concentration, hydrogen plasma process and
crystallization tempertature on polycrystalline films obtained from PECVD a-Si:H layers. Microelectr. Reliab.
(2003) 43: 1281.
Kudriavtsev, Yu., Villegas, A., Godines, A. y Asomoza, R. Emission of CsM+ clusters. Appl. Surf. Sci. (2003)
206: 187.
Kudriavtsev, Y., Villegas, A., Godines, A., Asomoza, R. y Usov, I. Quantitative SIMS analysis of SiC. Surf.
Interface Anal. (2003) V.35: 491.
Kuryatkov, V., Zhu, K., Borisov, B., Chandolu, A., Gherasoiu, Iu., Kipshidze, G., Chu, S.N.G., Holtz, M.,
Kudriavtsev, Yu., Asomoza, R., Nikishin, S. y Temkin, H. Electrical properties of p-n junctions based on
superlattices of AlN/AlGa(In)N. Appl. Phys. Let. (2003) 83: (N7) 1319.
Mimila-Arroyo, J. The burn-in effect on GaInP heterojunction bipolar transistors. Appl. Phys. Lett. (2003)
83: 3204.
Mimila-Arroyo, J., Cabrera, V. y Bland, S.W. Dependence of burn-in effect on thermal annealing of the
GaAs:C base layer in GaInP heterojunction bipolar transistors. Appl. Phys. Lett. (2003) 82: 2910.
Morales-Acevedo, A., Santana, G. y Morales-Tzompa, E. Electronic conduction in SiO2:N thin films grown by
thermal oxidation of silicon in N2O. Thin Solid Films (2003) 436(2): 277.
Olvera, M. de la L. y Maldonado, A. Characteristics of ZnO:Ga thin films deposited by chemical spray: effect of
the Zn and Ga precursors. Physica Status Solidi (a) (2003) 196: 410.
Ortega-López, M., Ávila-García, A., Albor-Aguilera, M.L. y Sánchez-Reséndiz, V.M. Improved
efficiency of the chemical bath deposition method during growth of ZnO thin films. Materials Research
Bulletin (2003) 38: 1241.
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ELECTRÓNICA DEL ESTADO SÓLIDO
Ortega-López, M., Vigil-Galán, O., Cruz-Gandarilla, F. y Solorza-Feria, O. Preparation of AgInS2 chalcopyrite
thin films by chemical spray pyrolysis. Materials Research Bulletin (2003) 38: 55.
Reséndiz, L., Estrada, M. y Cerdeira, A. New procedure for the extraction of a-Si:H TFTs model parameters
in the subthreshold region. Solid-State Electronics (2003) 47: 1351.
Rommeluère, J.F., Svob, L., Jomard, F., Mimila-Arroyo, J., Lusson, A., Sallet, V. y Marfaing, Y.
Electrical activity of nitrogen acceptors in ZnO films grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Appl.
Phys. Lett (2003) 83: 287.
Tinoco, J.C., Estrada, M. y Romero, G. Room temperature plasma oxidation mechanism to obtain ultrathin
silicon oxide and titanium oxide layers. Microlectr. Reliab. (2003) 43: 895.
Torchynska, T.V., Casas, J.L., Elissev, P.G., Stintz, A., Malloy, K.J. y Peña-Sierra, R. Localized excitons in
InAs self-assembled quantum dots embedded in InGaAs/GaAs multi-quantum wells. Phys.Stat.Sol. (a) (2003)
195: 209.
Torchynska, T.V., Casas-Espíndola, J.L., Velázquez Lozada, E., Elissev, P.G., Stintz, A., Malloy, K.J. y
Peña-Sierra, R. Thermal ionization of ground and multiply excited states in InAs quantum dots embedded into
InGaAs/GaAs MQW. Surface Science (2003) (532-535): 848.
Usov, I., Parikh, N., Kudriavtsev, Y., Asomoza, R., Reitmeier, Z. y Davis, R. GaN evaporation and enhanced
diffusion of Ar during high-temperature ion implantation. J. Appl. Phys. (2003) 93(N9): 5140.
Villegas, A., Kudriavtsev, Y., Godines, A. y Asomoza, R. Work function change caused by alkali ion sputtering.
Appl. Surf. Sci. (2003) (203-204): 94.
Artículos publicados en extenso en otras revistas especializadas, con arbitraje
Castillo-Ojeda, R., Galván-Arellano, M., Escobosa, A., Peña-Sierra, R. y Díaz-Reyes, J. Caracterización
de películas de AlxGa1-xAs sin impurificar crecidas por MOCVD. Superficies y Vacío (2003) 16: 1.
Leyva, K., Aceves, M., Medel, A. y Cerdeira, A. Efectos de tratamientos térmicos en las corrientes de fuga de
diodos PIN de silicio. Información Tecnológica, Chile (2003) 14(3): 123.
Luna Flores, A., Carrillo López J. y Morales Acevedo, A. Estudio de las propiedades dieléctricas de películas
de óxido de silicio crecido térmicamente en ambiente de óxido nitroso. Superficies y Vacío (2003) 16(3): 18.
Morales Acevedo, A. y Pérez Sánchez, F. Caracterización por Espectroscopía en el infrarrojo de óxidos de
silicio depositados en ambiente de N2O. Superficies y Vacío (2003) 16(2): 16.
Morales Acevedo, A. Santana, G. y Morales Tzompa, E. Conducción electrónica en capas delgadas de SiO2:N
crecidas por oxidación térmica de silicio en N2O. Superficies y Vacío (2003) 16(1): 32.
Munguía, J.E., Sánchez-R., V.M. y Estrada, M. Depósito de películas delgadas de SiO2 obtenidas por fotoCVD. Superficies y Vacío (2003) 16(2): 34.
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CINVESTAV
Artículos publicados en extenso en memorias de congresos internacionales, con
arbitraje
Aguilar, J., Matsumoto, Y., Romero, G. y Reyes, M.A. Optical mismatch in double AR coated c-Si, a simple
theoretical and experimental correlation. World Conference on Photovoltaic Energy. Osaka, Japón (2003).
Cerdeira, A., Alemán, M.A., Estrada, M., Flandre, D., Parvais, B. y Picún, G. The integral function method:
A new method to determine the non-linear harmonic distortion. Por invitación. 18th Symposium on Microelectronics
Technology and Devices, SBMicro. Sao Paulo, Brasil (2003) p. 131.
Kudriavtsev, Yu., Villegas, A., Godines, A. y Asomoza, R. The surface binding energy of particles, sputtered
from a solid. Proceedings of XVI International Conference on Ion Surface Interaction, ISI-2003, Zvenigorod. Rusia
(2003) VI, p. 130.
Kudriavtsev, Yu.,Villegas, A., Godines, A. y Asomoza, R. SIMS analysis of metal/metal and metal/semiconductor
interfaces. Proceedings of XVI International Conference on Ion Surface Interaction, ISI-2003, Zvenigorod, Rusia
(2003) VI, p. 351.
Molinar-Solís, J.E., Gómez-Castañeda, F. y Moreno-Cadenas, J.A. Low-complexity CMOS cellular neural
network for binary processing. Proceedings of the 7th World Multiconference on Systemics, Cybernetics and
Informatics, SCI2003. Orlando, FL, EUA (2003) p. 388.
Parvais, P., Cerdeira, A., Schreurs, D. y Raskin, J.P. Harmonic distortion characterization of SOI MOSFETs,
european gallium arsenide and other compound semiconductors. Application Symposium. GAAS. Munich, Alemania (2003) sesión G9, p. 1.
Parvais, P., Siligaris, A., Cerdeira, A., Schreurs, D., Danneville, F., Dambrinne, G. y Raskin, J.P. Oscillateurs
micro-ondes en technologie CMOS/SOI : etude grand signal des dispositifs et performances des circuits. 13èmes
Journes Nationales Microondes. Lille, Francia (2003) sesión 5-B-5 p. 1.
Urbano Castelán, J.A., Matsumoto, Y., Asomoza, R., Aceves Hernández, F.J., Sotelo Trujillo, A.,
Jácome Rodríguez, A., Barrera Figueroa, V., Escoto Mora, G. Martínez Muñoz, A. Nuevos resultados de
la estufa solar rural de concentración de 2.3 kW de potencia útil. International Seminar on Bioenergy & Sustainable
Rural Development. Morelia, Mich., México (2003) En disco compacto.
Urbano, J.A., Matsumoto, Y., Asomoza, R., Aceves, F.J.A., Sotelo, A. y Jacome, A. 5Wp PV modulebased stand-alone solar tracking system. World Conference on Photovoltaic Energy Conversion-3. Osaka, Japón.
(2003).
Artículos publicados en extenso en memorias de congresos locales, con arbitraje
Aguilar, J., Yasuhiro, M., Morales Acevedo, A. y Romero-Paredes, G. Análisis de la densidad de corriente
en celdas solares de silicio cristalino de una simple (SiNx) y doble (SiNx/SiO2) capa antirreflejante. Memoria de la
XXVII Semana Nacional de Energía Solar, ANES (2003) p. 227.
Medel, A.T., Aceves, M. y Cerdeira, A. Disminución de la capacitancia de entrada de un JFET compatible con
el proceso de fabricación de PIN. Cuarto Encuentro de Investigación. INAOE, México, D.F. (2003) p. 137.
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ELECTRÓNICA DEL ESTADO SÓLIDO
Los siguientes trabajos fueron presentados en la 9a. Conferencia de Ingeniería Eléctrica CIE, que tuvo
lugar en el Cinvestav, México, D.F., del 3 al 5 de septiembre de 2003.
Aguilar, J., Matsumoto, Y., Romero, G. y Reyes, M.A. Optical mismatch in double AR coated c-Si, a simple
theoretical and experimental correlation.
Alemán, M.A. y Cerdeira, A. Cálculo de la distorsión armónica no-lineal utilizando SPICE mediante el método de
la función integral. p.155.
Carvajal, J.J., Lara, C.I., Tinoco, J.C. y Estrada, M. Implementación de mediciones de corriente-voltaje a
distancia vía Internet. p. 9.
Casados C., G. y A. Reyes, B. Estudio de una memoria analógica. p. 112.
García, B., Estrada, M. y García, J. Cristalización de capas de a-Si:H y de a-SiC:H utilizando un laser excimer de
KrF. p. 163.
Gómez-Pozos, H., Olvera, M. de la L. y Maldonado, A. Películas delgadas de ZnO dopadas con galio. Efecto de la
temperatura de substrato, concentración del dopante y del recocido sobre las propiedades eléctricas y ópticas. p.150.
González Vidal, J.L., Olvera, A., M. de la L., Maldonado, A. y A. Reyes, B. Microsensor de gas de ZnO
obtenido por espray pirólisis. p. 407.
Guillén-S., Olvera, M. de la L. y Maldonado, A. Películas delgadas de ZnO:F preparadas por rocío químico.
Efecto de la cantidad de agua en la solución de partida. p. 181.
Medel, A.T., Aceves, M. y Cerdeira, A. Diseño de un JFET compatible con el proceso de fabricación del diodo
PIN, construido por triple difusión en un substrato de alta resistividad. p. 187.
Medina Santiago, A. y A. Reyes, B. Convertidor D/A con dispositivos de compuerta flotante. p. 127.
Pérez-Sánchez, G.F., García-Hurtado, M.A. y Morales-Acevedo, A. Cinética de crecimiento de películas de
SiO2:N obtenidas mediante oxidación térmica de silicio en ambiente de óxido nitroso. p. 146.
Ponce Ponce, V.H., Gómez Castañeda, F., Moreno Cadenas, J.A. y Flores Nava, L.M. Modelo para
PSpice de transistores neuMOS con acceso temporal a la compuerta flotante. p. 138.
Resúmenes de participación en congresos nacionales e internacionales
A. Ávila, G., E. Barrera, C. y L. Huerta, A. Cobalt oxide films for solar selective surfaces, obtained by spray
pyrolisis. Cartel. XII International Materials Research Congress. Cancún, Q.R., México (2003).
Barrera, E., Huerta, L., Muhl, S., Mena, J. y Ávila, A. Synthesis of black cobalt and tin oxide films by de solgel process: Surface and optical properties. Cartel ISES Solar World Congress. Göteborg, Suiza (2003).
Kudriavstev, Yu., Villegas, A., Godines, A. y Asomoza, R. SIMS analysis of metal/metal and metal/
semiconductor interfaces. XVI International Conference on Ion Surface Interaction, ISI-2003. Zvenigorod, Rusia
(2003) V1, p. 351.
361/1 3
CINVESTAV
Kudriavstev, Yu., Villegas, A., Godines, A. y Asomoza, R. The surface binding energy of particles, sputtered from
a solid. XVI Internacional Conference on Ion Surface Interaction, ISI-2003. Zvenigorod, Rusia (2003) VI, p. 130.
Morales, A. Desarrollo tecnológico para la transferencia de celdas solares de silico de alta eficiencia desde el
laboratorio hacia la línea de producción. XLVI Congreso Nacional de Física. Mérida, Yuc., México (2003).
Morales, A. Energía de activación para la re-oxidación térmica de oxinitruros de silicio. XLVI Congreso Nacional
de Física. Mérida, Yuc., México (2003).
Morales, A. On the thermal re-oxidation of silicon oxynitride. Fall Meeting, Material Research Society. Boston,
MA, EUA (2003).
Olvera, M. de la L. y Maldonado, A. Growth and characterization of ZnO:F thin films deposited by the chemical
spray technique. XII International Materials Congress. Cancún, Q.R., México (2003).
Olvera, M. de la L. y Maldonado, A. Propiedades físicas de películas delgadas de ZnO:F. XLVI Congreso
Nacional de Física. Mérida, Yuc., México (2003).
Tirado, S., Olvera, M. de la L. y Maldonado, A. Indium-doped zinc oxide thin films deposited by chemical spray
starting from zinc acetylacetonate: Effect of the alcohol and substrate temperature. XII International Materials
Congress. Cancún, Q.R., México (2003).
Villegas, A., Kudriavstev, Yu., Godines, A. y Asomoza, R. SIMS analysis of residual gas elements, 25th
Annual Symposium on Applied Surface Analysis. IL, EUA (2003) p. 74.
Los siguientes trabajos fueron presentados en el XXIII Congreso Nacional de Ciencia de Superficies y
Vacío que se realizó en Huatulco, Oax., México, del 29 de septiembre al 4 de octubre de 2003.
Galván-Arellano, M., Ramírez Cruz, Ma. A., Romero-Paredes, G., Díaz-Reyes, J. y Peña-Sierra, R.
Comportamiento del Pd como barrera de difusión para la formación de contactos óhmicos de GaSb.
Godines, A., Kudriavstev, Yu., Villegas, A. y Asomoza, R. Analytical study of organic field effect
transistors. p. 62.
Godines, A., Kudriavstev, Yu., Villegas, A. y Asomoza, R. Cs2 as internal referee signal of the sputtering yield
change during SIMS depth profiling analysis of multi-layers. p. 32.
Godines, A., Kudriavstev, Yu., Villegas, A. y Asomoza, R. SIMS analysis of thin dielectric films. p. 70.
Morales, A. Technological development for transfering high efficiency silicon solar cells into the production line.
Conferencia invitada. Simposio de Celdas Solares de Alta Eficiencia.
Morales, A. Understanding the growth kinetics of silicon oxynitride thermally deposited on silicon in N2O ambient.
Conferencia plenaria.
362/1 4
ELECTRÓNICA DEL ESTADO SÓLIDO
Romero-Paredes, G., Peña-Sierra, R., Matsumoto. K., Y. y G. Águila, R. Caracterización de silicio poroso
formado por ataque químico para su aplicación como película antireflejante en celdas solares de silicio.
Los siguientes trabajos fueron presentados por el II Internacional Applied Statiscal Physics, que tuvo
lugar en Puerto Vallarta, Jal., México, del 25 al 29 de agosto de 2003.
Elyukhin, V. Statistical thermodynamics of submolecular alloys. p. 116.
Elyukhin, V., Nikishin, S. y Temkin, H. Phase transition and antisite defect energy in chalcopyrites. p. 115.
Elyukhin, V., Peña-Sierra, R., Rivera Flores, B. y Asomoza, R. Miscibility gap of InxGa1-xSbyAs1-y submolecular
alloys. p. 118.
Elyukhin, V., Peña-Sierra, R., Rivera Flores, B. y Martínez-Juárez, J. Non-equilibrium formation of InxGa1SbyAs1-y alloys from supercooled liquid solutions. p. 115.
x
Elyukhin, V., Sorokina, L. y Nikishin, S. Precipitation in AlxGa1-xNyAs1-y submolecular alloys. p. 104.
Estudiantes que obtuvieron el grado de
maestro en ciencias en la
especialidad de ingeniería eléctrica
(opción: electrónica del estado sólido)
Luis Martín Reséndiz Mendoza. Desarrollo de métodos de extracción de parámetros para TFT’s de a-SI:H.
Tutor: Dra. Magali Estrada del Cueto. Enero 31 de 2003.
Silvestre Manrique Moreno. Crecimiento y caracterización de AlN sobre substratos de GaAs y Si por la técnica
MOCVD a baja presión. Tutor: Dr. Víctor Manuel Sánchez Reséndiz. Marzo 28 de 2003.
Jaime Aguilar Leyva. Fabricación y caracterización de celdas solares de silicio cristalino con doble capa antireflejante.
Tutor: Dr. Yasuhiro Matsumoto Kuwabara. Junio 6 de 2003.
Jacobo Esteban Munguía Cervantes. Obtención de capas de óxido de silicio (SiO2) depositadas por foto-CVD.
Tutores: Dra. Magali Estrada del Cueto y Dr. Víctor Manuel Sánchez Reséndiz. Julio 11 de 2003.
Luz Noé Oliva Moreno. Procesamiento de señales analógicas en un circuito integrado CMOS basado en
una arquitectura neuronal. Tutores: Dr. José Antonio Moreno Cadenas y Dr. Felipe Gómez Castañeda. Octubre 17 de 2003.
Miguel Ángel Lucio López. Extracción de parámetros para modelación de los transistores MOS. Tutor: Dr.
Antonio Cerdeira Altuzarra. Noviembre 7 de 2003.
363/1 5
CINVESTAV
Álvaro Anzueto Ríos. Reconocimiento de escenas visuales empleando percepción difusa. Tutores: Dr. Felipe
Gómez Castañeda y Dr. José Antonio Moreno Cadenas. Diciembre 5 de 2003.
Estudiantes que obtuvieron el grado de
doctor en ciencias en la
especialidad de ingeniería eléctrica
(opción: electrónica del estado sólido)
Fernando Chávez Ramírez. Obtención de películas de dióxido de silicio, con agregados de silicio, en un sistema de
depósito químico desde la fase vapor asistido por un filamento caliente. Tutor: Dr. Ramón Peña Sierra. Septiembre
19 de 2003.
José Luis Domínguez Hernández. Integración de conocimiento cuantitativo y cualitativo en el análisis del funcionamiento de plantas industriales en presencia de incertidumbre en la información. Tutor: Dr. José Antonio Moreno
Cadenas. Diciembre 3 de 2003.
Godofredo García Salgado. Modelos de crecimiento de GaN por MOCVD y MBE en baja temperatura. Tutores:
Dr. Viatcheslav Elioukhine y Dr. Ramón Peña Sierra. Diciembre 16 de 2003.
Distinciones
Magali Estrada del Cueto. Invitada a dar un tutorial: “Dielectrics for submicrometric devices”, en el “16th
Symposium on Microelectronics Technology and Devices”, en Sao Paulo, Brasil, septiembre.
José Arturo Morales Acevedo. Miembro invitado del comité técnico del “34th IEEE Power Electronics Specialists
Conference (PESC 2003)”, junio. “Senior Member y Distinguished Lecturer del Institute of Electrical and Electronics
Engineers (IEEE)”.
Participación en comités de evaluación
Alejandro Ávila García. Revisor de trabajos publicados en las memorias de la Novena Conferencia de Ingeniería
Eléctrica (CIE 2003), septiembre.
José Arturo Morales Acevedo. Editor asociado de “Solar Energy Journal” publicado por “Elsevier. Réferi de
Journal of Physics and Chemistry of Solids” (Elsevier Science). Árbitro de la revista “Materials Research Bulletin”,
marzo.
364/1 6
ELECTRÓNICA DEL ESTADO SÓLIDO
Proyectos financiados por agencias nacionales e internacionales
de apoyo a la ciencia
Proyecto: ALFA LABDILEIT. (2001-04).
Instituciones participantes:
Universidad de las Islas Baleares (España): Prof. Eugenio García Moreno (responsable).
Universidad Simón Bolivar (Venezuela): Dr. Adelmo Ortiz.
Instituto Nacional de Astrofísica, Optica y Electrónica (México): Dr. Roberto Murphy.
Cinvestav (México): Dra. Magali Estrada del Cueto, Dr. Antonio Cerdeira Altuzarra.
Universidad Estatal de Campinas (Brasil): Dr. Carlos Reis.
Technische Universität Ilmenau (Alemania): Dr. Frank Schwierz.
Institute National des Sciences Appliquees (Francia): Dra. Sonia Delmas.
Norwegian University of Science and Technology (Noruega): Dr. Tor Fjeldly.
Fuente de financiamiento: Comunidad Económica Europea (AML/B7-311-97/0666/II-0077A).
Proyecto: Estructuras de GaN con aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos. (2002-04).
Investigador responsable: Dr. Víctor Manuel Sánchez Reséndiz.
Fuente de financiamiento: Conacyt (ref.: 37409-A).
Proyecto: Estudio de capas de oxinitruro de silicio para su aplicación en dispositivos optoelectrónicos.
(2000-04).
Investigadores participantes: Dr. Arturo Morales A. (responsable), Dr. Gabriel Romero Paredes, Dr. Ciro Falcony,
Dr. Miguel Meléndez, Dr. Gerardo Contreras, Dr. Mariano Aceves, Dr. Jesús Carrillo, Dr. Rutilo Silva y Dra. Estela
Gómez.
Fuente de financiamiento: Conacyt (ref.: G332044).
Proyecto: Estudio y fabricación de sensores de gas con estructuras Micro Electro Mecánicas (MEM’s).
(2003-05).
Investigador responsable: Dr. Mario Alfredo Reyes Barranca.
Fuente de financiamiento: Conacyt (ref.: 41251/A-1).
Proyecto: Fabricación y estudio de películas delgadas de óxidos semiconductores para ser aplicadas
como electrodos transparentes y sensores químicos de gases. (2003-05).
Investigador responsable: Dra. María de la Luz Olvera Amador.
Fuente de financiamiento: Conacyt (ref.: 39487).
Proyecto: Obtención, caracterización y modelación de estructuras MOS con dieléctricos de alta y baja
k. (2003-05).
Investigador responsable: Dr. Antonio Cerdeira Altuzarra.
Fuente de financiamiento: Conacyt (ref.: 39708).
Proyecto: Preparación y caracterización de semiconductores para aplicaciones en recubrimientos selectivos y sensado de gases. (2002-04).
Investigador responsable: Dr. Alejandro Ávila García.
Fuente de financiamiento: Conacyt (ref.: 37116-A).
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CINVESTAV
Para mayor información:
Coordinación Académica
Sección de Electrónica del Estado Sólido
Departamento de Ingeniería Eléctrica
Avenida Instituto Politécnico Nacional 2508
07360 México, D. F., México
Teléfono:
Fax:
5061-3800 extensiones 3771, 3772 y 3774
5061-7114
[email protected]
http://www.sees.cinvestav.mx
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ELECTRÓNICA DEL ESTADO SÓLIDO
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Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN
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