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AMPLIFICADORDRAINCOMÚN REPASODELDESARROLLODEECUACIONES *Circuitoequivalenteconelmodeloπincluyendoro *GananciadevoltajeSedefineRp=RC//RL//r Esmenorque1 Lasalidaestáenfaseconlaentrada Resistenciadeentrada ResistenciadesalidaVp=-vgs Ro=Rs//ro//(1/gm) Gananciadecorriente Dependedelvalordelasresistenciasdepolarización EJERCICIOCONELAMPLIFICADORDRAINCOMÚN Estosignificaqueparalaecuación delaregióndesaturacióndel MOSFETlaconstantetotales 1 W 2 K= 2 k' L = 5mA /V *LosparámetrosdelMOSFET Ensaturación: EnlosmanualesapareceGFS"ForwardTransconductance": Relaciónentrelavariabledesalida(ID)yladeentradaVGSparauna corrienteIDespecífica.Estadefiniciónessimilaralgmpara pequeñaseñal,aplicadaavaloresDC.ParaelMOSFETVN10K: Paratrabajarconlasecuacionesdepolarizaciónsedefine: iD = K (VGS − Vth ) 2 € 1 W K = k' 2 L € W k' = 2K L € UtilizandounadelasecuacionesparagmyaplicándolaaGFS (identificadatambiéncomoGm): W 2I D W gm = k' k' = 2K W L L k' L W 2I 2I I Gm = k' D L W k' L = 2K € D 2K = 2K Conlosdatosdelejercicio: mA 100 = 2 K 500mA V € D K = 2 KI D Gm = 2 KI D K=5 mA V2 € € iD = 5 mA (VGS − Vth ) 2 V2 *Cálculodelpuntodeoperaciónsuponiendosaturación VoltajeVGG: 2MΩ VGG = 12V = 8V 3MΩ Vt≈2V € *DeterminacióndelacorrienteID. Ensaturación *Análisisdepequeñaseñal.Parámetros *Modelodepequeñaseñal *Modelodepequeñaseñalarreglado *Gananciadevoltaje *Resistenciadeentrada *Resistenciadesalida *Gananciadecorriente *Parámetrosdelamplificador Tienegananciadevoltajemenorque1 Resistenciadeentradamuyelevada Resistenciadesalidabaja AMPLIFICADORGATECOMÚN LaresistenciaRGevitala acumulacióndecargaestática enGate,yelcondensadorCG aseguraqueGateestéatierra paraelanálisisdepequeña señal. Hayquecalcularelpuntode operaciónylosparámetrosdel modelodepequeñaseñal. EJERCICIOPARALACONFIGURACIÓNGATECOMÚN DESARROLLARLASECUACIONESDELMODELODEPEQUEÑASEÑAL ENFORMALITERAL Conmodeloπ ronosevaatomarencuenta *Delmodeloπsimplificado: *Gananciadevoltaje: Gananciadecorriente Esmenorque1 Resistenciadeentrada Estaconfiguracióntieneunabajaresistenciadeentrada. *Resistenciadesalida ESPEJODECORRIENTECONMOSFET Hallarlosvaloresdelosvoltajesycorrientesenelcircuito. VGD=0<Vt=2Estánensaturación EcuacionesenelcircuitoMOSFETdelaizquierdaIref=ID: EcuacióndelacorrienteenelMOSFET.CálculodeID ParaID=0,71mAtenemosVGS=0,65VmientrasqueparaID=0,4mA tenemosVGS=4V. LacorrienteID2esigualaIDyconstituyelafuentedecorrienteque puedeutilizarseparapolarizarotrosamplificadores.
