Download guia de lectura/problemas

UNIVERSIDAD ABIERTA INTERAMERICANA
Facultad de Tecnología Informática
Materia: Electromagnetismo Estado Sólido II
Alumno: - Di Paolo Diego
Sede: Castelar
Comisión: 5º
Profesor: Vallhonrat, Carlos
Turno: Noche
Año: 2017
GUÍA: DIODOS
GUIA DE LECTURA/PROBLEMAS. DIODOS.
CONTENIDOS
La unión p-n, zona de carga espacial, polarización directa e inversa, curvas características,
capacidad asociada a la unión p-n y circuitos con diodos.
Resolución:
1] Indique una secuencia posible de operaciones que permita obtener un diodo como el
esquematizado.
Para obtener una unión p-n, se parte de un monocristal intrínseco al que por dopaje,
se transforma, por ejemplo, en n. Luego, sobre una zona de este material extrínseco, se
"sobredopa" con impurezas aceptoras (trivalente), de tal forma de invertir el signo de los
portadores de esa región. Se depositan capas conductoras, que permitan la vinculación
eléctrica de ambas zonas con el exterior y se provoca la oxidación del resto de la superficie del
cristal, para crear una aislación.
2] En el símbolo del diodo:
p
n
+
_
1.1. ¿Qué indica la flecha?
La flecha en un diodo indica el sentido en el que debe pasar la corriente eléctrica para
que el mismo funcione.
1.2. ¿Qué lado del mismo corresponde al SC n y cuál al p?
El extremo que se indica como positivo (ánodo (A) - potencial alto) corresponde al tipo p y el
extremo que corresponde al negativo (cátodo (K) – potencial bajo) corresponde al tipo n.
Página 1 de 16
UNIVERSIDAD ABIERTA INTERAMERICANA
Facultad de Tecnología Informática
Materia: Electromagnetismo Estado Sólido II
Alumno: - Di Paolo Diego
Sede: Castelar
Comisión: 5º
Profesor: Vallhonrat, Carlos
Turno: Noche
Año: 2017
GUÍA: DIODOS
3] Representar el perfil de las bandas electrónicas de energía a lo largo de un diodo:
Teniendo en cuenta que el Ánodo (A) del diodo representa a la banda positiva y el
Cátodo a la banda negativa podemos representarlo de la siguiente forma en los diferentes
casos:
3.1. Sin polarización externa
Bajo condiciones sin polarización (sin un voltaje aplicado), cualquier portador
minoritario (hueco) en el material tipo n que se encuentre dentro de la región de agotamiento
fluirá directamente hacia el material tipo p. Mientras más cercano se encuentre el portador
minoritario a la unión, mayor será la atracción hacia la capa de iones negativos y menor la
oposición de los iones positivos de la región de agotamiento del material tipo n.
Los portadores mayoritarios (electrones) del material tipo n deben superar tanto a las
fuerzas de atracción de la capa de iones positivos de material tipo n como al escudo de iones
negativos del material tipo p, para poder migrar al área del material tipo p que se encuentra
más allá de la región de agotamiento. Sin embargo dado que el número de mayoritarios es tan
grande en el material tipo n, existirá invariablemente un número pequeño de portadores
mayoritarios con suficiente energía cinética para pasar a través de la región de agotamiento
hacia el material tipo p. Nuevamente el mismo razonamiento se aplica a los portadores
mayoritarios (huecos) del material tipo p.
En ausencia de un voltaje de polarización aplicado, el flujo de carga en cualquier
dirección para la unión semiconductora es cero.
Página 2 de 16
UNIVERSIDAD ABIERTA INTERAMERICANA
Facultad de Tecnología Informática
Materia: Electromagnetismo Estado Sólido II
Alumno: - Di Paolo Diego
Sede: Castelar
Comisión: 5º
Profesor: Vallhonrat, Carlos
Turno: Noche
Año: 2017
GUÍA: DIODOS
3.2. Polarización Directa
El bloque PN descrito en el apartado (Figura 6) en principio no permite el
establecimiento de una corriente eléctrica entre sus terminales puesto que la zona de
deplexión no es conductora.
Figura 6: Diodo PN durante la aplicación de una tensión inferior a la de barrera
Sin embargo, si se aplica una tensión positiva en el ánodo, se generará un campo
eléctrico que "empujará" los huecos hacia la unión, provocando un estrechamiento de la zona
de deplexión (Figura 7). Sin embargo, mientras ésta exista no será posible la conducción.
Figura 7: Diodo PN bajo la acción de una tensión mayor que la de barrera
Si la tensión aplicada supera a la de barrera, desaparece la zona de deplexión y el
dispositivo conduce. De forma simplificada e ideal, lo que sucede es lo siguiente (Figura 7):
1. Electrones y huecos se dirigen a la unión.
2. En la unión se recombinan.
Página 3 de 16
UNIVERSIDAD ABIERTA INTERAMERICANA
Facultad de Tecnología Informática
Materia: Electromagnetismo Estado Sólido II
Alumno: - Di Paolo Diego
Sede: Castelar
Comisión: 5º
Profesor: Vallhonrat, Carlos
Turno: Noche
Año: 2017
GUÍA: DIODOS
En resumen, polarizar un diodo PNen directa es aplicar tensión positiva a la zona P y
negativa a la zona N. Un diodo PN conduce en directa porque se inunda de cargas móviles la
zona de deplexión.
La tensión aplicada se emplea en:


Vencer la barrera de potencial.
Mover los portadores de carga.
3.3. Polarización Inversa
Al contrario que en el apartado anterior, al aplicar una tensión positiva a la zona N y
negativa a la zona P, se retiran portadores mayoritarios próximos a la unión. Estos portadores
son atraídos hacia los contactos aumentando la anchura de la zona de deplexión. Esto hace
que la corriente debido a los portadores mayoritarios sea nula (Figura 8).
Ahora bien, en ambas zonas hay portadores minoritarios. Un diodo polarizado en
inversa lo está en directa para los minoritarios, que son atraídos hacia la unión. El movimiento
de estos portadores minoritarios crea una corriente, aunque muy inferior que la obtenida en
polarización directa para los mismos niveles de tensión.
Figura 8: Diodo PN polarizado en inversa
Al aumentar la tensión inversa, llega un momento en que se produce la ruptura de la
zona de deplexión, al igual que sucede en un material aislante: el campo eléctrico puede ser
tan elevado que arranque electrones que forman los enlaces covalentes entre los átomos de
silicio, originando un proceso de rotura por avalancha. (Nota: Sin embargo, ello no conlleva
Página 4 de 16
UNIVERSIDAD ABIERTA INTERAMERICANA
Facultad de Tecnología Informática
Materia: Electromagnetismo Estado Sólido II
Alumno: - Di Paolo Diego
Sede: Castelar
Comisión: 5º
Profesor: Vallhonrat, Carlos
Turno: Noche
Año: 2017
GUÍA: DIODOS
necesariamente la destrucción del diodo, mientras la potencia consumida por el diodo se
mantenga en niveles admisibles).
En resumen: Es cuando la corriente en el diodo desea circular en sentido opuesto a la
flecha (la flecha del diodo), o del cátodo al ánodo. En este caso la corriente no atraviesa el
diodo, y se comporta prácticamente como un circuito abierto.
4] En una unión p-n.:
4.1. ¿Hay cargas libres en la región de carga espacial? ¿Por qué? ¿Cómo es la resistencia
eléctrica de esta zona en relación al resto del diodo?
La región de carga espacial no es conductora, puesto que no posee portadores de
carga libres. En ella actúa un campo eléctrico, o bien entre los extremos actúa una barrera de
potencial. Esta zona ofrece una resistencia particular que permite estabilizar el diodo.
En conclusión podemos decir entonces que la resistencia es alta y no hay cargas libres.
4.2. ¿Hay cargas libres en las regiones neutras? ¿Cómo es la resistencia eléctrica?
En las regiones neutras si hay cargas libres. La resistencia es baja, es un semiconductor
extrínseco.
Página 5 de 16
UNIVERSIDAD ABIERTA INTERAMERICANA
Facultad de Tecnología Informática
Materia: Electromagnetismo Estado Sólido II
Alumno: - Di Paolo Diego
Sede: Castelar
Comisión: 5º
Profesor: Vallhonrat, Carlos
Turno: Noche
Año: 2017
GUÍA: DIODOS
5] Dibuje la curva característica de un diodo. A partir de ella,
a. Describa sus propiedades eléctricas y
b. Algunas de sus aplicaciones.



Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ ).
La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización directa
coincide en valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al
polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo,
incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo,
cuando la tensión externa supera la tensión umbral, la barrera de potencial
desaparece, de forma que para pequeños incrementos de tensión se producen
grandes variaciones de la intensidad de corriente.
Corriente máxima (Imax ).
Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el
efecto Joule. Dado que es función de la cantidad de calor que puede disipar el diodo,
depende sobre todo del diseño del mismo.
Corriente inversa de saturación (Is ).
Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la
Página 6 de 16
UNIVERSIDAD ABIERTA INTERAMERICANA
Facultad de Tecnología Informática
Materia: Electromagnetismo Estado Sólido II
Alumno: - Di Paolo Diego
Sede: Castelar
Comisión: 5º
Profesor: Vallhonrat, Carlos
Turno: Noche
Año: 2017
GUÍA: DIODOS
formación de pares electrón-hueco debido a la temperatura, admitiéndose que se
duplica por cada incremento de 10º en la temperatura.


Corriente superficial de fugas.
Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarización
inversa), esta corriente es función de la tensión aplicada al diodo, con lo que al
aumentar la tensión, aumenta la corriente superficial de fugas.
Tensión de ruptura (Vr ).
Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto
avalancha.
Teóricamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducirá la corriente inversa de
saturación; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensión, en el diodo normal o
de unión abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos,
como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos:


Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarización inversa se generan pares
electrón-hueco que provocan la corriente inversa de saturación; si la tensión inversa es
elevada los electrones se aceleran incrementando su energía cinética de forma que al
chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conducción.
Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensión, chocando con
más electrones de valencia y liberándolos a su vez. El resultado es una avalancha de
electrones que provoca una corriente grande. Este fenómeno se produce para valores
de la tensión superiores a 6 V.
Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto más dopado está el material, menor es la
anchura de la zona de carga. Puesto que el campo eléctrico E puede expresarse como
cociente de la tensión V entre la distancia d; cuando el diodo esté muy dopado, y por
tanto d sea pequeño, el campo eléctrico será grande, del orden de 3·105 V/cm. En
estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia
incrementándose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o
menores.
Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener, se
puede producir por ambos efectos.
6] Dibuje las curvas características de un diodo correspondientes a las siguientes
aproximaciones:
a. Descripción de la tabla de verdad de una puerta lógica.
b. Cálculo de la corriente en un circuito, a partir de la hipótesis de que si el diodo
está conduciendo, la tensión entre sus terminales es la tensión umbral.
c. Cálculo de la tensión sobre el diodo y de la corriente que lo atraviesa, utilizando la
recta de carga del circuito.
Página 7 de 16
UNIVERSIDAD ABIERTA INTERAMERICANA
Facultad de Tecnología Informática
Materia: Electromagnetismo Estado Sólido II
Alumno: - Di Paolo Diego
Sede: Castelar
Comisión: 5º
Profesor: Vallhonrat, Carlos
Turno: Noche
Año: 2017
GUÍA: DIODOS
Existen tres aproximaciones muy usadas para los diodos de silicio, y cada una de ellas
es útil en ciertas condiciones.
1ª Aproximación (el diodo ideal): Es la aproximación más simple. Se utiliza para
obtener respuestas rápidas y es muy útil para la detección de averías. Su curva característica
está representada en la figura número 3. Esta aproximación consiste en suponer que en la
zona directa el diodo se comporta como un conductor perfecto, resistencia nula y en la zona
inversa como un aislante perfecto, resistencia infinita. Cuando la tensión es muy elevada y la
corriente muy pequeña el diodo real se comporta como un diodo ideal. Este diodo ideal no
existe en la realidad, no se puede fabricar por eso es ideal.
Es decir, el diodo actúa como un interruptor abriéndose (Polarización Directa - Primer
Gráfico) o cerrándose (Polarización Inversa – Segundo Gráfico) dependiendo si esta en inversa
o en directa. Para ver los diferentes errores que cometeremos con las distintas aproximaciones
vamos a ir analizando cada aproximación.
Página 8 de 16
UNIVERSIDAD ABIERTA INTERAMERICANA
Facultad de Tecnología Informática
Materia: Electromagnetismo Estado Sólido II
Alumno: - Di Paolo Diego
Sede: Castelar
Comisión: 5º
Profesor: Vallhonrat, Carlos
Turno: Noche
Año: 2017
GUÍA: DIODOS
2ª Aproximación: En esta aproximación se tiene en cuenta la tensión de codo. Su curva
característica viene dada por la figura número 2. Cuando menor es la tensión aplicada mayor
es el error que se introduce con el modelo ideal, por lo cual este puede ser útil. La exponencial
se aproxima a una vertical y a una horizontal que pasan por 0,7 V (este valor es el valor de la
tensión umbral para el silicio, porque suponemos que el diodo es de silicio, si fuera de
germanio se tomaría el valor de 0,2 V).
El tramo que hay desde 0 V y 0,7 V es en realidad polarización directa, pero como a
efectos prácticos no conduce, se toma como inversa. Con esta segunda aproximación el error
es menor que en la aproximación anterior.
En el caso de la Polarización directa, la vertical es equivalente a una pila de 0,7 V ,
mientras que en la Polarización Inversa, es un interruptor abierto.
Polarización Directa
Polarización Inversa
Página 9 de 16
UNIVERSIDAD ABIERTA INTERAMERICANA
Facultad de Tecnología Informática
Materia: Electromagnetismo Estado Sólido II
Alumno: - Di Paolo Diego
Sede: Castelar
Comisión: 5º
Profesor: Vallhonrat, Carlos
Turno: Noche
Año: 2017
GUÍA: DIODOS
3ª Aproximación: La curva del diodo se aproxima a una recta que pasa por 0,7 V y tiene una
pendiente cuyo valor es la inversa de la resistencia interna.
7] ¿Cuáles son los límites de tensión que pueden aplicarse a un diodo en una y otra
polarización?
Los límites de tensión que pueden aplicarse en un diodo, según su polarización son:
En el caso de la polarización inversa, la Tensión inversa de ruptura. La misma
corresponde a la tensión en sentido inverso que puede soportar un diodo sin entrar en
conducción; esta tensión para un diodo rectificador es destructiva, por ello cuando se diseña
un circuito siempre se utiliza un factor de seguridad que no está determinado, sino que
depende del diseñador.
Mientras que en el caso de la polarización directa, está determinado por la Corriente máxima
de polarización directa. La misma corresponde al valor medio de corriente para el cual el diodo
se quema debido a una excesiva disipación de potencia. Este valor nunca se debe alcanzar, por
ello, al igual que en el caso de la tensión inversa de ruptura se utiliza en diseño un factor de
seguridad. Este valor está expresado en la hoja de características del diodo.
8] Explique cómo se originan las propiedades capacitivas de la unión p-n y:
a. Qué aplicaciones se derivan de ellas.
b. Qué relación tienen con la velocidad de conmutación en aplicaciones digitales.
Es posible construir dispositivos de capacidad variable, regulada por el voltaje aplicado.
Tienen aplicación en numerosos circuitos electrónicos y se los conoce como Varicap o
Varactores.
Además esta propiedad se aprovecha para integrar "micro condensadores" en chip. En
este tipo de aplicaciones el diodo se polariza en inversa, con objeto de que la corriente a través
de él sea muy baja, con lo que se obtienen características muy próximas a las de un capacitor
Página 10 de 16
UNIVERSIDAD ABIERTA INTERAMERICANA
Facultad de Tecnología Informática
Materia: Electromagnetismo Estado Sólido II
Alumno: - Di Paolo Diego
Sede: Castelar
Comisión: 5º
Profesor: Vallhonrat, Carlos
Turno: Noche
Año: 2017
GUÍA: DIODOS
ideal. Aunque la capacidad que se puede conseguir no sea muy elevada, el área ocupada es
pequeñísima, lo que ya constituye una gran ventaja en integrados.
Aplicado en circuitos digitales, los diodos trabajan en los dos estados de polarización a
un voltaje fijo en cada uno de ellos: polarización directa (estado "on") y polarización inversa
(estado "off"). El tiempo necesario para pasar de uno a otro es, obviamente una variable de la
mayor importancia, que tiene que ver con la velocidad de operación del circuito. Este tiempo,
conocido como tiempo de conmutación está condicionado por estos portadores difusos que
tienen que "absorberse" dentro de la zona de agotamiento, al pasar del "on" al "off" o
"desplegarse" en el caso inverso, pues mientras dura este estado transitorio, el diodo no está
ni en un estado ni en otro.
9] Escribir en unos pocos (3 ó 4) renglones una explicación de los siguientes términos de la
teoría de diodos:
Tensión umbral: corresponde al valor de la tensión, en directa, a partir de la cual el diodo
conduce aumentando la corriente rápidamente, hasta que establecerse una relación casi
lineal.
Tensión de ruptura: Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de darse
el efecto avalancha.
Efecto avalancha (diodos poco dopados): En polarización inversa se generan pares
electrón-hueco que provocan la corriente inversa de saturación; si la tensión inversa es
elevada los electrones se aceleran incrementando su energía cinética de forma que al
chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conducción.
Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensión, chocando con
más electrones de valencia y liberándolos a su vez. El resultado es una avalancha de
electrones que provoca una corriente grande. Este fenómeno se produce para valores
de la tensión superiores a 6 V.
Zona de agotamiento: La zona de agotamiento es el límite entre el bloque P y el bloque N.
Cuando se aplica una tensión positiva en el ánodo, se generará un campo eléctrico que
"empujará" los huecos hacia la unión, provocando un estrechamiento de la zona de
agotamiento. Sin embargo, mientras ésta exista no será posible la conducción.
Polarización: Es una tensión o corriente aplicada a un componente (diodo). Puede ser Directa
o Indirecta.
Barrera de potencial: Es otra forma de nombra a la tensión Umbral.
Curva característica: es una curva, representada en dos ejes (eje X – Tensión y Eje Y –
Página 11 de 16
UNIVERSIDAD ABIERTA INTERAMERICANA
Facultad de Tecnología Informática
Materia: Electromagnetismo Estado Sólido II
Alumno: - Di Paolo Diego
Sede: Castelar
Comisión: 5º
Profesor: Vallhonrat, Carlos
Turno: Noche
Año: 2017
GUÍA: DIODOS
Corriente), mediante la cual se puede observar el comportamiento de un diodo.
Representación Gráfica:
Vu
Vs
Vr
OA
AB
OC
Tensión umbral
Tensión de saturación
Tensión de ruptura
Zona de baja polarización directa, pequeña corriente
Zona de conducción
Corriente inversa de saturación
A partir de C, zona de avalancha
Capacidad: Son diodos que basan su funcionamiento en el principio que hace que la anchura
de la barrera de potencial en una unión PN varía en función de la tensión inversa aplicada
entre sus extremos. Al aumentar dicha tensión, aumenta la anchura de esa barrera,
disminuyendo así la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensador variable
controlado por tensión.
Recta de carga: La recta de carga es una herramienta que se emplea para hallar el valor de la
corriente y la tensión del diodo. Esta recta, no depende del diodo sino exclusivamente de la
fuente y la resistencia en serie. Su intersección con la curva característica del diodo, mostrará
el único par de valores de intensidad de corriente y tensión sobre el diodo compatible con los
dispositivos presentes.
Página 12 de 16
UNIVERSIDAD ABIERTA INTERAMERICANA
Facultad de Tecnología Informática
Materia: Electromagnetismo Estado Sólido II
Alumno: - Di Paolo Diego
Sede: Castelar
Comisión: 5º
Profesor: Vallhonrat, Carlos
Turno: Noche
Año: 2017
GUÍA: DIODOS
Lógica de diodos: la lógica de diodos nos permite implementar puertas lógicas. Utiliza el hecho
de que los diodos conducen en un sentido pero no en el opuesto.
Las compuertas, según su combinación, pueden ser del tipo AND, OR, NOT, etc.
Led: es un tipo especial de diodo, que trabaja como un diodo común, pero que al ser
atravesado por la corriente eléctrica, emite luz. Existen diodos LED de varios colores que
dependen del material con el cual fueron construidos. Hay de color rojo, verde, amarillo,
ámbar, infrarrojo. Eléctricamente el diodo LED se comporta igual que un diodo de silicio o
germanio.
Zener: Es un tipo especial de diodo, que diferencia del funcionamiento de los diodos
comunes, como el diodo rectificador (en donde se aprovechan sus características de
polarización directa y polarización inversa) siempre se utiliza en polarización inversa. En este
caso la corriente circula en contra de la flecha que representa el mismo diodo. Si el diodo
Zener se polariza en sentido directo se comporta como un diodo rectificador común.
10] En los siguientes circuitos, complete con la lectura de los instrumentos. Luego,
verifique sus predicciones con el simulador.
Página 13 de 16
UNIVERSIDAD ABIERTA INTERAMERICANA
Facultad de Tecnología Informática
Materia: Electromagnetismo Estado Sólido II
Alumno: - Di Paolo Diego
Sede: Castelar
Comisión: 5º
Profesor: Vallhonrat, Carlos
Turno: Noche
Año: 2017
GUÍA: DIODOS
Circuito 1
Circuito 2
Circuito 3
Circuito 4
Resolución:
Aplicando la Ley de Mallas de Kirchhoff podemos determinar la lectura de los instrumentos:
Circuito 1:
Primer Malla
I1 = 12V/1KΩ = 12mA
Segunda Malla
12V – 0,7V – I2.1KΩ = 0
11,3V – I2.1KΩ = 0
I2 = 11,3V/1KΩ = 11,3mA
It = I1 + I2 = 12mA + 11,3mA = 23,3mA
I1 = 12mA ; I2 = 11,3mA ; Vd = 0,7V
Página 14 de 16
UNIVERSIDAD ABIERTA INTERAMERICANA
Facultad de Tecnología Informática
Materia: Electromagnetismo Estado Sólido II
Alumno: - Di Paolo Diego
Sede: Castelar
Comisión: 5º
Profesor: Vallhonrat, Carlos
Turno: Noche
Año: 2017
GUÍA: DIODOS
Circuito 2:
12V – 0,7V – I.(1KΩ + 1KΩ) = 0
11,3V – I.2KΩ = 0
I = 11,3V/2KΩ = 5,65mA
Vd = 0,7V ; I = 5,65mA
Circuito 3:
Primer Malla
I1 = 12V/1KΩ = 12mA
Segunda Malla
El diodo no conduce (Polarización Inversa). No circula corriente
Circuito 4:
Primer Malla
I1 = 12V/1KΩ = 12mA
Segunda Malla
12V – 0,7V – I2.1KΩ = 0
11,3V – I2.1KΩ = 0
I2 = 11,3mA
Tercer Malla
I3= I1 – I2 = 12mA – 11,3mA = 0,7mA
I1 = 12mA; I1 = 11,3mA; I3 = 0,7mA
11] En el circuito de la figura, calcular la intensidad de corriente que circula por la resistencia
R1 y la intensidad total de corriente al ir variando la tensión de la fuente V entre 0 y 5 V.
Realizar el gráfico de la intensidad de corriente que atraviesa por la resistencia R1 en función
de la tensión de la fuente (I1 vs. V).
R1
R2
V
Página 15 de 16
1 K
3 K
0-5V
UNIVERSIDAD ABIERTA INTERAMERICANA
Facultad de Tecnología Informática
Materia: Electromagnetismo Estado Sólido II
Alumno: - Di Paolo Diego
Sede: Castelar
Comisión: 5º
Profesor: Vallhonrat, Carlos
Turno: Noche
GUÍA: DIODOS
Vf(v)
0
0,5
1
2
3
5
Id(mA)
0
0
0
0
0,07
0,7
I1(mA)
0
0,125
0,25
0,5
0,7
0,7
IT(mA)
0
0,125
0,25
0,5
0,77
1,4
Vd
0
0,125
0,25
0,5
0,07
0,7
Por ejemplo para Vf=5V
IT= (5v-0,7v)/3k = 1,4 mA
Id + I1 = IT
Id + I1 = 1,4 mA
Como Id y I1 son paralelas, su sumatoria debería ser igual a las IT. Por ende:
Id=0,7 mA
I1=0,7 mA
Página 16 de 16
Año: 2017