Download Para caracteriza la red de dos puertos de la Figura 1 se han

Universidad de Navarra
Nafarroako Unibertsitatea
Escuela Superior de Ingenieros
Ingeniarien Goi Mailako Eskola
ASIGNATURA
GAIA
FÍSICA-1
NOMBRE
IZENA
CURSO KURTSOA: 1º
FECHA DATA 5/12/2003
CUESTIONARIO: RESPONDER EN EL INTERIOR DE LAS CASILLAS APROPIADAS
1) Definir brevemente cada uno de los conceptos que se indican a continuación (1 punto)
Campo eléctrico
Potencial eléctrico
Amperio
Ley de Faraday
2) Un componente presenta la relación I-V que se muestra en la siguiente gráfica. Calcular la
resistencia dinámica que presentará para una tensión de 5 Voltios (0,5 puntos)
I (mA)
20
10
2
V (V)
1
r (5 V)
5
10
3) Cuestionario relativo al diodo de unión PN (1 punto)
a) En el siguiente gráfico dibujar la zona de deplección que se crea al poner en contacto la zona P y la
N, indicando al polaridad de la misma.
N
P
b) Indicar con un generador externo el tipo de tensión que es necesario aplicar para que la unión esté
polarizada en inversa. Dibujar la situación en que quedará la zona de deplección en esta nueva
situación.
N
P
c) A partir del modelo exponencial, deducir la aproximación de Shockley para el cálculo de la
resistencia dinámica. Tomar como expresión para el modelo la siguiente: I  IS (e
V
VT
 1)
4) Dibujar las curvas que relacionan la corriente IC y la tensión VCE en un transistor bipolar, tanto en el
caso ideal como en el caso real. Explicar brevemente las diferencias entre ambos casos. (1 punto)
IC
IC
VCE
IDEAL
VCE
REAL
Diferencias entre los casos ideal y real
EJERCICIO 1 (2 puntos)
En el circuito de la figura se cierra el interruptor SW1 durante 5 s. En ese instante, se abre SW1 y se
cierra SW2. Calcular el tiempo que tiene que transcurrir desde que se cierra SW2 para que la corriente
que circula por RL sea de 5 mA.
R= 500
E= 20 V
+
L1= 1mH
SW2
L2= 2mH
t=
SW1
RL= 1K
Universidad de Navarra
Nafarroako Unibertsitatea
Escuela Superior de Ingenieros
Ingeniarien Goi Mailako Eskola
ASIGNATURA
GAIA
FÍSICA-1
CURSO KURTSOA: 1º
NOMBRE
IZENA
FECHA DATA 5/12/2003
EJERCICIO 2 (1 punto)
En el circuito de la figura, calcular, en régimen estacionario, los siguientes parámetros:

Tensión VAB en la resistencia de 30 

Tensión VBC en los extremos de la fuente de corriente

Tensión VDC en la resistencia de 20 

Corriente I que circula por la resistencia de 20 
A
20 V
30
B
1 F
D
+
20
1A
C
VAB =
VBC =
VDC =
I=
EJERCICIO 3 (1,5 puntos)
En el circuito de la figura:
1. Determinar los tramos de funcionamiento del diodo según los valores de la señal Vin y dar las
ecuaciones de Vout en función de Vin para cada tramo.
2. Dibujar la característica Vout en función del tiempo utilizando la gráfica adjunta.
3. Calcular los parámetros comerciales del diodo (corriente máxima y pico inverso de tensión).
DATOS: R = 1 k RL = 2 kV; VIN = 30 sen t. Despreciar la caída de tensión en directa del
diodo.
R
+
VIN
D
E
RL
+
Tramo
IDmax=
Ecuación Vout en función de Vi
PIV=
VIN(V)
30
20
10
-10
-20
-30
VOUT(V)
30
20
10
-10
-20
-30
EJERCICIO 4 (2 puntos)
Calcular la corriente de colector IC y la tensión VCE. Tomar como primera hipótesis que el transistor opera
en RAN
560 
11 k
b = 80
1,5 k
IC =
VCE =
10 V