Download guia 11

LABORATORIO DE ANALOGICA
PRACTICA Nª 11
ANALISIS COMPLETO DE TRANSISTORES MOSFET
OBJETIVOS
 Identificar las principales condiciones de funcionamiento de los transistores MOSFET en
alimentación (DC y AC)
 Verificar que la simetría entre la señal de entrada y la señal de salida sean lo mas exactas
posibles para encontrar el valor de vgs practico.
 Se debe cumplir la verificación de saturación en los dos transistores (N) y (P) cumpliendo
las condiciones de AC para pequeña señal.
MATERIALES
1. Resistencia de 27KΏ (rojo, violeta naranja)
2. resistencia de 3.9K (naranja , blanco y rojo)
3. transistor CD 4007
NOTA: la referencia del transistor (CD) significa el nombre del fabricante lo importante es la
referencia 4007
NOTA
 verificar que la señal de entrada (Vs) y la señal de salida (Vo) mostradas en el
osciloscopio se encuentren simétricamente para obtener los datos.
 Para que exista una buena amplificación tanto en el transistor N como P se debe
cumplir que para pequeña señal (AC) el voltaje (vgs ) debe ser 10 veces más pequeño
en la práctica.
ESQUEMA Nª1
R1
27k
8
M1
V3
6
10Vdc
MbreakN
V1
7
2.2Vdc
V2
VOFF = 0
VAMPL = 200m
FREQ = 1k
AC = 0
0
VD
ID
VDS
R(valor practico)
VGS
 Verificar que con estos valores obtenidos se cumple las siguientes condiciones para que el
transistor se encuentre en amplificación .
VDS>VGS –Vt
Vgs<<2(VGS-Vt)
2 Determinar la ganancia de tensión:
(𝑉𝑜)𝑐ℎ2
Av=
(Vi)ch1
ESQUEMA Nª2
0
VOFF = 0
VAMPL = 200m
FREQ = 1k
AC = 0
V2
V3
14
10Vdc
M1
6
V1
2.2Vdc
MbreakP
13
R1
27k
VD
ID
VSD
R(valor practico)
VSG
 Verificar que con estos valores obtenidos se cumple las siguientes condiciones para que el
transistor se encuentre en amplificación.
VSD>VSG –|Vt|
Vsg<<2(VSG- |Vt|)
ESQUEMA Nº 3
2
11
14
M3
M2
10
3
MbreakP
MbreakP
1
12
V3
10
8
M1
6
MbreakN
R1
3.9k
7
0
V2
3Vdc
0
0
V1
VOFF = 0
VAMPL = 200m
FREQ = 1k
AC = 0
0






Determinar la corriente ID1 que pasa en los terminales 12 y 8.
Determinar la corriente ID2 que pasa entre el terminal 1 y tierra o por la resistencia de
3.9k.
Determinar el VSD para el transistor P que esta en los terminales 14 y 12 y el VSG ESTA EN
LOS TERMNALES 10 Y 12.
Determinar la ganacia Av de los transistores N y P (terminales 10, 12 y 14).
Determine el VDS y VGS para el transistor N
Hallar el valor máximo de Vs que haga que la señal se corte por la parte superior e inferior
de la gráfica y obtener sus valores de corte .
PREGUNTAS DE PENSAR:



¿Por qué la señal de salida y la de entrada debe ser simétricas?
¿Por qué la condición de que la tension Vgs en AC debe ser mucho menor
(aproximadamente 10 veces) a 2 veces la condición de continua (2(VGS-Vt))?
¿El MOSFET es buen amplificador de corriente o voltaje? ¿Por qué?