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El DIODO
Introducción
Diodo, componente electrónico que permite el paso de la corriente en un solo sentido.
Los diodos más empleados en los circuitos electrónicos actuales son los diodos
fabricados con material semiconductor. El más sencillo, el diodo con punto de contacto
de germanio, se creó en los primeros días de la radio. En los diodos de germanio (o de
silicio) modernos, el cable y una minúscula placa de cristal van montados dentro de un
pequeño tubo de vidrio y conectados a dos cables que se suel-dan a los extremos del
tubo.
Los diodos de unión constan de una unión de dos tipos diferentes de material
semiconduc-tor. El diodo Zener es un modelo especial de diodo de unión, que utiliza
silicio, en el que la tensión en paralelo a la unión es independiente de la corriente que
la atraviesa. Debido a esta característica, los diodos Zener se utilizan como
reguladores de tensión. Por otra parte, en los diodos emisores de luz (LED, acrónimo
inglés de Light-Emitting Diode), una tensión aplicada a la unión del semiconductor da
como resultado la emisión de energía luminosa. Los LED se utilizan en paneles
numéricos como los de los relojes digitales electrónicos y calculadoras de bolsillo.
Para resolver problemas referentes a los diodos se utilizan en la actualidad tres
aproximacio-nes:

La primera aproximación es la del diodo ideal, en la que se considera que el
diodo no tiene caída de tensión cuando conduce en sentido positivo, por lo que
esta primera aproximación consideraría que el diodo es un cortocircuito en
sentido positivo. En cambio, el diodo ideal se comporta como un circuito
abierto
cuando
su
polarización
es
inversa.

En la segunda aproximación, consideramos que el diodo tiene una caída de
tensión cuando conduce en polarización directa. Esta caída de tensión se ha
fijado en 0.7 V para el diodo de silicio, lo que hace que la segunda
aproximación pueda representarse como un interruptor en serie con una fuente
de
0.7
V.

La tercera aproximación aproxima más la curva del diodo a la real, que es una
curva, no una recta, y en ella colocaríamos una resistencia en serie con la
fuente
de
0.7
V.
V=0,7+I·R
Los diodos de unión p-n y los zener tienen características constructivas que los
diferencian de otros. Su tamaño, en muchos casos, no supera el de una resistencia de
capa o de película de 1/4W y aunque su cuerpo es cilíndrico, es de menor longitud y
diámetro que las resistencias. Aunque existe gran variedad de tipos, sólo algunos
especiales difieren de su aspecto. No ocurre lo mismo con el tamaño, pues es función
de la potencia que pueden disipar. Es característico encontrarse un aillo en el cuerpo
que nos indica el cátodo. Para aquellos cuyo tipo concreto viene señalado por una serie
de letras y números, el cátodo es marcado mediante un anillo en el cuerpo, próximo a
este terminal. Otros usan códigos de colores, y en ellos el cátodo se corresponde con
el terminal más próximo a la anda de color más gruesa. Existen fabricantes que
marcan el cátodo con la letra "K" o el ánodo con la "a". Los diodos de punta de
germanio suelen encapsularse en vidrio. En cuanto a los diodos LED, se encuentran
encapsulados en resinas de distintos colores, según sea la longitud de onda con la que
emita. El ánodo de estos diodos es más largo que el cátodo, y usualmente la cara del
encapsulamiento
próxima
al
cátodo
es
plana.
Una forma práctica de determinar el cátodo consiste en aplicar un polímetro en modo
óhmetro entre sus terminales. Si el terminal de prueba se aplica de ánodo a cátodo,
aparecen lecturas del orden de 20-30 Omega;. Si se invierten los terminales, estas
lecturas son del orden de 200-300 K Omega; para el Ge, y de varios M Omega; Para el
SI. Si con el multitester utilizamos el modo de prueba de diodos, obtenemos el valor de
la tensión de codo del dispositivo. Con ello conseguimos identificar los dos terminales
(ánodo y cátodo), y el material del que está hecho (0.5-0.7 V para el de SI, 0.2-0.4 para
el germanio y 1.2-1.5 para la mayoría de los LED.
Tipos de Diodos
DIODO DE USO COMUN
El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los cuales
deben estar construidos a partir del mismo material base, el cual puede ser Ge o Si. En
el momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los
electrones y los huecos que están en, o cerca de, la región de "unión", se combinan y
esto da como resultado una carencia de portadores (tanto como mayoritarios como
minoritarios) en la región cercana a la unión. Esta región de iones negativos y positivos
descubiertos recibe el nombre de Región de Agotamiento por la ausencia de
portadores.
Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a través de las terminales del diodo:
- No hay polarización (Vd = 0 V).
- Polarización directa (Vd > 0 V).
- Polarización inversa (Vd < 0 V).
Vd = 0 V. En condiciones sin polarización, los portadores minoritarios (huecos) en el
material tipo N que se encuentran dentro de la región de agotamiento pasarán
directamente al material tipo P y viceversa. En ausencia de un voltaje de polarización
aplicado, el flujo neto de carga (corriente) en cualquier dirección es cero para un diodo
semiconductor.
La aplicación de un voltaje positivo "presionará" a los electrones en el material tipo N y
a los huecos en el material tipo P para recombinar con los iones de la frontera y reducir
la anchura de la región de agotamiento hasta desaparecerla cuando VD ³ 0.7 V para
diodos de Silicio.
Id = I mayoritarios - Is
Condición de Polarización Inversa (Vd < 0 V). Bajo esta condición el número de iones
positivos descubiertos en la región de agotamiento del material tipo N aumentará
debido al mayor número de electrones libres arrastrados hacia el potencial positivo del
voltaje aplicado. El número de iones negativos descubiertos en el material tipo P
también aumentará debido a los electrones inyectados por la terminal negativa, las
cuales ocuparán los huecos.
El fenómeno explicado anteriormente, en ambos tipos de material N y P, provocará que
la región de agotamiento se ensanche o crezca hasta establecer una barrera tan grande
que los portado-res mayoritarios no podrán superar, esto significa que la corriente Id
del diodo será cero. Sin embargo, el número de portadores minoritarios que estarán
entrando a la región de agotamiento no cambiará, creando por lo tanto la corriente Is.
La corriente que existe bajo condiciones de polarización inversa se denomina corriente
de saturación inversa
El término "saturación" proviene del hecho que alcanza su máximo nivel (se satura) en
forma rápida y no cambia significativamente con el incremento en el potencial de
polarización inversa, hasta que al valor Vz o VPI, voltaje pico inverso.
El máximo potencial de polarización inversa que puede aplicarse antes de entrar en la
región
Zener
se
denomina
Voltaje
Pico
Inverso
o
VPI
nominal.
Los diodos de silicio tienen generalmente valores nominales de VPI y de corriente más
altos e intervalos de temperatura más amplios que los diodos de germanio.
El general, el funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente: En la
zona di-recta se puede considerar como un generador de tensión continua, tensión de
codo (0.5-0.7 V para el silicio y 0.2-0.4 V para el germanio). Cuando se polariza en
inversa se puede considerar como un circuito abierto. Cuando se alcanza la tensión
inversa de disyunción (zona Inversa) se produce un aumento drástico de la corriente
que puede llegar a destruir al dispositivo. Este diodo tiene un am-plio margen de
aplicaciones: circuitos rectificadores, limitadores, fijadores de nivel, protección con-tra
cortocircuitos, demoduladores, mezcladores, osciladores, bloqueo y bypass en
instalaciones fotovoltaicas, etc.
Cuando usamos un diodo en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes
consideraciones (a partir de las hojas de características suministradas por el
fabricante):
1. La tensión inversa máxima aplicable al componente, repetitiva o no (VRRR máx
o VR máx, respectivamente) ha de ser mayor (del orden de tres veces) que la
máxima que este va a soportar.
2. La corriente máxima en sentido directo que puede atravesar al componente,
repetitiva o no (IFRM máx e IF máx respectivamente), he de ser mayor (del
orden del doble) que la máxima que este va a soportar.
3. La potencia máxima que puede soportar el diodo (potencia nominal) ha de ser
mayor (del orden del doble) que la máxima que este va a soportar.
En la figura N°01, podemos observar la representación gráfica o símbolo para
este tipo de diodo.
Figura N°01
Curva Diodo Real
Uno de los parámetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto o región
de operación. Si consideramos la región definida por la dirección de Id y la polaridad
de Vd, encontraremos que el valor de la resistencia directa RF, de acuerdo a como se
define con la ley de Ohm es:
Donde VF es el voltaje de polarización directo a través del diodo e IF es la corriente en
sentido directo a través del diodo. El diodo, por consiguiente, es un corto circuito para
la región de conducción.
Si consideramos la región del potencial aplicado negativamente,
Donde VR es el voltaje de polarización inverso a través del diodo e IR es la corriente
inversa en el diodo. El diodo, en consecuencia, es un circuito abierto en la región en la
que no hay conducción.
DIODO ZENER
La corriente en la región Zener tiene una dirección opuesta a la de un diodo polarizado
directamente. El diodo Zener es un diodo que ha sido diseñado para trabajar en la
región Zener.
Figura N°02
De acuerdo con la definición, se puede decir que el diodo Zener ha sido diseñado para
trabajar con voltajes negativos (con respecto a él mismo). Es importante mencionar
que la región Zener (en un diodo Zener) se controla o se manipula variando los niveles
de dopado. Un incremento en el número de impurezas agregadas, disminuye el
potencial o el voltaje de Zener VZ.
Así, se obtienen diodos Zener con potenciales o voltajes de Zener desde -1.8 V a -200
V y potencias de 1/4 a 50 W. El diodo Zener se puede ver como un dispositivo el cual
cuando ha alcanzado su potencial VZ se comporta como un corto. Es un "switch" o
interruptor que se activa con VZ volts. Se aplica en reguladores de voltaje o en
fuentes.
Figura N°03
En el circuito que se muestra en la figura N°03, se desea proteger la carga contra sobre
voltajes, el máximo voltaje que la carga puede soportar es 4.8 volts. Si se elige un
diodo Zener cuyo VZ sea 4.8 volts, entonces este se activará cuando el voltaje en la
carga
sea
4.8
volts,
protegiéndola
de
esta
manera.
De acuerdo a otras consideraciones, el funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos
es la siguiente:
En la zona directa lo podemos considerar como un generador de tensión continua
(tensión de codo). En la zona de disrupción, entre la tensión de codo y la tensión zener
(Vz nom) lo podemos considerar un circuito abierto. Cuando trabaja en la zona de
disrupción se puede considerar como un generador de tensión de valor Vf= -Vz.
El zener se usa principalmente en la estabilidad de tensión trabajando en la zona de
disrupción.
Podemos distinguir:
1. Vz nom,Vz: Tensión nominal del zener (tensión en cuyo entorno trabaja
adecuadamente el zener).
2. Iz min: Mínima corriente inversa que tiene que atravesar al diodo a partir de la
cual se garantiza el adecuado funcionamiento en la zona de disrupción (Vz
min).
3. Iz max: Máxima corriente inversa que puede atravesar el diodo a partir de la
cual el dispositivo se destruye (Vz max).
4. Pz: Potencia nominal que no debe sobrepasar el componente.
Aproximadamente se corresponde con el producto de Vz nom y Iz max.
En la gráfica N°01, se puede observar la curva característica de este tipo de diodo.
Gráfica N°01
Cuando usamos un diodo zener en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes
consideraciones (a partir de las hojas de características suministradas por el
fabricante):
1. Para un correcto funcionamiento, por el zener debe circular una corriente inversa
mayor o igual a Iz min.
2. La corriente máxima en sentido inverso ha de ser siempre menor que Iz max.
3. La potencia nominal Pz que puede disipar el zener ha de ser mayor (del orden del
doble) que la máxima que este va a soportar en el circuito.
EL DIODO EMISOR DE LUZ (LED)
El LED es un diodo que produce luz visible (o invisible, infrarroja) cuando se encuentra
polarizado. El voltaje de polarización de un LED varía desde 1.8 V hasta 2.5 V, y la
corriente necesaria para que emita la luz va desde 8 mA hasta los 20 mA.
Principio de Funcionamiento:
En cualquier unión P-N polarizada directamente, dentro de la estructura y
principalmente cerca de la unión, ocurre una recombinación de huecos y electrones (al
paso de la corriente). Esta recombinación requiere que la energía que posee un
electrón libre no ligado se transfiera a otro estado. En todas las uniones P-N una parte
de esta energía se convierte en calor y otro tanto en fotones. En el Si y el Ge el mayor
porcentaje se transforma en calor y la luz emitida es insignificante. Por esta razón se
utiliza otro tipo de materiales para fabricar los LED's, como Fosfuro Arseniuro de de
Galio (GaAsP) o fosfuro de Galio (GaP).
Figura N°03
Los diodos emisores de luz se pueden conseguir en colores: verde, rojo, amarillo,
ámbar, azul y algunos otros.
Hay que tener en cuenta que las características obtenidas de las hojas de
especificaciones pueden ser distintas para los diodos (p. e. 1N4001) aunque ambos
hayan sido producidos en el mismo lote. También hay que tener en cuenta otro tipo de
tolerancias como los resistores, uno marcado de 100W puede ser realmente de 98W o
de 102W o tal vez si ser exacto, y una fuente "ajustada" a 10V puede estar ajustada
realmente a 9.9V o a 10.1V o tal vez a 10V.
De acuerdo a otras consideraciones, El diodo LED presenta un comportamiento
análogo al diodo rectificador (diodo semiconductor p-n), sin embargo, su tensión de
codo tiene un valor mayor, normalmente entre 1.2-1.5 V. Según el material y la
tecnología de fabricación estos diodos pueden emitir en el infrarrojo (diodos IRED),
rojo, azul, amarillo y verde, dependiendo de cual sea la longitud de onda en torno a la
cual emita el LED.
Entre sus aplicaciones podemos destacar: pilotos de señalización, instrumentación,
optoaclopadores, etc.
Resulta difícil distinguir, por pura inspección visual, el modelo del LED así como el
fabricante: los valores máximos de tensión y corriente que puede soportar y que
suministra el fabricante serán por lo general desconocidos. Por esto, cuando se utilice
un diodo LED en un circuito, se recomienda que la intensidad que lo atraviese no
supere los 20 mA, precaución de carácter general que resulta muy válida.
En la figura N°04, se muestra el símbolo electrónico de este tipo de diodo.
Figura N°04
El diodo LED puede ser tratado de manera análoga a un diodo normal. Sin embargo
conviene tener en cuenta que los diodos LED no están fabricados de silicio mono
cristalino, ya que el silicio mono cristalino es incapaz de emitir fotones. Debido a ello,
la tensión de polarización directa Vd depende del material con el que esté fabricado el
diodo.
El material que compone el diodo LED, es importante ya que el color de la luz emitida
por el LED depende únicamente del material y del proceso de fabricación
principalmente de los dopados.
FOTODIODOS
Los fotodiodos. Son diodos sensibles a la luz. Generan un voltaje de corriente continua
proporcional a la cantidad de luz que incide sobre su superficie, es decir, son diodos
de unión PN cuyas características eléctricas dependen de la cantidad de luz que incide
sobre la unión. Se utilizan como medidores y sensores de luz y en receptores ópticos
de comunicaciones.
Representación gráfica de un Fotodiodo y su correspondientes curvas características
El efecto fundamental bajo el cual opera un fotodiodo es la generación de pares
electrón - hueco debido a la energía luminosa. Este hecho es lo que le diferencia del
diodo rectificador de silicio en el que, solamente existe generación térmica de
portadores de carga. La generación luminosa, tiene una mayor incidencia en los
portadores minoritarios, que son los responsables de que el diodo conduzca
ligeramente en inversa.
El comportamiento del fotodiodo en inversa se ve claramente influenciado por la
incidencia de luz. Conviene recordar que el diodo real presenta unas pequeñas
corrientes de fugas de valor IS. Las corrientes de fugas son debidas a los portadores
minoritarios, electrones en la zona P y huecos en la zona N. La generación de
portadores debido a la luz provoca un aumento sustancial de porta-dores minoritarios,
lo que se traduce en un aumento de la corriente de fuga en inversa tal y como se ve en
la figura anterior.
El comportamiento del fotodiodo en directa apenas se ve alterado por la generación
luminosa de portadores. Esto es debido a que los portadores provenientes del dopado
(portadores mayoritarios) son mucho más numerosos que los portadores de
generación luminosa.
Corte transversal de un fotodiodo comercial
DIODOS DE EFECTO TUNEL
Los diodos de efecto túnel. Son dispositivos muy versátiles que pueden operar como
detectores, amplificadores y osciladores. Poseen una región de juntura
extremadamente delgada que permite a los portadores cruzar con muy bajos voltajes
de polarización directa y tienen una resistencia negativa, esto es, la corriente
disminuye a medida que aumenta el voltaje aplicado.
Representación gráfica de un diodo TUNEL y su correspondiente gráfica
LOS VARACTORES
Son diodos de silicio perfeccionados para operar con capacitancia variable, que se
utilizan como sintonizadores en sistemas de comunicaciones, especialmente en FM.
A máxima capacitancia del varactor se presenta con voltajes de polarización cero,
cuando la capa de agotamiento es más delgada. Cuanto más alto es el voltaje inverso
aplicado, más estrecha es la capa de agotamiento y por lo tanto, la capacitancia
disminuye. Estos diodos también reciben el nombre de diodos Varicap.
El símbolo del diodo varactor se muestra abajo con una representación del diagrama.
Cuando un voltaje inverso es aplicado a la junción PN, los agujeros en la región P se
atraen a la terminal del ánodo y los electrones en la región N se atraen a la terminal del
cátodo, creando una región de poca corriente. Esta es la región de agotamiento, son
esencialmente desprovistos de porta-dores y se comportan como el dieléctrico de un
condensador.
La región de agotamiento aumenta mientras que el voltaje inverso aplicado a él
aumenta; y puesto que la capacitancia varía inversamente con el espesor dieléctrico, la
capacitancia de la juntura disminuirá cuando el voltaje aplicado a la juntura PN
aumenta. En la gráfica, se observa la variación de la capacidad con respecto al voltaje.
En la gráfica se puede observar el aumento no lineal en la capacitancia cuando se
disminuye el voltaje inverso. Esta no linealidad, permite que el varactor sea utilizado
también como generador armónico.
Las consideraciones importantes del varactor son:
a) Valor de la capacitancia.
b) Voltaje.
c) Variación en capacitancia con voltaje.
d) Voltaje de funcionamiento máximo.
e) Corriente de la salida.
LOS DIODOS VARISTOR
O supresor de transientes, es un dispositivo semiconductor utilizado para absorber
picos de alto voltaje desarrollados en las redes de alimentación eléctrica. Cuando
aparece un transitorio, el varistor cambia su resistencia de un valor alto a otro valor
muy bajo. El transitorio es absorbido por el varistor, protegiendo de esa manera los
componentes sensibles del circuito. Los varistors se fabrican con un material nohomogéneo (Carburo de silicio).
CARACTERISTICAS:
1. Amplia gama de voltajes - desde 14 V a 550 V (RMS). Esto permite una selección
fácil del componente correcto para una aplicación específica.
2. Alta capacidad de absorción de energía respecto a las dimensiones del
componente.
3. Tiempo de respuesta de menos de 20 ns, absorbiendo el transitorio en el instante
que ocurre.
4. Bajo consumo (en stabd-by) - virtualmente nada.
5. Valores bajos de capacidad, lo que hace al varistor apropiado para la protección de
circuitería en conmutación digital.
6. Alto grado de aislamiento.
Máximo impulso de corriente no repetitiva



El pico máximo de corriente permitido a través del varistor depende de la forma
del impulso, del duty cycle y del número de pulsos.
Con el fin de caracterizar la capacidad del varistor para resistir impulsos de
corriente, se permite generalmente que garantice un ‘máximo impulso de
corriente no repetitiva’. Este viene dado por un impulso caracterizado por la
forma del impulso de corriente desde 8 microsegundos a 20 microsegundos
siguiendo la norma “IEC 60-2”, con tal que la amplitud del voltaje del varistor
me-dido a 1 mA no lo hace cambiar más del 10% como máximo.
Un impulso mayor que el especificado puede ocasionar cortocircuitos o ruptura
del propio componente; se recomienda por lo tanto instalar un fusible en el
circuito que utiliza el varistor, o utilizar una caja protectora.

Si se aplica más de un de impulso o el impulso es de una duración mas larga,
habría que estudiar las curvas que al efecto nos proporcionan los fabricantes,
estas curvas garantizan la máxima variación de voltaje (10%) en el varistor con
1 mA.
Energía máxima
Durante la aplicación de un impulso de corriente, una determinada energía será
disipada por el varistor. La cantidad de la energía de disipación es una función de:
1. La amplitud de la corriente.
2. El voltaje correspondiente al pico de corriente.
3. La duración del impulso.
4. El tiempo de bajada del impulso; la energía que se disipa durante el tiempo
entre 100% y 50% del pico de corriente.
5. La no linealidad del varistor.
A fin de calcular la energía disipada durante un impulso, se hace con la referencia
generalmente a una onda normalizada de la corriente. Esta onda esta prescrita por la
norma “IEC 60-2 secciona 6” tiene una forma que aumenta desde cero al valor de pico
en un el tiempo corto, disminuyendo hasta cero o de una manera exponencial, o bien
sinusoidal.
Esta curva es definida por el tiempo principal virtual (t1) y el tiempo virtual al valor
medio (t2)
DIODO SCHOTTKY (DIODO DE BARRERA)
Los diodos Schottky. Son dispositivos que tienen una caída de voltaje directa (VF) muy
pequeña, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades y se utilizan en
fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben también
el nombre de diodos de recuperación rápida (Fast recovery) o de portadores calientes.
Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metálica se hace un material
semiconductor, el contacto tiene, típicamente, un comportamiento óhmico, cualquiera,
la resistencia del contacto gobierna la secuencia de la corriente. Cuando este contacto
se hace entre un metal y una región semiconductora con la densidad del dopante
relativamente baja, las hojas dominantes del efecto debe ser el resistivo, comenzando
también a tener un efecto de rectificación. Un diodo Schottky, se forma colocando una
película metálica en contacto directo con un semiconductor, según lo indicado en la
figura N°05. El metal se deposita generalmente en un tipo de material N, debido a la
movilidad más grande de los portadores en este tipo de material. La parte metálica
será el ánodo y el semiconductor, el cátodo.
En una deposición de aluminio (3 electrones en la capa de valencia), los electrones del
semiconductor tipo N migran hacía el metal, creando una región de transición en la
ensambladura.
Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de
ambos mate-riales) están en tránsito. Su conmutación es mucho más rápida que la de
los diodos bipolares, una vez que no existan cargas en la región tipo N, siendo
necesaria rehacer la barrera de potencial (típicamente de 0,3V). La Región N tiene un
dopaje relativamente alto, a fin de reducir la pérdida de conducción, por esto, la
tensión máxima soportable para este tipo de diodo está alrededor de los 100V.
La principal aplicación de este tipo de diodos, se realiza en fuentes de baja tensión, en
las cuales las caídas en los rectificadores son significativas.
Figura N°05 (Diodo Schottky construido a través de la técnica de CIs.)
EL DIODO LASER
Los diodos láser son constructivamente diferentes a los diodos LED normales. Las
características de un diodo láser son:
1. La emisión de luz es dirigida en una sola dirección: Un diodo LED emite fotones
en muchas direcciones. Un diodo láser, en cambio, consigue realizar un guiado
de la luz preferencial una sola dirección.
Corte
esquemático
de
la
emisión
de
luz
en
diodos
LED
y
láser
Intensidad de luz en función de la longitud de onda para diodos LED y láser
Debido a estas dos propiedades, con el láser se pueden conseguir rayos de luz
monocromática dirigidos en una dirección determinada. Como además también puede
controlarse la potencia emitida, el láser resulta un dispositivo ideal para aquellas
operaciones en las que sea necesario entregar energía con precisión.
Ejemplo de aplicación: El lector de discos compactos:
Una de las muchas aplicaciones de los diodos láser es la de lectura de información
digital de soportes de datos tipo CD-ROM o la reproducción de discos compactos
musicales. El principio de operación de uno y otro es idéntico.
Esquema del funcionamiento del CD-ROM
Un haz láser es guiado mediante lentes hasta la superficie del CD. A efectos prácticos,
se puede suponer dicha superficie formada por zonas reflectantes y zonas absorbentes
de luz. Al incidir el haz láser en una zona reflectante, la luz será guiada hasta un
detector de luz: el sistema ha detectado un uno digital. Si el haz no es reflejado, al
detector no le llega ninguna luz: el sistema ha detectado un cero digital.
Un conjunto de unos y ceros es una información digital, que puede ser convertida en
información analógica en un convertidor digital-analógico. Pero esa es otra historia que
debe de ser contada en otra ocasión.
SIMBOLOGÍA