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Ministerio de Educación Pública IPEC de Santa Bárbara de Heredia Mantenimiento Preventivo del Computador Memorias RAM - Hardware Memoria RAM Memoria de acceso aleatorio, es la memoria primaria de toda computadora. Se puede describir como un contenedor eléctrico, compuesto de capacitores (almacenan la electricidad) con transistor interruptor (que hace el cambio de estado). Tipos de memorias DRAM (Dynamic Random Access Memory). Es el tipo de memoria más común. En el interior de cada chip de RAM dinámica se encuentra un bit de información que está compuesto de dos partes: un transistor y un capacitador (condensador eléctrico). Son transistores y capacitadores extremadamente pequeños por lo que millones de ellos pueden caber en un solo chip de memoria. El capacitador mantiene el bit de información (un 0 o un 1). El transistor actúa como un interruptor que permite a los circuitos del chip leer el capacitador o cambiar su estado. El cambio continuo de estado es la operación de refresco (si no olvida, borra, lo que contiene), por eso se llama RAM dinámica. El inconveniente de este continuado refresco, es que consume tiempo y ralentiza la memoria. Static Random Access Memory. Tipo de memoria basada en semiconductores que a diferencia de la memoria DRAM, es capaz de mantener los datos, mientras esté alimentada, sin necesidad de circuito de refresco, igualmente pierden la información si se les interrumpe la alimentación eléctrica. La memoria SRAM es más cara, pero más rápida y con un menor consumo (especialmente en reposo) que la memoria DRAM. Por sus características es utilizada en caché de procesadores, almacenadora de registro de CPU. SIMM (Single In-line Memory Module) módulo de memoria simple en línea. Formato para módulos de memoria RAM que consisten en placas de circuito impreso sobre las que se montan los integrados de memoria DRAM (Dinamica RAM). Estos módulos se insertan en zócalos sobre la placa base. Los contactos en ambas caras están interconectados, muy populares desde principios de los 80 hasta finales de los 90. Pines: de 30 a 72 DIMM (dual in-line memory module) módulo de memoria con contactos duales. Igualmente se conectan directamente en las ranuras de la placa base de las computadoras personales y están constituidos por pequeños circuitos impresos que contienen circuitos integrados de memoria. Son reconocibles externamente por tener cada contacto (o pin) de una de sus caras separado del opuesto de la otra, a diferencia de los SIMM en que cada contacto está unido a su opuesto. Un DIMM puede comunicarse con la caché a 64 bits (y algunos a 72 bits), a diferencia de los 32 bits de los SIMM. SO-DIMM (Small Outline DIMM). Versión compacta de los módulos DIMM, suelen emplearse en computadores portátiles. SDRAM. La memoria DRAM tenía una interfaz asíncrona, lo que significaba que el cambio de estado de la memoria se efectúa en un cierto tiempo. En cambio, en las SDRAM el cambio de estado tiene lugar en un momento señalado por una señal de reloj y, por lo tanto, está sincronizada con el bus de sistema del ordenador. Utiliza el método de segmentación (pipeline) significa que el chip puede aceptar una nueva instrucción antes de que haya terminado de procesar la anterior. 1 Son ampliamente utilizadas en los ordenadores, desde la original SDR SDRAM y las posteriores DDR, DDR2, DDR3 y DDR4 DDR (Double Data Rate) Doble tasa de datos: Capacidad de transferir simultáneamente datos por dos canales distintos en un mismo ciclo de reloj. Primero usadas con procesadores AMD Athlon, luego las utilizó Intel. Pines: 184 - Voltios: 2.5 DDR2: Funcionan con 4 bits por ciclo, es decir 2 de ida y 2 de vuelta en un mismo ciclo mejorando sustancialmente el ancho de banda. Pines: 240 - Voltios: 1.8 DDR3: Transferencias de datos más rápidamente, y con esto obtener velocidades de transferencia y de bus más altas que las versionesDDR2. Disminución del consumo eléctrico. Pines: 240 - Voltios: 1.5 DDR4: Transferencias de datos más rápidamente, y con esto obtener velocidades de transferencia y de bus más altas que las versiones DDR3. Disminución del consumo eléctrico. Pines: 288 - Voltios: 1.2 El socket del procesador (de la tarjeta madre) soportan velocidades de fabricación, por tanto la memoria RAM debe ser compatible con ésta. Latencia Se conoce como el tiempo (nanosegundos) que trascurre entre el momento que el controlador de memoria solicita un dato hasta que este lo recibe. Se utiliza CLx, la x representa el número de ciclos de reloj de latencia (espera). Promedios de latencia DDR: CL3 DDR2: CL5 DDR3: CL9 DDR3: CL15 Aunque en cada generación de memoria la latencia aumenta, el tiempo real de espera es menor, ya que los ciclos son más breves en tiempo, ya que son más veloces. La latencia es el principal problema que enfrentan las memorias RAM, los fabricantes intentan que en cada generación el tiempo que consume sea menos. 2