Download Transistor de Juntura Bipolar BJT

TRANSISTOR DE
JUNTURA BIPOLAR
BJT
Carlos Alberto Barreto Neira
Ferney Sadid Molina Sánchez
Oscar Armando Sosa puerto
261856
261786
261826
Transistor De Juntura Bipolar BJT
Figura 1. Transistor BJT (a) NPN y (b) su símbolo y (c) PNP y (d) su
símbolo. Tomado de [1].
Funcionamiento básico del transistor BJT
Figura 2. (a) polarización de un transistor NPN (obsérvese la anchura efectiva de la base WB)
y (b) movimiento de las cargas (para simplificar únicamente se han representado los
portadores mayoritarios). Tomado de [1].
Gradiente de concentración de portadores
minoritarios en la región de base
Figura 3. (a) Concentración para una polarización directa emisor-base dada. (b)
Incremento de la pendiente del gradiente de dicha concentración al aumentar la
polarización directa emisor-base. Tomado de [1].
Corrientes En Un Transistor NPN En
Configuración Base Común
Figura 4. Diagrama de corrientes en un transistor NPN en configuración base
común incluyendo la corriente de pérdidas ICBO. Tomado de [1].
Corriente De Pérdidas ICEO
Figura 5. Diagrama de la corriente de pérdidas ICEO y su relación con
ICBO. Tomado de [1].
Efectos De La Temperatura En El
Transistor
Figura 6. Efectos de la temperatura en diferentes curvas del transistor en emisor común. (a)
caída de tensión en el diodo base-emisor en función de la corriente de base; (b) corriente de
colector. Tomado de [1]
Regiones de operación
[4] http://electronicapractica2012.blogspot.com/2012_06_01_archive.html
Regiones de operación
• Zona de saturación: Ambas uniones directamente
polarizadas.
Regiones de operación
• Zona de corte: Ambas uniones inversamente polarizadas.
Regiones de operación
• Zona activa: Unión emisor-base directamente polarizada
y unión colector base inversamente polarizada. [2]
Efecto Early
Todas las curvas de salida medidas en emisor común
confluyen en un mismo punto -VA sobre el eje de
tensiones. La tensión VA es conocida como tensión Early y
suele valer entre 150 V y 200 V. [1]
Modelo BJT a baja frecuencia
• 𝒓𝒐 =
𝑽𝑨 +𝑽𝑪𝑬
𝑰𝑪
Modelo BJT a altas frecuencia
Figura 7. Modelo Hibrido π de alta frecuencia. Tomado de [3].
Referencias
• [1]. Universidad de valencia. «El transistor bipolar».
[Online] disponible en:
http://www.uv.es/~esanchis/cef/pdf/Temas/A_T2.pdf
• [2] Sedra, Adel. Smith, Kenneth. Circuitos
Microelectrónicos Capítulo: “Transistores de unión Bipolar
BJT’s" 6 Edición.
• [3].Sedra y Smith. Circuitos microelectrónicas – cuarta
edición- capitulo 4.
• [4]http://electronicapractica2012.blogspot.com/2012_06_0
1_archive.html
¡GRACIAS!