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TRANSISTOR DE JUNTURA BIPOLAR BJT Carlos Alberto Barreto Neira Ferney Sadid Molina Sánchez Oscar Armando Sosa puerto 261856 261786 261826 Transistor De Juntura Bipolar BJT Figura 1. Transistor BJT (a) NPN y (b) su símbolo y (c) PNP y (d) su símbolo. Tomado de [1]. Funcionamiento básico del transistor BJT Figura 2. (a) polarización de un transistor NPN (obsérvese la anchura efectiva de la base WB) y (b) movimiento de las cargas (para simplificar únicamente se han representado los portadores mayoritarios). Tomado de [1]. Gradiente de concentración de portadores minoritarios en la región de base Figura 3. (a) Concentración para una polarización directa emisor-base dada. (b) Incremento de la pendiente del gradiente de dicha concentración al aumentar la polarización directa emisor-base. Tomado de [1]. Corrientes En Un Transistor NPN En Configuración Base Común Figura 4. Diagrama de corrientes en un transistor NPN en configuración base común incluyendo la corriente de pérdidas ICBO. Tomado de [1]. Corriente De Pérdidas ICEO Figura 5. Diagrama de la corriente de pérdidas ICEO y su relación con ICBO. Tomado de [1]. Efectos De La Temperatura En El Transistor Figura 6. Efectos de la temperatura en diferentes curvas del transistor en emisor común. (a) caída de tensión en el diodo base-emisor en función de la corriente de base; (b) corriente de colector. Tomado de [1] Regiones de operación [4] http://electronicapractica2012.blogspot.com/2012_06_01_archive.html Regiones de operación • Zona de saturación: Ambas uniones directamente polarizadas. Regiones de operación • Zona de corte: Ambas uniones inversamente polarizadas. Regiones de operación • Zona activa: Unión emisor-base directamente polarizada y unión colector base inversamente polarizada. [2] Efecto Early Todas las curvas de salida medidas en emisor común confluyen en un mismo punto -VA sobre el eje de tensiones. La tensión VA es conocida como tensión Early y suele valer entre 150 V y 200 V. [1] Modelo BJT a baja frecuencia • 𝒓𝒐 = 𝑽𝑨 +𝑽𝑪𝑬 𝑰𝑪 Modelo BJT a altas frecuencia Figura 7. Modelo Hibrido π de alta frecuencia. Tomado de [3]. Referencias • [1]. Universidad de valencia. «El transistor bipolar». [Online] disponible en: http://www.uv.es/~esanchis/cef/pdf/Temas/A_T2.pdf • [2] Sedra, Adel. Smith, Kenneth. Circuitos Microelectrónicos Capítulo: “Transistores de unión Bipolar BJT’s" 6 Edición. • [3].Sedra y Smith. Circuitos microelectrónicas – cuarta edición- capitulo 4. • [4]http://electronicapractica2012.blogspot.com/2012_06_0 1_archive.html ¡GRACIAS!