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EUITI
CURSO 2005/06
Cuat.:2º
ASIGNATURA: Tecnología Electrónica II Curso: 1
Créditos: 6
Horas Semanales:
Teoría:3h Prácticas:1h
Profesores:
Coordinador: Sr. José A. Cantero
Otros: Sr. Juan C. Giménez . Sra Carmen Santos
Bloque I: ESTUDIO DE TRANSISTORES BIPOLARES
Programa:
Dpto. El.A.I.
Tipo: TRONCAL
Tema 1: Transistores de unión bipolar básico: Estructuras del transistor. Transistores npn, pnp;
Operación en modo activo directo.Símbolos y convenciones de circuito. Características corrientevoltaje. Corrientes de fuga y voltaje de ruptura del transistor no ideal
Tema 2:Análisis en continua (CD) de circuitos con transistores: Circuitos de emisor común.
Línea de carga y modos de operación..Circuitos bipolares comunes: análisis en continua(CD).
Tema 3: Aplicaciones básicas del transistor. Interruptor. Lógica digital. Amplificador
Tema 4:Polarización de transistor bipolar: Polarización con resistencia de base. Polarización con
divisor de voltaje y estabilidad de polarización. Polarización con fuentes de corriente constante
Bloque II: ESTUDIO DE TRANSISTORES UNIPOLARES
Tema 5: Transistores de efecto de campo MOS. Estructura MOS de dos terminales. MOSFET de
canal n en el modo de enriquecimiento. Características corrientes-voltaje del MOSFET ideal.
Símbolos del circuito convenciones. Estructuras y símbolos de circuito adicionales del MOSFET.
Características de corriente-voltaje no ideales.
Tema 6: Análisis en continua (CD) del circuito con MOSFET. Circuitos de fuente común. Línea
de carga y modos de operación. Configuraciones comunes con MOSFET: análisis en continua(CD).
Polarización con fuente de corriente constante.
Tema 7: Aplicaciones básicas del MOSFET .Inversor NMOS. Puerta lógica digital. Amplificador
MOSFET de pequeña señal
Tema 8: Transistor de efecto de campo de unión. Operación del JFET pn y del MESFET.
Características corriente- voltaje. Configuraciones JFET comunes: análisis en CD
Bloque III: TECNOLOGÍA DE CIRCUITOS INTEGRADOS
Tema 9 : Materiales semiconductores y técnicas de fabricación: Introducción a la tecnología
Planar. Substratos, crecimiento de cristales. Oxidación :Obtención del oxido de Silicio térmico.
Tecnología LOCOS. Difusión. Implantación iónica Fotolitografía: Óptica, haz de electrones y rayos
X. Ataques químicos.Epitaxia .Deposición fase de vapor CVD y sus variantes(APCVD, LPCVD,
PECVD, RTCVD, MOCVD)Deposición alto vació PVD. Películas gruesas. Salas blancas.
Tema 10: Tecnología de circuitos integrados
Secuencia para realizar un transistor bipolar y un CI bipolar. Secuencia para realizar un CI MOS
Bibliografía:
BLOQUE I y II:
• Análisis y diseño de CIRCUITOS ELECTRÓNICOS TOMO I
/ Donald A.Neamen. /Ed:McGRAW-HILL
• Diseño Electrónico. Circuitos y sistemas / C.J.Savant Jr.Martin S Roden. Gordon L Carpenter/
Ed: Prentice hall.
• Circuitos Microelectronicos (Análisis y Diseño)/ Muhammad H. Rashid/ Ed:Thomson.
• Microelectrónica. Circuitos y Sistemas Analógicos y Digitales/ JACOB MILLMAN. /Ed.
Hispano-Europea. Barcelona.
• Circuitos Electrónicos Análogicos / E. MUÑOZ MERINO/Ed: E.T.S.I.Telecomunicación
BLOQUE III:
• VLSI Fabricatión Principles. / S.K.Ghandhi./ Ed: John Wiley&Sons 1994.
• VLSI Technology. /S.M Sze/ Ed: McGRAW-HILL1985.
• Diseño y tecnología de circuitos integrados /Martín J. Morant/ Ed: Addison-Wesley 1980.
• Circuitos Integrados MOS y CMOS, principios y aplicaciones / H Lilen /Ed: Marcombo.
Tecnología microelectrónica /R Alvarez santos/ Ciencia3
Actividad
Docente
El profesor explicará y desarrollará, en clase, los conceptos y puntos
de mayor importancia. Cada alumno deberá preparar, por sí solo, algunos puntos del
programa.
Prácticas de
Laboratorio
Deberán realizarse en las fechas y horas programadas y de conformidad con las normas establecidas.
La realización y superación de las mismas será requisito imprescindible para aprobar la asignatura.
Las practicas son quincenales con 2 horas de duración por sesión.
PROGRAMA
1) Caracterización de transistores. Hojas características
2) Identificación de transistores Regiones de funcionamiento.
3) Curvas características de Transistores Bipolares. BJT.
4) Análisis y diseño de circuitos de polarización de transistores bipolares BJT. Estudio de
Parámetros del BJT.
5) Estudio de Parámetros del JFET. Análisis y diseño de circuitos de polarización con
transistores JFET.
6) Examen de Prácticas.
Control y
Evaluación
A los aprobados se les guardará su calificación de teoría o practicas , para posteriores
convocatorias, de conformidad con las normas establecidas en el consejo de departamento.
La calificación final de la asignatura se realizará contabilizando un 80% de la obtenida en
teoría más un 20% de la obtenida en prácticas de Laboratorio.
Exámenes
Se realizarán los exámenes en las fechas y horas propuestas por Ordenación Académica.
Cada examen comprenderá toda la materia explicada.