Download ELECTRONICA I

INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL
SECRETARÍA ACADÉMICA
DIRECCIÓN DE EDUCACIÓN SUPERIOR
PROGRAMA SINTÉTICO
UNIDAD ACADÉMICA:
CARRERA:
ASIGNATURA:
Unidad Profesional Interdisciplinaria en Ingeniería y Tecnología Avanzadas
Tronco Común (Ing. Mecatrónica, Ing. Telemática e Ing. Biónica)
Electrónica I
SEMESTRE:
Cuarto
OBJETIVO GENERAL:
El alumno diseñará fuentes de alimentación lineales reguladas, amplificadores con transistores y circuitos que
utilicen optoelectrónica, para ello usará sus modelos matemáticos, características eléctricas, hojas
características del fabricante, parámetros típicos y circuitos equivalentes.
CONTENIDO SINTÉTICO:
I.- Diodos Semiconductores.
II.- Fuentes de Alimentación Lineales.
III.- Transistores bipolares.
IV.- Amplificadores con transistores BJT de pequeña señal.
V.- Transistores de Efecto de campo (JFET Y MOSFET)
VI.- Amplificadores con transistores JFET Y MOSFET de pequeña señal
VII.- Dispositivos optoelectrónicos (fotodiodo, fototransistor, celda solar, optoacoplador, fotocelda, fotoresistencia).
METODOLOGÍA:
Presentación conceptual de los temas por parte del profesor.
Planteamiento y desarrollo de problemas de análisis y diseño de los temas vistos en clase, por parte de los
alumnos con supervisión del profesor.
Búsqueda de información por parte del alumno asesorado, por el profesor.
Integración de equipos de trabajo de alumnos para la realización de prácticas y ejercicios.
El alumno con supervisión del profesor, utilizará las hojas características para el diseño de fuentes de
alimentación, amplificadores con transistores y circuitos que utilicen optoelectrónica.
Elaboración de resúmenes y cuadros sinópticos por parte del alumno.
Prácticas de los alumnos en los laboratorios, supervisados y coordinados por el profesor.
Técnicas grupales para solución de ejercicios.
EVALUACIÓN Y ACREDITACIÓN:
La calificación de cada evaluación departamental se hará de la siguiente manera: examen teórico sobre diseños de circuitos
vistos en clase, prácticas, tareas, temas de consulta en forma grupal o individual.
BIBLIOGRAFÍA:
1. Boylestad R. Nashelsky, Electrónica y Teoría de los Circuitos, Ed. Prentice. 8ª. Reimpresión, México, 2003.
ISBN: 970-26-0436-2. Págs: 1-660, 859-884, 901-916, 950-954
2. Coughlin R., Driscoll F. Amplificadores Operacionales y Circuitos Integrados Lineales. Ed. Pearson. 5ª. Edición.
México, 1999. ISBN: 970-17-0267-0. Págs: 445-467.
3. Floyd T. Dispositivos Electrónicos, Editorial Pearson. 8ª Edición. México, 2008. ISBN 13: 978-970-26-11936. Págs: 2 – 299, 368 -536
4. Malvino, Principios de electrónica. Ed. MC. Graw-Hill. 7ª Edición. España, 2007. ISBN: 978-84-481-5619-0.
Págs: 2-253, 400-489, 896-941
INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL
SECRETARÍA ACADÉMICA
DIRECCIÓN DE EDUCACIÓN SUPERIOR
ESCUELA: Unidad Profesional
Interdisciplinaria en Ingeniería y
Tecnologías Avanzadas.
CARRERA: Tronco Común de las
carreras: Ing. Mecatrónica, Ing.
Telemática e Ing. Biónica.
OPCIÓN:.
COORDINACIÓN:.
Academia
Básicas de Ingeniería
DEPARTAMENTO:
Ciencias
Básicas.
ASIGNATURA: Electrónica I.
SEMESTRE: Cuarto.
CLAVE: TCELE10421
CRÉDITOS: 10
VIGENTE: Febrero 1998. .
TIPO DE ASIGNATURA: Teórico Práctica.
MODALIDAD: Presencial.
TIEMPOS ASIGNADOS
HRS/SEMANA/TEORÍA:
HRS/SEMANA/PRÁCTICA:
4.0
2.0
HRS/SEMESTRE/TEORÍA:
HRS/SEMESTRE/PRÁCTICA:
60.0
30.0
HRS/TOTALES:
90.0
PROGRAMA ELABORADO O ACTUALIZADO
POR: Academia de Básicas de Ingeniería.
REVISADO POR: Subdirección Académica.
AUTORIZADO POR: Comisión de
Programas Académicos del Consejo
General Consultivo del IPN.
APROBADO POR: El Consejo Técnico Consultivo Escolar
de la UPIITA.
M. en C. Arodí Rafael Carvallo Domínguez.
FECHA:
Dr. David Jaramillo Vigueras.
Secretario Técnico de la Comisión de
Programas Académicos.
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SECRETARÍA ACADÉMICA
DIRECCIÓN DE EDUCACIÓN SUPERIOR
ASIGNATURA: Electrónica I.
CLAVE: TCELE10421
HOJA: 3
DE
13
FUNDAMENTACIÓN DE LA ASIGNATURA
La importancia de la materia como base primordial abarca todos los conceptos de los dispositivos
semiconductores básicos, así como la aplicación de los fundamentos matemáticos necesarios
para el diseño de aplicaciones reales. En la actualidad los sistemas electrónicos avanzan a un
ritmo acelerado y nuevas tecnologías surgen como consecuencia. Esta rápida evolución ha
generado nuevas áreas de aplicación de los dispositivos electrónicos siendo algunas de ellas la
Mecatrónica, Biónica y la Telemática.
El curso contempla dispositivos básicos de estado sólido discretos que actualmente se tienen en
el mercado como son los diodos rectificadores, zener, de conmutación rápida, de propósito
general, etc.; los transitores BJT, JFET y MOSFET, así como los dispositivos optoelectronicos. En
cada tema se plantea el análisis y diseño de circuitos básicos de aplicación para cada dispositivo,
problemas, ejemplos resueltos y prácticas de laboratorio, con lo cual el alumno tiene un
aprendizaje significativo y enriquece sus conocimientos obtenidos del sentido crítico y analítico
necesario para la elección de los dispositivos adecuados según la aplicación que se le presente.
Asignaturas antecedentes: Física II y III, Teoría de los Circuitos, Matemáticas I a V.
Asignaturas Colaterales: Metrología, Control I, Programación de Sistemas en Tiempo Real.
Asignaturas Consecuentes: Electrónica II y Circuitos Lógicos; así como la aplicación de los
dispositivos electrónicos en las diferentes áreas de especialidad, como son; Sistemas de Control,
Telecomunicaciones, Diseño de Prótesis y Elementos Articulados, Control Numérico de Máquinas
y Controles de velocidad entre otras.
OBJETIVO DE LA ASIGNATURA
El alumno diseñará fuentes de alimentación lineales reguladas, amplificadores con transistores y
circuitos que utilicen optoelectrónica, para ello usará sus modelos matemáticos, características
eléctricas, hojas características del fabricante, parámetros típicos y circuitos equivalentes.
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DIRECCIÓN DE EDUCACIÓN SUPERIOR
ASIGNATURA: Electrónica I.
CLAVE: TCELE10421
No. UNIDAD I
HOJA: 4 DE 13
NOMBRE: Diodos Semiconductores.
OBJETIVOS PARTICULARES DE LA UNIDAD
El alumno diseñará circuitos de aplicación con los principales diodos semiconductores, utilizando para ello sus
modelos matemáticos, parámetros eléctricos, hojas características del fabricante, circuitos equivalentes y su
polarización típica.
No.
TEMA
1.1
1.1.1
1.2
1.2.1
1.2.2
HORAS
CLAVE BIBLIOGRÁFICA
TEMAS
T
2.0
P
EC
Diodo Ideal.
Modelos lineales
Diodo rectificador.
1.0
Estructura interna y símbolo
Principio de funcionamiento, modelo matemático,
eléctrico y gráfico.
1.2.3
Hojas Características: Parámetros, características
eléctricas y su variación con la temperatura
Aproximaciones del diodo:
1.3
2.0
1.3.1
1ª aproximación: interruptor
1.3.2
2ª aproximación: interruptor, barrera de potencial.
1.3.3
3ª aproximación: interruptor, barrera de potencial
1.0
y resistencia (directa o inversa).
1.4
Aplicaciones clásicas:
1B, 2B, 5C, 6C
1.4.1
Rectificación de media onda
2.0
1.4.2
Rectificación de onda completa: con derivación
central y tipo puente
1.5
Diodo Zener
1.0
1.5.1
Estructura interna y símbolo
1.5.2
Principio de funcionamiento, modelo matemático,
eléctrico y gráfico.
1.5.3
Hojas Características: parámetros, características
eléctricas y su variación con la temperatura.
1.5.4
Circuitos equivalentes.
1.5.5
Polarización típica.
1.0
1.5.6
Aplicaciones típicas.
2.5
1.6
Diferentes tipos de diodos.
3.0
1.6.1
Características generales.
Subtotal de horas.
10.0 2.5
3.0
ESTRATEGIA DIDÁCTICA
 Presentación de los temas por parte del profesor utilizando pizarrón, proyector de acetatos y cañón.
 Integración de alumnos en equipos para la realización de problemas de diseño con diodos
semiconductores: rectificadores de media onda, onda completa; regulación con zener.
 Elaboración de prácticas por parte de los alumnos con supervisión del profesor sobre los temas antes
expuestos.
PROCEDIMIENTO DE EVALUACIÓN
 El contenido de la unidad será evaluado en el 1er. Examen junto con las unidades 2 y 3 en el cual se
incluirán problemas de diseño con dispositivos semiconductores, valor del 50 %.
 Realización de prácticas, valor del 30%.
 Realización de tareas y ejercicios en clase por parte de los alumnos, valor del 20%.
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DIRECCIÓN DE EDUCACIÓN SUPERIOR
ASIGNATURA: Electrónica I.
CLAVE: TCELE10421
HOJA: 5 DE 13
NOMBRE: Fuentes de Alimentación Lineales.
No. UNIDAD II
OBJETIVOS PARTICULARES DE LA UNIDAD
El alumno diseñará fuentes de alimentación usando reguladores lineales y reguladores de voltaje como son los
diodos Zener y los reguladores integrados fijos para fuentes de voltaje positivas, negativas fijas o variables.
HORAS
No.
CLAVE BIBLIOGRÁFICA
TEMAS
TEMA
T
2.1
Filtrado.
2.2
Voltaje de rizo, porcentaje de rizo.
2.3
Modelo de cd de una fuente de alimentación.
P
EC
1.5
2.0
2.4
2.4.1
2.4.2
2.4.3
Reguladores de voltaje lineales.
Características comunes.
Fijos.
Variables.
2.5
Diseño de fuentes lineales
negativas de voltajes fijos.
positivas
y
2.6
Diseño de fuentes lineales
negativas de voltajes variables.
positivas
y
2.0
1B, 2B, 4C, 5C, 6C
1.5
2.0
2.5
1.5
Subtotal de horas
6.0
2.5
4.5
ESTRATEGIA DIDÁCTICA
 Presentación de los temas por parte del profesor utilizando pizarrón, proyector de acetatos y cañón.
 Integración en equipos de trabajo de alumnos para la realización de ejercicios relacionados con el
diseño de fuentes de alimentación en clase por parte del alumno con supervisión del profesor.
 Diseño y elaboración de prácticas de laboratorio por parte del alumno de fuentes de alimentación, bajo la
supervisión y coordinación del profesor.
 Ejercicios de tarea.
PROCEDIMIENTO DE EVALUACIÓN
 El contenido de la unidad será evaluado en el 1er. examen junto con las unidades 1 y 3, valor del 50 %.
 Realización de prácticas sobre diseño y construcción fuentes de alimentación, valor del 30%.
 Realización de tareas y ejercicios en clase por parte de los alumnos, valor del 20%.
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DIRECCIÓN DE EDUCACIÓN SUPERIOR
ASIGNATURA: Electrónica I
CLAVE: TCELE10421
No. UNIDAD III
HOJA: 6 DE 13
NOMBRE: Transistores bipolares.
OBJETIVOS PARTICULARES DE LA UNIDAD
El alumno diseñara con transistores bipolares circuitos de polarización y de conmutación, utilizando los
principios físicos de operación, modelos matemáticos, hojas características del fabricante y circuitos
equivalentes.
No.
TEMA
HORAS
TEMAS
3.1
Estructura interna y símbolo.
3.2
Principio de funcionamiento, modelo eléctrico.
3.3
Curvas características, regiones de
operación: corte, saturación y lineal.
3.4
3.5
3.5.1
3.5.2
3.5.3
T
P
EC
CLAVE BIBLIOGRÁFICA
2.0
1.0
2.0
Hojas características: parámetros,
características eléctricas y su variación con la
temperatura y la frecuencia.
2.0
Circuitos de polarización:
Punto de operación
Recta de carga
Transistor como interruptor y aplicaciones.
2.0
2.0
2.5
2.0
1B, 2B, 3C, 7C
2.5
2.0
8.0
5.0
7.0
Subtotal de horas.
ESTRATEGIA DIDÁCTICA
 Presentación de los temas por parte del profesor utilizando pizarrón y cañón.
 Integración en equipos de trabajo de alumnos para la realización de ejercicios relacionados con el
diseño de circuitos de polarización del transistor BJT y de conmutación por parte del alumno con
supervisión del profesor.
 Diseño y elaboración de prácticas de laboratorio de los temas antes mencionados, bajo la supervisión y
coordinación del profesor.
 Ejercicios de tarea.
PROCEDIMIENTO DE EVALUACIÓN
 El contenido de la unidad será evaluado en el 1er. Examen junto con las unidades 1 y 2, valor del 50 %.
 Realización de prácticas sobre diseño y construcción de circuitos de polarización y conmutación del BJT,
valor del 30%.
 Realización de tareas y ejercicios en clase por parte de los alumnos, valor del 20%.
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DIRECCIÓN DE EDUCACIÓN SUPERIOR
ASIGNATURA: Electrónica I
CLAVE: TCELE10421
No. UNIDAD IV
NOMBRE: Amplificadores con transistores BJT de pequeña señal.
HOJA: 7 DE 13
OBJETIVOS PARTICULARES DE LA UNIDAD
El alumno diseñará amplificadores con transistores bipolares de pequeña señal, así como el acoplamiento entre
dos o más etapas del tipo inductivo, capacitivo o directo.
No.
TEMA
HORAS
CLAVE BIBLIOGRÁFICA
TEMAS
T
P
EC
1.0
4.1
4.1.1
4.1.2
4.1.3
4.1.4
4.1.5
4.1.6
Amplificador emisor común.
Características.
Análisis y diseño en C.A:
Modelo equivalente del transistor en CA.
Respuesta a frecuencias intermedias.
Respuesta a bajas frecuencias.
Respuesta a altas frecuencias.
2.0
4.2
4.2.1
Amplificador colector común.
Características.
2.0
1.0
4.3
4.3.1
Amplificador base común.
Características.
2.0
3.0
4.4
4.4.1
4.4.2
4.4.3
Diferentes tipos de acoplamiento:
Capacitivo.
Inductivo.
Directo
1.0
2.0
1.0
2.5
1B, 2B, 5C, 6C, 7C
2.5
2.0
Subtotal de horas.
9.0
5.0
8.0
ESTRATEGIA DIDÁCTICA
 Presentación de los temas por parte del profesor utilizando pizarrón y cañón.
 Integración en equipos de trabajo de alumnos para la realización de ejercicios en clase sobre diseño de
amplificadores con transistores BJT, utilizando las hojas características del fabricante.
 Prácticas de laboratorio bajo la supervisión y coordinación del profesor.
 Ejercicios de tarea.
PROCEDIMIENTO DE EVALUACIÓN
 El contenido de la unidad será evaluado en el 2° examen departamental, junto con la unidad 5, con
valor del 50 %.
 Realización de prácticas sobre diseño y construcción de amplificadores con BJT, con valor del 30%.
 Realización de tareas con valor del 20%.
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DIRECCIÓN DE EDUCACIÓN SUPERIOR
ASIGNATURA: Electrónica I
CLAVE: TCELE10421
No. UNIDAD V
HOJA: 8 DE 13
NOMBRE: Transistores de Efecto de campo (JFET Y MOSFET).
OBJETIVOS PARTICULARES DE LA UNIDAD
El alumno diseñara con transistores JFET y MOSFET circuitos de polarización y de conmutación, utilizando los
principios físicos de operación, modelos matemáticos, hojas características del fabricante y circuitos
equivalentes..
No.
TEMA
5.1
5.1.1
5.1.2
5.1.3
HORAS
CLAVE BIBLIOGRÁFICA
TEMAS
T
P
EC
Transistor de efecto de campo JFET
Estructura interna y símbolo.
Principio de funcionamiento, modelo eléctrico.
Curvas
características,
regiones
de
operación: ohmíca, saturación y de ruptura.
5.1.4
Hojas
características:
parámetros,
características eléctricas y su variación con la
temperatura y la frecuencia.
5.1.5
Transistor como interruptor y aplicaciones.
5.2
Circuitos de polarización:
5.2.1
Punto de operación.
5.2.2
Recta de carga
4.0
2.5
4.0
5.3
Transistor de efecto de campo MOSFET
1B, 2B, 5C, 6C, 7C
5.3.1
Estructura interna y símbolo.
5.3.2
Principio de funcionamiento, modelo eléctrico.
5.3.3
Curvas
características,
regiones
de
operación: ohmíca, saturación y de ruptura.
5.3.4
Hojas
características:
parámetros,
características eléctricas y su variación con la
temperatura y la frecuencia.
5.3.5
Transistor como interruptor y aplicaciones.
2.0
5.4
Circuitos de polarización:
5.4.1
Punto de operación.
5.4.2
Recta de carga
3.0
2.5
4.0
Subtotal de horas.
9.0
5.0
8.0
ESTRATEGIA DIDÁCTICA
 Presentación de los temas por parte del profesor utilizando pizarrón y cañón.
 Integración de alumnos en equipos para la realización de ejercicios relacionados con el diseño de
circuitos de polarización y de conmutación de los transistores JFET y MOSFET con supervisión del
profesor.
 Diseño y elaboración de prácticas de laboratorio de los temas antes mencionados, bajo la supervisión
del profesor.
 Ejercicios de tarea
PROCEDIMIENTO DE EVALUACIÓN
 El contenido de la unidad será evaluado en el 2° examen departamental, junto con la unidad 4, con valor
del 50 %.
 Realización de prácticas sobre diseño e implementación de circuitos de polarización y conmutación con
transistores JFET y MOSFET, con valor del 30%.
 Realización de tareas con valor del 20%.
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DIRECCIÓN DE EDUCACIÓN SUPERIOR
ASIGNATURA: Electrónica I
No. UNIDAD VI
CLAVE: TCELE10421
HOJA: 9 DE 13
NOMBRE: Amplificadores con transistores JFET Y MOSFET de pequeña
señal .
OBJETIVOS PARTICULARES DE LA UNIDAD
El alumno diseñará amplificadores de pequeña señal con transistores de efecto de campo, así como el
acoplamiento entre dos o más etapas del tipo inductivo, capacitivo o directo.
No.
TEMA
HORAS
CLAVE BIBLIOGRÁFICA
TEMAS
T
6.1
6.1.1
6.1.2
6.1.3
6.1.4
6.1.5
Amplificador fuente común (JFET).
Características.
Análisis y diseño en C.A:
Respuesta a frecuencias intermedias.
Respuesta a bajas frecuencias.
Respuesta a altas frecuencias.
4.0
6.2
6.2.1
6.2.2
6.2.3
6.2.4
6.2.5
Amplificador fuente común (MOSFET).
Características.
Análisis y diseño en C.A:
Respuesta a frecuencias intermedias.
Respuesta a bajas frecuencias.
Respuesta a altas frecuencias.
4.0
6.3
6.3.1
6.3.2
6.3.3
Diferentes tipos de acoplamiento:
Capacitivo.
Inductivo.
Directo.
2.0
P
EC
3.0
3.0
3.0
1B, 2B, 5C, 6C, 7C
2.0
Subtotal de horas.
10.0
3.0
8.0
ESTRATEGIA DIDÁCTICA
 Presentación de los temas por parte del profesor utilizando pizarrón y cañón.
 Integración de alumnos en equipos de trabajo para la realización de ejercicios en clase sobre diseño de
amplificadores con transistores JFET y MOSFET, utilizando las hojas características del fabricante.
 Prácticas de laboratorio bajo la supervisión y coordinación del profesor.
 Ejercicios de tarea.
PROCEDIMIENTO DE EVALUACIÓN
 El contenido de la unidad será evaluado por medio del 3er. examen departamental junto con la unidad
VII con valor del 50 %.
 Realización de prácticas sobre diseño e implementación de amplificadores de pequeña señal con
transistores JFET y MOSFET, con valor del 30%.
 Realización de tareas con valor del 20%.
INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL
SECRETARÍA ACADÉMICA
DIRECCIÓN DE EDUCACIÓN SUPERIOR
ASIGNATURA: Electrónica I
CLAVE: TCELE10421
HOJA: 10 DE 13
NOMBRE: Dispositivos optoelectrónicos (fotodiodo, fototransistor,
celda solar, optoacoplador, fotocelda, fotoresistencia).
No. UNIDAD VII
OBJETIVOS PARTICULARES DE LA UNIDAD
El alumno diseñará circuitos de aplicación con celdas solares, fotoresistencias, fotocelda, fotodiodos,
fototransistores y optoacoplador, utilizando los datos del fabricante y sus diferentes circuitos básicos de
polarización.
No.
TEMA
7.1
7.1.1
7.1.2
7.1.3
7.1.4
7.2
7.2.1
7.2.2
7.2.3
7.2.4
7.3
7.3.1
7.3.2
7.3.3
7.3.4
7.4
HORAS
CLAVE BIBLIOGRÁFICA
TEMAS
Celda solar, fotocelda y fotoresistencia.
Estructuras internas y símbolos.
Principios de funcionamiento, modelos,
eléctricos y curvas características de cada
uno de ellos.
Parámetros, características eléctricas y su
variación con la intensidad de luz.
Circuitos equivalentes.
Fotodiodo y fototransistor,
Estructuras internas y símbolos.
Principios de funcionamiento, modelos,
eléctricos y curvas características de cada
uno de ellos.
Parámetros, características eléctricas y su
variación con la intensidad de luz.
Circuitos equivalentes.
Optoacoplador
Estructuras internas y símbolos.
Principios de funcionamiento, modelos,
eléctricos y curvas características de cada
uno de ellos.
Parámetros, características eléctricas y su
variación con la intensidad de luz.
Polarización típica y punto de operación.
Aplicaciones
Subtotal de horas.
T
2.0
P
EC
2.0
2.0
3.0
2.0
1B, 2B, 3B, 5C, 6C, 7C
2.0
4.0
2.0
2.0
8.0
7.0
6.0
ESTRATEGIA DIDÁCTICA




Presentación de los temas por parte del profesor utilizando pizarrón y cañón.
Integración de alumnos en equipos de trabajo para la realización de ejercicios en clase sobre diseño de
circuitos de aplicación con dispositivos optoelectrónicos, utilizando las hojas características del
fabricante.
Prácticas de laboratorio bajo la supervisión y coordinación del profesor.
Ejercicios de tarea.
PROCEDIMIENTO DE EVALUACIÓN



El contenido de la unidad será evaluado por medio del 3er examen junto con la unidad VI departamental con valor
del 50 %.
Realización de prácticas en el laboratorio sobre diseño e implementación de circuitos de aplicación utilizando al
menos un fotodispositivo (fotoresistencia, fotodiodo, fotocelda, optoacoplador, fototransistor y/o celda solar) por
parte de los alumnos con supervisión del profesor con valor del 30%.
Realización de tareas con valor del 20%.
INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL
SECRETARÍA ACADÉMICA
DIRECCIÓN DE EDUCACIÓN SUPERIOR
ASIGNATURA: Electronica I
HOJA: 11 DE 13
CLAVE: TCELE10421
RELACIÓN DE PRÁCTICAS
PRACT.
No.
1
2
NOMBRE DE LA PRÁCTICA
Aplicaciones
rectificador.
básicas
del
UNIDAD
diodo
Fuentes de alimentación. Regulación y
diseño de fuente lineal.
Estudio de las regiones de operación y
análisis en CD del BJT.
4
El
BJT
Aplicaciones.
2.5
II
2.5
III
2.5
conmutador.
III
Diseño y obtención de parámetros de
pequeña señal del amplificador emisor
común con BJT.
(Altas,
Bajas
y
Frecuencias
Intermedias)
IV
2.5
IV
2.5
V
2.5
V
2.5
VI
3.0
VII
3.0
VII
4.0
como
5
Circuitos
de
aplicación
amplificadores con transistores.
con
7
MOSFET
como
Aplicaciones.
conmutador.
8
Aplicaciones digitales del MOSFET:
Compuerta de transmisión, diseño de
inversor CMOS.
9
Diseño y obtención de parámetros de
pequeña señal del amplificador fuente
común con MOSFET.
10
Aplicaciones de los dispositivos
optoelectrónicos: emisión y recepción
utilizando fotodiodos, fotorresistencias
y fototransistores (luz visible e
infrarroja).
11
LUGAR DE
REALIZACIÓN
Laboratorio de
Electrónica.
3
6
I
DURACIÓN
Aplicaciones de los dispositivos
optoacopladores: interfaz de potencia y
aislamiento de tierras.
Total
2.5
30
INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL
SECRETARÍA ACADÉMICA
DIRECCIÓN DE EDUCACIÓN SUPERIOR
ASIGNATURA: Electrónica I
PERÍODO
1
2
CLAVE: TCELE10421
UNIDAD
La segunda evaluación constará de los siguientes
porcentajes :
50% Examen departamental.
30% Prácticas de laboratorio.
20% Tareas.
IV y V
VI y VII
CLAVE
B
PROCEDIMIENTO DE EVALUACIÓN
La primera evaluación constará de los siguientes
porcentajes :
50% Examen departamental.
30% Prácticas de laboratorio.
20% Tareas.
I, II y III
3
HOJA: 12 DE 13
La tercera evaluación constará de los siguientes
porcentajes :
50% Examen departamental.
30% Prácticas de laboratorio.
20% Tareas.
.
La evaluación de la asignatura es el promedio de las
tres calificaciones anteriores.
C
BIBLIOGRAFÍA
1
X
Boylestad R. Nashelsky, Electrónica y Teoría de los
Circuitos, Ed. Prentice. 8ª. Reimpresión, México, 2003. ISBN:
970-26-0436-2. Págs: 1-660, 859-884, 901-916, 950-954.
2
X
Floyd T. Dispositivos Electrónicos, Editorial Pearson. 8ª
Edición. México, 2008. ISBN 13: 978-970-26-1193-6. Págs:
2 – 299, 368 -536
X
Mc Comb Robert. The Robot Builders Bonanza. 2ª Edition.
Ed. Mc Graw Hill, 2001. ISBN-13: 978-0830628001. Págs.
560
X
Coughlin R., Driscoll F. Amplificadores Operacionales y
Circuitos Integrados Lineales. Ed. Pearson. 5ª. Edición.
México, 1999. ISBN: 970-17-0267-0. Págs: 445-467.
5
X
Malvino, Principios de electrónica. Ed. MC. Graw-Hill. 7ª
Edición. España, 2007. ISBN: 978-84-481-5619-0. Págs: 2253, 400-489, 896-941
6
X
Hojas de especificaciones del fabricante.
X
Sedra Smith. Circuitos Microelectronicos. 5ª. Edición. Ed.
Mc Graw Hill, 2006.ISBN: 9701054725 Págs. 1392
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4
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INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL
SECRETARÍA ACADÉMICA
DIRECCIÓN DE EDUCACIÓN SUPERIOR
PERFIL DOCENTE POR ASIGNATURA
1. DATOS GENERALES
Unidad Profesional Interdisciplinaria en Ingeniería y Tecnologías Avanzadas
ESCUELA:
Tronco Común (Ing. Mecatrónica, Ing.
Telemática e Ing. Biónica)
CARRERA:
ÁREA:
C. BÁSICAS
ACADEMIA:
SEMESTRE
C. INGENIERÍA
Básicas de Ingeniería
Cuarto
D. INGENIERÍA
ASIGNATURA:
ESPECIALIDAD Y NIVEL ACADÉMICO REQUERIDO:
C. SOC. y HUM.
Electrónica I.
Ing. y/o Maestría de Carreras
relacionadas con Electrónica.
2.- OBJETIVOS DE LA ASIGNATURA:
El alumno diseñará fuentes de alimentación lineales reguladas, amplificadores con transistores y circuitos que
utilicen optoelectrónica, para ello usará sus modelos matemáticos, características eléctricas, hojas
características del fabricante, parámetros típicos y circuitos equivalentes.
3.- PERFIL DOCENTE:
CONOCIMIENTOS
Cálculo Diferencial e Integral
Superior.
Transformadas de Fourier.
Variable Compleja.
Probabilidad y Estadística.
Comunicaciones y
Electrónica.
EXPERIENCIA
PROFESIONAL
Dos años de
experiencia
mínima
profesional en el
área de Ingeniería
en Electrónica.
HABILIDADES
Dominio de la asignatura.
Manejo de grupos.
Comunicación.
Capacidad de análisis y
síntesis.
Manejo de materiales
Didácticos.
Equipos de prueba y
cómputo.
Organización.
Creatividad
ACTITUDES
Vocación por la docencia.
Honestidad.
Ejercicio de la crítica
fundamentada.
Respeto.
Tolerancia.
Ética.
Espíritu de colaboración.
Superación docente y
profesional.
Solidaridad.
Compromiso social.
Puntualidad.
ELABORÓ
REVISÓ
AUTORIZÓ
PRESIDENTE DE LA ACADEMIA
Dr. Luis Martín Resendiz Mendoza
M. en C. Mirna Salmerón Guzmán
M. en C. Luis Armando Martínez
M. en C. Sergio Garduza González
SUBDIRECTOR ACADÉMICO M.C.
Saúl Alfredo Puga Manjarrez
DIRECTOR
M. en C. Arodí Rafael Carvallo
Domínguez
FECHA:
6 de enero 2009