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Laboratorio de Electrónica Industrial
Profesor: Ing. Javier Rodríguez Bailey Oficina:A4-423-D
Curso Laboratorio de Electrónica Industrial
requisitos (aprobado) Electrónica Aplicada
Obtención de material de apoyo para la clase en la siguiente
dirección de internet:
http://www.mty.itesm.mx/etie/deptos/ie/profesores/jrodrigu/hom
e.htm
En esta dirección se podrán obtener:
Respuestas a los problemas del libro.(*)
Tareas
Apuntes(*)
*Algunos en preparación
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También se podra obtener información en Blackboard
Se podra accesar la base de datos (cuando no se pueda
usar con su número de matricula)
Base de datos mty.e00007.0513.6.alumno y con el
password:
alumno
Para obtener información de las practicas en formato
pdf acessar Course Documents,
para verlo en formato htm accesar Laboratorio.
Para ver la forma de evaluación y fechas de examenes
accesar Course Information .
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El Laboratorio se encuentra en LD-407F
Evaluación: Trabajo en el laboratorio
70%
(detalles en Blackboard)
Exámenes de clase teórica(3) 30%
Tareas
5%
Primer Parcial Febrero
11 (Miercoles)
Segundo Parcial Marzo
11 (Miercoles)
Tercer Parcial
Abril
22 (Miercoles)
Duración de Examen: media hora
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Electrónica de potencia combina potencia,
electrónica y control
Control involucra a las características de estado
estable y dinámicas de sistemas retroalimentados.
Potencia incluye equipo estático y rotatorio para
la generación, transmisión y distribución de
energía eléctrica.
Electrónica incluye a los dispositivos de estado
sólido para procesar señales para lograr los
objetivos de control
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Historia:
Rectificador de arco de mercurio en 1900
Rectificaror de tanque métalico, tubo controlado
por rejilla, panatrón e ignitrón se aplicaron
posteriormente hasta 1950
Transistor de silicio en 1948
Transistor PNPN (llamado posteriormente SCR y
tiristor) en 1956
Tiristor comercial de General Electric en 1958
Posteriormente se han desarrollado muchos
dispositivos
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Dispositivos más importantes:
Rectificador(5000V y 5000A)
Silicon Controlled rectifier(SCR) familia de
tiristores
(5000v y 5000A)
TRIAC( 1200V y 300A)
Transistor bipolar de potencia(BJT) (1200V y
400A)
Mosfets de potencia(500V y 50A)
Isolated Gate Bipolar Transistor(IGBT)(1200V y
400A)
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Convertidores:
De corriente alterna (A. C.) a corriente directa (C. D.)
a veces llamados rectificadores
De corriente directa (C. D. ) a corriente directa (C. D.)
Llamados troceadores (choppers)
De corriente alterna ( C. A. ) a corriente alterna (C. A.)
O controles de C. A.
De corriente directa (C. D. ) a corriente alterna (C. A.)
O inversores
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De la familia de los tiristores (thyristors)
SCR Silicon controlled thyristor
GTO Gate turn off thyristor
RCT Reverse conducting thyristor
SITH Static induction thyristor
GATT Gate assisted thyristor
LASCR Light activated thyristor
MTO MOS turn off thyristor
IGCT Integrates gate commutatde thytistor
MCT MOS controlled thyristor
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Transistores:
BJT Bipolar junction transistor
MOSFET Metal oxide semiconductor field
effect transistor
IGBT Insulated gate bipolar transistor
SIT Static induction transistor
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