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UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE BAJA CALIFORNIA
DIRECCIÓN GENERAL DE ASUNTOS ACADEMICOS
PROGRAMA DE ASIGNATURA
I. DATOS DE IDENTIFICACIÓN
1. Unidad Académica
Facultad de Ciencias Químicas e Ingeniería
2. Programa (s) de estudio: (Técnico, Licenciatura):
Electrónica I
4. Nombre de la Asignatura
6. No. Horas: Teóricas: 5
8. Ciclo Escolar:
Ing. en Electrónica
Prácticas
2002-2
10. Carácter de la Asignatura:
2
5. Clave:
Modalidad de la Práctica: Laboratorio
9. Etapa de formación a la que pertenece:
Obligatoria
11. Requisitos para cursar la asignatura:
3. Vigencia del plan: 1994-2

000894
7. No. de Créditos:
12
Básica disciplinaria
Optativa
Circuitos I, Semiconductores
12. Tipología Teórica-Práctica
Formuló:
Fecha:
Juan Jesús López García
Agosto de 2002
Vo . Bo. M.C. José Guillermo Rodríguez Ventura
Cargo :
Subdirector Académico
II. PROPÓSITO GENERAL DEL CURSO
Adquirir una formación analítica para ser aplicada con los conocimientos adquiridos en las materias
de Circuitos I y Semiconductores en la comprensión, interpretación y análisis del funcionamiento de
los dispositivos electrónicos actuales. Se recomienda llevar a la par las materias de Circuitos II y
Mediciones Eléctricas y Electrónicas como apoyo y extensión de aplicaciones.
Esta materia es indispensable para Electrónica II y de vital apoyo para cualquier otra que base su
campo de aplicación en el uso de dispositivos electrónicos.
III. OBJETIVOS GENERALES DEL CURSO
Formativo:
 Adquirir la habilidad de formalización matemática.
 Incrementar la habilidad de imaginación y creatividad.
 Capacidad investigativa de organización y de trabajo en equipo.
Informativo:
 Conocer el funcionamiento interno y características eléctricas de los principales dispositivos
semiconductores.
 Conocer y aplicar métodos experimentales para la caracterización y parametrización de
dispositivos semiconductores.
 Adquirir la capacidad para modelar dispositivos semiconductores y representarlos mediante
elementos eléctricos como base para el análisis y diseño.
IV. DESARROLLO POR UNIDADES
Nombre de la Unidad
Objetivos
I. EL DIODO SEMICONDUCTOR
Conocer el funcionamiento interno y las principales características
eléctricas de la unión semiconductora, diseñar algunas aplicaciones.
Contenido Temático:
Duración:
1.1 Introducción
1.1.1 Teoría de operación, analogía con sistema mecánico, símbolo.
1.1.2 Curva y ecuación característica.
1.1.3 Parámetros (corriente de fuga, voltaje umbral, constante de fabricación).
1.1.4 Resistencia estática, dinámica, promedio y óhmica.
1.1.5 El diodo ideal y modelos equivalentes aproximados.
1.2 Características eléctricas
1.2.1 Voltaje de ruptura inverso.
1.2.2 Tiempo de almacenamiento, agotamiento y de recuperación inverso.
1.2.3 Capacitancia de la unión. Respuesta en frecuencia.
1.2.4 Potencia de disipación máxima.
1.2.5 Variación de parámetros por efecto de la temperatura.
1.2.6 Recta de carga y punto de operación (Q).
1.3 Diodos especiales.
1.3.1 Schottky.
1.3.2 PIN
1.3.3 Zener.
1.3.4 Tunel.
1.3.5 Varicap.
1.3.6 Emisor de luz.
1.3.7 Fotodiodo.
1.4 Aplicaciones.
1.4.1 Compuertas lógicas.
1.4.2 Rectificadores de media onda y onda completa.
1.4.3 Convertidor de C.A. a C.D.
1.4.4 Reguladores de voltaje y corriente.
1.4.5 Circuitos recortadores.
1.4.6 Circuitos sujetadores y multiplicadores de voltaje.
1.4.7 Oscilador, sintonizador y demodulador con diodos.
20 hrs.
IV. DESARROLLO POR UNIDADES
Nombre de la Unidad
Objetivos
II. El TRANSISTOR BIPOLAR
Conocer el funcionamiento interno del transistor bipolar, determinar sus
principales características eléctricas, hacer uso de él en el diseño de
aplicaciones básicas.
Contenido Temático:
Duración:
2.1 Introducción al transistor bipolar de unión (BJT)
2.1.1 Teoría de operación, analogía con un sistema mecánico.
2.1.2 Tipos (N-P-N y P-N-P), símbolos.
2.1.3 Polarización de las uniones y curvas características. Regiones de operación.
2.1.4 Parámetros (, , voltaje de umbral, corriente de fuga).
2.1.5 Ecuaciones de Ebers-Moll.
2.1.6 Configuraciones (e-c, b-c y c-c).
2.1.7 Modelos equivalentes híbrido (hfe, hie, hoe, hre) y de resistencia para e-c.
2.2 Características eléctricas
2.2.1 Voltajes de ruptura.
2.2.2 Capacitancias de las uniones. Tiempos de recuperación.
2.2.3 Curva de máxima disipación de potencia.
2.2.4 Frecuencia de transición.
2.2.5 Variación de parámetros por efecto de la temperatura.
2.3 Introducción al transistor bipolar de heterounión (HBT).
2.4 Análisis gráfico de los circuitos con transistor.
2.4.1 Circuito básico de polarización.
2.4.2 Recta de carga. Ubicación del punto de reposo (Q).
2.5 Aplicaciones
2.5.1 Fuente de corriente dependiente de corriente.
2.5.2 Fuente de voltaje.
2.5.3 Compuertas lógicas.
2.5.4 Multivibradores biestable, monoestable y astable.
20 hrs.
IV. DESARROLLO POR UNIDADES
Nombre de la Unidad
III. EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
Objetivos
Conocer el funcionamiento interno de la familia de transistores de efecto
de campo, determinar sus principales características eléctricas, hacer uso
de ellos en el diseño de aplicaciones básicas.
Contenido Temático:
Duración:
3.1 Introducción al FET de unión (JFET)
3.1.1 Teoría de operación, analogía con sistema mecánico.
3.1.2 Tipos (canal N y canal P), símbolos.
3.1.3 Polarización de las uniones y curvas características. Zonas de operación.
3.1.4 Ecuaciones características; parámetros (Idss, Vpo, gm, rds).
3.2 Introducción al FET de Compuerta Aislada de Metal-Óxido-Semiconductor (MOSFET)
3.2.1 MOSFET de modo de agotamiento, estructura, tipos, simbología.
3.2.2 MOSFET de modo de acrecentamiento, estructura, tipos, simbología.
3.2.3 CMOS, estructura, simbología.
3.2.4 Ecuaciones, parámetros y curvas características. Zonas de operación.
3.3 Introducción al FET de unión de Metal- Semiconductor (MESFET).
3.4 Análisis gráfico de circuitos con FET’s.
3.4.1 Circuitos básicos de polarización.
3.4.2 Recta de carga. Ubicación del punto de reposo (Q).
3.5 Aplicaciones.
3.5.1 Resistencia variable dependiente de voltaje.
3.5.2 Fuente de corriente y de voltaje dependiente de voltaje.
3.5.3 Compuertas lógicas.
3.5.4 Multivibradores.
3.5.5 Memorias.
20 hrs.
IV. DESARROLLO POR UNIDADES
Nombre de la Unidad
IV. ANÁLISIS DE AMPLIFICADOR A
PEQUEÑA SEÑAL USANDO BJT
Objetivos
Emplear transistores bipolar en el diseño de amplificadores para pequeña
señal y analizar las características eléctricas primordiales.
Contenido Temático:
Duración:
4.1 Circuito de polarización mínimo (sin estabilidad en temperatura).
4.2 Desplazamiento del punto Q por efecto de la temperatura.
4.3 Estabilización en temperatura
4.3.1 Factores de estabilidad (SIco, SVbe y S).
4.3.2 Circuitos para estabilización en temperatura
4.3.2.1 Polarización por divisor de voltaje.
4.3.2.2 Con resistencia de retroalimentación.
4.3.2.3 Compensación por diodos.
4.4 Emisor-común
4.4.1 Impedancia de entrada y salida; ganancia en voltaje y corriente.
4.4.2 Ancho de Banda. Capacitores de acoplamiento.
18 hrs.
V. METODOLOGÍA DE TRABAJO
 Exposición oral del docente en al menos el 70 % de los subtemas.
 30% de los subtemas no vistos en la exposición del docente se aplicará como trabajo de
investigación y aplicación por parte del alumnado.
 Solución a ejemplos sobre análisis y diseño de circuitos típicos en clase.
 Exposiciones de temas seleccionados por parte de los alumnos.
 Empleo de software para análisis y simulación de circuitos (se recomienda usar “CircuitMaker”).
VI. CRITERIOS DE EVALUACIÓN
 Solución a un cuestionario por unidad.
 Acreditar examen escrito por unidad.
 Examen final.
 Acreditación de laboratorio en el 100% de prácticas (asistencia, elaboración y reporte).
 Examen teórico-práctico individual.
 Elaboración de un proyecto final.
La calificación mínima aprobatoria es 7.0
VI. BIBLIOGRAFÍA
Básica
Complementaria
- Circuitos Microelectrónicos
Adel S. Sedra/Kenneth C. Smith
Edit. Oxford University Press
- Microelectronics.
Jacob Millman/Arvin Grabel
Edit. McGraw Hill
- Diseño Electrónico. Circuitos y Sistemas
C. J. Savant/Martin S. Roden/Gordon L.
Carpenter
Edit. Addison Wesley Longman
- Circuitos Electrónicos. Análisis, Simulación y
Diseño.
Norbert R. Malik
- Electrónica: Teoría de Circuitos.
Robert L. Boylestad/Louis Nashelsky
Edit. Prentice Hall
- Circuitos Electrónicos Discretos e Integrados.
Donald L. Schilling/Charles Belove
Edit. Alfaomega Marcombo
Edit. Prentice Hall
- Circuitos Electrónicos Discretos e Integrados.
M. S. Ghausi
Edit. Interamericana